JPH02981A - 感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性樹脂の剥離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性
樹脂の剥離方法に関する。

［従来の技術］ 感光性樹脂が被着される基板としては、ガラス、金属、
プラスチック、セラミックス製基板や、ガラス上に金属
等の薄膜を被着してなる基板等があるが、以下、半導体
集積回路（例えば、ＩＣやＬＳＩ）製造時に用いられる
フォトマスクの製造材料であるフォトマスクブランク（
以下、単に「ブランク」ということがある）を基板とし
た場合を例に挙げ、従来の感光性樹脂用剥離液及び感光
性樹脂の剥離方法について説明する。

先ず、前記したブランクは、研磨した石英ガラス等の透
光性基板の一生表面上にクロム等からなる遮光性膜を被
着したものである。また、このブランクからフォトマス
クを製造するために、先ず、ブランクの遮光性膜上には
、フォトレジストや電子線レジスト等の感光性樹脂がス
ピンコード法等の塗布方法により被着される。

ところで、前記したように遮光性膜上に感光性樹脂を塗
布して被着した場合、温度等の樹脂塗布条件や粘度等の
樹脂の性状により、被着した感光性樹脂の膜厚が同一の
ブランクの遮光性膜上において異なること、即ちばらつ
くことがある。そして、被着した感光性樹脂の膜厚にば
らつきを有するブランクを用い、所定のフォトリソグラ
フィー又は電子線リソグラフィー工程を経てフォトマス
クを製造すると、透光性基板上に形成された遮光性パタ
ーンの線幅が所定の寸法にならず、ばらついてしまい、
所定の遮光性パターンを有するフォトマスクを製造する
ことができない。

このため、感光性樹脂の膜厚にばらつきを有するブラン
クは、いわゆる膜厚不良のレジスト付きブランクとされ
、使用することができない。しかしながら、特に石英ガ
ラス等のように高価な透光性基板を用いたブランクの場
合、その透光性基板を再利用すべく、膜厚不良のレジス
ト付きブランクを感光性樹脂用剥離液中に所定時間浸漬
して感光性樹脂を剥離し、その後所定のエツチング液に
より遮光性膜を剥離除去する。次いで、透光性基板を再
び研磨した後、遮光性膜を再び被着してブランクを製造
し、さらに遮光性膜上に感光性樹脂を被着することを行
っている。

前記したように感光性樹脂を剥離する場合において、感
光性樹脂が紫外線等の光により感光するフォトレジスト
であるときには、従来、以下に記すような剥離液が知ら
れている。すなわち、過酸化水素水とスルファミン酸の
混合液からなるフォトレジスト剥離液（特開昭５２−１
３７７６号公報）、過硫酸塩、過酸化水素又は過酸化水
素付加物に酸を添加してなるフォトレジスト膜除去剤（
特開昭５４−２４６２７号公報）、及びアセトンとＮ、
　Ｎ−ジメチルホルムアミドとを混合してなるフォトレ
ジストの剥離液（特公昭５７−６１０１号公報）である
。

一方、剥離されるべき感光性樹脂としては、前記したフ
ォトレジストの他に、電子線の照射により感光する電子
線レジストがあり、この電子線レジストにはネガ型及び
ポジ型のものがある。前記したネガ型電子線レジストと
しては、例えばエポキシ樹脂系、不飽和ジカルボン酸樹
脂系、ポリスチレン系のものがあり、またポジ型電子線
レジストとしては、例えばポリオレフィンスルホン系、
ポリメチルメタクリレート系のものがある。

そして、前記した種々の電子線レジストの剥離液として
は、メチルエチルケトン、熱濃硫酸、ジメチルスルホキ
シド、塩化メチレン等が知られている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、電子線レジストを剥離する際に、前記し
た各種のフォトレジスト剥離液を用いた場合は勿論のこ
と、前記した各種の電子線レジスト用剥離液を用いても
電子線レジストを短い時間で確実に剥離することは困難
である。

このため、前記したようにブランクの透光性基板を再利
用すべく、電子線レジスト用剥離液中に前記ブランクを
浸漬して電子線レジストを剥離した後、所定のエツチン
グにより遮光性膜を除去するときに、その除去に非常に
多くの時間を要する。

