JPS6364772B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6364772B2 JPS6364772B2 JP56027482A JP2748281A JPS6364772B2 JP S6364772 B2 JPS6364772 B2 JP S6364772B2 JP 56027482 A JP56027482 A JP 56027482A JP 2748281 A JP2748281 A JP 2748281A JP S6364772 B2 JPS6364772 B2 JP S6364772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- deep ultraviolet
- forming method
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- -1 poly-1-butenesulfone Chemical compound 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXAZFDDOJOCXLO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dibromopropyl prop-2-enoate Chemical compound BrC(Br)CCOC(=O)C=C GXAZFDDOJOCXLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920006027 ternary co-polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は通常のUV（紫外線）リソグラフイー
の波長範囲り短波長を用いたDeep UV（遠紫外
線）リソグラフイー（180nm〜350nm）用のレジ
スト材料に係り、Al、Al合金、SiO2等の半導体
用材料のドライエツチングによる加工を容易に行
なうための方法を提案する。
の波長範囲り短波長を用いたDeep UV（遠紫外
線）リソグラフイー（180nm〜350nm）用のレジ
スト材料に係り、Al、Al合金、SiO2等の半導体
用材料のドライエツチングによる加工を容易に行
なうための方法を提案する。
Deep UVリソグラフイ用ポジ型レジストとし
ては、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルイ
ソプロペニルケトン、ポリ−１−ブテンスルホ
ン、フルオロブチルメタクリレート、またネガ型
では無水マレイン酸とフロロアルキルビニルエー
テルの共重合体のアリル化物、2.3−ジブロモプ
ロピルアクリレート、ポリジアリルオルソフタレ
ートなどが提案されている。しかも、これらは
Al、Al合金、SiO2などの半導体配線材料、絶縁
層などをドライエツチングするにはその耐性が十
分でなく、被加工層を完全にエツチングする前に
レジストがなくなつたり、パターンが細つたり、
虫くい状態になつたりする。したがつて、より耐
性の高いレジスト材料が要求されている。
ては、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルイ
ソプロペニルケトン、ポリ−１−ブテンスルホ
ン、フルオロブチルメタクリレート、またネガ型
では無水マレイン酸とフロロアルキルビニルエー
テルの共重合体のアリル化物、2.3−ジブロモプ
ロピルアクリレート、ポリジアリルオルソフタレ
ートなどが提案されている。しかも、これらは
Al、Al合金、SiO2などの半導体配線材料、絶縁
層などをドライエツチングするにはその耐性が十
分でなく、被加工層を完全にエツチングする前に
レジストがなくなつたり、パターンが細つたり、
虫くい状態になつたりする。したがつて、より耐
性の高いレジスト材料が要求されている。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、シ
リコン樹脂を酸素プラズマ中に置くとその表面が
SiO2に変化し、全くエツチングされない。この
現象を利用し、通常のDeep UVレジストに混合
し、耐酸素プラズマ特性をもたせた。このシリコ
ン樹脂の入つたレジストを上層に塗布し、下層に
酸素プラズマにてエツチング可能な耐ドライエツ
チング性の高い物質を塗布した二層構造とし、上
層部のレジストパターンをO2プラズマエツチン
グして下層部のレジストに転写し、この下層部の
対プラズマ耐性にて被加工層をエツチング加工す
る方法を提案するものである。
リコン樹脂を酸素プラズマ中に置くとその表面が
SiO2に変化し、全くエツチングされない。この
現象を利用し、通常のDeep UVレジストに混合
し、耐酸素プラズマ特性をもたせた。このシリコ
ン樹脂の入つたレジストを上層に塗布し、下層に
酸素プラズマにてエツチング可能な耐ドライエツ
