JPS621246B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS621246B2 JPS621246B2 JP53129070A JP12907078A JPS621246B2 JP S621246 B2 JPS621246 B2 JP S621246B2 JP 53129070 A JP53129070 A JP 53129070A JP 12907078 A JP12907078 A JP 12907078A JP S621246 B2 JPS621246 B2 JP S621246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- resist pattern
- electron beam
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路装置や半導体装置の製造に用
いられるレジストパターンの形成方法に関し、露
光時間が短く且つパターン精度を充分高くするこ
とができる微細加工に有効なパターン形成方法を
提供するものである。
いられるレジストパターンの形成方法に関し、露
光時間が短く且つパターン精度を充分高くするこ
とができる微細加工に有効なパターン形成方法を
提供するものである。
近年、パターン精度の高い微細加工用の露光方
法として電子ビームを利用した電子ビーム露光法
が注目され、１μｍ以下のレジストパターンの形
成が可能となつてきた。ところが、このような露
光法は、第１図ａに示す形成すべきレジストパタ
ーンにおいて、幅が狭く長さが長いパターン２２
や幅および長さが小さなパターン２３にとつては
有効であるが、幅または幅および長さが大きなパ
ターン２１や２４に対してはパターン精度で規定
されるビーム径の電子ビームの掃引をこれらのパ
ターン内のすべてのレジストを露光すべく繰り返
さなければならず掃引時間すなわち露光時間が長
くなるという欠点がある。ところで、今迄の光
（紫外線を含む）やＸ線等を用いた一活光露光で
は、形成すべきレジストパターンに等しい面積を
一活光露光するため上述の電子ビーム露光よりも
露光時間が短いという長所がある反面、光を用い
た場合は特に光の回析その他により第１図ｂに示
すように基板１０上のエツチングすべき膜１１上
の露光および現像後のレジストパターン２１，２
３の境界がぼけて高精度のパターンが得られない
という欠点がある。
法として電子ビームを利用した電子ビーム露光法
が注目され、１μｍ以下のレジストパターンの形
成が可能となつてきた。ところが、このような露
光法は、第１図ａに示す形成すべきレジストパタ
ーンにおいて、幅が狭く長さが長いパターン２２
や幅および長さが小さなパターン２３にとつては
有効であるが、幅または幅および長さが大きなパ
ターン２１や２４に対してはパターン精度で規定
されるビーム径の電子ビームの掃引をこれらのパ
ターン内のすべてのレジストを露光すべく繰り返
さなければならず掃引時間すなわち露光時間が長
くなるという欠点がある。ところで、今迄の光
（紫外線を含む）やＸ線等を用いた一活光露光で
は、形成すべきレジストパターンに等しい面積を
一活光露光するため上述の電子ビーム露光よりも
露光時間が短いという長所がある反面、光を用い
た場合は特に光の回析その他により第１図ｂに示
すように基板１０上のエツチングすべき膜１１上
の露光および現像後のレジストパターン２１，２
３の境界がぼけて高精度のパターンが得られない
という欠点がある。
本発明の目的は短い露光時間で高精度のレジス
トパターンが得られるパターン形成方法を提供す
ることにある。
トパターンが得られるパターン形成方法を提供す
ることにある。
本発明によれば、レジストパターンを形成すべ
き面上にレジストを塗布する工程と、形成すべき
レジストパターンを構成する各部分パターンの周
辺部分のうち高精度を要する部分を少なくとも除
いた部分を一括光露光しかつ現像することによつ
て第１のレジストパターンを形成する工程と、該
第１のレジストパターンが形成された面上に再び
レジストを塗布する工程と、上記周辺部分あるい
は周辺部分のうち高精度を要する部分を電子ビー
ム露光しかつ現像することによつて第２のレジス
トパターンを形成する工程とを含むパターン形成
方法が得られる。
き面上にレジストを塗布する工程と、形成すべき
レジストパターンを構成する各部分パターンの周
辺部分のうち高精度を要する部分を少なくとも除
いた部分を一括光露光しかつ現像することによつ
て第１のレジストパターンを形成する工程と、該
第１のレジストパターンが形成された面上に再び
レジストを塗布する工程と、上記周辺部分あるい
は周辺部分のうち高精度を要する部分を電子ビー
ム露光しかつ現像することによつて第２のレジス
トパターンを形成する工程とを含むパターン形成
方法が得られる。
次に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図ａにおいて、形成すべきレジストパター
ンを構成する２１で示した幅ａの部分パターン
ABCDに対して、光露光したとき回析現象その他
で精度的に問題のある周辺から幅ｂの部分４１だ
け除いて縮小した、幅ｃが光露光の最小寸法ｄに
対して(1)式が満たされているようなA′B′C′D′か
らなる部分３１を考える。
ンを構成する２１で示した幅ａの部分パターン
ABCDに対して、光露光したとき回析現象その他
で精度的に問題のある周辺から幅ｂの部分４１だ
け除いて縮小した、幅ｃが光露光の最小寸法ｄに
対して(1)式が満たされているようなA′B′C′D′か
らなる部分３１を考える。
ただし(2)式が満たされている部分パターンは除
く。このような部分３１の集合からなるパターン
を露光すべきパターンとしたマスクを作る。そし
てレジストパターンを形成すべき面上にネガ型の
光露光用レジスト（例えば、KPR（商品名）
等）を１μｍ前後の厚みで塗布しプリベークした
後、上記マスクを用いて一括光露光し現像して、
第２図ｂに示すレジストパターン３１′を基板１
０上の膜１１上に残す。
く。このような部分３１の集合からなるパターン
を露光すべきパターンとしたマスクを作る。そし
てレジストパターンを形成すべき面上にネガ型の
光露光用レジスト（例えば、KPR（商品名）
等）を１μｍ前後の厚みで塗布しプリベークした
後、上記マスクを用いて一括光露光し現像して、
第２図ｂに示すレジストパターン３１′を基板１
