JPH0551893B2 - - Google Patents
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- JPH0551893B2 JPH0551893B2 JP4546987A JP4546987A JPH0551893B2 JP H0551893 B2 JPH0551893 B2 JP H0551893B2 JP 4546987 A JP4546987 A JP 4546987A JP 4546987 A JP4546987 A JP 4546987A JP H0551893 B2 JPH0551893 B2 JP H0551893B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC、LSI及び超LSI等の半導体素子
の製造に使用される、透光性基板と遮光性膜とを
有するフオトマスクブランクに関し、特に透光性
基板と遮光性膜との付着性を改良したフオトマス
クブランクと、このフオトマスクブランクから製
造したフオトマスクである。 〔従来の技術〕 従来、フオトマスクブランクとしては、石英ガ
ラスからなる透光性基板の一主表面に、モリブデ
ンと珪素とからなるターゲツトを用いて、アルゴ
ン雰囲気中でスパツタリング法により、モリブデ
ンシリサイド膜からなる遮光性膜（膜厚は約1000
Åで、波長450nmに対する光学濃度は3.0である。
なお、以下「光学濃度」は波長450nmのものであ
る。）を被着したものがあつた。次に、このフオ
トマスクブランクの遮光性膜上にレジスト膜を塗
布し、次に所望のパターンを有するマスクを通し
て紫外線によりレジスト膜を露光し、次に専用現
像液によりレジスト膜を現像してレジスト膜パタ
ーンを形成し、次にレジスト膜パターンをマスク
として遮光性膜をドライエツチングして遮光性膜
パターンを形成し、次にレジスト膜パターンを剥
離し、透光性基板上に遮光性膜パターンを被着し
たフオトマスクを製造する。 そして、近年フオトマスクの遮光性膜パターン
の線幅が2μm以下の微細化が進むにつれて、フオ
トマスク表面の清浄化がさらに要求されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、従来のモリブデンシリサイド膜
からなる遮光性膜パターンを有するフオトマスク
を純水等の洗浄液に浸漬して超音波洗浄すると、
その発生した超音波のキヤビテーシヨン作用を受
けて、例えば遮光性膜パターンを有している主表
面の大きさが４インチ×４インチのフオトマスク
においては、その遮光性膜パターンに数十個〜数
百個の欠け等の欠落部が発生する問題点があつ
た。特に透光性基板が石英ガラスからなるものの
とき、顕著である。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前述した問題点を除去するためになさ
れたフオトマスクブランクとフオトマスクであ
り、そのフオトマスクブランクの特徴は、透光性
基板と遮光性膜とを有するフオトマスクブランク
において、前記透光性基板と前記遮光性膜との間
に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜から
なる中間層を形成し、かつ前記中間層が前記透光
性基板上に被着しているフオトマスクブランクで
あり、また、フオトマスクの特徴は、透光性基板
と遮光性膜パターンとを有するフオトマスクにお
いて、前記透光性基板と前記遮光性膜パターンと
の間に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜
からなる中間層パターンを形成し、かつ前記中間
層パターンが前記透光性基板上に被着しているフ
オトマスクである。 なお、本発明の実施態様としては、前記遮光性
膜が15原子％以下の酸素を含有するモリブデンシ
リサイド膜であり、また前記中間層が15原子％以
下の酸素を含有するモリブデンシリサイド膜であ
り、またこれらの中間層と遮光性膜とが連続して
形成されていることであり、さらに前記遮光性膜
がモリブデンシリサイド膜からなるものである。 〔作用〕 透光性基板上に被着している中間層が、酸素を
含有しているモリブデンシリサイド膜からなるも
のであることから、透光性基板と遮光性膜との付
着性を向上させる。 実施例 １ 本例のフオトマスクブランクとフオトマスクを
第１図及び第２図に基づき以下に詳細に説明す
る。 先ず、第１図に基づき本例のフオトマスクブラ
ンクを説明する。このフオトマスクブランク１
は、石英ガラスからなる、主表面５インチ×５イ
ンチの透光性基板１１上に、モリブデン（Mo）
と珪素（Si）とからなるターゲツトを用いて、ア
ルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中（酸素含有率
５体積％、圧力３×10-3Torr）で直流マグネト
ロンスパツタリング法により、膜厚約300Åの酸
素を含有したモリブデンシリサイド膜からなる中
間層１２（酸素含有率20原子％）を被着し、次に
前述した混合ガスを排出し、アルゴンガス雰囲気
中（圧力３×10-3Torr）で、前述したターゲツ
ト及びスパツタリング法により、膜厚約1100Åの
モリブデンシリサイド膜からなる遮光性膜１３
（光学濃度3.0）を前記中間層１２上に被着したも
のである。 次に、このフオトマスクブランク１により製造
された、第２図に示すフオトマスク２について説
明する。このフオトマスク２は、前述した中間層
１２と遮光性膜１３を共に所望するパターンに形
成された、中間層パターン２２と遮光性膜パター
ン２３を有しているものである。そして、このフ
オトマスク２の製造方法は、次のとおりである。
先ず、フオトマスクブランク１の遮光性膜１３上
にポジ型フオトレジスト膜（例えば、ヘキスト社
製のAZ−1350で、膜厚は5000Åである。）を塗布
し、次に所望の線幅（例えば2μm）のパターンを
有するマスターマスクを通して紫外線をポジ型レ
