JPS6053867B2 - ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6053867B2 JPS6053867B2 JP11605579A JP11605579A JPS6053867B2 JP S6053867 B2 JPS6053867 B2 JP S6053867B2 JP 11605579 A JP11605579 A JP 11605579A JP 11605579 A JP11605579 A JP 11605579A JP S6053867 B2 JPS6053867 B2 JP S6053867B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist pattern
- negative photoresist
- negative
- forming negative
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ｕ■の製造など微細加工に使用するネガ型
フォトレジストパターンの形成方法に関するものである
。
フォトレジストパターンの形成方法に関するものである
。
従来、ネガ型フォトレジストは、ポジ型フォトレジスト
に比べて基板との密着性にすぐれ柔軟性に冨むなどの理
由により、半導体ＩＣの製造などを中心に広く普及して
きた。
に比べて基板との密着性にすぐれ柔軟性に冨むなどの理
由により、半導体ＩＣの製造などを中心に広く普及して
きた。
ところが、最近、パターンの微細化に伴なつて解像力の
高いフォトレジストが必要になり、解像力の優れている
ポジ型フォトレジストが検討されている。しかし、ポジ
型フォトレジストは基板との密着性が悪く、またもろい
などの欠点があるため、従来のネガ型フォトレジストの
密着性を保つて、しかも高解像力をもつネガ型フォトレ
ジストおよびその形成方法の出現が切望されている。
高いフォトレジストが必要になり、解像力の優れている
ポジ型フォトレジストが検討されている。しかし、ポジ
型フォトレジストは基板との密着性が悪く、またもろい
などの欠点があるため、従来のネガ型フォトレジストの
密着性を保つて、しかも高解像力をもつネガ型フォトレ
ジストおよびその形成方法の出現が切望されている。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、ネガ型フォ
トレジストでありながら優れた解像力を得ることができ
るネガ型フォトレジストパターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
トレジストでありながら優れた解像力を得ることができ
るネガ型フォトレジストパターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
すなわち、この発明は、グリシジルメタクリレートを１
％以上含有する重合体と０−キノンジアジド化合物とか
らなる感光性組成物の皮膜を形成し、紫外線照射後７０
〜１３０℃で熱処理し、後に現像するようにしたネガ型
フォトレジストパターンの形成方法であり、上記感光性
組成物の皮膜に紫外線を照射した後、熱処理することに
より、０ーキノンジアジド化合物の光分解生成物とグリ
シジルメタクリレート中のエポキシ基を反応させ不溶化
することを特徴とする。
％以上含有する重合体と０−キノンジアジド化合物とか
らなる感光性組成物の皮膜を形成し、紫外線照射後７０
〜１３０℃で熱処理し、後に現像するようにしたネガ型
フォトレジストパターンの形成方法であり、上記感光性
組成物の皮膜に紫外線を照射した後、熱処理することに
より、０ーキノンジアジド化合物の光分解生成物とグリ
シジルメタクリレート中のエポキシ基を反応させ不溶化
することを特徴とする。
以下この発明の実施例を説明する。
まず、グリシジルメタクリレートとメチルメタクリレー
トの共重合体（以下ＯＭと略す）と０−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル（以下ＱＤＡと略す）を説明
した例を第１の実施例として説明する。第１の実施例で
は、ＧＣＭの１０％メチルセルソルブアセテートの溶液
１００ダにに４ｙに（７）ＱＤＡを添加し溶解した。
トの共重合体（以下ＯＭと略す）と０−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル（以下ＱＤＡと略す）を説明
した例を第１の実施例として説明する。第１の実施例で
は、ＧＣＭの１０％メチルセルソルブアセテートの溶液
１００ダにに４ｙに（７）ＱＤＡを添加し溶解した。
そして、これをスピンコーテング法により０．２〜３．
０μｍの所定の膜厚になるよう”に、表面に厚さ０．５
μｍのシリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に塗布
した。続いて、これを８０°Ｃで１紛プリベークした後
、紫外線マスクアライナー（２５０Ｗ）て１０秒、紫外
線を照射し、直ちに１１００Ｃで１０分ベーキングした
。そして、ベーキング後ジオキサンに印秒浸漬すること
により現像し、１．０μｍのネガのフォトレジストパタ
ーンを得た。さらに、このフォトレジストパターンを形
成した基板をフッ酸系のエッチャントでエッチングした
ところ、１．０μｍのエッチングパターンが得られ等方
的にエッチングされていることがわかつた。以上説明し
たように、第１の実施例では、ＧＣＭ＜５ＱＤＡからな
るフォトレジストが紫外線に対してネガ型となり、かつ
高い分解能を有する。
０μｍの所定の膜厚になるよう”に、表面に厚さ０．５
μｍのシリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に塗布
した。続いて、これを８０°Ｃで１紛プリベークした後
、紫外線マスクアライナー（２５０Ｗ）て１０秒、紫外
線を照射し、直ちに１１００Ｃで１０分ベーキングした
。そして、ベーキング後ジオキサンに印秒浸漬すること
により現像し、１．０μｍのネガのフォトレジストパタ
ーンを得た。さらに、このフォトレジストパターンを形
成した基板をフッ酸系のエッチャントでエッチングした
ところ、１．０μｍのエッチングパターンが得られ等方
的にエッチングされていることがわかつた。以上説明し
たように、第１の実施例では、ＧＣＭ＜５ＱＤＡからな
るフォトレジストが紫外線に対してネガ型となり、かつ
高い分解能を有する。
その理由は、その反応機構が複雑であり充分には理解で
きないが、次のように考えられる。すなわち、ＱＤＡは
紫外線により次のように変化することが知られている。
したがつて、その生成したケテンが紫外線照射後のベー
