JPS62210467A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
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- JPS62210467A JPS62210467A JP5271986A JP5271986A JPS62210467A JP S62210467 A JPS62210467 A JP S62210467A JP 5271986 A JP5271986 A JP 5271986A JP 5271986 A JP5271986 A JP 5271986A JP S62210467 A JPS62210467 A JP S62210467A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/428—Stripping or agents therefor using ultrasonic means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体、ＩＣ，ＬＳＩ等の製造に用いられる
、透光性基板の一主表面上に遮光性膜を被着したフォト
マスクブランクの遮光性膜上にレジストを塗布する方法
に関するものである。
、透光性基板の一主表面上に遮光性膜を被着したフォト
マスクブランクの遮光性膜上にレジストを塗布する方法
に関するものである。
（従来の技術）
ガラス基板等の一主表面上に被着されたクロム膜からな
る遮光性膜上にレジストを塗布すると、塗布条件やレジ
ストの粘度等によりレジストの膜厚がばらつくことから
、膜厚不良が発生することがある。この膜厚不良のレジ
スト付フォトマスクブランクから、遮光性膜パターンを
有するフォトマスクをフォトリソグラフィ一工程を経て
製作すると、遮光性膜パターンの線巾がばらつくことか
ら、前述した不良のレジスト付フォトマスクブランクは
使用できなかった。
る遮光性膜上にレジストを塗布すると、塗布条件やレジ
ストの粘度等によりレジストの膜厚がばらつくことから
、膜厚不良が発生することがある。この膜厚不良のレジ
スト付フォトマスクブランクから、遮光性膜パターンを
有するフォトマスクをフォトリソグラフィ一工程を経て
製作すると、遮光性膜パターンの線巾がばらつくことか
ら、前述した不良のレジスト付フォトマスクブランクは
使用できなかった。
このため、従来は、この不良のレジスト付フォトマスク
ブランクを、その遮光性膜を除去するエツチング液、例
えば遮光性膜がクロム膜のときは、水１１に対して硝酸
第２セリウムアンモン２００ｇと過塩素酸５０ｃｃとを
溶解した混合液に長時間浸漬し、遮光性膜と共にレジス
トを剥離していた。その後、ガラス基板の一生表面を酸
化セリウムを含有する研摩剤で研摩し、洗浄し、ガラス
基板の一主表面上に、再び遮光性膜の被着及びレジスト
の塗布を行っていた。
ブランクを、その遮光性膜を除去するエツチング液、例
えば遮光性膜がクロム膜のときは、水１１に対して硝酸
第２セリウムアンモン２００ｇと過塩素酸５０ｃｃとを
溶解した混合液に長時間浸漬し、遮光性膜と共にレジス
トを剥離していた。その後、ガラス基板の一生表面を酸
化セリウムを含有する研摩剤で研摩し、洗浄し、ガラス
基板の一主表面上に、再び遮光性膜の被着及びレジスト
の塗布を行っていた。
しかしながら、従来の方法では、レジストを剥離するた
めに、フォトマスクブランクの遮光性膜をも剥離してい
ることから、遮光性膜の浪費となり、また、新たなレジ
ストは、ガラス基板の研摩、遮光性膜の被着を経て、再
び塗布されることから、その工程を複雑にする問題点が
あった。
めに、フォトマスクブランクの遮光性膜をも剥離してい
ることから、遮光性膜の浪費となり、また、新たなレジ
ストは、ガラス基板の研摩、遮光性膜の被着を経て、再
び塗布されることから、その工程を複雑にする問題点が
あった。
本発明は、前記問題点を除去するためになされたもので
、その特徴は、透光性基板の一主表面上に遮光性膜を被
着したフォトマスクブランクの前記遮光性膜上に塗布さ
れたレジストを、レジスト剥離液で剥離する工程と、前
記遮光性膜に付着した前記レジスト剥離液を除去する工
程と、前記フォトマスクブランクの遮光性膜上に新たに
レジストを塗布する工程とを備えたレジスト塗布方法で
ある。以下、本発明のレジスト塗布方法を、実施例に基
づき詳細に説明する。
