JPH03172844A - シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 - Google Patents
シフターパターン付き半導体マスクの作成方法Info
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- JPH03172844A JPH03172844A JP1310583A JP31058389A JPH03172844A JP H03172844 A JPH03172844 A JP H03172844A JP 1310583 A JP1310583 A JP 1310583A JP 31058389 A JP31058389 A JP 31058389A JP H03172844 A JPH03172844 A JP H03172844A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体のパターン形成において用いられるガラ
スマスクの作成方法に関するものである。
スマスクの作成方法に関するものである。
（従来の技術）
マスク透過光に位相差を与えて縮小投影露光を行い、解
像性を向上させる方法を位相シフト法と言う。通常の位
相シフト法では、Ｃｒマスク上の所望の部位に位相差を
与えるように、シフクーとなる透明膜パターンを形成し
たシフターパターン付マスクが使われる。
像性を向上させる方法を位相シフト法と言う。通常の位
相シフト法では、Ｃｒマスク上の所望の部位に位相差を
与えるように、シフクーとなる透明膜パターンを形成し
たシフターパターン付マスクが使われる。
従来、このような分野の技術としては、例えば、ＩＥＥ
［！ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ｆ！ＬＥＣＴ
ＲＯＮ ＤＩ！ＶＩＣＥＳ、 ＶＯＬ、ＨＤ−２９＋
Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２”Ｉｍｐｒｏ
ｖｉｎｇ Ｒｅ５ｏｌｕｔ−ｉｏｎ ｉｎ Ｐｈｏ
ｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐ
ｈａｓｅ−３ｈｉｆｔｉｎｇＭａｓｋ”Ｍａｒｃ Ｄ、
Ｌｅｖｅｎｓｏｎに記載されるものがあった。
［！ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ｆ！ＬＥＣＴ
ＲＯＮ ＤＩ！ＶＩＣＥＳ、 ＶＯＬ、ＨＤ−２９＋
Ｎｏ、１２． ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２”Ｉｍｐｒｏ
ｖｉｎｇ Ｒｅ５ｏｌｕｔ−ｉｏｎ ｉｎ Ｐｈｏ
ｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐ
ｈａｓｅ−３ｈｉｆｔｉｎｇＭａｓｋ”Ｍａｒｃ Ｄ、
Ｌｅｖｅｎｓｏｎに記載されるものがあった。
以下、そのシフターパターン付半導体マスクの作成方法
について述べる。
について述べる。
（１）第１の方法
まず、第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１を用意
し、第２図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌ上に
導通用Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）膜２を形成し、その上にＣｒ膜を形成する６次に、こ
のＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパターニングし、
第２図（ｃ）に示すようなＣｒパターン３を形成する０
次いで、第２図（ｄ）に示すように、このガラス基板１
全面に電子線レジストである２ＭＭＡ４を塗布し、通常
の電子線露光法により、第２図（ｅ）に示すように、該
ＰＭＭＡ４を描画・現像し、第２図（ｆ）に示すように
、所望の部位のみＰＭＭＡパターン４′を形成する。こ
こでは、Ｃｒ膜は７５０人、ＰＭＭＡ膜は３６７０人の
例が示されている。また、ＩＴＯｒＰＡ２はＰＭＭＡ露
光用の導通膜として働く。
し、第２図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌ上に
導通用Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）膜２を形成し、その上にＣｒ膜を形成する６次に、こ
のＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパターニングし、
第２図（ｃ）に示すようなＣｒパターン３を形成する０
次いで、第２図（ｄ）に示すように、このガラス基板１
全面に電子線レジストである２ＭＭＡ４を塗布し、通常
の電子線露光法により、第２図（ｅ）に示すように、該
ＰＭＭＡ４を描画・現像し、第２図（ｆ）に示すように
