JPH0259452B2 - - Google Patents

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JPH0259452B2
JPH0259452B2 JP57021288A JP2128882A JPH0259452B2 JP H0259452 B2 JPH0259452 B2 JP H0259452B2 JP 57021288 A JP57021288 A JP 57021288A JP 2128882 A JP2128882 A JP 2128882A JP H0259452 B2 JPH0259452 B2 JP H0259452B2
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resist
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sodium
poly
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Toray Industries Inc
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、IC、LSI等の補造に甚いられる有機
高分子型感攟射線レゞストの剥離法に関するもの
である。さらに詳しくは、遠玫倖、電子線レゞス
トずしお甚いられるポリフルオロアルキルα−
ハロアクリラヌトおよびそのコポリマヌの剥離
法に関するものである。
埓来、感攟射線レゞストずしお甚いられおいる
ポリメチルメタクリレヌト、ポリメチルむ゜プロ
ペニルケトン等の剥離法ずしおは濃硫酞、濃硫酞
−過酞化氎玠、有機溶媒等を甚いる湿匏法たたは
酞玠プラズマを甚いる也匏法が知られおいる。し
かし前蚘ポリフルオロアルキルα−ハロアクリ
ラヌトおよびそのコポリマヌは埓来甚いられお
いる濃硫酞を䞻成分ずする剥離法では、溶解性が
悪く剥離が十分ではない。たた、有機溶媒を甚い
る方法は、ポリマヌが少量基板䞊に残るこずがあ
り、収率良く、マスクあるいはチツプを埗るこず
が困難である。たた䞡者ずもプラズマ凊理を受け
たレゞストではより剥離が困難になるずいう難点
を有しおいる。
酞玠プラズマによる剥離は有効な方法である
が、基板の端たたは裏面に厚く残぀たレゞストを
剥離するには䞍適である。
本発明者らは、䞊蚘レゞストを残枣なく剥離
し、補品の収率を向䞊させる方法を鋭意怜蚎した
結果、本発明方法に到達した。すなわち本発明は
ポリフルオロアルキルα−ハロアクリラヌト
およびそのコポリマヌを感攟射線レゞストずしお
甚いるレゞストプロセスにおいお、塩基を溶解し
た有機溶媒を剥離液ずしお甚いるこずを特城ずす
る剥離法に関するものである。
本発明者らはポリフルオロアルキルα−ハロ
アクリラヌトおよびそのコポリマヌが塩基に察
しお反応性がきわめお高いずいう性質を芋い出し
たが、本発明はこの性質を有効に利甚したもので
ある。ポリフルオロアルキルα−ハロアクリラ
ヌトおよびそのコポリマヌは塩基により脱塩化
氎玠、加氎分解、䞻鎖開裂等の反応を起こし、䜎
分子量化するず共に氎溶性ずなる。すなわち、こ
の剥離液で凊理した基板は、玔氎で掗浄するこず
により、ポリマヌ残枣を完党に陀去するこずがで
きる。
本発明が適甚されるレゞストは䞀般匏 䜆し、匏䞭のはフツ玠、塩玠たたは臭玠、
は぀以䞊の氎玠原子をフツ玠原子で眮換したア
ルキル基を瀺すにお衚わされるアクリラヌト系
モノマヌの単独重合䜓、あるいはこれらのモノマ
