JP2617923B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JP2617923B2 JP2617923B2 JP61217461A JP21746186A JP2617923B2 JP 2617923 B2 JP2617923 B2 JP 2617923B2 JP 61217461 A JP61217461 A JP 61217461A JP 21746186 A JP21746186 A JP 21746186A JP 2617923 B2 JP2617923 B2 JP 2617923B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist film
- electron beam
- exposure
- exposed
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレジスト膜を用いるパターン形成方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術 ポジ形レジスト膜のポリメチルメタクリレート（以
下、PMMAと略す）は、露光後の現像処理に、メチルイソ
ブチルケトン（以下、MIBKと略す）主体の現像液を用い
るが、溶解速度が高く、微細パターンの処理には、その
処理条件の設定がなかなか難かしい。一方、微細パター
ンの形成に、電子ビームによってパターン露光し、イソ
プロピルアルコール（以下、IPAと略す）のみで現像処
理する方法もあるが、この場合には、露光量を通常の２
倍程度に増加しなければ最適条件が得られない。
下、PMMAと略す）は、露光後の現像処理に、メチルイソ
ブチルケトン（以下、MIBKと略す）主体の現像液を用い
るが、溶解速度が高く、微細パターンの処理には、その
処理条件の設定がなかなか難かしい。一方、微細パター
ンの形成に、電子ビームによってパターン露光し、イソ
プロピルアルコール（以下、IPAと略す）のみで現像処
理する方法もあるが、この場合には、露光量を通常の２
倍程度に増加しなければ最適条件が得られない。
発明が解決しようとする問題点 上述の従来技術によれば、レジスト膜に径大な開口パ
ターンと微細な開口パターンとを併せて形成するときの
困難が伴い、本発明の目的はそれを解決することにあ
る。
ターンと微細な開口パターンとを併せて形成するときの
困難が伴い、本発明の目的はそれを解決することにあ
る。
問題点を解決するための手段 本発明は、基板上にレジスト膜を形成し、第１のパタ
ーンを光線、たとえば可視光，紫外光，遠紫外光あるい
はＸ線で露光する工程、前記レジスト膜を第１の現像液
で処理する工程、同処理後の前記レジスト膜に第２のパ
ターンを電子ビームで露光する工程および前記レジスト
膜を第２の現像液で処理する工程をそなえたレジスト層
パターン形成方法である。
ーンを光線、たとえば可視光，紫外光，遠紫外光あるい
はＸ線で露光する工程、前記レジスト膜を第１の現像液
で処理する工程、同処理後の前記レジスト膜に第２のパ
ターンを電子ビームで露光する工程および前記レジスト
膜を第２の現像液で処理する工程をそなえたレジスト層
パターン形成方法である。
作用 本発明によると、レジスト膜を所定光線でパターン露
光し、第１の現像液で処理したのち、同レジスト膜を電
子ビームでパターン露光して、第２の現像液で処理する
ことによって、単一のレジスト膜に対して、大きな開口
パターンおよび微細開口パターンを、能率よく，形成す
ることができる。
光し、第１の現像液で処理したのち、同レジスト膜を電
子ビームでパターン露光して、第２の現像液で処理する
ことによって、単一のレジスト膜に対して、大きな開口
パターンおよび微細開口パターンを、能率よく，形成す
ることができる。
実 施 例 づきに、本発明を実施例により詳しくのべる。
第１図〜第４図の図面は、実施例を示す工程順斜視図
であり、第１図に示すように第１段階として、シリコン
基板１上にポジ形電子ビーム露光レジストのPMMA2を0.5
μｍの均一膜厚で塗布したのち、170℃,20分のプリベー
ク処理する。次に、第２図に示すように第２段階とし
て、遠紫外光を用いて、幅員１μｍ以上の第１パターン
３を露光する。このとき、露光装置には（株）キャノン
社製PLA520、ミラーにはコールドミラー250を用い、露
光時間は、150秒である。その後、第３図に示すように
第３段階として、MIBKで約210秒の室温現像処理を行
い、所望の第１パターン３をもつ開口を形成する。つい
で、第４図に示すように第４段階として、PMMA2に対し
て、露子ビーム露光手段によって、幅員0.1μｍの第２
パターン４を露光する。このときの露光条件は、線露光
量が4.5×109C/cm適当である。そして、第５段階とし
て、このPMMA2を、IPAを用いて、室温で約120秒の現像
処理を行い、幅員0.1μｍの第２パターン４の開口を形
成する。このときの第２パターン４の断面プロファイル
は開口側面が垂直形状である。なお、PMMA2の未露光部
および遠紫外光による露光で形成された第１パターン３
の側面部は、IPAに対する溶解速度が50nm/分以下である
ため、第２パターン４の形成過程で、第１パターン３の
形状変化ならびにレジスト膜としてのPMMA2の厚さの減
量は、実用上、無視できる。
であり、第１図に示すように第１段階として、シリコン
基板１上にポジ形電子ビーム露光レジストのPMMA2を0.5
μｍの均一膜厚で塗布したのち、170℃,20分のプリベー
ク処理する。次に、第２図に示すように第２段階とし
て、遠紫外光を用いて、幅員１μｍ以上の第１パターン
３を露光する。このとき、露光装置には（株）キャノン
社製PLA520、ミラーにはコールドミラー250を用い、露
光時間は、150秒である。その後、第３図に示すように
