JPS62201444A - フオトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

フオトマスクおよびその製造方法

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Publication number
JPS62201444A
JPS62201444A JP61045754A JP4575486A JPS62201444A JP S62201444 A JPS62201444 A JP S62201444A JP 61045754 A JP61045754 A JP 61045754A JP 4575486 A JP4575486 A JP 4575486A JP S62201444 A JPS62201444 A JP S62201444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
mask
photomask
resist
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61045754A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Hirokane
順司 広兼
Hiroyuki Katayama
博之 片山
Akira Takahashi
明 高橋
Tetsuya Inui
哲也 乾
Kenji Oota
賢司 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to CA000530396A priority patent/CA1313792C/en
Priority to EP87102561A priority patent/EP0234547B1/en
Priority to DE3752197T priority patent/DE3752197T2/de
Priority to DE3789881T priority patent/DE3789881T2/de
Priority to EP92120246A priority patent/EP0533217B1/en
Priority to US07/019,704 priority patent/US5087535A/en
Publication of JPS62201444A publication Critical patent/JPS62201444A/ja
Priority to US07/684,680 priority patent/US5457006A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光露光方式におけるフォトマスクおよびその製
造方法に関する。
〈従来技術〉 従来のフォトマスク製造工程は第２図に示す工程を有し
ている。マスク基板１にＣｒなどの光を通過させない薄
膜２を蒸着、スパッタリングで付着しく第２図（ａ））
、上記薄膜２上にレジスト膜３を塗布する（第２図（ｂ
））。上記レジスト膜３を露光・現像してレジストパタ
ーン４を形成する（第２図（Ｃ））。次に上記薄膜２を
エツチングしく第２図（ｄ）　’）　、最後にレジスト
膜３を除去して、マスクパターン５を有するフォトマス
クを形成する（第２図（ｅ））。
しかし、近年のマスクパターンの微細化にともない従来
の方法により製造されたフォトマスクでは、洗浄工程な
どでマスクパターンのはく離が生じ、パターン欠陥が発
生し易いという欠点を有する。
〈目的〉 本発明の目的は、マスクパターンのはく離などの欠陥が
発生し難い信頼性の高い長寿命なフォトマスクを提供す
るにある。
〈実施例〉 以下、本発生に係る実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
第１図は本発明に係るフォトマスクの製造方法を工程順
に示す説明図である。
工程（ｉ）・・・石英またはガラス等からなるマスク基
板ｌの上にレジスト膜３を塗布する（第１図（ａ））。
工程（ｉｌ）・・・上記レジスト膜３に、電子線または
レーザー光などを用いて、露光を行ない現像工程を通し
てレジストパターン４を形成する（第１図（ｂ））。
工程Ｃ＋＋＋）・・・上記レジストパターン４の被覆状
態においてウェットエツチングまたはドライエツチング
でレジストが被覆されていない部分のマスク基板ｌのエ
ツチングを行なう（第１図（Ｃ））。
工程翰・・・上記エツチングが終了した後、レジストパ
ターン４の被覆状態で、紫外線などの光を通過させない
Ｃｒ＋Ｔａ等の薄膜２を蒸着またはスパッタリングなど
により付着する（第１図（ｄ））。
工程（ｖ）・・・最後に、レジストパターン４上に付着
シた薄膜２をレジストパターン４とともにはく離して、
マスクパターン５を有するフォトマスクを形成する（第
１図（ｅ））。
次に第３図に従来方式により製造されたフォトマスクと
本発明による方式で製造されたフォトマスクの一部断面
の比較図を示す。
同図（ａ）は従来方式で製造されたフォトマスクの一部
断面図である。この場合、外部との接触面６は、マスク
パターン５の表面にあり、洗浄などによる外力は直接マ
スクパターン５に影響する為一部でマスクパターン５が
はく離してしまう。
一方、同図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明による方式
で製造されたフォトマスクの一部断面図である。同図（
ｂ）の場合、外部との接触面６がマスク基板１の表面に
あり、洗浄などによる外力はマスク基板表面に吸収され
、マスクパターン５の表面はマスク基板表面より僅かに
低いのでマスクパターン５ははく離し難い。同図（Ｃ）
の場合は、マスクパターン５と、マスク基板１の表面が
一致している場合で、外力はマスク基板表面と、マスク
パターン表面に均等に影響し、同図（ｂ）の場合と同様
にマスクパターン５のはく離は発生し難い。同図（ｄ）
の場合は外部との接触面６は僅かにマスクパターン５の
表面上に存在する。しかし、マスクパターン５がマスク
基板ｌの中に埋め込まれた構造になっており、同図（ａ
）に比べるとマスクパターン５は非常にはく離し難い。
〈効果〉 以上の本発明によれば、マスクパターンのはく離が発生
し難く、信頼性の高い長寿命なフォトマスクを提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るフォトマスクの製造工程を示す説
明図、第２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す説
明図、第３図はフォトマスクの−・部・側面断面図であ
る。 図中、 ｌ：マスク基板　２：光を通過させない薄膜３ニレジス
ト膜　４ニレジストパターン５：マスクパターン　６：
外部との接触面代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１
名）第１　図 第２７

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、石英、ガラス等の基板の一部を除去してなる溝部分
    にＴａ，Ｃｒ等の不透明な金属を埋め込み、該金属の表
    面と前記基板の表面とをほぼ同一な平面になるように形
    成したことを特徴とするフォトマスク。 ２、石英、ガラス等の基板上にレジスト膜を被覆し、該
    レジスト膜に微細パターンを露光・現像し、該微細パタ
    ーンの被覆状態でマスク基板をエッチングし、Ｃｒ，Ｔ
    ａなどの光を通過させない薄膜を蒸着，スパッタリング
    により付着し、レジストパターン上の前記薄膜をレジス
    ト膜と共に除去する工程を有することを特徴とするフォ
    トマスクの製造方法。
JP61045754A 1986-02-28 1986-02-28 フオトマスクおよびその製造方法 Pending JPS62201444A (ja)

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JP61045754A JPS62201444A (ja) 1986-02-28 1986-02-28 フオトマスクおよびその製造方法
CA000530396A CA1313792C (en) 1986-02-28 1987-02-23 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
EP87102561A EP0234547B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby
DE3752197T DE3752197T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Photomaske und Herstellungsverfahren dafür
DE3789881T DE3789881T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske.
EP92120246A EP0533217B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Photo-mask and method of production thereof
US07/019,704 US5087535A (en) 1986-02-28 1987-02-27 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
US07/684,680 US5457006A (en) 1986-02-28 1991-03-29 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby

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