JPS60191245A - レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60191245A JPS60191245A JP59047492A JP4749284A JPS60191245A JP S60191245 A JPS60191245 A JP S60191245A JP 59047492 A JP59047492 A JP 59047492A JP 4749284 A JP4749284 A JP 4749284A JP S60191245 A JPS60191245 A JP S60191245A
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- JP
- Japan
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- resist film
- resist
- pattern
- alkali
- polymer
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はレジスト膜材料とその形成方法にかかり、特に
電子ビーム露光法によって形成されるポジ型の新規なレ
ジスト膜材料とその形成方法に関する。
電子ビーム露光法によって形成されるポジ型の新規なレ
ジスト膜材料とその形成方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
周知のように、ＩＣ等の半導体装置を製造する際、微細
加工は専らリソグラフィ技術によって行なわれているが
、従前からのフォトリソグラフィ技術に限界が生じて、
最近では微細化に適した電子ビームリソグラフィ技術が
重用されてきた。
加工は専らリソグラフィ技術によって行なわれているが
、従前からのフォトリソグラフィ技術に限界が生じて、
最近では微細化に適した電子ビームリソグラフィ技術が
重用されてきた。
ところで、電子ビームリソグラフィ技術に用いるレジス
ト膜はポジ型が多く、例えばＰＭＭ’Ａなどが良く知ら
れているが、それは一般的に、ポジ型の方が解像度が高
くて、コントラストが良いからである。
ト膜はポジ型が多く、例えばＰＭＭ’Ａなどが良く知ら
れているが、それは一般的に、ポジ型の方が解像度が高
くて、コントラストが良いからである。
しかし、このようなポジ型レジスト膜の現像液は、通常
毒性をもった有害な溶剤が用いられており、それでは作
業環境上好ましくない。従って、アルカリ系現像液を使
用するレジスト膜材料が検討されている。ところが、ア
ルカリ可溶性を持たせるために、メタクリル酸等との共
重合体にするか、あるいはα−メチルスチレンをアルカ
リ可溶体に誘導するｄ・要があるが、これらは何れも困
難なイオン重合によらなりればならない。又、後者の方
法ではＴｇの低下を招くと云う欠点がある。
毒性をもった有害な溶剤が用いられており、それでは作
業環境上好ましくない。従って、アルカリ系現像液を使
用するレジスト膜材料が検討されている。ところが、ア
ルカリ可溶性を持たせるために、メタクリル酸等との共
重合体にするか、あるいはα−メチルスチレンをアルカ
リ可溶体に誘導するｄ・要があるが、これらは何れも困
難なイオン重合によらなりればならない。又、後者の方
法ではＴｇの低下を招くと云う欠点がある。
Ｔｇとはレジスト膜の容積が変化してパターンが崩れ、
本質的な弱さの現れる温度である。
本質的な弱さの現れる温度である。
（ｅ） 発明の目的
本発明の目的は、このような難しい合成法を用いないで
、従来から他の膜厚の厚いレジスト膜をパターン間隙グ
するための薄く被覆するレジスト膜、即ち２Ｎ、３Ｎ用
のシリコン系レジスト膜を単層用に使用できるように改
良し、且つアルカリ系溶液で現像するようにした電子ビ
ーム露光用のレジスト膜材料とその形成方法を提案する
ことにある。
、従来から他の膜厚の厚いレジスト膜をパターン間隙グ
するための薄く被覆するレジスト膜、即ち２Ｎ、３Ｎ用
のシリコン系レジスト膜を単層用に使用できるように改
良し、且つアルカリ系溶液で現像するようにした電子ビ
ーム露光用のレジスト膜材料とその形成方法を提案する
ことにある。
＋ｄ＋ 発明の構成
その目的は、主鎖にシリコンを含むアルカリ可溶性ポリ
マーを他のポリマーと組み合わせ、該ポリマーを溶媒に
熔かして溶液としたレジスト膜材料を用い、このレジス
ト膜材料を被処理基板に塗布して露光した後、アルカリ
系溶液で現像してポジ型レジスト膜パターンを形成する
ようにしたレジストパターンの形成方法によって達成さ
れる。
マーを他のポリマーと組み合わせ、該ポリマーを溶媒に
熔かして溶液としたレジスト膜材料を用い、このレジス
ト膜材料を被処理基板に塗布して露光した後、アルカリ
系溶液で現像してポジ型レジスト膜パターンを形成する
ようにしたレジストパターンの形成方法によって達成さ
れる。
（ｅ） 発明の実施例
以下２本発明の詳細な説明する。
このようなレジスト膜材料のベースポリマーはポリジフ
ェニルシロキサンを骨格として、これにＯＨ，（：００
１１等のアルカリ可溶基を有するもので、図にその構造
式を示している。φはフェニル基。
ェニルシロキサンを骨格として、これにＯＨ，（：００
１１等のアルカリ可溶基を有するもので、図にその構造
式を示している。φはフェニル基。
Ｘはアルカリ可溶の水酸基である。製法はポリジフェニ
ルシロキサンをクロロメチル化して、′これをＯＨ、Ｃ
ＨＯ、Ｃ０ＯＨ等へ誘導すると合成される。分子量は数
１０００〜数１０万、特に１〜１０万のものが望ましい
。
ルシロキサンをクロロメチル化して、′これをＯＨ、Ｃ
ＨＯ、Ｃ０ＯＨ等へ誘導すると合成される。分子量は数
１０００〜数１０万、特に１〜１０万のものが望ましい
。
このようなポリマーを他のポリマーと混合し、溶剤に熔
かしてレジスト膜材料とする。これをウェハ〜に塗布し
プレベークして、電子ビームで描画する。そうして、ア
ルカリ系溶液で現像すると、耐プラズマ性の良いレジス
ト膜パターンが形成される。
かしてレジスト膜材料とする。これをウェハ〜に塗布し
プレベークして、電子ビームで描画する。そうして、ア
ルカリ系溶液で現像すると、耐プラズマ性の良いレジス
ト膜パターンが形成される。
□その一実施例を説明すると、カルボキシル基を有する
上記のポリマー（分子量Ｍｖ４＝５万）を二酸化硫黄／
メタクリル酸クロライ）’ （１０： ９０） 共重合
体（分子量Ｍｗ−２０万）と９０ ： １０の比に混合
