JPH10161293A - フォトマスクの残留欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスクの残留欠陥修正方法Info
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- JPH10161293A JPH10161293A JP32902896A JP32902896A JPH10161293A JP H10161293 A JPH10161293 A JP H10161293A JP 32902896 A JP32902896 A JP 32902896A JP 32902896 A JP32902896 A JP 32902896A JP H10161293 A JPH10161293 A JP H10161293A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のレーザー光照射による修正おける、種
々の調整不良の問題、レーザビームの集光の限界の問
題、修正部の荒れの問題、および集束イオンビーム照射
による修正における、透明基板へのダメージの問題、ガ
リウムステインの問題を解決できるフオトマスクの残留
欠陥の修正方法を提供する。 【解決手段】 順に、（ａ）残留欠陥部の外周全体にわ
たり、外周から所定幅の領域を残し、それ以外の部分
を、エネルギー線を照射して、物理的に除去する工程
と、（ｂ）物理的に除去されずに残っている残留欠陥部
の外周全体にわたる外周から所定幅の領域を、薬液によ
り化学的なエッチングを施して除去する工程とを実施す
るもので、前記所定幅が、エネルギー線の影響が残留欠
陥部の外部に及ばない幅で、且つ、化学的エッチングに
より外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮光層等へ
の実質的な影響がでないエッチング時間を設定できる幅
である。
々の調整不良の問題、レーザビームの集光の限界の問
題、修正部の荒れの問題、および集束イオンビーム照射
による修正における、透明基板へのダメージの問題、ガ
リウムステインの問題を解決できるフオトマスクの残留
欠陥の修正方法を提供する。 【解決手段】 順に、（ａ）残留欠陥部の外周全体にわ
たり、外周から所定幅の領域を残し、それ以外の部分
を、エネルギー線を照射して、物理的に除去する工程
と、（ｂ）物理的に除去されずに残っている残留欠陥部
の外周全体にわたる外周から所定幅の領域を、薬液によ
り化学的なエッチングを施して除去する工程とを実施す
るもので、前記所定幅が、エネルギー線の影響が残留欠
陥部の外部に及ばない幅で、且つ、化学的エッチングに
より外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮光層等へ
の実質的な影響がでないエッチング時間を設定できる幅
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，フォトマスクの残
留欠陥の修正方法に関し、特に、位相シフトフォトマス
クの残留欠陥の修正方法に関する。
留欠陥の修正方法に関し、特に、位相シフトフォトマス
クの残留欠陥の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。例えばＤＲＡ
Ｍを例に挙げると、１６ＭのＤＲＡＭ用レチクルから転
写されるデバイスパターンの線幅は０．５μｍと微細な
ものである。更に、６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパター
ンの場合には、０．３５μｍ線幅の解像が必要となって
きており、従来のステッパーを用いた光露光方式ではも
はや限界にきている。この為、実用レベルで、デバイス
パターンの解像性を上げることができる種々の方法が検
討されている。中でも、現状のステッパー露光方式をそ
のまま使用して、レチクルから転写されるデバイスパタ
ーンの解像性を上げることができる、位相シフトフォト
マスクが注目されるようになってきた。
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。例えばＤＲＡ
Ｍを例に挙げると、１６ＭのＤＲＡＭ用レチクルから転
写されるデバイスパターンの線幅は０．５μｍと微細な
ものである。更に、６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパター
ンの場合には、０．３５μｍ線幅の解像が必要となって
きており、従来のステッパーを用いた光露光方式ではも
はや限界にきている。この為、実用レベルで、デバイス
パターンの解像性を上げることができる種々の方法が検
討されている。中でも、現状のステッパー露光方式をそ
のまま使用して、レチクルから転写されるデバイスパタ
ーンの解像性を上げることができる、位相シフトフォト
マスクが注目されるようになってきた。
【０００３】種々の位相シフトフォトマスクが提案され
ているが、図３（ａ）に示すレベンソン型位相シフトフ
ォトマスク、図３（ｂ）に示すハーフトーン型位相シフ
トフォトマスクが実用レベルで使用されている。尚、図
３（ａ）は透明基板上に繰り返し模様の遮光層を設け、
遮光層間の１個おきのスペース部に露光光の半波長変化
