JPS6229134A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents

微細パタ−ンの形成方法

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JPS6229134A
JPS6229134A JP16794385A JP16794385A JPS6229134A JP S6229134 A JPS6229134 A JP S6229134A JP 16794385 A JP16794385 A JP 16794385A JP 16794385 A JP16794385 A JP 16794385A JP S6229134 A JPS6229134 A JP S6229134A
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JP
Japan
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exceeding
thick
exposed
pattern
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Application number
JP16794385A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Yamashita
山下　普
Yoshihiro Todokoro
義博 戸所
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子ピース露光を利用する微細パターンの形
成方法に関するものである。
従来の技術 電子ビーム露光を利用して０．１μｍ程度の微細パター
ンを形成する方法として、出願人の発明である特願昭５
９−１９２８７５号に記載の発明がある。
この発明の方法はイソプロピルアルコールド他ノ有機溶
剤との混合液を現像液として用いるポジ形の電子ビーム
レジストを、この現像液を用いる場合の露光量の２倍以
上の露光量で露光したのち、イソプロピルアルコールの
みで現像する方法である。
発明が解決しようとする問題点 上記の微細パターンの形成方法によりパターンを形成す
るには、通常の露光量の２倍の露光量が必要であり、描
画時間が長くなる。このため、パターン形成のだめの作
業能率が低下する問題があった。
問題点を解決するための手段 この問題を解決する本発明の微細パターンの形成方法は
、１μｍ以上のパターンを所定の露光量で露光し、さら
に露光パターンを現像したのち、前記所定の露光量の２
倍以上の高い露光量で微細パターンを露光し、この露光
パターンを前記の露光量におけるレジストの溶解速度が
５０ｎｍ／ｓｉｎ以下の現像液を用いて現像する方法で
ある。
作　　用 この発明の微細パターンの形成方法によれば、微細パタ
ーンと１μｍ以上の大きなパターンを高い精度で描画す
ることができ、しかも、描画時間を短縮することができ
る。
実施例 第１図〜第４図は、本発明の微細パターンの形成方法の
一実施例を説明するだめの工程図である。
本発明の微細パターンの形成方法では、まず、第１図で
示すようにシリコン（Ｓｉ）基板１の上にポジ形電子ビ
ームレジストＰＭＭＡ２を０．６μｍの厚みに塗布し、
これに１７０℃の温度で２０分間にわたるプリベーク処
理を施す。次いで、第２図で示すように１μｍ以上のパ
ターン３を露光量６４　／Ｊ　ｃ／ｄ　（線露光量４　
Ｘ　１０７１ｃ　／ｃｎ１）で露光する。この後、メチ
ルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で３分３０秒にわたる
室温現像を施し、第３図に示す一１μｍ以上のパターン
を形成する。次に、微細パターンを線露光量５，４Ｘ１
０μＣ／ｃｒｎで露光し、さらに、ＰＭＭＡレジストを
現像すると、きの貧溶媒であり、リンス液であるイソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて室温で２分間現像
し、線幅が０．１μｍで断面プロファイルが垂直な微細
パターンを形成し、第４図で示す形状を得る。
なお、未露光部および露光量θ４μｃ／、ｄ　　で露光
し現像されたレジストパターン部は、ＩＰＡに対する溶
解速度がｓ　ｏ　ｎｍ／ｍｉＲ以下であるため上記の処
理によるパターン幅の変化は無視できる。
発明の詳細 な説明したように、本発明の微細パターンの形成方法に
よれば、１μｍをこえるパターンおよび０．１μｍ程度
の微細パターンを短い描画時間で制度よく形成すること
が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第４図は、本発明の微細パターンの形成方法を
説明するための製造工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ＰＭＭＡ
レジスト３・・・・・・１μｍ以上のパターン、４・・
・・・・０．１μｍ以上のパターン。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名（−
−５五本林 ２−ＰＭＭ並リスリ スト図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上にポジ形電子ビームレジスト膜を形成する工程、
    所定の露光量で１μｍ以上のパターンを電子ビーム露光
    する工程、露光パターンを現像する工程、前記の露光量
    の２倍以上の露光量で１μｍ以下の微細パターンを露光
    する工程、露光パターンを前記所定の露光量におけるレ
    ジストの溶解速度が５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の現像液によ
    り現像する工程とからなることを特徴とする微細パター
    ンの形成方法。
JP16794385A 1985-07-30 1985-07-30 微細パタ−ンの形成方法 Pending JPS6229134A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01321281A (ja) * 1988-06-22 1989-12-27 Mitsubishi Electric Corp エレベータの据付装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54148381A (en) * 1978-05-12 1979-11-20 Fujitsu Ltd Electron beam exposure method
JPS5740929A (en) * 1980-08-25 1982-03-06 Mitsubishi Electric Corp Processing method of resist
JPS57124435A (en) * 1981-01-27 1982-08-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Method for electron beam exposure

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