第３段階として、MIBKで約210秒の室温現像処理を行
い、所望の第１パターン３をもつ開口を形成する。つい
で、第４図に示すように第４段階として、PMMA2に対し
て、露子ビーム露光手段によって、幅員0.1μｍの第２
パターン４を露光する。このときの露光条件は、線露光
量が4.5×109C/cm適当である。そして、第５段階とし
て、このPMMA2を、IPAを用いて、室温で約120秒の現像
処理を行い、幅員0.1μｍの第２パターン４の開口を形
成する。このときの第２パターン４の断面プロファイル
は開口側面が垂直形状である。なお、PMMA2の未露光部
および遠紫外光による露光で形成された第１パターン３
の側面部は、IPAに対する溶解速度が50nm/分以下である
ため、第２パターン４の形成過程で、第１パターン３の
形状変化ならびにレジスト膜としてのPMMA2の厚さの減
量は、実用上、無視できる。
この実施例では、PMMA2に対して、第１パターン３と
第２パターン４との形成工程をのべたが、第１パターン
３の形成工程を省き、予め、第１の現像液で未露光のPM
MA2を処理したのちにも、これに、電子ビーム露光で微
細な開口の第２パターン４を形成することができる。
第２パターン４との形成工程をのべたが、第１パターン
３の形成工程を省き、予め、第１の現像液で未露光のPM
MA2を処理したのちにも、これに、電子ビーム露光で微
細な開口の第２パターン４を形成することができる。
発明の効果 本発明によれば、ポジ形電子ビーム露光レジスト膜を
光線、たとえば可視光，紫外光，遠紫外光あるいはＸ線
で露光し、第１の現像液で処理したのち、同レジスト膜
を電子ビーム露光して、第２の現像液で処理することに
より、単一のレジスト膜に対して、大きな開口パターン
および微細開口パターンを、能率よく，形成することが
できる。
光線、たとえば可視光，紫外光，遠紫外光あるいはＸ線
で露光し、第１の現像液で処理したのち、同レジスト膜
を電子ビーム露光して、第２の現像液で処理することに
より、単一のレジスト膜に対して、大きな開口パターン
および微細開口パターンを、能率よく，形成することが
できる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例工程を示す工程順斜
視図である。 １……シリコン基板、２……ポジ形電子ビーム露光レジ
スト膜（PMMA）、３……第１パターン、４……第２パタ
ーン。
視図である。 １……シリコン基板、２……ポジ形電子ビーム露光レジ
スト膜（PMMA）、３……第１パターン、４……第２パタ
ーン。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にポリメチルメタクリレートからな
るポジ型レジスト膜を形成し、第１のパターンを波長が
可視光線以下である光線で露光して、メチルイソブチル
ケトンを主体とする第１の現像液で処理する工程、同処
理後の前記レジスト膜に第２のパターンを電子ビームで
露光する工程、前記レジスト膜をイソプロピルアルコー
ルで処理する工程、とを備えたことを特徴とするパター
ン形成方法。 - 【請求項２】電子ビーム露光量が4.5×109C/cm以上の線
露光量に選定されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217461A JP2617923B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217461A JP2617923B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373518A JPS6373518A (ja) | 1988-04-04 |
| JP2617923B2 true JP2617923B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=16704592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217461A Expired - Lifetime JP2617923B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617923B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4394437A (en) * | 1981-09-24 | 1983-07-19 | International Business Machines Corporation | Process for increasing resolution of photolithographic images |
| JPS5929422A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| US4717644A (en) * | 1982-12-20 | 1988-01-05 | International Business Machines Corporation | Hybrid electron beam and optical lithography method |
| JPS59141230A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS61102739A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61217461A patent/JP2617923B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373518A (ja) | 1988-04-04 |
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