これは、遮光性膜との界面における電子線レジストの密
着性が高いために遮光性膜の表面に非常に薄いレジスト
膜が残存してしまい、遮光性膜の除去を妨げるためであ
る。

また、ネガ型電子線レジストの現像工程で用いる現像液
を、ネガ型電子線レジストの剥離液として用いることは
できるが、この現像液は高価であるため実用的ではない
。さらに、現像液を前記の剥離液として用いるときは、
種々のネガ型電子線レジストに対応する現像液をそれぞ
れ用意しなければならず、高いコストを要するとともに
作業も煩雑になる。

従って、本発明の第１の目的は、種々の感光性樹脂を確
実に剥離することができる感光性樹脂用剥離液を提供す
ることにある。

また本発明の第２の目的は、基板上に被着した種々の感
光性樹脂を基板から確実に剥離することができ、しかも
基板がフォトマスクブランクの場合には、その後に行わ
れるエツチング処理により遮光性膜の除去をも容易に行
なうことを可能にする感光性樹脂の剥離方法を提供する
ことにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、前記した目的を達成するためになされたもの
であり、本発明の感光性樹脂用剥離液は、過酸化水素と
一般式（１） （ただしＲ１はＨ又は炭素数１又は２個のアルキル基で
あり、Ｒ２はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基であり
、Ｒ３はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基である。） で表わされる化合物とを含む水溶液からなることを特徴
とする。

また本発明の感光性樹脂の剥離方法は、過酸化水素と上
記一般式（１）で表わされる化合物とを含む水溶液から
なる感光性樹脂用剥離液により、感光性樹脂が被着した
基板を処理する工程を含むことを特徴とする。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の感光性樹脂用剥離液において過酸化水素ととも
に用いられる一般式（Ｉ）の化合物の代表例として以下
のものが挙げられるが、これらのものに限定されるもの
ではない。

（Ａ）ホルムアミド類 ホルムアミド（ギ酸アミド） ＮＮ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）Ｎ−メチルホル
ムアミド Ｎ−エチルホルムアミド Ｎ−プロピルホルムアミド Ｎ−メチル　Ｎ−エチルホルムアミド Ｎ−メチル　Ｎ−プロピルホルムアミドＮＮ−ジエチル
ホルムアミド Ｎ−エチル　Ｎ−プロピルホルムアミドＮ、　　Ｎ−ジ
プロピルホルムアミド Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｃ，Ｒ５ ２Ｒ５ Ｃ３Ｈ？ Ｈ３ Ｈ３ ２Ｒ５ Ｃ３Ｈ？ ｃ＝　Ｒ５ Ｃ３Ｈ？ ２Ｈ５ Ｃ３Ｈ？ Ｃ３Ｈ？ （Ｂ）アセトアミド類 Ｎ−メチルアセトアミド Ｎ−エチルアセトアミド Ｎ−プロピルアセトアミド Ｎ、　Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）Ｎ−メチ
ル　Ｎ−エチルアセトアミド Ｎ−メチル　Ｎ−プロピルアセトアミドＮ、　　Ｎ−ジ
エチルアセトアミド Ｎ−エチル　Ｎ−プロピルアセトアミドＮ、　　Ｎ−ジ
プロピルアセトアミド Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ３ ２Ｒ５ ２Ｒ５ Ｃ３Ｈ？ Ｈ３ Ｃ，Ｒ５ Ｃ３Ｈ。

Ｈ３ Ｃｔ　１（５ Ｃ３Ｈ？ ２　Ｒ５ Ｃ３Ｈ？ Ｃ３Ｈ。

（Ｃ）プロピオンアミド類 Ｎ−メチルプロピオンアミド Ｎ−エチルプロピオンアミド Ｎ−プロピルプロピオンアミド Ｎ、　　Ｎ−ジメチルプロピオンアミ ド ２Ｈ５ ２Ｒ５ Ｃ，Ｒ５ ２Ｒ５ Ｈ３ ２Ｒ５ ３Ｒ７ Ｈ３ 一般式（１）の化合物は１種用いてもよく、また２種以
上用いてもよい。

