JPS6229134A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6229134A JPS6229134A JP16794385A JP16794385A JPS6229134A JP S6229134 A JPS6229134 A JP S6229134A JP 16794385 A JP16794385 A JP 16794385A JP 16794385 A JP16794385 A JP 16794385A JP S6229134 A JPS6229134 A JP S6229134A
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- JP
- Japan
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- patterns
- exceeding
- thick
- exposed
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ピース露光を利用する微細パターンの形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
従来の技術
電子ビーム露光を利用して0.1μm程度の微細パター
ンを形成する方法として、出願人の発明である特願昭5
9−192875号に記載の発明がある。
ンを形成する方法として、出願人の発明である特願昭5
9−192875号に記載の発明がある。
この発明の方法はイソプロピルアルコールド他ノ有機溶
剤との混合液を現像液として用いるポジ形の電子ビーム
レジストを、この現像液を用いる場合の露光量の2倍以
上の露光量で露光したのち、イソプロピルアルコールの
みで現像する方法である。
剤との混合液を現像液として用いるポジ形の電子ビーム
レジストを、この現像液を用いる場合の露光量の2倍以
上の露光量で露光したのち、イソプロピルアルコールの
みで現像する方法である。
発明が解決しようとする問題点
上記の微細パターンの形成方法によりパターンを形成す
るには、通常の露光量の2倍の露光量が必要であり、描
画時間が長くなる。このため、パターン形成のだめの作
業能率が低下する問題があった。
るには、通常の露光量の2倍の露光量が必要であり、描
画時間が長くなる。このため、パターン形成のだめの作
業能率が低下する問題があった。
問題点を解決するための手段
この問題を解決する本発明の微細パターンの形成方法は
、1μm以上のパターンを所定の露光量で露光し、さら
に露光パターンを現像したのち、前記所定の露光量の2
倍以上の高い露光量で微細パターンを露光し、この露光
パターンを前記の露光量におけるレジストの溶解速度が
50nm/sin以下の現像液を用いて現像する方法で
ある。
、1μm以上のパターンを所定の露光量で露光し、さら
に露光パターンを現像したのち、前記所定の露光量の2
倍以上の高い露光量で微細パターンを露光し、この露光
パターンを前記の露光量におけるレジストの溶解速度が
50nm/sin以下の現像液を用いて現像する方法で
ある。
作 用
この発明の微細パターンの形成方法によれば、微細パタ
ーンと1μm以上の大きなパターンを高い精度で描画す
ることができ、しかも、描画時間を短縮することができ
る。
ーンと1μm以上の大きなパターンを高い精度で描画す
ることができ、しかも、描画時間を短縮することができ
る。
実施例
第1図〜第4図は、本発明の微細パターンの形成方法の
一実施例を説明するだめの工程図である。
一実施例を説明するだめの工程図である。
本発明の微細パターンの形成方法では、まず、第1図で
示すようにシリコン(Si)基板1の上にポジ形電子ビ
ームレジストPMMA2を0.6μmの厚みに塗布し、
これに170℃の温度で20分間にわたるプリベーク処
理を施す。次いで、第2図で示すように1μm以上のパ
ターン3を露光量64 /J c/d (線露光量4
X 1071c /cn1)で露光する。この後、メチ
ルイソブチルケトン(MIBK)で3分30秒にわたる
室温現像を施し、第3図に示す一1μm以上のパターン
を形成する。次に、微細パターンを線露光量5,4X1
0μC/crnで露光し、さらに、PMMAレジストを
現像すると、きの貧溶媒であり、リンス液であるイソプ
ロピルアルコール(IPA)を用いて室温で2分間現像
し、線幅が0.1μmで断面プロファイルが垂直な微細
パターンを形成し、第4図で示す形状を得る。
示すようにシリコン(Si)基板1の上にポジ形電子ビ
ームレジストPMMA2を0.6μmの厚みに塗布し、
これに170℃の温度で20分間にわたるプリベーク処
理を施す。次いで、第2図で示すように1μm以上のパ
ターン3を露光量64 /J c/d (線露光量4
X 1071c /cn1)で露光する。この後、メチ
ルイソブチルケトン(MIBK)で3分30秒にわたる
室温現像を施し、第3図に示す一1μm以上のパターン
を形成する。次に、微細パターンを線露光量5,4X1
0μC/crnで露光し、さらに、PMMAレジストを
現像すると、きの貧溶媒であり、リンス液であるイソプ
ロピルアルコール(IPA)を用いて室温で2分間現像
し、線幅が0.1μmで断面プロファイルが垂直な微細
パターンを形成し、第4図で示す形状を得る。
なお、未露光部および露光量θ4μc/、d で露光
し現像されたレジストパターン部は、IPAに対する溶
解速度がs o nm/miR以下であるため上記の処
理によるパターン幅の変化は無視できる。
し現像されたレジストパターン部は、IPAに対する溶
解速度がs o nm/miR以下であるため上記の処
理によるパターン幅の変化は無視できる。
発明の詳細
な説明したように、本発明の微細パターンの形成方法に
よれば、1μmをこえるパターンおよび0.1μm程度
の微細パターンを短い描画時間で制度よく形成すること
が可能になる。
よれば、1μmをこえるパターンおよび0.1μm程度
の微細パターンを短い描画時間で制度よく形成すること
が可能になる。
第1図〜第4図は、本発明の微細パターンの形成方法を
説明するための製造工程図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・PMMA
レジスト3・・・・・・1μm以上のパターン、4・・
・・・・0.1μm以上のパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名(−
−5五本林 2−PMM並リスリ スト図
説明するための製造工程図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・PMMA
レジスト3・・・・・・1μm以上のパターン、4・・
・・・・0.1μm以上のパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名(−
−5五本林 2−PMM並リスリ スト図
Claims (1)
- 基板上にポジ形電子ビームレジスト膜を形成する工程、
所定の露光量で1μm以上のパターンを電子ビーム露光
する工程、露光パターンを現像する工程、前記の露光量
の2倍以上の露光量で1μm以下の微細パターンを露光
する工程、露光パターンを前記所定の露光量におけるレ
ジストの溶解速度が50nm/min以下の現像液によ
り現像する工程とからなることを特徴とする微細パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16794385A JPS6229134A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16794385A JPS6229134A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6229134A true JPS6229134A (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=15858923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16794385A Pending JPS6229134A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6229134A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321281A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータの据付装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148381A (en) * | 1978-05-12 | 1979-11-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JPS5740929A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Processing method of resist |
JPS57124435A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for electron beam exposure |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16794385A patent/JPS6229134A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148381A (en) * | 1978-05-12 | 1979-11-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JPS5740929A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Processing method of resist |
JPS57124435A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for electron beam exposure |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01321281A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータの据付装置 |
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