ジスト膜に照射し、ポジ型レジスト膜を露光し、
AZ専用現像液により現像してレジスト膜パター
ンを形成した。次に、このレジスト膜パターンを
マスクとして、CF4とO2との混合ガス雰囲気中で
平行平板プラズマエツチング法により、例えば24
〜30秒間前述した中間層１２及び遮光性膜１３を
プラズマエツチングして、中間層パターン２２及
び遮光性膜パターン23（共に線幅は約2μm）を形
成する。その後レジスト膜パターンを、例えば熱
濃硫酸等の剥離液で剥離し、フオトマスク２を製
造した。 次に本例のフオトマスク２の２枚を純水中に浸
漬し超音波洗浄（600Wで周波数28KHzにおいて
１分間）を３回行つた後のパターンの欠落部の個
数を表１に示す。なお、比較例として、従来のモ
リブデンシリサイド膜を直接、石英ガラスからな
る透光性基板に被着したフオトマスクの２枚につ
いても同様の洗浄を行つた後の欠落部の個数を表
１に示す。
の製造に使用される、透光性基板と遮光性膜とを
有するフオトマスクブランクに関し、特に透光性
基板と遮光性膜との付着性を改良したフオトマス
クブランクと、このフオトマスクブランクから製
造したフオトマスクである。 〔従来の技術〕 従来、フオトマスクブランクとしては、石英ガ
ラスからなる透光性基板の一主表面に、モリブデ
ンと珪素とからなるターゲツトを用いて、アルゴ
ン雰囲気中でスパツタリング法により、モリブデ
ンシリサイド膜からなる遮光性膜（膜厚は約1000
Åで、波長450nmに対する光学濃度は3.0である。
なお、以下「光学濃度」は波長450nmのものであ
る。）を被着したものがあつた。次に、このフオ
トマスクブランクの遮光性膜上にレジスト膜を塗
布し、次に所望のパターンを有するマスクを通し
て紫外線によりレジスト膜を露光し、次に専用現
像液によりレジスト膜を現像してレジスト膜パタ
ーンを形成し、次にレジスト膜パターンをマスク
として遮光性膜をドライエツチングして遮光性膜
パターンを形成し、次にレジスト膜パターンを剥
離し、透光性基板上に遮光性膜パターンを被着し
たフオトマスクを製造する。 そして、近年フオトマスクの遮光性膜パターン
の線幅が2μm以下の微細化が進むにつれて、フオ
トマスク表面の清浄化がさらに要求されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、従来のモリブデンシリサイド膜
からなる遮光性膜パターンを有するフオトマスク
を純水等の洗浄液に浸漬して超音波洗浄すると、
その発生した超音波のキヤビテーシヨン作用を受
けて、例えば遮光性膜パターンを有している主表
面の大きさが４インチ×４インチのフオトマスク
においては、その遮光性膜パターンに数十個〜数
百個の欠け等の欠落部が発生する問題点があつ
た。特に透光性基板が石英ガラスからなるものの
とき、顕著である。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前述した問題点を除去するためになさ
れたフオトマスクブランクとフオトマスクであ
り、そのフオトマスクブランクの特徴は、透光性
基板と遮光性膜とを有するフオトマスクブランク
において、前記透光性基板と前記遮光性膜との間
に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜から
なる中間層を形成し、かつ前記中間層が前記透光
性基板上に被着しているフオトマスクブランクで
あり、また、フオトマスクの特徴は、透光性基板
と遮光性膜パターンとを有するフオトマスクにお
いて、前記透光性基板と前記遮光性膜パターンと
の間に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜
からなる中間層パターンを形成し、かつ前記中間
層パターンが前記透光性基板上に被着しているフ
オトマスクである。 なお、本発明の実施態様としては、前記遮光性
膜が15原子％以下の酸素を含有するモリブデンシ
リサイド膜であり、また前記中間層が15原子％以
下の酸素を含有するモリブデンシリサイド膜であ
り、またこれらの中間層と遮光性膜とが連続して
形成されていることであり、さらに前記遮光性膜
がモリブデンシリサイド膜からなるものである。 〔作用〕 透光性基板上に被着している中間層が、酸素を
含有しているモリブデンシリサイド膜からなるも
のであることから、透光性基板と遮光性膜との付
着性を向上させる。 実施例 １ 本例のフオトマスクブランクとフオトマスクを
第１図及び第２図に基づき以下に詳細に説明す
る。 先ず、第１図に基づき本例のフオトマスクブラ
ンクを説明する。このフオトマスクブランク１
は、石英ガラスからなる、主表面５インチ×５イ
ンチの透光性基板１１上に、モリブデン（Mo）
と珪素（Si）とからなるターゲツトを用いて、ア
ルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中（酸素含有率
５体積％、圧力３×10-3Torr）で直流マグネト
ロンスパツタリング法により、膜厚約300Åの酸
素を含有したモリブデンシリサイド膜からなる中
間層１２（酸素含有率20原子％）を被着し、次に
前述した混合ガスを排出し、アルゴンガス雰囲気
中（圧力３×10-3Torr）で、前述したターゲツ
ト及びスパツタリング法により、膜厚約1100Åの
モリブデンシリサイド膜からなる遮光性膜１３
（光学濃度3.0）を前記中間層１２上に被着したも
のである。 次に、このフオトマスクブランク１により製造
された、第２図に示すフオトマスク２について説
明する。このフオトマスク２は、前述した中間層
１２と遮光性膜１３を共に所望するパターンに形
成された、中間層パターン２２と遮光性膜パター
ン２３を有しているものである。そして、このフ
オトマスク２の製造方法は、次のとおりである。
先ず、フオトマスクブランク１の遮光性膜１３上
にポジ型フオトレジスト膜（例えば、ヘキスト社
製のAZ−1350で、膜厚は5000Åである。）を塗布