過酸化水素と一般式（１）の化合物との比率は適宜選定
可能であるが、剥離効率を上げるためには、体積比率で
１０００　：　１〜１０：１の範囲とするのが好ましい
。

また剥離液中の過酸化水素及び一般式（Ｉ）の化合物の
濃度は、前者が５０〜７００ｇ／ｊ２、後者が１〜１０
０ｇ／Ａとするのが好ましい。

また剥離液中の性質を失なわない程度に、剥離液中に池
に成分、例えばノニルフェノールポリオキシエチレンエ
ーテル、ドデシルベンゼンスルホン酸、ラウリル硫酸ナ
トリウム等の界面活性剤やケイ酸塩、スズ化合物、リン
酸、ピロリン酸塩、オキシキノリン、アセトアニリド、
バルビッル酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレ
ンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヒドロキシエチ
ルジホスホン酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三
酢等の安定剤等を添加することもできる。

本発明の剥離液の調製は種々の方法で行なわれる。例え
ば過酸化水素の水溶液と、一般式（Ｉ）の化合物又はそ
の水溶液とを混合して剥離液を調製しても良く、また過
酸化水素又はその水溶液と、一般式（１７の化合物又は
その水溶液と、水とを混合して剥離液を調製しても良い
。また所定容器に収容された過酸化水素の水溶液と別の
所定容器に収容された一般式（Ｉ）の化合物又はその水
溶液とからなり、使用時に混合されるキットも本発明の
剥離液に包含される。

本発明の剥離液によって剥離される感光性樹脂としては
、ポリスチレン系、エポキシ樹脂系、不飽和ジカルボン
酸樹脂系、グリシジルメタアクリレート−エチルアクリ
レート共重合体系等のネガ型電子線レジスト、ポリオレ
フィンスルホン系、ポリメチルメタアクリレート系、メ
チルアクリレート−アクリロニトリル共重合体系等のポ
ジ型電子線レジストが挙げられる。さらに、電子線レジ
スト以外に、ポリケイ皮酸ビニル系樹脂等からなる種々
のネガ型フォトレジストや、ノボラック系フェノール樹
脂等からなる種々のポジ型フォトレジストであってもよ
い。

また本発明の剥離液によって感光性樹脂が剥離される基
板としては、フォトマスクブランクが最も好ましい。そ
の理由は、本発明の剥離液を用いると、感光性樹脂の剥
離を確実に行なうことができるだけでなく、剥離後のエ
ツチング処理においてフォトマスクブランクの遮光性膜
の除去を容易に行なうことが可能になるからである。

なお、フォトマスクブランクの透光性基板としては石英
ガラス、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケート
ガラス、アルミノシリケートガラス、セラミック、サフ
ァイヤ等からなるものが挙げられる。また遮光性膜とし
てはクロム、チタン、タンタル、タングステン、モリブ
デン等の金属や、これら金属の酸化物、窒化物、炭化物
、珪化物、硼化物等からなるものが挙げられる。

また他の基板として、シリコンウェハ等の半導体基板、
アルミノボロシリケートガラス等のガラス基板、アルミ
ナ等からなるセラミック基板、透光性基板の一生表面上
に透明導電膜を被着してなる基板、アクリル樹脂等から
なる樹脂基板等の各種基板が含まれ、またその形状も板
状以外に立方体状等任意の形状でありうる。

さらに基板は、電気、電子技術分野において用いられる
ものに限定されず、他の技術分野において用いられる感
光性樹脂付き基板からの感光性樹脂の剥離に本発明は適
用することができる。

本発明の剥離液は、剥離効率を上げるために液温を４０
℃以上にして使用するのが好ましいが、過酸化水素と一
般式（１）の化合物との比率、−般式（１）の化合物の
種類等を適宜選択することにより剥離力を高めることが
できれば、液温を４０°Ｃ未満とすることもできる。但
しポリスチレン系のネガ型電子線レジストを剥離すると
きには８０°Ｃ以上が望ましい。それ以外のネガ型電子
線レジスト及びポジ型電子線レジスト、あるいはネガ型
及びポジ型フォトレジストを剥離するときには上述の如
く４０℃以上が望ましい。