チング性の高い物質を塗布した二層構造とし、上
層部のレジストパターンをO2プラズマエツチン
グして下層部のレジストに転写し、この下層部の
対プラズマ耐性にて被加工層をエツチング加工す
る方法を提案するものである。
以下本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明のパターン形成方法を示す工程
断面図であり、第１図ａの如く、Al、Al合金、
SiO2等の被加工層２を形成した基板１上に酸素
プラズマでエツチング可能な他のエツチヤントに
対して耐性が大きい、例えばポリスチレン、ポリ
ビニルカルバゾール、フエノール樹脂、ポリイミ
ド、環化ポリイソプレン等から成る第１のレジス
ト層３を塗布する。次いでその上に、通常のデイ
ープUV用レジストとポリシルセスキオキサンと
の混合物から成る第２のレジスト層４を乾燥後の
膜厚が0.3〜0.7μｍとなるようにスピンコート法
により塗布する。次いで第１図ｂの如く、第２の
レジスト層４のみを露光現像する。次いで酸素プ
ラズマ中でエツチングすることにより、第２のレ
ジスト層４で覆われない第１のレジスト層の露出
部分が酸素プラズマによりエツチング除去された
第１図ｃの如きパターンが形成される。次いでエ
ツチヤントにより第１図ｄの如く、被加工層２を
エツチング除去し、パターニングを行なうもので
ある。
断面図であり、第１図ａの如く、Al、Al合金、
SiO2等の被加工層２を形成した基板１上に酸素
プラズマでエツチング可能な他のエツチヤントに
対して耐性が大きい、例えばポリスチレン、ポリ
ビニルカルバゾール、フエノール樹脂、ポリイミ
ド、環化ポリイソプレン等から成る第１のレジス
ト層３を塗布する。次いでその上に、通常のデイ
ープUV用レジストとポリシルセスキオキサンと
の混合物から成る第２のレジスト層４を乾燥後の
膜厚が0.3〜0.7μｍとなるようにスピンコート法
により塗布する。次いで第１図ｂの如く、第２の
レジスト層４のみを露光現像する。次いで酸素プ
ラズマ中でエツチングすることにより、第２のレ
ジスト層４で覆われない第１のレジスト層の露出
部分が酸素プラズマによりエツチング除去された
第１図ｃの如きパターンが形成される。次いでエ
ツチヤントにより第１図ｄの如く、被加工層２を
エツチング除去し、パターニングを行なうもので
ある。
次に本発明のパターン形成法に用いるレジスト
について説明する。
について説明する。
(1) レジストとポリシルセスキオキサン
一般式（）で示されるポリシルセスキオキ
サンは、 〔ただし、ｎ：重合度 R1：Ｈ又はフエニル基又はアルキル
基（Ｃ＝１〜４）又はCN基から選
ばれた一種以上の基 R2：フエニル基又はアルキル基（Ｃ
＝１〜４）又はCN基から選ばれた
一種以上の基〕 R2にC6H5が多量に使用されたものを除き膜
厚1μｍ程度ではDeep UV光に対し透明であ
り、しかも非感光性である。したがつて、多量
のシリコン樹脂を加えないかぎり、使用したレ
ジスト本来の性質、たとえば感度、解像性が維
持される。しかし、現像中にレジストが著しく
膨潤するような条件ではシリコン樹脂が抽出さ
れてしまい、耐酸素プラズマ性の向上は期待で
きない。したがつて、レジストの膨潤を最小限
におさえることのできる現像液を選択する必要
がある。また、シリコン樹脂の添加量は１〜
10wt％が好ましい。1wt％以下では酸素プラズ
マに対する耐性向上が少なく、10wt％以上で
はレジスト本来の解像性が低下する。
サンは、 〔ただし、ｎ：重合度 R1：Ｈ又はフエニル基又はアルキル
基（Ｃ＝１〜４）又はCN基から選
ばれた一種以上の基 R2：フエニル基又はアルキル基（Ｃ
＝１〜４）又はCN基から選ばれた
一種以上の基〕 R2にC6H5が多量に使用されたものを除き膜
厚1μｍ程度ではDeep UV光に対し透明であ
り、しかも非感光性である。したがつて、多量
のシリコン樹脂を加えないかぎり、使用したレ
ジスト本来の性質、たとえば感度、解像性が維
持される。しかし、現像中にレジストが著しく
膨潤するような条件ではシリコン樹脂が抽出さ
れてしまい、耐酸素プラズマ性の向上は期待で
きない。したがつて、レジストの膨潤を最小限
におさえることのできる現像液を選択する必要
がある。また、シリコン樹脂の添加量は１〜
10wt％が好ましい。1wt％以下では酸素プラズ
マに対する耐性向上が少なく、10wt％以上で
はレジスト本来の解像性が低下する。
(2) 第１層目樹脂
下層の第１層目樹脂としては、上層の第２層
目を現像液によつて現像するために第１層目層
を溶解しないような現像条件を選ぶこと、ある
いは第１層目樹脂として第２層目レジストの現
像液に溶解しないものを選ぶこと、あるいは第
１層目樹脂を硬化処理して不溶化することなど
が必要である。
目を現像液によつて現像するために第１層目層
を溶解しないような現像条件を選ぶこと、ある
いは第１層目樹脂として第２層目レジストの現
像液に溶解しないものを選ぶこと、あるいは第
１層目樹脂を硬化処理して不溶化することなど
が必要である。
(3) ポリシルセスキオキサンの特徴は、一般式
（）で示される線状シリコン樹脂 に比べて無機質に近く、耐O2プラズマ性に優
れている。また、通常のレジストの溶媒、現像
液に対して溶解性が良好である。また、レジス
ト材料との相溶性が良好であることである。
（）で示される線状シリコン樹脂 に比べて無機質に近く、耐O2プラズマ性に優
れている。また、通常のレジストの溶媒、現像
液に対して溶解性が良好である。また、レジス
ト材料との相溶性が良好であることである。
以下本発明実施例につき説明する。
実施例 １
（ポジ型パターンの例）
第１図ａに示す如く、シリコンウエーハ１に被
加工層２のAlを1μｍ着け、この上にフエノール
樹脂を塗布し、160℃で60分間加熱した（1.2μｍ、
第１層目）。さらに、この上に第２層目レジスト
４としてメチルメタクリレート（94mol％）とメ
タクリル酸（5.5mol％）とメタクリル酸クロリ
ド（0.5mol％）との三元系共重合体に一般式
（）のR1がＨ／C2H5＝２／１、R2がCH3で、
Mw＝５×103、／＝3.2のシリコン樹脂を
5wt％混合された系のレジストを0.5μｍ塗布し、
140℃で30分間加熱した。これに石英板でできた
クロムマスクを用い、Deep UV露光した（Xe−
Hgランプ、UXM−500MA（ウシオ電機製）、コ
ールドミラーにて熱線カツト）。露光量は0.9J／
cm2とした。メチルイソブチルケトン３分間の現像
にて第１図ｂの如く、1μｍライン＆スペースの
パターンを得た。次に平行平板型ドライエツチン
グ装置にて、酸素圧力0.4Torr、印加電力
0.25W／cm2、印加周波数13.56MHzのプラズマ条
件にて12分間エツチングしてフエノール樹脂層を
エツチングした。これにより第１図ｃの如く、第
２層目レジスト層４はほとんどエツチングされず
にレジストパターンが第１層目のレジスト層３で
あるフエノール樹脂に転写された。続いて、エツ
チヤントをCCl4に変え、0.04Torr、0.25W／cm2の
条件で10分間エツチングすることにより第１図ｄ
の如く、被加工層２のAlが完全に上部第１層目
のレジスト３と同じサイズにてエツチングされ
た。
加工層２のAlを1μｍ着け、この上にフエノール
樹脂を塗布し、160℃で60分間加熱した（1.2μｍ、
第１層目）。さらに、この上に第２層目レジスト
４としてメチルメタクリレート（94mol％）とメ
タクリル酸（5.5mol％）とメタクリル酸クロリ
ド（0.5mol％）との三元系共重合体に一般式
（）のR1がＨ／C2H5＝２／１、R2がCH3で、
Mw＝５×103、／＝3.2のシリコン樹脂を
5wt％混合された系のレジストを0.5μｍ塗布し、
140℃で30分間加熱した。これに石英板でできた
クロムマスクを用い、Deep UV露光した（Xe−
Hgランプ、UXM−500MA（ウシオ電機製）、コ
ールドミラーにて熱線カツト）。露光量は0.9J／
cm2とした。メチルイソブチルケトン３分間の現像
にて第１図ｂの如く、1μｍライン＆スペースの
パターンを得た。次に平行平板型ドライエツチン
グ装置にて、酸素圧力0.4Torr、印加電力
0.25W／cm2、印加周波数13.56MHzのプラズマ条
件にて12分間エツチングしてフエノール樹脂層を
エツチングした。これにより第１図ｃの如く、第
２層目レジスト層４はほとんどエツチングされず
にレジストパターンが第１層目のレジスト層３で
あるフエノール樹脂に転写された。続いて、エツ
チヤントをCCl4に変え、0.04Torr、0.25W／cm2の
条件で10分間エツチングすることにより第１図ｄ
の如く、被加工層２のAlが完全に上部第１層目
のレジスト３と同じサイズにてエツチングされ
た。
実施例 ２
（ネガ型パターンの例）
実施例１と同一プロセスをとる。シリコンウエ
ーハに被加工層２のAlを1μｍつけ、その上に第
１層目のレジスト層３としてポリビニルカルバゾ
ールを乾燥膜厚が1.2μｍとなるように塗布し、
120℃で30分間加熱した。次いでその上に第２層
目のレジスト層４としてポリジアリルオルソフタ
レート（＝1.1×104、／＝1.5）に実
施例１記載のシリコン樹脂7wt％を混合したレジ
ストを乾燥後の膜厚が0.5μｍとなるように塗布
し、プリベイクは80℃、30分間の条件で行なつ
た。露光はXe−Hgランプ（UXM−50MD、ウ
シオ電機製）で0.3J／cm2、現像はモノクロルベン
ゼン／酢酸イソアミル＝１／1.5（vol比）、40秒間
dip処理して、1μｍ line and space解像を得た。
ーハに被加工層２のAlを1μｍつけ、その上に第
１層目のレジスト層３としてポリビニルカルバゾ
ールを乾燥膜厚が1.2μｍとなるように塗布し、
120℃で30分間加熱した。次いでその上に第２層
目のレジスト層４としてポリジアリルオルソフタ
レート（＝1.1×104、／＝1.5）に実