、その特徴は、透光性基板の一主表面上に遮光性膜を被
着したフォトマスクブランクの前記遮光性膜上に塗布さ
れたレジストを、レジスト剥離液で剥離する工程と、前
記遮光性膜に付着した前記レジスト剥離液を除去する工
程と、前記フォトマスクブランクの遮光性膜上に新たに
レジストを塗布する工程とを備えたレジスト塗布方法で
ある。以下、本発明のレジスト塗布方法を、実施例に基
づき詳細に説明する。
〔実施例１〕
レジストの膜厚がばらついているレジスト付フォトマス
クブランクは、−主表面が５インチ×５インチで厚さが
約２．３ｍｍの石英ガラスからなる透光性基板の一主表
面にクロム膜からなる遮光性膜（膜厚：６００人）を被
着したフォトマスクブランクの遮光性膜上にポジ型フォ
トレジスト（例えば、ヘキスト社製のＡＺ−１３５０＞
を塗布したものである。
クブランクは、−主表面が５インチ×５インチで厚さが
約２．３ｍｍの石英ガラスからなる透光性基板の一主表
面にクロム膜からなる遮光性膜（膜厚：６００人）を被
着したフォトマスクブランクの遮光性膜上にポジ型フォ
トレジスト（例えば、ヘキスト社製のＡＺ−１３５０＞
を塗布したものである。
先ず、超音波を後記するレジスト剥離液中に伝搬させる
機構を具備したレジスト剥離装置内に収容された、レジ
ストを剥離し、かつ遮光性膜をエツチングしない、エス
テル系のメチルセルソルブからなるレジスト剥離液中に
、レジスト付フォトマスクブランクを、３分間超音波を
伝搬させながら浸漬し、レジストを剥離する。次に、レ
ジストが剥離されたフォトマスクブランクをレジスト剥
離装置から取り出し、レジスト剥離装置と同様に超音波
伝搬機構を具備した３個の洗浄槽に収容された、イソプ
ロピルアルコールからなる洗浄液中に、フォトマスクブ
ランクを順に浸漬し、それぞれ１分間超音波洗浄し、レ
ジスト剥離液を遮光性膜から除去する。次に、洗浄後の
フォトマスクブランクをイソプロピルアルコールからな
る蒸気雰囲気中に配置し乾燥させ、完全にレジスト剥離
液及び洗浄液を除去する。次に、この清浄なフォトマス
クブランクの遮光性膜上に、前述したレジストと同様の
レジストを新たに、周知のスピンコード法により塗布す
る。そして、この新たに塗布されたレジストの膜厚を検
査し、所望の膜厚（例えば５０００人）であれば、この
レジスト付フォトマスクブランクを用いて、後工程の露
光、現像及び遮光性膜のエツチング工程等を経てフォト
マスクを製作する。一方、所望の膜厚でなければ又はば
らつきがあるときは、再度前述したレジストの剥離〜レ
ジストの新たな塗布の工程を行う。
機構を具備したレジスト剥離装置内に収容された、レジ
ストを剥離し、かつ遮光性膜をエツチングしない、エス
テル系のメチルセルソルブからなるレジスト剥離液中に
、レジスト付フォトマスクブランクを、３分間超音波を
伝搬させながら浸漬し、レジストを剥離する。次に、レ
ジストが剥離されたフォトマスクブランクをレジスト剥
離装置から取り出し、レジスト剥離装置と同様に超音波
伝搬機構を具備した３個の洗浄槽に収容された、イソプ
ロピルアルコールからなる洗浄液中に、フォトマスクブ
ランクを順に浸漬し、それぞれ１分間超音波洗浄し、レ
ジスト剥離液を遮光性膜から除去する。次に、洗浄後の
フォトマスクブランクをイソプロピルアルコールからな
る蒸気雰囲気中に配置し乾燥させ、完全にレジスト剥離
液及び洗浄液を除去する。次に、この清浄なフォトマス
クブランクの遮光性膜上に、前述したレジストと同様の
レジストを新たに、周知のスピンコード法により塗布す
る。そして、この新たに塗布されたレジストの膜厚を検
査し、所望の膜厚（例えば５０００人）であれば、この
レジスト付フォトマスクブランクを用いて、後工程の露
光、現像及び遮光性膜のエツチング工程等を経てフォト
マスクを製作する。一方、所望の膜厚でなければ又はば
らつきがあるときは、再度前述したレジストの剥離〜レ
ジストの新たな塗布の工程を行う。
以上のとおり、本例によれば、遮光性膜を除去せずに、
レジストのみを剥離していることから、フォトマスクブ
ランクを再度利用することができ、かつフォトマスクブ
ランクを再度利用できることから、基板の研摩や基板上
に遮光性膜を被着させる工程を必要とせず、工程を簡素
化できる。さらに、レジスト剥離後で、レジストの新た
な塗布前にフォトマスクブランクを洗浄・乾燥している
ことから、遮光性膜上に付着しているレジスト剥離液を
取り除き、遮光性膜とレジストとの付着力を維持するこ
とができる。
