JPH05165189A - 光学マスク及びその修正方法 - Google Patents
光学マスク及びその修正方法Info
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- JPH05165189A JPH05165189A JP32853491A JP32853491A JPH05165189A JP H05165189 A JPH05165189 A JP H05165189A JP 32853491 A JP32853491 A JP 32853491A JP 32853491 A JP32853491 A JP 32853491A JP H05165189 A JPH05165189 A JP H05165189A
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- Japan
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- phase shifter
- etching
- phase
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- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフトマスクの欠陥修正において、欠陥の
形状によらない、高精度かつ容易に修正できる、光学マ
スク及びその修正方法の提供にある。 【構成】位相シフトマスクの位相シフターとガラス基板
間にエッチングストッパ層を設け、位相シフターの欠陥
を荷電ビームとエッチングガスを組み合わせた反応性処
理により、位相シフターの欠陥を選択性良く除去し、欠
陥の形状に影響されずに、加工深さ精度の良い修正がで
きる。
形状によらない、高精度かつ容易に修正できる、光学マ
スク及びその修正方法の提供にある。 【構成】位相シフトマスクの位相シフターとガラス基板
間にエッチングストッパ層を設け、位相シフターの欠陥
を荷電ビームとエッチングガスを組み合わせた反応性処
理により、位相シフターの欠陥を選択性良く除去し、欠
陥の形状に影響されずに、加工深さ精度の良い修正がで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用の光学マス
クに係わり、特に透明基板上に所定のパターンの位相シ
フターを設けた位相シフトマスクのための光学マスク及
びその修正方法に関する。
クに係わり、特に透明基板上に所定のパターンの位相シ
フターを設けた位相シフトマスクのための光学マスク及
びその修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体素子の微細化、高集積化に伴
い、リソグラフィ工程に用いられる投影露光装置には、
転写できるパターンの微細化、高解像度化が要求されて
いる。投影露光装置の解像力を向上させる一手法として
マスク上の隣接する２ヶ所の透過部分の露光光に位相差
を与える位相シフトマスクの実用化が進められている。
この位相シフトマスクの一例を図７（ａ）に示す。図７
（ａ）において７は透明基板、５は回路パターン形成用
の遮光パターン、そして位相シフター４が回路パターン
形成予定領域上に交互に設けられている。このパターン
を透過した露光光は位相シフターのあるところと無いと
ころでは位相が１８０゜ずれるために、パターン境界で
の光の干渉により高解像度での露光が可能になるように
なっている。 ところが、図７（ｂ）に示すように位相
シフター４上に欠陥８が存在するとその部分の位相がず
れてしまい、ウェハ上に欠陥が転写されてしまう。この
ため、この欠陥８を修正することが位相シフトマスクの
実用化において重要な課題となっている。ここで、位相
シフトマスクの修正に関して、日経マイクロデバイシズ
１９９０年１２月号６６頁に「検査、修整、ネガ・レジ
ストなど実用化の要素技術が出始めた位相シフト」とし
て、修正技術が開示されている。
い、リソグラフィ工程に用いられる投影露光装置には、
転写できるパターンの微細化、高解像度化が要求されて
いる。投影露光装置の解像力を向上させる一手法として
マスク上の隣接する２ヶ所の透過部分の露光光に位相差
を与える位相シフトマスクの実用化が進められている。
この位相シフトマスクの一例を図７（ａ）に示す。図７
（ａ）において７は透明基板、５は回路パターン形成用
の遮光パターン、そして位相シフター４が回路パターン
形成予定領域上に交互に設けられている。このパターン
を透過した露光光は位相シフターのあるところと無いと
ころでは位相が１８０゜ずれるために、パターン境界で
の光の干渉により高解像度での露光が可能になるように
なっている。 ところが、図７（ｂ）に示すように位相
シフター４上に欠陥８が存在するとその部分の位相がず
れてしまい、ウェハ上に欠陥が転写されてしまう。この
ため、この欠陥８を修正することが位相シフトマスクの
実用化において重要な課題となっている。ここで、位相
シフトマスクの修正に関して、日経マイクロデバイシズ