施例１記載のシリコン樹脂7wt％を混合したレジ
ストを乾燥後の膜厚が0.5μｍとなるように塗布
し、プリベイクは80℃、30分間の条件で行なつ
た。露光はXe−Hgランプ（UXM−50MD、ウ
シオ電機製）で0.3J／cm2、現像はモノクロルベン
ゼン／酢酸イソアミル＝１／1.5（vol比）、40秒間
dip処理して、1μｍ line and space解像を得た。
以下、実施例１と同一プロセス条件で、実施例
１で記載された如く、Alのパターニングが行な
われた。
１で記載された如く、Alのパターニングが行な
われた。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば
通常のDeep UVレジストにポリシルセスキオキ
サンを混合したレジストを上層の第２層目に用い
ることによつて、ドライエツチング耐性の高い下
層の第１層目樹脂にレジストパターンを転写する
ことが可能となり、この下層の第１層目樹脂をマ
スクとして被加工層のドライエツチングを容易に
行なえるようになる。
通常のDeep UVレジストにポリシルセスキオキ
サンを混合したレジストを上層の第２層目に用い
ることによつて、ドライエツチング耐性の高い下
層の第１層目樹脂にレジストパターンを転写する
ことが可能となり、この下層の第１層目樹脂をマ
スクとして被加工層のドライエツチングを容易に
行なえるようになる。
図は本発明のパターン形成方法の工程を示す断
面図である。 １：基板、２：被加工層、３：第１層目レジス
ト層、４：第２層目レジスト層。
面図である。 １：基板、２：被加工層、３：第１層目レジス
ト層、４：第２層目レジスト層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 遠紫外リソグラフイ用レジストに下記一般式
(1)で表されるポリシルセスキオキサンを混合した
レジスト材料を遠紫外リソグラフイに用いること
を特徴とするパターン形成方法。 〔ただし、ｎ：重合度 R1：Ｈ又はフエニル基又はアルキル
基（Ｃ＝１〜４）又はCN基から選
ばれた一種以上の基 R2：フエニル基又はアルキル基（Ｃ
＝１〜４）又はCN基から選ばれた
一種以上の基を表す。〕 ２ 上記遠紫外リソグラフイ用レジストがポジ型
レジストであることを特徴とする第１項記載のパ
ターン形成方法。 ３ 上記遠紫外リソグラフイ用レジストがネガ型
レジストであることを特徴とする第１項記載のパ
ターン形成方法。 ４ 被加工層を形成した基板上に酸素プラズマで
エツチング可能な第１のレジスト層を形成する工
程、次いでその上に遠紫外リソグラフイ用レジス
トにポリシルセスキオキサンを混合した第２のレ
ジスト層を形成する工程、遠紫外線で第２のレジ
スト層を露光する工程、露光部分を現像し第２の
レジスト層をパターニングする工程、次いで上記
基板を酸素プラズマ中で第２のレジスト層をマス
クに第１のレジスト層をエツチングしパターニン
グする工程、レジスト層をマスクに被加工層をパ
ターニングする工程を有することを特徴とするパ
ターン形成方法。 ５ 上記遠紫外リソグラフイ用レジストがポジ型
レジストであり露光部分を現像除去することを特
徴とする第４項記載のパターン形成方法。 ６ 上記遠紫外リソグラフイ用レジストがネガ型
レジストであり未露光部分を現像除去することを
特徴とする第４項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027482A JPS57141642A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Formation of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027482A JPS57141642A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Formation of pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141642A JPS57141642A (en) | 1982-09-02 |
| JPS6364772B2 true JPS6364772B2 (ja) | 1988-12-13 |
Family
ID=12222341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56027482A Granted JPS57141642A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Formation of pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210032U (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-23 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965430A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR900002364B1 (ko) * | 1984-05-30 | 1990-04-12 | 후지쓰가부시끼가이샤 | 패턴 형성재의 제조방법 |
| WO1986005284A1 (en) * | 1985-03-07 | 1986-09-12 | Hughes Aircraft Company | Polysiloxane resist for ion beam and electron beam lithography |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
-
1981
- 1981-02-26 JP JP56027482A patent/JPS57141642A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210032U (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141642A (en) | 1982-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5220418B2 (ja) | シリコン含有フォトレジストの基層としての低屈折率ポリマー | |
| US4808511A (en) | Vapor phase photoresist silylation process | |
| JP4086830B2 (ja) | スピンオンａｒｃ／ハードマスク用のシリコン含有組成物 | |
| US4609614A (en) | Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate | |
| US7375172B2 (en) | Underlayer compositions containing heterocyclic aromatic structures | |
| JP3290194B2 (ja) | フォトレジスト | |
| JPH0456977B2 (ja) | ||
| JP2003195521A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子 | |
| JP3290195B2 (ja) | フォトリソグラフィによる構造物の製造方法 | |
| EP0645679B1 (en) | Resist material and pattern forming process | |
| GB2354005A (en) | Organic polymer for organic anti-reflective layer and preparation thereof | |
| US5194364A (en) | Process for formation of resist patterns | |
| KR20010026523A (ko) | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 | |
| JPH11186243A (ja) | 酸化シリコン層のエッチング方法 | |
| JPS6364772B2 (ja) | ||
| US4701342A (en) | Negative resist with oxygen plasma resistance | |
| JP2901044B2 (ja) | 三層レジスト法によるパターン形成方法 | |
| EP0199303B1 (en) | Method of forming a photoresist pattern | |
| JPS62258449A (ja) | ２層レジスト像を作成する方法 | |
| JP3766245B2 (ja) | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6364771B2 (ja) | ||
| JP3407825B2 (ja) | レジスト及びパターン形成方法 | |
| EP0250762B1 (en) | Formation of permeable polymeric films or layers via leaching techniques | |
| EP0260489B1 (en) | Microlithographic resist containing poly(1,1-dialkylsilazane) | |
| Ong et al. | A two‐layer photoresist process for patterning high‐reflectivity substrates |