０上の膜１１上に残す。
次に、第２図ｃに示すようにネガ型の電子線用
レジスト（例えばＰ（GMA−CO−EA）（商品
名）等）50を0.3〜１μｍ程度の厚みで塗布しプ
リベークした後、第２図ｄに示すように、所望の
精度を要する辺ABCD２１とすでに形成されてい
るA′B′C′D′からなるレジストパターン３１′の内
側に合せ精度b′の分縮小したA″B″C″D″とで囲ま
れる領域５１を10KV〜30KVの電子線で掃引露光
し現像すれば、第２図ｅに示すように所望の部分
パターンABCDがレジストパターン５１′とレジ
ストパターン３１′との両レジストパターンによ
り得ることができる。
レジスト（例えばＰ（GMA−CO−EA）（商品
名）等）50を0.3〜１μｍ程度の厚みで塗布しプ
リベークした後、第２図ｄに示すように、所望の
精度を要する辺ABCD２１とすでに形成されてい
るA′B′C′D′からなるレジストパターン３１′の内
側に合せ精度b′の分縮小したA″B″C″D″とで囲ま
れる領域５１を10KV〜30KVの電子線で掃引露光
し現像すれば、第２図ｅに示すように所望の部分
パターンABCDがレジストパターン５１′とレジ
ストパターン３１′との両レジストパターンによ
り得ることができる。
形成すべきレジストパターンを構成する各部分
パターンの中にはその周辺部分がすべて高パター
ン精度を要するものばかりではなく該周辺部分の
一部が高パターン精度を要するような部分パター
ンもある。このような部分パターンの場合は電子
線で掃引する部分はその周辺部分のうち高パター
ン精度を要する部分だけでよい。すなわち、第３
図ａに示すように高パターン精度を要しない辺７
２のみからなる部分パターンは電子線露光を行な
う必要はなく、高パターン精度を要する辺７１を
有する部分パターンはそのような辺の数が増加す
るにつれ、第３図ｂ，ｃ，ｄ，そして第２図のよ
うに電子線掃引する部分５１が増加する。第３図
ｅは第１図ａの２３に相当する幅および長さが小
さい部分パターンを示し、この場合パターン全部
が電子線の掃引部分５１となる。
パターンの中にはその周辺部分がすべて高パター
ン精度を要するものばかりではなく該周辺部分の
一部が高パターン精度を要するような部分パター
ンもある。このような部分パターンの場合は電子
線で掃引する部分はその周辺部分のうち高パター
ン精度を要する部分だけでよい。すなわち、第３
図ａに示すように高パターン精度を要しない辺７
２のみからなる部分パターンは電子線露光を行な
う必要はなく、高パターン精度を要する辺７１を
有する部分パターンはそのような辺の数が増加す
るにつれ、第３図ｂ，ｃ，ｄ，そして第２図のよ
うに電子線掃引する部分５１が増加する。第３図
ｅは第１図ａの２３に相当する幅および長さが小
さい部分パターンを示し、この場合パターン全部
が電子線の掃引部分５１となる。
第４図にはポジ型レジストを用いた場合を示
す。第４図ａは第２図ｄの工程に対応し第４図ｂ
は第２図ｅの工程に対応する。第４図の場合、第
２図の場合の図形の内側と外側とを入替えた形に
なつている。３１′は、例えばAZ−1350（商品
名）等を用いて形成し、５１′は例えばPMMA
（商品名）等を用いて形成すればよい。
す。第４図ａは第２図ｄの工程に対応し第４図ｂ
は第２図ｅの工程に対応する。第４図の場合、第
２図の場合の図形の内側と外側とを入替えた形に
なつている。３１′は、例えばAZ−1350（商品
名）等を用いて形成し、５１′は例えばPMMA
（商品名）等を用いて形成すればよい。
なお、上述した実施例において51′を形成する
ために光露光用レジストを用いてよいことはもち
ろんである。
ために光露光用レジストを用いてよいことはもち
ろんである。
以上のごとく本発明によれば、短い露光時間で
高精度のレジストパターンが容易に得られ、高パ
ターン精度を要する集積回路装置、半導体装置等
の製造工程の短縮化が可能となる。
高精度のレジストパターンが容易に得られ、高パ
ターン精度を要する集積回路装置、半導体装置等
の製造工程の短縮化が可能となる。
第１図ａ，ｂは従来のパターン形成方法を説明
するための図で、ａは形成すべきレジストパター
ンを示す平面図、ｂは従来の光露光法を用いてレ
ジストパターンを形成した素子の断面図である。
第２図ａ〜ｅはネガ型レジストを用いた場合の本
発明の一実施例による工程順を説明するための図
で、ａは光露光すべきパターンを示す平面図、ｂ
は光露光してレジストパターンを形成した素子の
断面図、ｃはｂにおける素子に電子線用レジスト
を塗布した状態を示す断面図、ｄは電子線を掃引
露光する部分を示すための平面図、ｅはレジスト
パターンを形成した素子の最終形状を示す断面図
でる。第３図ａ〜ｅは電子線を掃引すべき部分を
説明するための図でる。第４図ａ，ｂはポジ型レ
ジストを用いた場合の本発明の実施例を説明する
ための図で、ａは第２図ｄの工程に対応する第２
図ｄと同様な図、ｂは第２図ｅの工程に対応する
第２図ｅと同様な図である。 １０……基板、１１……レジストパターンを形
成すべき膜、３１′……一括光露光して形成した
レジストパターン、５１′……電子線露光して形
成したレジストパターン。
するための図で、ａは形成すべきレジストパター
ンを示す平面図、ｂは従来の光露光法を用いてレ
ジストパターンを形成した素子の断面図である。
第２図ａ〜ｅはネガ型レジストを用いた場合の本
発明の一実施例による工程順を説明するための図
で、ａは光露光すべきパターンを示す平面図、ｂ
は光露光してレジストパターンを形成した素子の
断面図、ｃはｂにおける素子に電子線用レジスト
を塗布した状態を示す断面図、ｄは電子線を掃引
露光する部分を示すための平面図、ｅはレジスト
パターンを形成した素子の最終形状を示す断面図
でる。第３図ａ〜ｅは電子線を掃引すべき部分を
説明するための図でる。第４図ａ，ｂはポジ型レ
ジストを用いた場合の本発明の実施例を説明する
ための図で、ａは第２図ｄの工程に対応する第２
図ｄと同様な図、ｂは第２図ｅの工程に対応する
第２図ｅと同様な図である。 １０……基板、１１……レジストパターンを形
成すべき膜、３１′……一括光露光して形成した
レジストパターン、５１′……電子線露光して形
成したレジストパターン。
Claims (1)
- １ レジストパターンを形成すべき面上にレジス
トを塗布する工程と、形成すべきレジストパター
ンを構成する各部分パターンの周辺部分あるいは
周辺部分のうち高精度を要する部分を少なくとも
除いた部分を一括光露光しかつ現像することによ
つて第１のレジストパターンを形成する工程と、
該第１のレジストパターンが形成された面上に再
びレジストを塗布する工程と、上記周辺部分ある
いは周辺部分のうち高精度を要する部分を電子ビ
ーム露出しかつ現像することによつて第２のレジ
ストパターンを形成する工程とを含むパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907078A JPS5556629A (en) | 1978-10-21 | 1978-10-21 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907078A JPS5556629A (en) | 1978-10-21 | 1978-10-21 | Pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5556629A JPS5556629A (en) | 1980-04-25 |
| JPS621246B2 true JPS621246B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15000328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12907078A Granted JPS5556629A (en) | 1978-10-21 | 1978-10-21 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5556629A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839015A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Pioneer Electronic Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4520269A (en) * | 1982-11-03 | 1985-05-28 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography proximity correction method |
| US4717644A (en) * | 1982-12-20 | 1988-01-05 | International Business Machines Corporation | Hybrid electron beam and optical lithography method |
| US4610948A (en) * | 1984-01-25 | 1986-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Electron beam peripheral patterning of integrated circuits |
| EP1887614B1 (en) * | 2005-06-03 | 2010-08-11 | Advantest Corporation | Patterning method |
-
1978
- 1978-10-21 JP JP12907078A patent/JPS5556629A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5556629A (en) | 1980-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04115515A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS621246B2 (ja) | ||
| JPH0219970B2 (ja) | ||
| JPH1197328A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS599920A (ja) | 局所的グレ−テイング作製方法 | |
| JPH0555102A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09218500A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| JPH0544169B2 (ja) | ||
| JPS60229001A (ja) | 集積化回折格子の製造方法 | |
| JPH06120102A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPS58219738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62105423A (ja) | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0236049B2 (ja) | ||
| JPS6319860B2 (ja) | ||
| JPS6020512A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0471331B2 (ja) | ||
| JPH04104154A (ja) | レチクルの作製方法 | |
| JPS6351639A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0653107A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236823A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS6229134A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6319861B2 (ja) | ||
| JPS6161161A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS63316438A (ja) | フォトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0222537B2 (ja) |