１９９０年１２月号６６頁に「検査、修整、ネガ・レジ
ストなど実用化の要素技術が出始めた位相シフト」とし
て、修正技術が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記報告記事に示され
ている修正方法は図８に示すように、位相シフトマスク
の構造をガラス基板７上にＣｒパターン５を形成した
後、１８０゜の位相差を持つサブシフター１３をマスク
全面に堆積し、さらに位相シフター４を必要な領域に形
成した２層シフター構造にしている。位相シフター４に
欠陥８がある場合、図８（ｂ）に示したように、欠陥の
ある位相シフター４とその下のサブシフター１３を除去
する。これにより、正常な位相シフターのところと修正
部分９の位相差は３６０゜になり、結果的に欠陥が修正
できたことになる。
ている修正方法は図８に示すように、位相シフトマスク
の構造をガラス基板７上にＣｒパターン５を形成した
後、１８０゜の位相差を持つサブシフター１３をマスク
全面に堆積し、さらに位相シフター４を必要な領域に形
成した２層シフター構造にしている。位相シフター４に
欠陥８がある場合、図８（ｂ）に示したように、欠陥の
ある位相シフター４とその下のサブシフター１３を除去
する。これにより、正常な位相シフターのところと修正
部分９の位相差は３６０゜になり、結果的に欠陥が修正
できたことになる。
【０００４】ここで、位相シフターの厚さｄは露光光の
位相を１８０゜反転させるため、ｄ＝λ／２（ｎ−１）
で求まる。例えば、露光光の波長λを３６５ｎｍ、位相
シフターの屈折率ｎを、ここではＳｉＯ2の１.４４を代
入すると、ｄは４１５ｎｍとなる。これより、位相シフ
ターの修正を位相差１８０゜の１０％以下で行うには加
工深さ精度すなわち加工底面の平坦度は±数１０ｎｍ以
下で無ければならない。しかし、上記方法で位相シフタ
ーの欠陥を修正する場合には、欠陥部分のみを加工する
のではなく、欠陥の周囲も加工してしまうことになる。
その際、欠陥の窪みが数１００ｎｍあったとき、その段
差を反映した加工底面になり、また欠陥の形状に凹凸が
激しい場合、±数１０ｎｍ以下の加工深さ精度を得るこ
とは困難である。
位相を１８０゜反転させるため、ｄ＝λ／２（ｎ−１）
で求まる。例えば、露光光の波長λを３６５ｎｍ、位相
シフターの屈折率ｎを、ここではＳｉＯ2の１.４４を代
入すると、ｄは４１５ｎｍとなる。これより、位相シフ
ターの修正を位相差１８０゜の１０％以下で行うには加
工深さ精度すなわち加工底面の平坦度は±数１０ｎｍ以
下で無ければならない。しかし、上記方法で位相シフタ
ーの欠陥を修正する場合には、欠陥部分のみを加工する
のではなく、欠陥の周囲も加工してしまうことになる。
その際、欠陥の窪みが数１００ｎｍあったとき、その段
差を反映した加工底面になり、また欠陥の形状に凹凸が
激しい場合、±数１０ｎｍ以下の加工深さ精度を得るこ
とは困難である。
【０００５】本発明の目的は位相シフトマスクの欠陥形
状によらない、高精度かつ容易に修正できる光学マスク
及びその修正方法を提供することにある。
状によらない、高精度かつ容易に修正できる光学マスク
及びその修正方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、露光光の位
相を反転させる位相シフトマスクの位相シフターと透明
基板間に位相シフターのエッチングに耐性を持つ透明膜
を設けておき、この透明膜をエッチングストッパーとし
て位相シフターをエッチングして、加工底面に段差を生
じない加工を行うことにより達成される。
相を反転させる位相シフトマスクの位相シフターと透明
基板間に位相シフターのエッチングに耐性を持つ透明膜
を設けておき、この透明膜をエッチングストッパーとし
て位相シフターをエッチングして、加工底面に段差を生
じない加工を行うことにより達成される。
【０００７】また、位相シフターのエッチングに耐性を
持つ透明膜の膜厚を露光光の位相を１８０゜反転する厚
さにする事でも達成できる。
持つ透明膜の膜厚を露光光の位相を１８０゜反転する厚
さにする事でも達成できる。
【０００８】
【作用】荷電ビームと反応性ガスを組み合わせた反応性
エッチングによれば、位相シフターの欠陥部分をエッチ
ングする場合、位相シフターの材質に対して反応性を持
ち、逆にエッチングストッパー用の透明膜に対しては反
応性の無いガスを用いることにより、位相シフターの欠
陥を除去しても透明膜の方はほとんどエッチングされな
いため、透明膜上で欠陥部の加工底面を滑らかにするこ
とができ、加工深さ精度を向上することができる。
エッチングによれば、位相シフターの欠陥部分をエッチ
ングする場合、位相シフターの材質に対して反応性を持
ち、逆にエッチングストッパー用の透明膜に対しては反
応性の無いガスを用いることにより、位相シフターの欠
陥を除去しても透明膜の方はほとんどエッチングされな
いため、透明膜上で欠陥部の加工底面を滑らかにするこ
とができ、加工深さ精度を向上することができる。
【０００９】また、エッチングストッパー用の透明膜の