剥離処理は、感光性樹脂を被着した基板を剥離液中に浸
漬して行うのが好ましい。浸漬時間は、感光性樹脂の剥
離性や被着量にもよるが、一般に１〜６０分である。

剥離手段として、浸漬性以外に、剥離液を感光性樹脂付
き基板上に滴下後、拡布する方法や、剥離液を感光性樹
脂付き基板に吹き付ける方法等も採用し得る。

［実施例］ 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

（実施例１〜７） 基板として、研磨した石英ガラスからなる透光性基板（
寸法：５Ｘ５ＸＱ、０９インチ）と、該透光性基板の一
生表面上にスパッタリング法により被着したクロムから
なる遮光性膜（膜厚：１０５０人）とを具備してなるフ
ォトマスクブランクを用いた。そして、このフォトマス
クブランクの遮光性膜上に、ポリスチレン系ネガ型電子
線レジストであるトーソー■製のクロルメチル化ポリス
チレン（ＣＭＳ）をスピンコード法により塗布した後、
温度１３０°Ｃの雰囲気中で２５分間ベークして膜厚５
０００人のネガ型電子線レジストを被着したフォトマス
クブランク（ネガ型電子線レジスト付きブランク）を用
意した。

しかしこのネガ型電子線レジスト付きブランクにおいて
は、レジストの膜厚が不均一であり、レジストを剥離す
る必要が生じた。

そコテ、３４ｗｔ％過酸化水素水（１２１）とＮ。

Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下ＤＭＦという）とを１
００／１の体積比で混合した溶液（Ｈ２０２濃度３３．
７ｗｔ％、ＤＭＦ濃度０．　８ｗｔ％）を８０°Ｃに昇
温しで、実施例１の感光性樹脂用剥離液を調製した。

次に実施例１において用いたＤＭＦの代りに、Ｎ−エチ
ルホルムアミド、Ｎ、　　Ｎ−ジエチルホルムアミド、
Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド（以下ＤＭＡｃという）、Ｎ。

Ｎ−ジメチルプロピオンアミドをそれぞれ用いた以外は
実施例１と同様にして実施例２〜６の感光性樹脂用剥離
液を調製した。また実施例１において用いたＤＭＦの代
りに、ＤＭＦとＤＭＡｃとの混合物（体積比０．　５１
０．　５）を用いた以外は実施例１と同様にして実施例
７の感光性樹脂用剥離液を調製した。上記で得られた実
施例１〜７の剥離液の組成は表−１にまとめて示した。

次に、上記で得られた実施例１〜７の剥離液（液温：８
０°Ｃ）中に前記したネガ型電子線レジスト付きブラン
クを所定時間（実施例１〜５及び７において１０分間、
実施例６において２０分間）浸漬して、遮光性膜上から
ネガ型電子線レジストを剥離し、次いで市水によりリン
ス処理したのち、乾燥した。このとき、各フォトマスク
ブランクの遮光性膜表面を目視にて観察すると、前記レ
ジストは良好に剥離除去されていた。

次いで、所定のクロム遮光性膜のエツチング液（純水１
１に硝酸第２セリウムアンモニウム２００ｇと過塩素酸
５０ｍ１とを溶解させた溶液：液温２０°Ｃ）中に、前
記のネガ型電子線レジストを剥離した各フォトマスクブ
ランクを浸漬し、クロム遮光性膜が除去されるに要する
時間を測定すると表−１に示すようにそれぞれ６０秒で
あった。前記のネガ型電子線レジストを被着しないフォ
トマスクブランクのクロム遮光性膜を、前記エツチング
液により除去するに要する時間も６０秒であることから
、実施例１〜７においてネガ型電子線レジストを剥離し
た各フォトマスクブランクの遮光性膜上には、その除去
を妨げる薄いネガ型電子線レジスト膜は残存していない
ことが確認された。

（比較例１〜４） 比較のための感光性樹脂用剥離液として、比較例１にお
いてメチルエチルケトン（以下ＭＥＫという）、比較例
２において熱濃硫酸、比較例３においてジメチルスルホ
キシド、比較例４においてアセトンとＤＭＦとの混合液
を用いた。これらの剥離液のそれぞれに実施例１〜７と
同様のネガ型電子線レジスト付きブランクを表−１に示
す所定温度で所定時間浸漬してレジストを剥離処理した
。

その結果、ＭＥＫ、熱濃硫酸及びアセトンとＤＭＦとの
混合液をそれぞれ用いた比較例１．２及び４の剥離液の
場合、レジストは見かけ上剥離除去されたが、ジメチル
スルホキシドを用いた比較例３の剥離液の場合、１００
℃で１０時間かけてもレジストは剥離除去されないこと
が目視観察により明らかとなった。

次に実施例１〜７と同様にリンス処理、乾燥処理したの
ち、比較例１．２及び４の剥離液によりレジストを剥離
したフォトマスクブランクのクロム遮光性膜を実施例１
〜７で用いたと同一のエツチング液により除去するに要
する時間を測定した。

その結果は、表−１に示すように、比較例２の熱濃硫酸
を用いた場合にはクロム遮光性膜を除去するのに５時間
以上も要し、また比較例１のＭＥＫ及び比較例４のアセ
トンとＤＭＦとの混合液を用いた場合にはクロム遮光性
膜を除去することができなかった。このように、クロム
遮光性膜を除去するのに長時間を要したり、あるいは除
去することができないのは、目視では前記レジストが剥
離しているようにみえるが、実際にはクロム遮光性膜表
面に薄いネガ型電子線レジスト膜が残存して遮光性膜の
除去を阻害するからである。

（実施例８〜１４） 基板として、実施例１〜７で用いたと同一のブランクを
用い、さらに該ブランクの遮光性膜上に、ポリオレフィ
ンスルホン系ポジ型電子線レジストであるポリブテン−
１−スルホン（ＰＢＳ）をスピンコード法により塗布し
た後、温度１２０°Ｃの雰囲気中で６０分間ベークして
、膜厚４０００人のポジ型電子線レジストを被着したフ
ォトマスクブランク（ポジ型電子線レジスト付きブラン
ク）を用意した。

しかしこのポジ型電子線レジスト付きブランクにおいて
は、レジストの膜厚が不均一であり、レジストを剥離す
る必要が生じた。

そこで本実施例８〜１４においては、実施例１〜７でそ
れぞれ用いたと同一の剥離液を用いて、ポジ型電子線レ
ジスト付きブランクのレジスト剥離処理を以下のように
実施した。

すなわち、実施例１〜７の剥離液にそれぞれ対応する実
施例８〜１４の剥離液（液温：８０°Ｃ）中に、前記し
たポジ型電子線レジスト付きブランクを所定時間（実施
例８〜１２及び１４において３分間、実施例１３におい
て６分間）浸漬して前記遮光性膜上からポジ型電子線レ
ジストを剥離し、次いで市水によりリンス処理したのち
乾燥した。

このときも、各フォトマスクブランクの遮光性膜表面を
目視にて観察すると、前記レジストは良好に剥離除去さ
れていた。

次いで、実施例１〜７で用いたと同一のエツチング液中
に、前記のポジ型電子線レジストを剥離した各フォトマ
スクブランクを浸漬し、クロム遮光性膜が除去されるに
要する時間を測定すると表−２に示すようにそれぞれ６
０秒であった。このことから、実施例１〜７中で記した
と同様の理由により、ポジ型電子線レジストを剥離した
各フォトマスクブランクの遮光性膜上には、薄いポジ型
電子線レジスト膜は残存していないことが確認された。

（実施例１５） 本実施例では、本発明の感光性樹脂用剥離液について、
経時的な剥離能力を評価した。

先ず実施例８〜１４で用いたと同一のポジ型電子線レジ
スト付きブランク（５Ｘ５ＸＯ，０９インチ）の６枚を
それぞれ相対向する縁の中央線に沿ってガラス切り工具
で２つに切断し、１２枚の評価用サンプル（５Ｘ２．５
Ｘ０．０９インチ）を得た。なお後述するように、その
うちの１１枚の評価用サンプルを本実施例で使用した。

次に３５ｗｔ％過酸化水素水（０，５Ａ）とＤＭＡｃと
を１００／１の体積比で混合した溶液を８０℃に昇温し
で、実施例１２と同一組成の剥離液を調製した。得られ
た剥離液について、過酸化水素の初期濃度を日本工業規
格（Ｊ　Ｉ　Ｓ）　−に−８２３０で定められた過マン
ガン酸カリウム滴定法により測定したところ、表−３に
示すように３５゜Ｑｗｔ％であった。

次に、剥離液を調製後、８０℃に１．０時間保持した後
、１枚の評価用サンプルを投入し、１０分間浸漬した。

１０分間浸漬後、評価サンプルのポジ型電子線レジスト
は、薄いレジスト膜を残存させることなく良好に遮光性
膜上から剥離された。

また１０分間の浸漬後の過酸化水素濃度は表−３に示す
ように３５．２ｗｔ％であり、初期濃度とほぼ同一であ
った。

次に剥離液調製後、８０℃に２．０時間及び３゜０時間
保持した時点の過酸化水素濃度を測定したが、表−３に
示すようにそれぞれ３５．１ｗｔ％及び３５．０ｗｔ％
であり、初期濃度とほぼ同一であった。

剥離液調製後３．５時間経過した時点から８゜０時間ま
では、０．５時間毎に、各１枚の評価用サンプルを剥離
液中に投入し、それぞれ１０分間浸漬した。各１０分間
の浸漬後、各評価サンプルのポジ型電子線レジストは、
薄いレジスト膜を残存させることなく良好に遮光性膜上
から剥離された。また３、５時間から８．０時間に至る
に従って、各１０分間の浸漬後の過酸化水素濃度は表−
３に示すように極めてわずかに低下するだけであり、８
．０時間経過後も本実施例の剥離液は良好な剥離能力を
有することが明らかとなった。

（以下余白） また、実施例８及び１４と同一の組成の感光性樹脂の剥
離液についても実施例１５と同様に経時的な剥離能力を
評価したところ、実施例１５と同等の好結果が得られた
。以上のように、本発明の感光性樹脂用剥離液によれば
、長時間を経過した後も良好な剥離能力を有し、感光性
樹脂を確実に剥離することかできる。

なお本実施例１５では、感光性樹脂としてポリブテン−
１−スルホンからなるポジ型電子線レジストを被着した
ポジ型電子線レジスト付きブランクについて、経時的な
剥離能力を評価した。このポリブテン−１−スルホンか
らなるポジ型電子線レジストは、クロロメチル化ポリス
チレンからなるネガ型電子線レジストに比べて剥離液中
に溶解しやすく、この溶解に伴ってフォトマスクブラン
クから剥離除去されるものである。一方、り四ロメチル
化ポリスチレンからなるネガ型電子線レジストは剥離液
中に皮膜が剥れるごとくしてフォトマスクブランクから
剥離されるものである。したがって、ポリブテン−１−
スルホンからなるポジ型電子線レジストを剥離したとき
の方が、剥離液中にレジスト組成物が溶解することに伴
う反応により剥離液中の過酸化水素濃度が影響を受けや
すい。このような事情を考慮するとクロロメチル化ポリ
スチレンからなるネガ型電子線レジストに対しても、実
施例１５の剥離液は長時間経過した後も、より良好な剥
離能力を有するといえる。

また、実施例１５では剥離時間１０分間（同一剥離液を
用いた実施例１２では３分間）と長めに設定しているが
、これはレジストを剥離した後に露出したクロム遮光性
膜が剥離液と反応し剥離液の過酸化水素濃度を低下させ
ることがあり得ることを考慮し、このような反応が起っ
たとしても充分な剥離能力を維持するか否かをテストす
るためである。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の感光性樹脂用剥離液によ
れば、種々の感光性樹脂を短時間で確実に剥離すること
ができる。さらに長い時間、良好な剥離能力を維持する
ことができる。

また、本発明の感光性樹脂の剥離方法によれば、基板上
に被着した種々の感光性樹脂を短時間で確実に剥離する
ことができる。

さらに、本発明の感光性樹脂の剥離方法によれば、基板
がフォトマスクブランクであるとき、該ブランクの遮光
性膜上に被着した種々の感光性樹脂を短時間で確実に剥
離し、かつその後に行なわれるエツチング処理により遮
光性膜の除去を短時間で容易に行なうことが可能となる
。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）過酸化水素と一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただしＲ＿１はＨ又は炭素数１又は２個のアルキル基
   であり、Ｒ＿２はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基で
   あり、Ｒ＿３はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基であ
   る。） で表わされる化合物とを含む水溶液からなることを特徴
   とする感光性樹脂用剥離液。
2. （２）過酸化水素と一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただしＲ＿１はＨ又は炭素数１又は２個のアルキル基
   であり、Ｒ＿２はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基で
   あり、Ｒ＿３はＨ又は炭素数１〜３個のアルキル基であ
   る。） で表わされる化合物とを含む水溶液からなる感光性樹脂
   用剥離液により、感光性樹脂が被着した基板を処理する
   工程を含むことを特徴とする感光性樹脂の剥離方法。
3. （３）基板が、透光性基板と該透光性基板の一主表面上
   に被着した遮光性膜とを具備してなるフォトマスクブラ
   ンクである、請求項２記載の感光性樹脂の剥離方法。