して、メチルイソブチルケトンを溶媒として７％溶液に
する。このようなレジスト膜溶液をウェハー（被処理基
板）上にスピンナーで塗布して、電子ヒームで露光する
。次いで、Ｍｌ−３１２の５０％水溶液（アルカリ現像
液）で現像して膜厚１μｍのパターンを形成する。ベー
ク温度は２００″ｃ１５０分としたが、その結果、露光
感度Ｄ（、＝ｌ、Ｑｘ１０＝ｃ／ｃｎｆで、０．５μｍ
のパターンと０．２ ｐ ｍのパターン間隙とが精度良
（形成された。パターン形成後に、３００℃に加熱して
もパターン変化は見られなかった。また、酸素ガスを用
いたイオンエツチングに対する耐性は、＾Ｚ−１３５０
の５０〜５７倍であり、極めて耐プラズマ性が優れたレ
ジスト膜パターンであった。
上記のポリマー（分子量Ｍｖ４＝５万）を二酸化硫黄／
メタクリル酸クロライ）’ （１０： ９０） 共重合
体（分子量Ｍｗ−２０万）と９０ ： １０の比に混合
して、メチルイソブチルケトンを溶媒として７％溶液に
する。このようなレジスト膜溶液をウェハー（被処理基
板）上にスピンナーで塗布して、電子ヒームで露光する
。次いで、Ｍｌ−３１２の５０％水溶液（アルカリ現像
液）で現像して膜厚１μｍのパターンを形成する。ベー
ク温度は２００″ｃ１５０分としたが、その結果、露光
感度Ｄ（、＝ｌ、Ｑｘ１０＝ｃ／ｃｎｆで、０．５μｍ
のパターンと０．２ ｐ ｍのパターン間隙とが精度良
（形成された。パターン形成後に、３００℃に加熱して
もパターン変化は見られなかった。また、酸素ガスを用
いたイオンエツチングに対する耐性は、＾Ｚ−１３５０
の５０〜５７倍であり、極めて耐プラズマ性が優れたレ
ジスト膜パターンであった。
最近のように、プラズマエツチング等の乾式エツチング
が用いられると、耐プラズマ性、耐熱性に強いレジスト
膜であることが重要で、本発明にかかるレジスト膜パタ
ーンは、その要求を十分に満足するものである。
が用いられると、耐プラズマ性、耐熱性に強いレジスト
膜であることが重要で、本発明にかかるレジスト膜パタ
ーンは、その要求を十分に満足するものである。
（ｆ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて
耐プラズマ性の優れたレジスト膜パターンが形成される
。又、アルカリ現像液で現像するため、有害な溶剤が不
要となって、処理環境が改善される。且つ、微細パター
ン形成に適した高解像度が得られるものである。
耐プラズマ性の優れたレジスト膜パターンが形成される
。又、アルカリ現像液で現像するため、有害な溶剤が不
要となって、処理環境が改善される。且つ、微細パター
ン形成に適した高解像度が得られるものである。
図は本発明にかかるベースポリマーの構造式を示してい
る。 伜−Ｘ −＋Ｓｉ −０← ｍ Ｘ ＝ ０）−１，ＣＨＯ，Ｃ０ＯＨ を含ｔ−置撲基
る。 伜−Ｘ −＋Ｓｉ −０← ｍ Ｘ ＝ ０）−１，ＣＨＯ，Ｃ０ＯＨ を含ｔ−置撲基
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１主鎖にシリコンを含むアルカリ可溶性ポリマーを
他のポリマーと組み合わせ、該ポリマーを溶媒に熔かし
て溶液としたことを特徴とするレジスト膜材料。 （２） 主鎖にシリコンを含むアルカリ可溶性ポリマー
を他のポリマーと組み合わせ、該ポリマーを溶媒に熔か
して溶液としたレジスト膜材料を、被処理基板に塗布し
て露光した後、アルカリ系溶液で現像してポジ型レジス
ト膜パターンを形成するようにしたことを特徴とするレ
ジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047492A JPS60191245A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047492A JPS60191245A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60191245A true JPS60191245A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12776611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047492A Pending JPS60191245A (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | レジスト膜材料およびレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60191245A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289345A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | リソグラフイ用レジスト |
| JPS6344652A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-25 | Sony Corp | レジスト材料 |
| US5158854A (en) * | 1986-02-07 | 1992-10-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59047492A patent/JPS60191245A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289345A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | リソグラフイ用レジスト |
| US5158854A (en) * | 1986-02-07 | 1992-10-27 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Photosensitive and high energy beam sensitive resin composition containing substituted polysiloxane |
| JPS6344652A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-25 | Sony Corp | レジスト材料 |
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