膜厚を、露光光の位相を１８０゜反転させる厚さにすれ
ば、上記と同じ方法で位相シフターの欠陥部を除去した
後、今度はガラス基板に対しては反応性がなく、透明膜
に対しては反応性のあるガスを用いることで、欠陥部で
の露光光の位相を３６０゜反転させる加工深さ精度が容
易に得られる。
膜厚を、露光光の位相を１８０゜反転させる厚さにすれ
ば、上記と同じ方法で位相シフターの欠陥部を除去した
後、今度はガラス基板に対しては反応性がなく、透明膜
に対しては反応性のあるガスを用いることで、欠陥部で
の露光光の位相を３６０゜反転させる加工深さ精度が容
易に得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１１】第１の実施例：図１〜図３は本発明の第１
の実施例を示すもので、図１は本実施例における位相シ
フターの修正方法の説明図、図２はイオン入射角度とス
パッタ率の関係図、図３は本実施例によるマスク修正の
原理を表した図である。
の実施例を示すもので、図１は本実施例における位相シ
フターの修正方法の説明図、図２はイオン入射角度とス
パッタ率の関係図、図３は本実施例によるマスク修正の
原理を表した図である。
【００１２】まず、図１（ａ）において、７はガラス基
板、６はエッチングストッパ層、５はＣｒ膜、４は位相
シフターとしてのスピンオングラス（ＳＯＧ）膜、８は
位相シフターの欠陥部、１はイオンビーム、２はガスノ
ズル、３はエッチングガスである。ここで、エッチング
ストッパー層６の膜厚は、位相シフター４による露光光
の位相反転に影響を与えないように、約１０ｎｍぐらい
にする。また、エッチングストッパ層６の材質は、イオ
ンビームガスアシストエッチングにより、位相シフター
４を除去する際のストッパとして用いるために、位相シ
フター４とのエッチング速度の差が大きいものを用い
る。また露光光に対しても十分な透過率があるものを用
いる。例えばＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜やＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜が挙げられる。図１
（ａ）に示したように位相シフター４に欠陥８がある場
合、まず、欠陥部８に集束イオンビーム２を照射しなが
らガスノズル２よりエッチングガス３を吹き付け、欠陥
部８の位相シフター４を下層のエッチングストッパ層６
に対して選択性良くエッチングを行う。ここで、位相シ
フター４がＳＯＧやＳiＯ2、エッチングストッパ層６の
材質がＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜か又はＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜であれば、エッチングガ
ス３としてＸeＦ2等のフッ素系のガスを用いれば良い。
位相シフター４のエッチングが進み、図１（ｂ）に示し
たように欠陥部８の位相シフター４を除去し、エッチン
グストッパ層６に到達した時点でエッチングガス３の供
給を停止する。ここで位相シフター４とエッチングスト
ッパ層６の選択比は５０ぐらいあり、欠陥部８の位相シ
フター４の膜厚の最も厚いところがエッチングし終わっ
た時点でもエッチングストッパー層６は残っている。し
かし、エッチングストッパ層６はわずかながら最初の欠
陥部８の形状を反映した底面になってしまう。これに
は、図１（ｃ）に示したように、ガラス基板７を彫り込
んでいくうちに加工底面が滑らかになることで解決でき
る。この理由は図２に示したように、イオンの入射する
角度により試料原子のスパッタ率が違ってくることか
ら、加工底面において傾斜している部分すなわちイオン
の入射角度が大きい部分ではスパッタされる速度が速く
なり、加工が進んでいくうちに加工底面が多少荒くても
滑らかになっていく。このようにしてガラス基板７を位
相シフター４の厚さと同じだけ彫り込む。このとき彫り
込む深さの制御はあらかじめ実験等により求めておいた
イオンビームのドーズ量により制御できる。
板、６はエッチングストッパ層、５はＣｒ膜、４は位相
シフターとしてのスピンオングラス（ＳＯＧ）膜、８は
位相シフターの欠陥部、１はイオンビーム、２はガスノ
ズル、３はエッチングガスである。ここで、エッチング
ストッパー層６の膜厚は、位相シフター４による露光光
の位相反転に影響を与えないように、約１０ｎｍぐらい
にする。また、エッチングストッパ層６の材質は、イオ
ンビームガスアシストエッチングにより、位相シフター
４を除去する際のストッパとして用いるために、位相シ
フター４とのエッチング速度の差が大きいものを用い
る。また露光光に対しても十分な透過率があるものを用
いる。例えばＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜やＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜が挙げられる。図１