キングによりＧＣＭ中のエポキシ基と反応し、ジオキサ
ンに対して不溶性になる。
きないが、次のように考えられる。すなわち、ＱＤＡは
紫外線により次のように変化することが知られている。
したがつて、その生成したケテンが紫外線照射後のベー
キングによりＧＣＭ中のエポキシ基と反応し、ジオキサ
ンに対して不溶性になる。
一方、１３０Ｃ以下のベーキングでは、未照射部のＱＤ
Ａは分解せず、かつＧＣＭとも反応しないためジオキサ
ンに溶解する。すなわち、ネガ型となる。しかも、通常
のネガ型フォトレジストのように光連鎖反応を用いるの
ではなく、初めに紫外線の照射によりＱＤＡの分解が起
り、その後の熱処理によつてＱＤＡの分解生成物とＧＣ
Ｍが反応する。このような二段階の反応のために、この
フォトレジストは高い分解能を有すると考えられる。次
に、グリシジルメタクリレートとスチレンの共重合体（
以下ＧＣＳと略す）とＯ−ベンゾキノンジアジドスルホ
ン酸エステル（以下ＢＱＡと略す）を使用した例を第２
の実施例として説明する。
Ａは分解せず、かつＧＣＭとも反応しないためジオキサ
ンに溶解する。すなわち、ネガ型となる。しかも、通常
のネガ型フォトレジストのように光連鎖反応を用いるの
ではなく、初めに紫外線の照射によりＱＤＡの分解が起
り、その後の熱処理によつてＱＤＡの分解生成物とＧＣ
Ｍが反応する。このような二段階の反応のために、この
フォトレジストは高い分解能を有すると考えられる。次
に、グリシジルメタクリレートとスチレンの共重合体（
以下ＧＣＳと略す）とＯ−ベンゾキノンジアジドスルホ
ン酸エステル（以下ＢＱＡと略す）を使用した例を第２
の実施例として説明する。
第２の実施例では、ＧＣＳの１０％メチルセルソルブア
セテートの溶液１００ｆｒに３ｙｒｆ）ＢＱＡを添加し
溶解した。そして、これをスピンコーティング法により
、０．２〜３．０μｍの所定の膜厚になるようにシリコ
ン基板上に塗布した。続いて、これを８０′Ｃで１紛プ
リベークした後、紫外線マスクアライナー（２５０Ｗ）
で托秒、紫外線を照射し、直ちに１００２ｃで１紛ベー
キングした。そして、ベーキング後メチルエチルケトン
に３（８浸漬することにより現像し、１．０μｍのネガ
のフォトレジストパターンを得た。以上詳述したように
、この発明のネガ型フォトレジストパターンの形成方法
によれば、密着性のよいネガ型のフォトレジストパター
ンを優れた解像力で描画できる。
セテートの溶液１００ｆｒに３ｙｒｆ）ＢＱＡを添加し
溶解した。そして、これをスピンコーティング法により
、０．２〜３．０μｍの所定の膜厚になるようにシリコ
ン基板上に塗布した。続いて、これを８０′Ｃで１紛プ
リベークした後、紫外線マスクアライナー（２５０Ｗ）
で托秒、紫外線を照射し、直ちに１００２ｃで１紛ベー
キングした。そして、ベーキング後メチルエチルケトン
に３（８浸漬することにより現像し、１．０μｍのネガ
のフォトレジストパターンを得た。以上詳述したように
、この発明のネガ型フォトレジストパターンの形成方法
によれば、密着性のよいネガ型のフォトレジストパター
ンを優れた解像力で描画できる。
Claims (1)
- １ グリシジルメタクリレートを１％以上含有する重合
体とＯ−キノンジアジド化合物とからなる感光性組成物
の皮膜を形成し、紫外線を照射後７０〜１３０℃で熱処
理し、後に現像することを特徴とするネガ型フォトレジ
ストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11605579A JPS6053867B2 (ja) | 1979-09-12 | 1979-09-12 | ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11605579A JPS6053867B2 (ja) | 1979-09-12 | 1979-09-12 | ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640823A JPS5640823A (en) | 1981-04-17 |
| JPS6053867B2 true JPS6053867B2 (ja) | 1985-11-27 |
Family
ID=14677578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11605579A Expired JPS6053867B2 (ja) | 1979-09-12 | 1979-09-12 | ネガ型フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6053867B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4389482A (en) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Process for forming photoresists with strong resistance to reactive ion etching and high sensitivity to mid- and deep UV-light |
| JPS5955431A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-30 | Fujitsu Ltd | 遠紫外線用ポジレジストのパタ−ン形成方法 |
| ATE42419T1 (de) * | 1985-08-12 | 1989-05-15 | Hoechst Celanese Corp | Verfahren zur herstellung negativer bilder aus einem positiv arbeitenden photoresist. |
| JP2817173B2 (ja) * | 1988-03-15 | 1998-10-27 | 住友化学工業株式会社 | 硬化性樹脂組成物 |
| GB2272866A (en) * | 1992-11-20 | 1994-06-01 | Gerber Scient Products Inc | Non-photographic production of planographic printing plates. |
-
1979
- 1979-09-12 JP JP11605579A patent/JPS6053867B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640823A (en) | 1981-04-17 |
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