レジストのみを剥離していることから、フォトマスクブ
ランクを再度利用することができ、かつフォトマスクブ
ランクを再度利用できることから、基板の研摩や基板上
に遮光性膜を被着させる工程を必要とせず、工程を簡素
化できる。さらに、レジスト剥離後で、レジストの新た
な塗布前にフォトマスクブランクを洗浄・乾燥している
ことから、遮光性膜上に付着しているレジスト剥離液を
取り除き、遮光性膜とレジストとの付着力を維持するこ
とができる。
〔実施例２〕
レジストの膜厚がばらついているレジスト付フォトマス
クブランクは、フォトマスクブランクが実施例１と同一
であり、レジストがポジ型電子線レジスト（例えば、Ｋ
、Ｔ、Ｉ社製のＰＭＨＡ ）である。
クブランクは、フォトマスクブランクが実施例１と同一
であり、レジストがポジ型電子線レジスト（例えば、Ｋ
、Ｔ、Ｉ社製のＰＭＨＡ ）である。
先ず、実施例１と同様のレジスト剥離装置内に収容され
た、ケトン系のメチルエチルケトンからなるレジスト剥
離液中に、レジスト付フォトマスクブランクを、５分間
超音波を伝搬させながら浸漬し、レジストを剥離する。
た、ケトン系のメチルエチルケトンからなるレジスト剥
離液中に、レジスト付フォトマスクブランクを、５分間
超音波を伝搬させながら浸漬し、レジストを剥離する。
次に、レジストが剥離されたフォトマスクブランクをレ
ジスト剥離装置から取り出し、実施例１と同様の３個の
洗浄槽内に収容された、レジスト剥離液と同様のメチル
エチルケトンからなる洗浄液中に、フォトマスクブラン
ク番順に浸漬し、それぞれ１分間超音波洗浄する。次に
実施例１と同様にフォトマスクブランクを乾燥し、遮光
性膜に付着したレジスト剥離液及び洗浄液を除去する。
ジスト剥離装置から取り出し、実施例１と同様の３個の
洗浄槽内に収容された、レジスト剥離液と同様のメチル
エチルケトンからなる洗浄液中に、フォトマスクブラン
ク番順に浸漬し、それぞれ１分間超音波洗浄する。次に
実施例１と同様にフォトマスクブランクを乾燥し、遮光
性膜に付着したレジスト剥離液及び洗浄液を除去する。
その後、このフォトマスクブランクの遮光性膜上にスピ
ンコード法により、剥離したレジストと同様のレジスト
を、新たに塗布する。その後の工程は実施例１と同様で
ある。
ンコード法により、剥離したレジストと同様のレジスト
を、新たに塗布する。その後の工程は実施例１と同様で
ある。
本例においては、レジスト剥離液とフォトマスクブラン
クの洗浄液とは同種の液であるが、実施例１と同様の効
果がある。
クの洗浄液とは同種の液であるが、実施例１と同様の効
果がある。
〔実施例３〕
本例においては、レジスト剥離液によって剥離されるレ
ジストと、新たに塗布されるレジストとが異なる例を示
す。なお、このようなことをする理由としては、例えば
、塗布されたレジストの膜厚がばらついており、とりあ
えずこのレジストを剥離してフォトマスクブランクのみ
を保存し、その後、このフォトマスクブランクに他のレ
ジストを塗布し、フォトマスクブランクの有効利用を計
る場合である。
ジストと、新たに塗布されるレジストとが異なる例を示
す。なお、このようなことをする理由としては、例えば
、塗布されたレジストの膜厚がばらついており、とりあ
えずこのレジストを剥離してフォトマスクブランクのみ
を保存し、その後、このフォトマスクブランクに他のレ
ジストを塗布し、フォトマスクブランクの有効利用を計
る場合である。
先ず、レジストの膜厚がばらついているレジスト付フォ
トマスクブランクは、フォトマスクブランクが実施例１
と同一であり、レジストがネガ型層子線レジス１〜（例
えばソマール工業■製の５ＥＬ−Ｎ４００）である。
トマスクブランクは、フォトマスクブランクが実施例１
と同一であり、レジストがネガ型層子線レジス１〜（例
えばソマール工業■製の５ＥＬ−Ｎ４００）である。
このレジスト付フォトマスクブランクを、レジスト剥離
装置（なお、超音波を伝搬させる機構は具備していない
。）内の１００℃の濃硫酸からなるレジスト剥離液中に
５分間浸漬し、レジストを剥離する。次に、レジストを
剥離したフォトマスクブランクを、室温の濃硫酸に浸漬
し、次に純水中に浸漬し、次に実施例１と同様にイソプ
ロピルアルコールで洗浄し、インプロピルアルコールか
らなる蒸気雰囲気中で乾燥し、遮光性膜に付着したレジ
スト剥離液を除去する。次に、実施例２と同様のポジ型
電子線レジストをスピンコード法により遮光性膜上に塗
布する。その後の工程は実施例１と同様である。
装置（なお、超音波を伝搬させる機構は具備していない
。）内の１００℃の濃硫酸からなるレジスト剥離液中に
５分間浸漬し、レジストを剥離する。次に、レジストを
剥離したフォトマスクブランクを、室温の濃硫酸に浸漬
し、次に純水中に浸漬し、次に実施例１と同様にイソプ
ロピルアルコールで洗浄し、インプロピルアルコールか
らなる蒸気雰囲気中で乾燥し、遮光性膜に付着したレジ
スト剥離液を除去する。次に、実施例２と同様のポジ型
電子線レジストをスピンコード法により遮光性膜上に塗
布する。その後の工程は実施例１と同様である。
以上、本発明のレジスト塗布方法は、前記実施例１〜３
に限らず下記のものであってもよい。
に限らず下記のものであってもよい。
先ず、レジスト剥離液は、メチルセルソルブ、メチルエ
チルケトン以外のもの、例えばアセトン、ジメチルスル
ホキシド、塩化メチレン等のケトン、スルホキシド、ハ
ロゲン化炭化水素等の有機物やこれらの混合有機物、又
は濃硫酸以外の例えば、クロム混酸等の無機酸であって
もよい。すなわち、剥離するレジストに対してレジスト
剥離液を適宜決定することができる。次に、遮光性膜に
付着したレジスト剥離液を除去する手段としては、例え
ば、塩化メチレン等の液体による洗浄、フレオン（デュ
ポン社 商品名）等の蒸気による洗浄又は乾燥であれば
よい。また、新たにレジストを塗布する方法としては、
スピンコード法に限らず、ロールコート法、スプレー法
等であってもよい。また、本発明のレジスト塗布方法に
適用されるフォトマスクブランクの透光性基板は、石英
ガラス以外のアルミノシリケートガラス及びソーダライ
ムガラス等のガラス基板や透光性セラミックス基板でも
より、遮光性膜としては、クロム膜以外に、酸素、窒素
及び炭素のうち少なくとも一つを含有し、クロムを主成
分とする膜でもよく、さらにＴａ。
チルケトン以外のもの、例えばアセトン、ジメチルスル
ホキシド、塩化メチレン等のケトン、スルホキシド、ハ
ロゲン化炭化水素等の有機物やこれらの混合有機物、又
は濃硫酸以外の例えば、クロム混酸等の無機酸であって
もよい。すなわち、剥離するレジストに対してレジスト
剥離液を適宜決定することができる。次に、遮光性膜に
付着したレジスト剥離液を除去する手段としては、例え
ば、塩化メチレン等の液体による洗浄、フレオン（デュ
ポン社 商品名）等の蒸気による洗浄又は乾燥であれば
よい。また、新たにレジストを塗布する方法としては、
スピンコード法に限らず、ロールコート法、スプレー法
等であってもよい。また、本発明のレジスト塗布方法に
適用されるフォトマスクブランクの透光性基板は、石英
ガラス以外のアルミノシリケートガラス及びソーダライ
ムガラス等のガラス基板や透光性セラミックス基板でも
より、遮光性膜としては、クロム膜以外に、酸素、窒素
及び炭素のうち少なくとも一つを含有し、クロムを主成
分とする膜でもよく、さらにＴａ。
Ｎｏ、 Ｎｉ、 Ｗ、 Ｎｂ、 Ｖ、 Ｚｒ又はこれら
のケイ化物、酸化物からなる膜であってもよい。さらに
、レジストとしては、前記実施例１〜３以外のナフトキ
ノンシアシト系、ポリビニルシンナマート系等のフォト
レジストや、エポキシ系、オレフィン−スルホン系等の
電子線レジストであってもよい。
のケイ化物、酸化物からなる膜であってもよい。さらに
、レジストとしては、前記実施例１〜３以外のナフトキ
ノンシアシト系、ポリビニルシンナマート系等のフォト
レジストや、エポキシ系、オレフィン−スルホン系等の
電子線レジストであってもよい。
以上のとおり、本発明のレジスト塗布方法によれば、フ
ォトマスクブランクの有効利用を計ることができ、かつ
レジストを新たに塗布する工程を簡素化することができ
ることから、実用上、非常に有効なものである。
ォトマスクブランクの有効利用を計ることができ、かつ
レジストを新たに塗布する工程を簡素化することができ
ることから、実用上、非常に有効なものである。
Claims (1)
- （１）透光性基板の一主表面上に遮光性膜を被着したフ
オトマスクブランクの前記遮光性膜上に塗布されたレジ
ストを、レジスト剥離液で剥離する工程と、前記遮光性
膜に付着した前記レジスト剥離液を除去する工程と、前
記フオトマスクブランクの遮光性膜上に新たにレジスト
を塗布する工程とを備えたことを特徴とするレジスト塗
布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271986A JPS62210467A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271986A JPS62210467A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62210467A true JPS62210467A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12922725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271986A Pending JPS62210467A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62210467A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02981A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Hoya Corp | 感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性樹脂の剥離方法 |
| EP0789389A3 (en) * | 1996-02-08 | 1999-08-25 | Nec Corporation | Method of peeling photo-resist layer without damage to metal wiring |
| JP2005236083A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006049240A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Hoya Corporation | マスクブランクの製造方法 |
| JP2006154807A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、マスクブランク管理システム、及び、マスクブランクの再生方法 |
| JP2013246392A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Nikon Corp | 樹脂膜除去方法および光学レンズの再製方法 |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP5271986A patent/JPS62210467A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02981A (ja) * | 1988-02-25 | 1990-01-05 | Hoya Corp | 感光性樹脂用剥離液及びこれを用いる感光性樹脂の剥離方法 |
| EP0789389A3 (en) * | 1996-02-08 | 1999-08-25 | Nec Corporation | Method of peeling photo-resist layer without damage to metal wiring |
| JP2005236083A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006049240A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Hoya Corporation | マスクブランクの製造方法 |
| JP2006154807A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、マスクブランク管理システム、及び、マスクブランクの再生方法 |
| US8268513B2 (en) | 2004-11-08 | 2012-09-18 | Hoya Corporation | Mask blank manufacturing method |
| JP2013246392A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Nikon Corp | 樹脂膜除去方法および光学レンズの再製方法 |
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