（ａ）に示したように位相シフター４に欠陥８がある場
合、まず、欠陥部８に集束イオンビーム２を照射しなが
らガスノズル２よりエッチングガス３を吹き付け、欠陥
部８の位相シフター４を下層のエッチングストッパ層６
に対して選択性良くエッチングを行う。ここで、位相シ
フター４がＳＯＧやＳiＯ2、エッチングストッパ層６の
材質がＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜か又はＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜であれば、エッチングガ
ス３としてＸeＦ2等のフッ素系のガスを用いれば良い。
位相シフター４のエッチングが進み、図１（ｂ）に示し
たように欠陥部８の位相シフター４を除去し、エッチン
グストッパ層６に到達した時点でエッチングガス３の供
給を停止する。ここで位相シフター４とエッチングスト
ッパ層６の選択比は５０ぐらいあり、欠陥部８の位相シ
フター４の膜厚の最も厚いところがエッチングし終わっ
た時点でもエッチングストッパー層６は残っている。し
かし、エッチングストッパ層６はわずかながら最初の欠
陥部８の形状を反映した底面になってしまう。これに
は、図１（ｃ）に示したように、ガラス基板７を彫り込
んでいくうちに加工底面が滑らかになることで解決でき
る。この理由は図２に示したように、イオンの入射する
角度により試料原子のスパッタ率が違ってくることか
ら、加工底面において傾斜している部分すなわちイオン
の入射角度が大きい部分ではスパッタされる速度が速く
なり、加工が進んでいくうちに加工底面が多少荒くても
滑らかになっていく。このようにしてガラス基板７を位
相シフター４の厚さと同じだけ彫り込む。このとき彫り
込む深さの制御はあらかじめ実験等により求めておいた
イオンビームのドーズ量により制御できる。
【００１３】修正前は図３（ａ）に示したように、欠陥
部８では大きくずれてしまっていた露光光の位相は、本
方法により修正した結果、図３（ｂ）の様に位相シフタ
ー４があるところと同じ位相差になっている。これは、
位相シフター４のところと修正部９での膜厚の差が、ち
ょうど位相差３６０゜分になり、結果的には位相シフタ
ーが存在していることになっているからである。
部８では大きくずれてしまっていた露光光の位相は、本
方法により修正した結果、図３（ｂ）の様に位相シフタ
ー４があるところと同じ位相差になっている。これは、
位相シフター４のところと修正部９での膜厚の差が、ち
ょうど位相差３６０゜分になり、結果的には位相シフタ
ーが存在していることになっているからである。
【００１４】第２の実施例：本発明の第２の実施例とし
て、ガラス基板に対してエッチングストッパ層を選択的
にエッチングするためのガスを用いて修正する方法を図
４により説明する。
て、ガラス基板に対してエッチングストッパ層を選択的
にエッチングするためのガスを用いて修正する方法を図
４により説明する。
【００１５】図４（ａ）において、２はエッチングスト
ッパ層６を選択的にエッチングするためのエッチングガ
ス３を供給するためのガスノズルである。まず、位相シ
フター４の欠陥８は第１の実施例同様に除去する。そし
て図４（ｂ）に示したように位相シフター４のエッチン
グガス３の供給を停止し、ガスノズル１０からエッチン
グストッパ層６を下層のガラス基板７に対して選択性良
くエッチングするガス１１を供給する。ここでエッチン
グガス１１として例えばＣｌ2やＳiＣｌ4等のＣｌ系ガ
スを用いれば良い。このようにしてエッチングストッパ
層６をエッチングすることにより、更に加工底面を滑ら
かにすることができる。エッチングストッパ層６の加工
が停止した後エッチングガス１１の供給を停止し、図４
（ｄ）に示したようにガラス基板７を第１の実施例同様
に位相シフター４の厚さ分だけ彫り込んで修正する。
ッパ層６を選択的にエッチングするためのエッチングガ
ス３を供給するためのガスノズルである。まず、位相シ
フター４の欠陥８は第１の実施例同様に除去する。そし
て図４（ｂ）に示したように位相シフター４のエッチン
グガス３の供給を停止し、ガスノズル１０からエッチン
グストッパ層６を下層のガラス基板７に対して選択性良
くエッチングするガス１１を供給する。ここでエッチン
グガス１１として例えばＣｌ2やＳiＣｌ4等のＣｌ系ガ
スを用いれば良い。このようにしてエッチングストッパ
層６をエッチングすることにより、更に加工底面を滑ら
かにすることができる。エッチングストッパ層６の加工
が停止した後エッチングガス１１の供給を停止し、図４
（ｄ）に示したようにガラス基板７を第１の実施例同様
に位相シフター４の厚さ分だけ彫り込んで修正する。
【００１６】ここで、第１及び第２の実施例では、ガラ
ス基板７の加工をイオンビーム１により、ガラス基板７
の原子を叩き出すスパッタ加工で行っているが、フッ素
系ガスを加工領域に供給しながらエッチングしても良
い。この方法は、エッチングガスを用いることで加工速
度が速くなり、また反応性処理であることから、ガラス
基板７へのイオンビーム１によるダメージを低減できる
効果もある。
ス基板７の加工をイオンビーム１により、ガラス基板７
の原子を叩き出すスパッタ加工で行っているが、フッ素
系ガスを加工領域に供給しながらエッチングしても良
い。この方法は、エッチングガスを用いることで加工速
度が速くなり、また反応性処理であることから、ガラス
基板７へのイオンビーム１によるダメージを低減できる
効果もある。
【００１７】第１および第２の実施例において、マスク
の構造は遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上に位相シフタ−４
を設けたシフタ−上置きであったが、別な構造の位相シ
フトマスクにおいても同様の修正が行なえる。例えば、
図９に示すように、遮光パタ−ンのＣｒ膜の下に位相シ
フタ−４を設けたシフタ−下置きで位相シフタ−４の下
にエッチングストッパ６を設けた構造や、図１０に示す
ような遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上にサブシフタ−１５
をかぶせ、その上に位相シフタ−４を設けた２層シフタ
−構造では、位相シフタ−４とサブシフタ−１５の間に
エッチングストッパ−６を設け、また、サブシフタ−１
５とガラス基板７との間にもエッチングストッパ−６を
設けた構造である。しかし、本発明はこれに限定される
ものではなく位相シフタ−とガラス基板との間にエッチ
ングストッパ−を設けることで位相シフタ−の修正は行
なえる。
の構造は遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上に位相シフタ−４
を設けたシフタ−上置きであったが、別な構造の位相シ
フトマスクにおいても同様の修正が行なえる。例えば、
図９に示すように、遮光パタ−ンのＣｒ膜の下に位相シ
フタ−４を設けたシフタ−下置きで位相シフタ−４の下
にエッチングストッパ６を設けた構造や、図１０に示す
ような遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上にサブシフタ−１５
をかぶせ、その上に位相シフタ−４を設けた２層シフタ
−構造では、位相シフタ−４とサブシフタ−１５の間に
エッチングストッパ−６を設け、また、サブシフタ−１
５とガラス基板７との間にもエッチングストッパ−６を
設けた構造である。しかし、本発明はこれに限定される
ものではなく位相シフタ−とガラス基板との間にエッチ
ングストッパ−を設けることで位相シフタ−の修正は行
なえる。
【００１８】第３の実施例：第１及び第２の実施例で
は、エッチングストッパ層６の膜厚は位相シフター４に
よる露光光の位相に影響を及ぼさない程度の膜厚だった
が、本実施例では、図５（ａ）に示すようにエッチング
ストッパ層１２をサブシフターにも用いている。すなわ
ち、エッチングストッパ層１２を露光光の位相を１８０
゜ずらす膜厚分だけガラス基板７上に蒸着し、その上に
遮光パターン５を形成し、位相シフター４を回路パター
ン形成予定領域に形成する。このときのマスクを透過し
た露光光の位相は位相シフター４を透過した光とエッチ
ングストッパ層１２を透過した光で１８０゜違う。よっ
て、第１及び第２の実施例同様に解像度を上げられる。
本マスクにおいて、位相シフター４に欠陥がある場合、
図５（ｂ）に示したようにその欠陥部分の位相シフター
４及びエッチングストッパー１２を除去することで修正
できる。
は、エッチングストッパ層６の膜厚は位相シフター４に
よる露光光の位相に影響を及ぼさない程度の膜厚だった
が、本実施例では、図５（ａ）に示すようにエッチング
ストッパ層１２をサブシフターにも用いている。すなわ
ち、エッチングストッパ層１２を露光光の位相を１８０
゜ずらす膜厚分だけガラス基板７上に蒸着し、その上に
遮光パターン５を形成し、位相シフター４を回路パター
ン形成予定領域に形成する。このときのマスクを透過し
た露光光の位相は位相シフター４を透過した光とエッチ
ングストッパ層１２を透過した光で１８０゜違う。よっ
て、第１及び第２の実施例同様に解像度を上げられる。
本マスクにおいて、位相シフター４に欠陥がある場合、
図５（ｂ）に示したようにその欠陥部分の位相シフター
４及びエッチングストッパー１２を除去することで修正
できる。
【００１９】図６を用いて第３の実施例による位相シフ
ター欠陥修正方法について説明する。まず、図６（ａ）
に示したように、位相シフター４上の欠陥部８に集束イ
オンビーム１を照射しながら、エッチングストッパ層１
２に対して位相シフター４を選択的にエッチングするガ
ス３を供給して、欠陥部８の位相シフター４を除去す
る。しかる後、図６（ｂ）のようにエッチングガス３の
供給を停止し、別なガスノズル１０より、今度はガラス
基板７に対してエッチングストッパ層１２を選択性よく
エッチングするガス１１を供給してエッチングストッパ
層１２を除去する。そして、図６（ｃ）のように、位相
シフター４の欠陥修正が完了する。ここで、エッチング
ガス３及び１１は実施例１ないし２と同様である。本実
施例では、エッチングガスの選択性によって、ガラス基
板７上でエッチングを選択性よく停止する事ができ、加
工深さ制御が容易になるとともに、加工底面を形状良く
加工できる効果がある。本実施例において、さらに加工
深さ精度を向上させるために、イオンビームの入射によ
って試料からでてくる２次粒子を検出するディテクタを
設け、加工中の材質をモニタする事もできる。
ター欠陥修正方法について説明する。まず、図６（ａ）
に示したように、位相シフター４上の欠陥部８に集束イ
オンビーム１を照射しながら、エッチングストッパ層１
２に対して位相シフター４を選択的にエッチングするガ
ス３を供給して、欠陥部８の位相シフター４を除去す
る。しかる後、図６（ｂ）のようにエッチングガス３の
供給を停止し、別なガスノズル１０より、今度はガラス
基板７に対してエッチングストッパ層１２を選択性よく
エッチングするガス１１を供給してエッチングストッパ
層１２を除去する。そして、図６（ｃ）のように、位相
シフター４の欠陥修正が完了する。ここで、エッチング
ガス３及び１１は実施例１ないし２と同様である。本実
施例では、エッチングガスの選択性によって、ガラス基
板７上でエッチングを選択性よく停止する事ができ、加
工深さ制御が容易になるとともに、加工底面を形状良く
加工できる効果がある。本実施例において、さらに加工
深さ精度を向上させるために、イオンビームの入射によ
って試料からでてくる２次粒子を検出するディテクタを
設け、加工中の材質をモニタする事もできる。
【００２０】本発明において、荷電ビームとしてイオン
ビームを用いたが、電子ビームを用いても同様の効果が
ある。
ビームを用いたが、電子ビームを用いても同様の効果が
ある。
【００２１】また、本発明のエッチングストッパ−層は
位相シフタ−をドライエッチング等の手法にいパタ−ニ
ングを行なう差異のガラス基板に対するダメ−ジを防ぐ
効果もある。
位相シフタ−をドライエッチング等の手法にいパタ−ニ
ングを行なう差異のガラス基板に対するダメ−ジを防ぐ
効果もある。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、位相シフターの欠陥の
形状に影響されない加工が可能となり、加工深さ精度が
向上でき、位相シフトマスクの欠陥修正の高精度化、歩
留まりが向上する。
形状に影響されない加工が可能となり、加工深さ精度が
向上でき、位相シフトマスクの欠陥修正の高精度化、歩
留まりが向上する。
【図１】本発明の第１の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。
説明図である。
【図２】イオンの入射角度とスパッタ率の関係図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１の実施例の位相シフター修正の原
理図である。
理図である。
【図４】本発明の第２の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の第３の実施例の位相シフトマスク構造
図である。
図である。
【図６】本発明の第３の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。
説明図である。
【図７】位相シフトマスクの欠陥の様子を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図８】従来の修正方法の説明図である。
【図９】本発明の第１および第２の実施例の別な位相シ
フトマスク構造説明図である。
フトマスク構造説明図である。
【図１０】本発明の第１および第２の実施例の別な位相
シフトマスク構造説明図である。
シフトマスク構造説明図である。
１…集束イオンビーム、２，１０…ガスノズル、３，１
１…エッチングガス、４…位相シフター、５…Ｃｒパタ
ーン、６，１２…エッチングストッパ層、７…ガラス基
板、８…位相シフターの欠陥部、９…位相シフターの欠
陥修正部、１３…サブシフター、１４…導電層、１５…
サブシフタ−
１…エッチングガス、４…位相シフター、５…Ｃｒパタ
ーン、６，１２…エッチングストッパ層、７…ガラス基
板、８…位相シフターの欠陥部、９…位相シフターの欠
陥修正部、１３…サブシフター、１４…導電層、１５…
サブシフタ−
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ｗ (72)発明者 古泉 裕弘 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式 会社日立製作所武蔵工場内
Claims (7)
- 【請求項１】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクにおいて、上記位相シフターと透明
基板間に位相シフターのエッチングに耐性を有する透明
なエッチングストッパ膜を設けたことを特徴とする光学
マスク。 - 【請求項２】前記エッチングストッパ膜の膜厚が位相シ
フターによる露光光の位相シフト量に変化を及ばさない
厚さにしたことを特徴とする請求項１記載の光学マス
ク。 - 【請求項３】前記エッチングストッパ膜の膜厚が位相シ
フターによる露光光の位相シフト量と同じ量だけシフト
させる厚さであることを特徴とする請求項１記載の光学
マスク。 - 【請求項４】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクの欠陥修正方法において、上記位相
シフターの欠陥部をエッチングストッパ層に対して選択
性良くエッチングする工程と、その欠陥部のガラス基板
を位相シフターと同じ厚さ彫り込む工程を有することを
特徴とする光学マスクの修正方法。 - 【請求項５】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクの欠陥修正方法において、上記位相
シフターの欠陥部をエッチングストッパ層に対して選択
性良くエッチングする工程と、ガラス基板に対してエッ
チングストッパ層を選択性良くエッチングする工程を有
することを特徴とする光学マスクの修正方法。 - 【請求項６】前記位相シフターの欠陥部のエッチングが
荷電ビームと反応性ガスを用いた化学反応性エッチング
であり、エッチングストッパ膜との選択性により、加工
底面を滑らかにすることを特徴とする請求項４又は５記
載の光学マスクの修正方法。 - 【請求項７】前記位相シフターの欠陥部をエッチング
し、エッチングストッパー膜をエッチングする方法とし
て、荷電ビームと透明基板に対して選択性を持つ反応性
ガスを用いた化学反応性エッチングであることを特徴と
する請求項５記載の光学マスクの修正方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32853491A JPH05165189A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 光学マスク及びその修正方法 |
| US07/854,861 US5358806A (en) | 1991-03-19 | 1992-03-19 | Phase shift mask, method of correcting the same and apparatus for carrying out the method |
| US08/022,909 US5439763A (en) | 1991-03-19 | 1993-02-26 | Optical mask and method of correcting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32853491A JPH05165189A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 光学マスク及びその修正方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10350944A Division JPH11258777A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 光学マスクの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165189A true JPH05165189A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18211367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32853491A Pending JPH05165189A (ja) | 1991-03-19 | 1991-12-12 | 光学マスク及びその修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05165189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07295200A (ja) * | 1992-08-18 | 1995-11-10 | At & T Corp | 位相シフトリソグラフマスク構造体とその形成方法 |
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| JPH03259147A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Hitachi Ltd | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
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-
1991
- 1991-12-12 JP JP32853491A patent/JPH05165189A/ja active Pending
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