、所望の部位のみＰＭＭＡパターン４′を形成する。こ
こでは、Ｃｒ膜は７５０人、ＰＭＭＡ膜は３６７０人の
例が示されている。また、ＩＴＯｒＰＡ２はＰＭＭＡ露
光用の導通膜として働く。
（２）第２の方法
まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１を用意
し、第３図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌ上に
導通用ＩＴＯ膜２を形成し、その上にＣ「膜を形成する
。次に、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパター
ニングし、第３図（ｃ）に示すようなＣｒパターン３を
形成する。次に、ガラス基板ｌ全面に第３図（ｄ）に示
すように、ＳｉＯ２膜（又はＭｇＦｚｌり５を形成する
。次いで、第３図（ｅ）に示すように、Ｓ ｉ Ｏｘ
Ｗｉ （又はＭｇＦ！膜）５上にホトレジスト６を塗布
し、第３図（ｆ）に示すように、通常のホトリソによっ
て、該ホトレジスト６の所望の部位のみを露光・現像し
、第３図（ｇ）に示すようにパターニングする。次に、
１亥ホトレジストパターン６′をマスクとしてエツチン
グを行い、第３図（ｈ）に示すように、このホトレジス
トパターン６′を、前記ＳｉＯ□膜（又はＭｇＦ、膜）
５に転写する。転写後、エツチングマスクとして働いた
前記ホトレジストパターン６′を除去することにより、
第３図（ｉ）に示すように、所望のマスクを得る。
し、第３図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌ上に
導通用ＩＴＯ膜２を形成し、その上にＣ「膜を形成する
。次に、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパター
ニングし、第３図（ｃ）に示すようなＣｒパターン３を
形成する。次に、ガラス基板ｌ全面に第３図（ｄ）に示
すように、ＳｉＯ２膜（又はＭｇＦｚｌり５を形成する
。次いで、第３図（ｅ）に示すように、Ｓ ｉ Ｏｘ
Ｗｉ （又はＭｇＦ！膜）５上にホトレジスト６を塗布
し、第３図（ｆ）に示すように、通常のホトリソによっ
て、該ホトレジスト６の所望の部位のみを露光・現像し
、第３図（ｇ）に示すようにパターニングする。次に、
１亥ホトレジストパターン６′をマスクとしてエツチン
グを行い、第３図（ｈ）に示すように、このホトレジス
トパターン６′を、前記ＳｉＯ□膜（又はＭｇＦ、膜）
５に転写する。転写後、エツチングマスクとして働いた
前記ホトレジストパターン６′を除去することにより、
第３図（ｉ）に示すように、所望のマスクを得る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、以上述べた従来の第１の方法では、Ｃｒ
マスク上に形成するシフターパターンをレジストで形成
しているため、マスク上に微粒子等が付着した場合、洗
浄等ができないという欠点がある。
マスク上に形成するシフターパターンをレジストで形成
しているため、マスク上に微粒子等が付着した場合、洗
浄等ができないという欠点がある。
また、第２の方法では、シフターパターンの形成の際、
通常のホトリソ手法でパターニングを行っているため、
微細なパターンが形成できないという欠点がある。
通常のホトリソ手法でパターニングを行っているため、
微細なパターンが形成できないという欠点がある。
本発明は、上記問題点を除去し、マスクの洗浄が可能で
あり、しかも微細なシフターパターンの形成が可能なシ
フターパターン付き半導体マスクの作成方法を提供する
ことを目的とする。
あり、しかも微細なシフターパターンの形成が可能なシ
フターパターン付き半導体マスクの作成方法を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、シフターパター
ンを有する半導体マスクの作成方法において、ガラス基
板上に金属又は誘電体膜パターンを形成する工程と、シ
フターパターンとなる透明絶縁膜を形成する工程と、該
透明絶縁股上に導通用ＷＩｌ！ｌを形成する工程と、該
導通用ｗＢ上にレジストパターンを形成し、該レジスト
パターンをマスクとして前記導通用Ｗ膜をパターニング
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前
記透明絶縁膜をパターニングする工程とを施すようにし
たものである。
ンを有する半導体マスクの作成方法において、ガラス基
板上に金属又は誘電体膜パターンを形成する工程と、シ
フターパターンとなる透明絶縁膜を形成する工程と、該
透明絶縁股上に導通用ＷＩｌ！ｌを形成する工程と、該
導通用ｗＢ上にレジストパターンを形成し、該レジスト
パターンをマスクとして前記導通用Ｗ膜をパターニング
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前
記透明絶縁膜をパターニングする工程とを施すようにし
たものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、シフターパターンと
なる透明絶縁膜、例えば、Ｓｔｏ、膜。
なる透明絶縁膜、例えば、Ｓｔｏ、膜。
ＳｉＮ膜の上に導通用Ｗ膜を用い、該導通用Ｗ膜上に形
成したレジストパターンを導通用Ｗ膜に転写し、該転写
後、透明絶縁膜のパターニング前に導通用Ｗ膜パターン
の欠陥検査を行うことにより、導通用Ｗ膜パターンの欠
陥に相当するレジストパターンをＣＶＤ等で修正するこ
とができる。
成したレジストパターンを導通用Ｗ膜に転写し、該転写
後、透明絶縁膜のパターニング前に導通用Ｗ膜パターン
の欠陥検査を行うことにより、導通用Ｗ膜パターンの欠
陥に相当するレジストパターンをＣＶＤ等で修正するこ
とができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体マスクの作成工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
まず、通常の方法により、Ｃｒマスクを作成する。即ち
、第１図（ａ）に示すような石英ガラス基板１１を用意
し、第１図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌｌ上
全面にＣｒ膜１２を５００〜１０００人程蒸着し、３９
Ｃｒ １Ｉ１１２上に電子線レジストを回転塗布する
。その後、所望のパターンを電子線描画し、現像後、該
レジストパターンをマスクとして、硝酸セリウム系のＣ
ｒ用エッチャントを用いてウェットエツチングすること
により、第１ＣＮ（ｃ）に示すように、Ｃ「パターン１
２′を得る。
、第１図（ａ）に示すような石英ガラス基板１１を用意
し、第１図（ｂ）に示すように、そのガラス基板ｌｌ上
全面にＣｒ膜１２を５００〜１０００人程蒸着し、３９
Ｃｒ １Ｉ１１２上に電子線レジストを回転塗布する
。その後、所望のパターンを電子線描画し、現像後、該
レジストパターンをマスクとして、硝酸セリウム系のＣ
ｒ用エッチャントを用いてウェットエツチングすること
により、第１ＣＮ（ｃ）に示すように、Ｃ「パターン１
２′を得る。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ガラス基＋ｆｆｉ
１１全面にＳｉｎ、Ｎ、、Ｓｉｎ、等の透明絶縁膜１３
を蒸着する。この透明絶縁膜１３は、後にパターニング
して位相シフト用のシフターとなるため、露光光の位相
を１８０°ずらす膜厚にする必要がある。
１１全面にＳｉｎ、Ｎ、、Ｓｉｎ、等の透明絶縁膜１３
を蒸着する。この透明絶縁膜１３は、後にパターニング
して位相シフト用のシフターとなるため、露光光の位相
を１８０°ずらす膜厚にする必要がある。
その膜厚は露光光の波長及び上記透明絶縁膜の屈折率に
よって決まるが、ｉ−線（３５６ｉｍ＋）でＳｉ。
よって決まるが、ｉ−線（３５６ｉｍ＋）でＳｉ。
Ｎ、 （屈折率２）の場合、最適膜厚は０．１７μｍ
程度である。
程度である。
続いて、第１図（ｅ）に示すように、透明絶縁膜１３上
全面に導通用Ｗ膜１４を蒸着により形成する。
全面に導通用Ｗ膜１４を蒸着により形成する。
このＷ膜１４は後の電子線描画の際に導通膜として働く
と共に、電子線描画で得られたレジストパターンの欠陥
モニタ用のパターンとして働く。導通用Ｗ膜１４の膜厚
は、導通性及びエツチング容易性を考慮し、３０〜５０
人が最適である。
と共に、電子線描画で得られたレジストパターンの欠陥
モニタ用のパターンとして働く。導通用Ｗ膜１４の膜厚
は、導通性及びエツチング容易性を考慮し、３０〜５０
人が最適である。
次に、導通用ＷＩｌ１１４上全面に電上線面ジストであ
るＣＭＳ （例えば、東洋曹達工業型）を回転塗布して
、０．３〜０．５ ｐ ｍ厚に形成し、第１図（ｆ）に
示すように、電子描画により所望のパターンを描画・現
像し、レジストパターン１５を得る。
るＣＭＳ （例えば、東洋曹達工業型）を回転塗布して
、０．３〜０．５ ｐ ｍ厚に形成し、第１図（ｆ）に
示すように、電子描画により所望のパターンを描画・現
像し、レジストパターン１５を得る。
次に、第１図（ｇ）に示すように、レジストパターン１
５をマスクとして導通用Ｗ膜１４をドライエツチングし
、Ｗ膜パターン１４’を得る。前記導通用Ｗ膜１４をエ
ツチングする場合は、ＣＦ ａ系の反応ガスを用いて０
．５ Ｗ／ｄのパワーで行うと、１５００〜２０００人
／ｖｈ ｉ ｎの速度でエツチングすることができるの
で、実際には２〜３秒で十分処理可能である。
５をマスクとして導通用Ｗ膜１４をドライエツチングし
、Ｗ膜パターン１４’を得る。前記導通用Ｗ膜１４をエ
ツチングする場合は、ＣＦ ａ系の反応ガスを用いて０
．５ Ｗ／ｄのパワーで行うと、１５００〜２０００人
／ｖｈ ｉ ｎの速度でエツチングすることができるの
で、実際には２〜３秒で十分処理可能である。
次に、透過型のマスク欠陥検査機（例えば、ＫＬＡ社製
マスク検査機）により欠陥検査を行う。
マスク検査機）により欠陥検査を行う。
上記で形成したレジストパターン１５の欠陥はＷ膜パタ
ーン１４’に転写されているため、このＷ膜パターン１
４′の欠陥を検査することにより、該レジストパターン
１５の欠陥を高検出率で検出することができる。
ーン１４’に転写されているため、このＷ膜パターン１
４′の欠陥を検査することにより、該レジストパターン
１５の欠陥を高検出率で検出することができる。
この検査で欠損欠陥（白欠陥：本来あるべき箇所にパタ
ーンが存在しない欠陥）を検出した場合は、該欠陥部に
相当するレジストパターン欠陥部にレーザＣＶＤ （レ
ーザを欠陥部に照射してＣｖＤパターンを形成する手法
であり、白欠陥の除去に用いられる）等により有機膜を
堆積させることにより、レジストパターンの白欠陥を修
復することができる。また、残留欠陥（黒欠陥：本来あ
ってはいけない箇所にＷ膜パターンが存在する欠陥）を
検出した場合は、Ｆ ｒ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏ
ｎ Ｂｅａｍ）、つまり微細なパターンをイオンによっ
て吹き飛ばすことにより、黒欠陥を除去することができ
る。
ーンが存在しない欠陥）を検出した場合は、該欠陥部に
相当するレジストパターン欠陥部にレーザＣＶＤ （レ
ーザを欠陥部に照射してＣｖＤパターンを形成する手法
であり、白欠陥の除去に用いられる）等により有機膜を
堆積させることにより、レジストパターンの白欠陥を修
復することができる。また、残留欠陥（黒欠陥：本来あ
ってはいけない箇所にＷ膜パターンが存在する欠陥）を
検出した場合は、Ｆ ｒ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏ
ｎ Ｂｅａｍ）、つまり微細なパターンをイオンによっ
て吹き飛ばすことにより、黒欠陥を除去することができ
る。
このようにして、レジストパターン１５の欠陥を検査・
修正した後、第１図（ｈ）に示すように、レジストパタ
ーン１５をマスクとして、下層にある５ｉｓＮａ、Ｓｉ
Ｏ，などの透明絶縁膜１３をドライエツチングし、シフ
ターパターン（透明絶縁膜パターン）１３′を得る。こ
こで、ＣＦ、系の反応ガスを用いて０．５ Ｗ／ｃｄの
パワーでエツチングを行うと、１０００人／＋ｓ＋ｎ程
の速度で透明絶縁１！１３をエツチングすることができ
る。
修正した後、第１図（ｈ）に示すように、レジストパタ
ーン１５をマスクとして、下層にある５ｉｓＮａ、Ｓｉ
Ｏ，などの透明絶縁膜１３をドライエツチングし、シフ
ターパターン（透明絶縁膜パターン）１３′を得る。こ
こで、ＣＦ、系の反応ガスを用いて０．５ Ｗ／ｃｄの
パワーでエツチングを行うと、１０００人／＋ｓ＋ｎ程
の速度で透明絶縁１！１３をエツチングすることができ
る。
シフターパターンの形成後、レジストパターン１５及び
Ｗｌｌｉｌｌ−ン１４′を除去することにより、第１図
（ｉ）に示すように、シフターパターン付ガラスマスク
を得ることができる。ここで、レジストパターン１５の
除去は酸素プラズマ処理、Ｗ膜パターン１４’の除去は
ＣＦ、系プラズマ処理により、容易に行うことができる
。
Ｗｌｌｉｌｌ−ン１４′を除去することにより、第１図
（ｉ）に示すように、シフターパターン付ガラスマスク
を得ることができる。ここで、レジストパターン１５の
除去は酸素プラズマ処理、Ｗ膜パターン１４’の除去は
ＣＦ、系プラズマ処理により、容易に行うことができる
。
なお、上記実施例においては、ガラス基板上にＣ「パタ
ーン１２′を形成するようにしているが、これに代えて
、他の金属或いは誘電体膜パターンを形成するようにし
てもよい。
ーン１２′を形成するようにしているが、これに代えて
、他の金属或いは誘電体膜パターンを形成するようにし
てもよい。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、シフタ
ーパターンとなる透明絶縁膜上にＷ膜を設けているため
、次のような効果を奏することができる。
ーパターンとなる透明絶縁膜上にＷ膜を設けているため
、次のような効果を奏することができる。
（１） シフターパターンの電子線描画の際のチャージ
アップを防ぐことができる。
アップを防ぐことができる。
（２）シフターパターンの電子線露光後、形成したレジ
ストパターンの欠陥をＷ膜に一度転写して検査すること
が可能となり、レジストパターンの欠陥検査が容易とな
る。更に、シフターパターンとなる透明絶縁膜のパター
ニング前に、該レジストパターンを修正することができ
るため、低欠陥なシフターパターンを得ることができる
。
ストパターンの欠陥をＷ膜に一度転写して検査すること
が可能となり、レジストパターンの欠陥検査が容易とな
る。更に、シフターパターンとなる透明絶縁膜のパター
ニング前に、該レジストパターンを修正することができ
るため、低欠陥なシフターパターンを得ることができる
。
（３）Ｃｒ膜をエツチングし難いＣＦ ａ系の反応ガス
によってＷ膜は容易にエツチングされるため、後のＷＲ
Ｑの除去が容易である。
によってＷ膜は容易にエツチングされるため、後のＷＲ
Ｑの除去が容易である。
第１図は本発明の実施例を示す半導体マスクの作成工程
を示す断面図、第２図は従来の半導体マスクの作成工程
を示す断面図、第３図は従来の他の半導体マスクの作成
工程を示す断面図である。 １１・・・石英ガラス基板、１２・・・Ｃｒ膜、１２’
・・・Ｃｒパターン、１３・・・透明絶縁膜、１３′・
・・シフターパターン、１４・・・導通用Ｗ膜、１４’
・・・Ｗ膜パターン、１５・・・レジストパターン。
を示す断面図、第２図は従来の半導体マスクの作成工程
を示す断面図、第３図は従来の他の半導体マスクの作成
工程を示す断面図である。 １１・・・石英ガラス基板、１２・・・Ｃｒ膜、１２’
・・・Ｃｒパターン、１３・・・透明絶縁膜、１３′・
・・シフターパターン、１４・・・導通用Ｗ膜、１４’
・・・Ｗ膜パターン、１５・・・レジストパターン。
Claims (3)
- （１）シフターパターンを有する半導体マスクの作成方
法において、 （ａ）ガラス基板上に金属又は誘電体膜パターンを形成
する工程と、 （ｂ）シフターパターンとなる透明絶縁膜を形成する工
程と、 （ｃ）該透明絶縁膜上に導通用Ｗ膜を形成する工程と、 （ｄ）該導通用Ｗ膜上にレジストパターンを形成し、該
レジストパターンをマスクとして前記導通用Ｗ膜をパタ
ーニングする工程と、 （ｅ）前記レジストパターンをマスクとして前記透明絶
縁膜をパターニングする工程とを有するシフターパター
ン付き半導体マスクの作成方法。 - （２）前記導通用Ｗ膜上に形成されるレジストパターン
欠陥を該導通用Ｗ膜に転写し、転写後の導通用Ｗ膜パタ
ーンの欠陥を検査可能にしてなる請求項１記載のシフタ
ーパターン付き半導体マスクの作成方法。 - （３）前記導通用Ｗ膜パターンの欠陥検査後、シフター
パターンとなる透明絶縁膜のパターニング前にレジスト
パターニングの欠陥を修正可能な請求項１記載のシフタ
ーパターン付き半導体マスクの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310583A JPH03172844A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310583A JPH03172844A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03172844A true JPH03172844A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18006991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1310583A Pending JPH03172844A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03172844A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238441C2 (de) * | 1991-11-15 | 2003-09-25 | Gold Star Electronics | Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN100403167C (zh) * | 2002-04-24 | 2008-07-16 | 株式会社东芝 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 |
| JP5630592B1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-11-26 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1310583A patent/JPH03172844A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4238441C2 (de) * | 1991-11-15 | 2003-09-25 | Gold Star Electronics | Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN100403167C (zh) * | 2002-04-24 | 2008-07-16 | 株式会社东芝 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 |
| JP5630592B1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-11-26 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
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