し、次に所望の線幅（例えば2μm）のパターンを
有するマスターマスクを通して紫外線をポジ型レ
ジスト膜に照射し、ポジ型レジスト膜を露光し、
AZ専用現像液により現像してレジスト膜パター
ンを形成した。次に、このレジスト膜パターンを
マスクとして、CF4とO2との混合ガス雰囲気中で
平行平板プラズマエツチング法により、例えば24
〜30秒間前述した中間層１２及び遮光性膜１３を
プラズマエツチングして、中間層パターン２２及
び遮光性膜パターン23（共に線幅は約2μm）を形
成する。その後レジスト膜パターンを、例えば熱
濃硫酸等の剥離液で剥離し、フオトマスク２を製
造した。 次に本例のフオトマスク２の２枚を純水中に浸
漬し超音波洗浄（600Wで周波数28KHzにおいて
１分間）を３回行つた後のパターンの欠落部の個
数を表１に示す。なお、比較例として、従来のモ
リブデンシリサイド膜を直接、石英ガラスからな
る透光性基板に被着したフオトマスクの２枚につ
いても同様の洗浄を行つた後の欠落部の個数を表
１に示す。
本発明によれば、透光性基板と遮光性膜との間
に酸素を含有したモリブデンシリサイド膜からな
る中間層を形成していることから、超音波洗浄等
の洗浄工程においてフオトマスクの遮光性膜パタ
ーンの欠落部の発生を防止することができる。
に酸素を含有したモリブデンシリサイド膜からな
る中間層を形成していることから、超音波洗浄等
の洗浄工程においてフオトマスクの遮光性膜パタ
ーンの欠落部の発生を防止することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ、本発明のフオト
マスクブランクとフオトマスクの一実施例を示す
断面図であり、第３図は本発明のフオトマスクブ
ランクの他の実施例を示す断面図である。 １，３…フオトマスクブランク、２…フオトマ
スク、１１，３１…透光性基板、１２…中間層、
１３，３３…遮光性膜、２２…中間層パターン、
２３…遮光性膜パターン。
マスクブランクとフオトマスクの一実施例を示す
断面図であり、第３図は本発明のフオトマスクブ
ランクの他の実施例を示す断面図である。 １，３…フオトマスクブランク、２…フオトマ
スク、１１，３１…透光性基板、１２…中間層、
１３，３３…遮光性膜、２２…中間層パターン、
２３…遮光性膜パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板と遮光性膜とを有するフオトマス
クブランクにおいて、前記透光性基板と前記遮光
性膜との間に、酸素を含有したモリブデンシリサ
イド膜からなる中間層を形成し、かつ前記中間層
が前記透光性基板上被着していることを特徴とす
るフオトマスクブランク。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記遮光性
膜が、15原子％以下の酸素を含有するモリブデン
シリサイド膜であることを特徴とするフオトマス
クブランク。 ３ 特許請求の範囲第１項において、前記遮光性
膜がモリブデンシリサイド膜であることを特徴と
するフオトマスクブランク。 ４ 特許請求の範囲第２項において、前記中間層
が、15原子％以下の酸素を含有するモリブデンシ
リサイド膜からなることを特徴とするフオトマス
クブランク。 ５ 特許請求の範囲第３項又は第４項において、
前記中間層と前記遮光性膜とが連続して形成され
たことを特徴とするフオトマスクブランク。 ６ 透光性基板と遮光性膜パターンとを有するフ
オトマスクにおいて、前記透光性基板と前記遮光
性膜パターンとの間に、酸素を含有したモリブデ
ンシリサイド膜からなる中間層パターンを形成
し、かつ前記中間層パターンが前記透光性基板上
に被着していることを特徴とするフオトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045469A JPS63212937A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045469A JPS63212937A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63212937A JPS63212937A (ja) | 1988-09-05 |
| JPH0551893B2 true JPH0551893B2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=12720242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62045469A Granted JPS63212937A (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63212937A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4919259B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-04-18 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2008242500A (ja) * | 2008-06-26 | 2008-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトフォトマスクの製造方法 |
| JP5007843B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62045469A patent/JPS63212937A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63212937A (ja) | 1988-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |