JPH06148870A - 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 - Google Patents
位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法Info
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- JPH06148870A JPH06148870A JP30194292A JP30194292A JPH06148870A JP H06148870 A JPH06148870 A JP H06148870A JP 30194292 A JP30194292 A JP 30194292A JP 30194292 A JP30194292 A JP 30194292A JP H06148870 A JPH06148870 A JP H06148870A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト層を有するフォトマスクの突起状
の欠陥部を簡単な方法で精度よく修正する。 【構成】 位相シフト層３又はガラス基板１上に透明突
起状の欠陥部４を有する位相シフトフォトマスクの修正
方法であって、先端が尖った微細プローブ２０で欠陥部
４を引っ掻いて物理的に除去する。
の欠陥部を簡単な方法で精度よく修正する。 【構成】 位相シフト層３又はガラス基板１上に透明突
起状の欠陥部４を有する位相シフトフォトマスクの修正
方法であって、先端が尖った微細プローブ２０で欠陥部
４を引っ掻いて物理的に除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクの修正
方法に係わり、特に、微細なパターンを高精度に形成す
る際の位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法に
関する。
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクの修正
方法に係わり、特に、微細なパターンを高精度に形成す
る際の位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度が要求さ
れる傾向にある。そして、これらのレチクルを使用して
形成されるデバイスパターンの線幅は、１ＭビットＤＲ
ＡＭで１．２μｍ、４ＭビットＤＲＡＭでは０．８μ
ｍ、１６ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍと、ますます
微細化が要求されており、このような要求に応えるため
に、様々な露光方法が研究されている。
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度が要求さ
れる傾向にある。そして、これらのレチクルを使用して
形成されるデバイスパターンの線幅は、１ＭビットＤＲ
ＡＭで１．２μｍ、４ＭビットＤＲＡＭでは０．８μ
ｍ、１６ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍと、ますます
微細化が要求されており、このような要求に応えるため
に、様々な露光方法が研究されている。
【０００４】ところが、例えば６４ＭＤＲＡＭクラスの
デバイスになると、０．３５μｍの線幅のパターンが必
要とされ、これまでのレチクルを用いたステッパー露光
方式ではレジストパターンの解像限界となり、この限界
を乗り越えるものとして、例えば、特開昭５８−１７３
７４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等に示さ
れているような、位相シフトマスクという新しい考え方
のレチクルが提案されてきている。位相シフトレチクル
を用いる位相シフトリソグラフィーは、レチクルを透過
する光の位相を操作することによって、投影像の分解能
及びコントラストを向上させる技術である。
デバイスになると、０．３５μｍの線幅のパターンが必
要とされ、これまでのレチクルを用いたステッパー露光
方式ではレジストパターンの解像限界となり、この限界
を乗り越えるものとして、例えば、特開昭５８−１７３
７４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等に示さ
れているような、位相シフトマスクという新しい考え方
のレチクルが提案されてきている。位相シフトレチクル
を用いる位相シフトリソグラフィーは、レチクルを透過
する光の位相を操作することによって、投影像の分解能
及びコントラストを向上させる技術である。
【０００５】位相シフトリソグラフィーを図面に従って
簡単に説明する。図２は位相シフト法の原理を示す図、
図３は従来法を示す図であり、図２（ａ）及び図３
（ａ）はレチクルの断面図、図２（ｂ）及び図３（ｂ）
はレチクル上の光の振幅、図２（ｃ）及び図３（ｃ）は
ウェーハ上の光の振幅、図２（ｄ）及び図３（ｄ）はウ
ェーハ上の光強度をそれぞれ示し、１は基板、２は遮光
膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。
簡単に説明する。図２は位相シフト法の原理を示す図、
図３は従来法を示す図であり、図２（ａ）及び図３
（ａ）はレチクルの断面図、図２（ｂ）及び図３（ｂ）
はレチクル上の光の振幅、図２（ｃ）及び図３（ｃ）は
ウェーハ上の光の振幅、図２（ｄ）及び図３（ｄ）はウ
ェーハ上の光強度をそれぞれ示し、１は基板、２は遮光
膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。
【０００６】従来法においては、図３（ａ）に示すよう
に、ガラス等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜
２が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図２（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転（位相差１８０°）させるための
透過膜からなる位相シフター３が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
３（ｂ）に示すように同相となり、ウェーハ上の光の振
幅も図３（ｃ）に示すように同相となるので、その結
果、図３（ｄ）のようにウェーハ上のパターンを分離す
ることができないのに対して、位相シフトリソグラフィ
ーにおいては、位相シフターを透過した光は、図２
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図２（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。
に、ガラス等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜
２が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図２（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転（位相差１８０°）させるための
透過膜からなる位相シフター３が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
３（ｂ）に示すように同相となり、ウェーハ上の光の振
幅も図３（ｃ）に示すように同相となるので、その結
果、図３（ｄ）のようにウェーハ上のパターンを分離す
ることができないのに対して、位相シフトリソグラフィ
ーにおいては、位相シフターを透過した光は、図２
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図２（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。
【０００７】次に、位相シフトレチクルの製造工程の１
例を図４を参照にして説明する。図４は位相シフトレチ
クルの製造工程を示す断面図であり、同図（ａ）に示す
ように、基板５上にクロムパターン６が設けられて完成
されたクロムレチクルを準備し、次に、同図（ｂ）に示
すように、クロムパターン６の上にＳｉＯ2 等からなる
透明膜７を形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、
透明膜７上にクロロメチル化ポリスチレン等の電離放射
線レジスト層８を形成し、同図（ｄ）に示すように、レ
ジスト層８に常法に従ってアライメントを行い、電子線
露光装置等の電離放射線９によって所定のパターンを描
画し、現像、リンスして、同図（ｅ）に示すように、レ
ジストパターン１０を形成する。
例を図４を参照にして説明する。図４は位相シフトレチ
クルの製造工程を示す断面図であり、同図（ａ）に示す
ように、基板５上にクロムパターン６が設けられて完成
されたクロムレチクルを準備し、次に、同図（ｂ）に示
すように、クロムパターン６の上にＳｉＯ2 等からなる
透明膜７を形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、
透明膜７上にクロロメチル化ポリスチレン等の電離放射
線レジスト層８を形成し、同図（ｄ）に示すように、レ
ジスト層８に常法に従ってアライメントを行い、電子線
露光装置等の電離放射線９によって所定のパターンを描
画し、現像、リンスして、同図（ｅ）に示すように、レ
ジストパターン１０を形成する。
【０００８】次に、必要に応じて加熱処理及びデスカム
処理を行った後、同図（ｆ）に示すように、レジストパ
ターン１０の開口部より露出する透明膜７部分をエッチ
ングガスプラズマ１１によりドライエッチングし、位相
シフターパターン１２を形成する。なお、この位相シフ
ターパターン１２の形成は、エッチングガスプラズマ１
１によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチン
グにより行ってもよいものである。
処理を行った後、同図（ｆ）に示すように、レジストパ
ターン１０の開口部より露出する透明膜７部分をエッチ
ングガスプラズマ１１によりドライエッチングし、位相
シフターパターン１２を形成する。なお、この位相シフ
ターパターン１２の形成は、エッチングガスプラズマ１
１によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチン
グにより行ってもよいものである。
【０００９】次に、残存したレジストを、同図（ｇ）に
示すように、酸素プラズマ１３により灰化除去する。以
上の工程により、同図（ｈ）に示すような位相シフター
１２を有する位相シフトマスクが完成する。
示すように、酸素プラズマ１３により灰化除去する。以
上の工程により、同図（ｈ）に示すような位相シフター
１２を有する位相シフトマスクが完成する。
【００１０】ところで、図２に示したような位相シフト
リソグラフィーでは、屈折率ｎの位相シフターの膜厚ｄ
と、使用する光源の波長λとの間には、ｄ＝λ／２（ｎ
−１）の関係が成り立つ。光の位相を１８０度反転させ
てレチクル上のパターンを正確にウェーハ上に転写する
ためには、位相誤差を±１０度以内にする必要があり、
位相が１０度以上ずれると、パターン寸法が忠実に再現
できないことが知られている。
リソグラフィーでは、屈折率ｎの位相シフターの膜厚ｄ
と、使用する光源の波長λとの間には、ｄ＝λ／２（ｎ
−１）の関係が成り立つ。光の位相を１８０度反転させ
てレチクル上のパターンを正確にウェーハ上に転写する
ためには、位相誤差を±１０度以内にする必要があり、
位相が１０度以上ずれると、パターン寸法が忠実に再現
できないことが知られている。
【００１１】したがって、例えば、露光光源に３６５ｎ
ｍ（ｉ線）の光を用いて、屈折率１．４のＳｉＯ2 を位
相シフターとした場合、その膜厚として４５６２Å必要
であり、膜厚誤差を±２５３Å以内に制御しなければな
らない。すなわち、位相シフター又は透明なガラス基板
上に突起状の欠陥が存在する場合、その欠陥の高さを２
５３Å以内に抑えることが必要になる。
ｍ（ｉ線）の光を用いて、屈折率１．４のＳｉＯ2 を位
相シフターとした場合、その膜厚として４５６２Å必要
であり、膜厚誤差を±２５３Å以内に制御しなければな
らない。すなわち、位相シフター又は透明なガラス基板
上に突起状の欠陥が存在する場合、その欠陥の高さを２
５３Å以内に抑えることが必要になる。
【００１２】しかしながら、前述した従来の位相シフト
レチクルの製造方法においては、透明な位相シフター上
又は透明なガラス基板上に正常部よりも厚い透明な突起
状欠陥が発生しやすく、このような欠陥位置が確認され
ても、修正することができないという問題が生じてい
た。位相シフター及びガラス基板は透明なＳｉＯ2 等で
形成されているため、位相レチクル上の突起状欠陥も大
部分が透明である。一般に、クロムレチクルの突起状欠
陥部の修正に用いられているレーザ欠陥修正装置は、レ
チクル上の欠陥部の大きさに合わせた断面矩形のレーザ
光を欠陥部に照射し、欠陥部を除去して修正するが、修
正可能な欠陥は、レーザ光を吸収する金属等で構成され
た箇所に限られている。位相シフトレチクルの透明な突
起状欠陥は、レーザ光をほとんど吸収しないので、この
ような従来の方法では透明欠陥部を修正することはでき
なかった。
レチクルの製造方法においては、透明な位相シフター上
又は透明なガラス基板上に正常部よりも厚い透明な突起
状欠陥が発生しやすく、このような欠陥位置が確認され
ても、修正することができないという問題が生じてい
た。位相シフター及びガラス基板は透明なＳｉＯ2 等で
形成されているため、位相レチクル上の突起状欠陥も大
部分が透明である。一般に、クロムレチクルの突起状欠
陥部の修正に用いられているレーザ欠陥修正装置は、レ
チクル上の欠陥部の大きさに合わせた断面矩形のレーザ
光を欠陥部に照射し、欠陥部を除去して修正するが、修
正可能な欠陥は、レーザ光を吸収する金属等で構成され
た箇所に限られている。位相シフトレチクルの透明な突
起状欠陥は、レーザ光をほとんど吸収しないので、この
ような従来の方法では透明欠陥部を修正することはでき
なかった。
【００１３】そこで、本出願人は、特願平２−２４９０
４５号において、透明突起状の欠陥部上に着色層を形成
し、次いで、この着色層が吸収する波長のレーザ光を欠
陥部上の着色層に照射することにより、このような欠陥
部を選択的に除去する修正方法を提案した。
４５号において、透明突起状の欠陥部上に着色層を形成
し、次いで、この着色層が吸収する波長のレーザ光を欠
陥部上の着色層に照射することにより、このような欠陥
部を選択的に除去する修正方法を提案した。
【００１４】また、特開平４−１２５６４２号において
は、位相シフトレチクルの表面にエッチング用ガスを吸
着させた後に、透明突起状欠陥部に紫外光、集束イオン
ビーム、電子ビーム等のエネルギービームを選択的に照
射してエッチングする修正方法が提案されている。
は、位相シフトレチクルの表面にエッチング用ガスを吸
着させた後に、透明突起状欠陥部に紫外光、集束イオン
ビーム、電子ビーム等のエネルギービームを選択的に照
射してエッチングする修正方法が提案されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの修正
方法は、透明突起状欠陥を正確にエッチングして綺麗に
修正することが難しく、また、前工程を必要とするた
め、必ずしも実用的な方法とは言い難かった。
方法は、透明突起状欠陥を正確にエッチングして綺麗に
修正することが難しく、また、前工程を必要とするた
め、必ずしも実用的な方法とは言い難かった。
【００１６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、位相シフト層を有するフォト
マスクの突起状の欠陥部を簡単な方法で精度よく修正す
ることができる方法を提供することである。
ものであり、その目的は、位相シフト層を有するフォト
マスクの突起状の欠陥部を簡単な方法で精度よく修正す
ることができる方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
点に鑑み、位相シフトレチクルの突起状欠陥を物理的に
引っ掻き落とすことにより除去して修正し、高精度のレ
チクルを安定して製造できることを見出し、かかる知見
に基づいて本発明を完成させたものである。
点に鑑み、位相シフトレチクルの突起状欠陥を物理的に
引っ掻き落とすことにより除去して修正し、高精度のレ
チクルを安定して製造できることを見出し、かかる知見
に基づいて本発明を完成させたものである。
【００１８】すなわち、本発明の位相シフト層を有する
フォトマスクの修正方法は、位相シフト層又はガラス基
板上に透明突起状の欠陥部を有する位相シフトフォトマ
スクの修正方法において、先端が尖った微細プローブで
前記透明突起状欠陥部を引っ掻いて物理的に除去するこ
とを特徴とする方法である。
フォトマスクの修正方法は、位相シフト層又はガラス基
板上に透明突起状の欠陥部を有する位相シフトフォトマ
スクの修正方法において、先端が尖った微細プローブで
前記透明突起状欠陥部を引っ掻いて物理的に除去するこ
とを特徴とする方法である。
【００１９】
【作用】本発明においては、位相シフト層又はガラス基
板上に透明突起状の欠陥部を先端が尖った微細プローブ
で引っ掻いて物理的に除去するので、工程の少ない簡単
な方法で、突起状欠陥を精度よく修正することができ
る。
板上に透明突起状の欠陥部を先端が尖った微細プローブ
で引っ掻いて物理的に除去するので、工程の少ない簡単
な方法で、突起状欠陥を精度よく修正することができ
る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の位相シフト層を有するフォト
マスクの修正方法の実施例を図面を参照にして説明す
る。図１は、本発明に係わる位相シフトフォトマスクの
修正方法の各工程を順に示す断面図であり、図中、１は
ソーダライム・ガラス、低膨張ガラス、石英ガラスなど
で形成された透明基板、２はクロム、クロム酸化物、ク
ロム酸窒化物、モリブデンシリサイド等よりなる遮光
層、３はＳＯＧ（スピンオングラス）、スパッターＳｉ
Ｏ2 等で形成された透明な位相シフター、４は透明基板
１上の透明突起状欠陥部、２０はプローブ、２１は透明
突起状欠陥部の残り部分を示す。
マスクの修正方法の実施例を図面を参照にして説明す
る。図１は、本発明に係わる位相シフトフォトマスクの
修正方法の各工程を順に示す断面図であり、図中、１は
ソーダライム・ガラス、低膨張ガラス、石英ガラスなど
で形成された透明基板、２はクロム、クロム酸化物、ク
ロム酸窒化物、モリブデンシリサイド等よりなる遮光
層、３はＳＯＧ（スピンオングラス）、スパッターＳｉ
Ｏ2 等で形成された透明な位相シフター、４は透明基板
１上の透明突起状欠陥部、２０はプローブ、２１は透明
突起状欠陥部の残り部分を示す。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すような透明突起状
欠陥部４を有する位相シフトレチクル上に、同図（ｂ）
に示すように、先端が尖ったプローブ２０を修正する欠
陥部４上に位置決めしてその横位置に矢印に示すように
近づけ、次に、同図（ｃ）に矢印で示すように、プロー
ブ２０を基板１表面に沿って移動させると、同図（ｄ）
に示すように、透明突起状欠陥部４はこの移動するプロ
ーブ２０によって掻き落とされることになり、同図
（ｅ）に示すように、基板１上にわずかの残り部分２１
を残して欠陥部４は取り除かれる。透明突起状欠陥部４
が位相シフター３上にある場合も、同様にして取り除か
れる。基板１又は位相シフター３上に残った厚さの薄い
残り部分２１は入射光の位相をほとんどシフトさせない
ため、転写の際に影響することはない。
欠陥部４を有する位相シフトレチクル上に、同図（ｂ）
に示すように、先端が尖ったプローブ２０を修正する欠
陥部４上に位置決めしてその横位置に矢印に示すように
近づけ、次に、同図（ｃ）に矢印で示すように、プロー
ブ２０を基板１表面に沿って移動させると、同図（ｄ）
に示すように、透明突起状欠陥部４はこの移動するプロ
ーブ２０によって掻き落とされることになり、同図
（ｅ）に示すように、基板１上にわずかの残り部分２１
を残して欠陥部４は取り除かれる。透明突起状欠陥部４
が位相シフター３上にある場合も、同様にして取り除か
れる。基板１又は位相シフター３上に残った厚さの薄い
残り部分２１は入射光の位相をほとんどシフトさせない
ため、転写の際に影響することはない。
【００２２】実際に、基板１上の透明突起状欠陥部４を
触針式膜圧計デクタック（Ｓｌｏａｎ社製）の触針によ
り、針圧１００ｍｇにして掻き落としたところ、ＳＯＧ
からなる位相シフター３の黒欠陥を良好に除去すること
ができた。
触針式膜圧計デクタック（Ｓｌｏａｎ社製）の触針によ
り、針圧１００ｍｇにして掻き落としたところ、ＳＯＧ
からなる位相シフター３の黒欠陥を良好に除去すること
ができた。
【００２３】
【発明の効果】位相シフトフォトマスクにおいては、位
相シフターに透明材料を用いるので、透明な突起状欠陥
が発生しやすく、かつ、このような欠陥は位相シフトの
効果を低下させるので、長い工程と経費をかけて製造さ
れた位相シフトレチクルが使用できなくなるという問題
があった。しかし、本発明の修正方法によれば、従来精
度よく修正することが困難だった透明な位相シフター層
上又はガラス基板上の透明突起状欠陥を先端が尖った微
細プローブで引っ掻いて物理的に除去するので、工程の
少ない簡単な方法で、突起状欠陥を精度よく修正するこ
とができる。
相シフターに透明材料を用いるので、透明な突起状欠陥
が発生しやすく、かつ、このような欠陥は位相シフトの
効果を低下させるので、長い工程と経費をかけて製造さ
れた位相シフトレチクルが使用できなくなるという問題
があった。しかし、本発明の修正方法によれば、従来精
度よく修正することが困難だった透明な位相シフター層
上又はガラス基板上の透明突起状欠陥を先端が尖った微
細プローブで引っ掻いて物理的に除去するので、工程の
少ない簡単な方法で、突起状欠陥を精度よく修正するこ
とができる。
【００２４】本発明により、従来は不良品として処理さ
れていた透明突起状欠陥を含む高価な位相シフトレチク
ルを、再び高品質な状態で使用できるようにすることが
できる。
れていた透明突起状欠陥を含む高価な位相シフトレチク
ルを、再び高品質な状態で使用できるようにすることが
できる。
【図１】本発明に係わる位相シフトフォトマスクの修正
方法の１実施例の工程を示す断面図である。
方法の１実施例の工程を示す断面図である。
【図２】位相シフト法の原理を示す図である。
【図３】従来法を示す図である。
【図４】位相シフトフォトマスクの製造工程を示す断面
図である。
図である。
１…透明基板 ２…遮光層 ３…位相シフター ４…透明突起状欠陥部 ２０…プローブ ２１…欠陥部の残り部分
Claims (1)
- 【請求項１】 位相シフト層又はガラス基板上に透明突
起状の欠陥部を有する位相シフトフォトマスクの修正方
法において、先端が尖った微細プローブで前記透明突起
状欠陥部を引っ掻いて物理的に除去することを特徴とす
る位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30194292A JP3251665B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30194292A JP3251665B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148870A true JPH06148870A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3251665B2 JP3251665B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=17902971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30194292A Expired - Lifetime JP3251665B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3251665B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485024B1 (ko) * | 1994-12-27 | 2005-08-03 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 포토마스크를세척하기위한장치및방법 |
| JP2010078388A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンの密着性評価方法 |
| JP2010211227A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-09-24 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法およびカラーフィルタの欠陥除去装置 |
| US8769709B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-07-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Apparatus and method for analyzing and modifying a specimen surface |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1992
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