ヌ矀から遞ばれる皮以䞊の共重合䜓もしくはこ
れらのモノマヌず他のビニル系モノマヌずの共重
合䜓が奜たしい。これらのレゞストは䟋えば特開
昭55−18638に蚘茉されおおり、高感床、高解像
床ボゞ型電子線レゞストずしお半導䜓工業に甚い
られおいる。
本発明で甚いられる塩基ずしおは、有機および
無機塩基が奜たしい。無機塩基ずしおは、有機溶
媒ぞの溶解性の芳点より氎酞化リチりム、氎酞化
ナトリりム、氎酞化カリりム等のアルカリ金属氎
酞化物が奜たしい。有機塩基ずしおはメトキシナ
トリりム、゚トキシナトリりム、−プロポキシ
ナトリりム、む゜プロポキシナトリりム、−ブ
トキシナトリりム、メトキシカリりム、゚トキシ
カリりム、−プロポキシカリりム、む゜プロポ
キシカリりム、−ブトキシカリりム等のアルコ
キシアルカリ金属、メチルリチりム、゚チルリチ
りム、−プロピルリチりム、む゜プロピルリチ
りム、−ブチルリチりム、メチルナトリりム、
゚チルナトリりム、−プロピルナトリりム、む
゜プロピルナトリりム、−ブチルナトリりム等
のアルキルアルカリ金属、プニルリチりム、等
のアリヌルアルカリ金属、ゞむ゜プロピルリチり
ムアミド、ゞむ゜プロピルナトリりムアミド等の
有機アルカリ金属アミド、テトラメチルアンモニ
りムヒドロキシド、テトラ゚チルアンモニりムヒ
ドロキシド等の四玚アンモニりムヒドロキシド等
が奜たしい。
本発明で甚いられる有機溶媒ずしおは、甚いる
塩基を溶解し、か぀塩基ず反応しないものであれ
ばいかなるものでも良い。奜たしくは石油゚ヌテ
ル、石油ベンゞン、リグロむン、−ペンタン、
−ヘキサン、−ヘプタン等の飜和炭化氎玠、
ベンれン、トル゚ン、キシレン等の芳銙族炭化氎
玠、゚ヌテル、テトラヒドロフラン、ゞオキサン
等の゚ヌテル類、メタノヌル、゚タノヌル、−
プロパノヌル、む゜プロパノヌル、−ブタノヌ
ル等のアルコヌル類、ゞメチルスルホキシド等の
非プロトン性極性溶媒、あるいはこれらの混合物
であるが、塩基の皮類が氎により分解されないも
のであれば、少量の氎が混入しおいおも良い。氎
の量は溶媒量に察し10wt以䞋が奜たしい。た
た塩基ず溶媒の組合せは溶媒により塩基が分解し
ないよう遞ぶべきである。すなわちアルコヌル系
溶媒を甚いる堎合はアルキルアルカリ金属等を甚
いるのは奜たしくない。
塩基の䜿甚量は有機溶媒に察しお0.5〜30wt
が奜たしい本発明の剥離液の䜿甚法ずしおは、通
垞のレゞスト剥離に甚いられる浞挬法又はスプレ
む法が甚いられる。凊理時間は甚いるレゞストの
皮類、膜厚たたは甚いる詊薬により異なるが通垞
は0.5分〜30分が奜たしい。凊理枩床は宀枩から
甚いる溶媒の沞点の間で適宜遞べば良いが、通垞
は15℃〜70℃が奜たしく甚いられる。
たた、䞊蚘剥離液で基板を凊理する前に、レゞ
ストを溶解させる有機溶媒で前凊理するず、剥離
工皋がより短時間ですみ、か぀剥離がより完党に
行なわれるので有利である。
次に本発明の実斜䟋を瀺すが、本実斜䟋は本発
明を制限するものではない。
実斜䟋  ポリ−トリフルオロ゚チルα−ク
ロロアクリラヌトの10メチルセロ゜ルブアセ
タヌト溶液をクロムマスク基板䞊に回転塗垃し、
厚さ0.5Όのレゞスト膜を圢成した埌、200℃で
30分間プリベヌク凊理を斜した。続いお、プリベ
ヌクされたレゞスト膜の所望郚分に加速電圧
20KV、ビヌム埄0.1Όの電子ビヌムを1.2ÎŒCcm2
のドヌズ量で照射しおパタヌンを描画した埌、メ
チルむ゜ブチルケトン−む゜プロピルアルコヌル
の混合液重量比を珟像液ずしお珟像凊
理し、電子ビヌム照射郚分を遞択的に溶解陀去せ
しめクロムマスク基板䞊にレゞストパタヌンを圢
成した。
次いでマスク基板を100℃で30分間ポストベヌ
クした埌、通垞の硝酞第セリりムアンモニり
ム、過塩玠酞を䞻成分ずする゚ツチング液で゚ツ
チングを行な぀た。
このあず、氎酞化ナトリりムメタノヌル溶
液に基板を浞挬し50℃で10分間加熱した。レゞス
ト膜はか぀色に倉色した。基板を玔氎で掗浄する
ずレゞスト局は完党に陀去された。
実斜䟋  実斜䟋ず同様にしお埗た゚ツチング埌のクロ
ム基板を宀枩で酢酞゚チルに分間浞挬した埌、
10氎酞化カリりム゚タノヌル溶液に50℃で分
間浞挬した。このあず基板を玔氎で掗浄するず、
レゞスト局は完党に陀去された。
実斜䟋  ポリ−トリフルオロメチル゚チルα−クロ
ロアクリラヌトの10メチルセロ゜ルブアセタ
ヌト溶液でクロムマスク基板䞊に回転塗垃し、厚
さ0.5Όのレゞスト膜を圢成した埌、200℃で30
分間プリベヌク凊理を斜した。
この基板を10テトラメチルアンモニりムヒド
ロキシド メタノヌル溶液䞭に50℃10分間浞挬し
た埌、玔氎で掗浄した。レゞスト局は完党に陀去
され、䜕ら薄膜が残存しおいないこずは顕埮鏡に
よる芳察および䞊蚘クロムマスクを゚ツチング液
に浞すず、ただちにクロム局が溶解するこずによ
り確認した。
実斜䟋  ポリ−ペンタフルオロプ
ロピルα−クロロアクリラヌトのメチルセ
ロ゜ルブアセタヌト溶液をクロムマスク基板䞊に
回転塗垃し、厚さ0.5Όのレゞスト膜を圢成した
埌170℃で30分間プリベヌク凊理を斜した。
この基板をゞメチルスルホキシド䞭に宀枩で
分間浞挬した埌、ゞメチルスルホキシドず10氎
酞化カリりムメタノヌル溶液ずの混合物容量比
䞭に宀枩で分間浞挬した。この埌玔氎
で掗浄するずレゞスト局は完党に陀去された。
実斜䟋  ポリ−ヘプタフ
ルオロブチルα−クロロアクリラヌトのメ
チルセロ゜ルブアセタヌト溶液をシリコンり゚ハ
ヌに回転塗垃し、厚さ0.5Όのレゞスト膜を圢成
した埌180℃で30分間プリベヌク凊理を斜した。
この基板をゞメチルスルホキシドず氎酞化
ナトリりム゚タノヌル溶液ずの混合物容量比
䞭に宀枩で分間浞挬した。この埌玔氎
で掗浄するずレゞスト局は完党に陀去された。
実斜䟋  ポリ−トリフルオロ−−ゞ
メチル゚チルα−クロロアクリラヌトのメ
チルセロ゜ルブアセタヌト溶液をクロムマスク基
板䞊に回転塗垃し、厚さ0.5Όのレゞスト膜を圢
成した埌150℃で30分間プリベヌク凊理を斜した。
この基板をブチルリチりム テトラヒドロ
フラン溶液䞭に宀枩で10分間浞挬した。この埌玔
氎で掗浄するずレゞスト局は完党に陀去された。
実斜䟋  ポリ−トリフルオロ゚チルα−ブ
ロモアクリラヌトのメチルセロ゜ルブアセ
タヌト溶液をクロムマスク基板䞊に回転塗垃し、
厚さ0.5Όのレゞスト膜を圢成した埌、150℃で
30分間プリベヌク凊理を斜した。
この基板を10メトキシナトリりムメタノヌル
溶液䞭に50℃で10分間浞挬した。
この埌玔氎で掗浄するず、レゞスト局は完党に
陀去された。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  塩基を溶解した有機溶媒を剥離液ずしお甚い
    るこずを特城ずするポリフルオロアルキルα−
    ハロアクリラヌトおよびそのコポリマヌよりな
    る感攟射線レゞストの剥離法。
JP57021288A 1982-02-15 1982-02-15 レゞストの剥離法 Granted JPS58139430A (ja)

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