させるシフター部６３１を設けるものであり、図６
（ａ）（イ）は、透明基板６１０に彫り込みを入れて半
波長変化を行う方式のもので基板彫り込み型と言う。透
明基板として石英基板を用いたものは石英彫り込み型と
言う。図６（ａ）（ロ）は遮光層６２１の下にＳｉＯ2
系シフター層６３１を設けて半波長変化を行う方式のも
ので下シフタ型と言う。図６（ａ）（ハ）は遮光層６２
２の上にＳｉＯ2 系シフター層６３２を設けて半波長変
化を行う方式のもので上シフタ型と言う 一方、図６（ｂ）は、ハーフトーンの絵柄パターンを設
け、且つハーフトー部にて半波長変化を行うものであ
り、図６（ｂ）（イ）は酸化窒化膜等からなるハーフト
ーン層の一層を用いたもので、図６（ｂ）（ロ）は酸化
窒化膜６５４、窒化膜６６４等を多層にしたものであ
る。
ているが、図３（ａ）に示すレベンソン型位相シフトフ
ォトマスク、図３（ｂ）に示すハーフトーン型位相シフ
トフォトマスクが実用レベルで使用されている。尚、図
３（ａ）は透明基板上に繰り返し模様の遮光層を設け、
遮光層間の１個おきのスペース部に露光光の半波長変化
させるシフター部６３１を設けるものであり、図６
（ａ）（イ）は、透明基板６１０に彫り込みを入れて半
波長変化を行う方式のもので基板彫り込み型と言う。透
明基板として石英基板を用いたものは石英彫り込み型と
言う。図６（ａ）（ロ）は遮光層６２１の下にＳｉＯ2
系シフター層６３１を設けて半波長変化を行う方式のも
ので下シフタ型と言う。図６（ａ）（ハ）は遮光層６２
２の上にＳｉＯ2 系シフター層６３２を設けて半波長変
化を行う方式のもので上シフタ型と言う 一方、図６（ｂ）は、ハーフトーンの絵柄パターンを設
け、且つハーフトー部にて半波長変化を行うものであ
り、図６（ｂ）（イ）は酸化窒化膜等からなるハーフト
ーン層の一層を用いたもので、図６（ｂ）（ロ）は酸化
窒化膜６５４、窒化膜６６４等を多層にしたものであ
る。
【０００４】このような位相シフトフォトマスクの製造
過程においても、マスクの露光光に対する光透過率を部
分的に損なう残留欠陥が発生することが多々ある。そし
て、マスクに残留欠陥がある場合、転写の際、所望とす
る絵柄を作成することができない為、残留欠陥部を物理
的ないし化学的に除去して、残留欠陥領域およびその周
辺領域の透過率の回復を図る修正が行われているが、デ
パイスの微細化が求められる中、修正しなければならな
い欠陥部のサイズも益々小さくなり、且つ、修正の精度
も厳しく求められるようになってきた。
過程においても、マスクの露光光に対する光透過率を部
分的に損なう残留欠陥が発生することが多々ある。そし
て、マスクに残留欠陥がある場合、転写の際、所望とす
る絵柄を作成することができない為、残留欠陥部を物理
的ないし化学的に除去して、残留欠陥領域およびその周
辺領域の透過率の回復を図る修正が行われているが、デ
パイスの微細化が求められる中、修正しなければならな
い欠陥部のサイズも益々小さくなり、且つ、修正の精度
も厳しく求められるようになってきた。
【０００５】従来、フオトマスクの残留欠陥の修正に
は、ＹＡＧ等のレーザ光を用いて、欠陥部を蒸発させ、
除去させるレーザ光照射修正方法が用いられている。こ
のレーザ光照射修正方法においては、レーザ光をある範
囲に広げ、アパーチャにて、所定の形状（通常は矩
形）、サイズ、強度分布になるようにしたものを、アパ
ーチャを通過後にさらに縮小、集光させ、被修正部へ照
射させており、レーザ光照射領域のサイズを、アパーチ
ャのサイズを変えることにより変え、各種の欠陥サイ
ズ、形状に対応できるようにしていた。しかし、アパー
チャの一調整不良、フォーカス調整不良、光軸調整不良
等で照射される整形されたレーザ光の端では、その強度
は均一となっていないため、修正端部のエッジは直線的
でなくなり、がさつきがあるのが一般的で、場合によっ
てはフオトマスクの遮光膜がめくれてしまうこともあっ
た。またレーザー光を用いて欠陥部を蒸発させて除去す
る際、下地の透明基板（通常は石英基板）の一部、深さ
にして１０〜５０オングストローム程度も一緒に蒸発し
てしまうため、修正部に相当する箇所が荒れる現象が生
じる。ｉ線ステッパーによる露光では特に問題はない
が、フォトマスクの転写の際の露光光がより短波長化し
てくると、修正部の荒れも問題となってくる。例えば、
露光光源としてエキシマレーザーを用いて転写を行う場
合には、大きな問題となってくる。さらには、レーザー
光には回折による集光の限界がある。この限界は一般に
０．５μｍ程度とされている。１６ＭＤＲＡＭレベルで
は、０．５μｍサイズの残留欠陥が検査、修正されてい
るのが現状で、もはやレーザビームの集光の限界であ
り、６４ＭＤＲＡＭレベルにおいては、限界を超えたレ
ベルの修正が求められている。
は、ＹＡＧ等のレーザ光を用いて、欠陥部を蒸発させ、
除去させるレーザ光照射修正方法が用いられている。こ
のレーザ光照射修正方法においては、レーザ光をある範
囲に広げ、アパーチャにて、所定の形状（通常は矩
形）、サイズ、強度分布になるようにしたものを、アパ
ーチャを通過後にさらに縮小、集光させ、被修正部へ照
射させており、レーザ光照射領域のサイズを、アパーチ
ャのサイズを変えることにより変え、各種の欠陥サイ
ズ、形状に対応できるようにしていた。しかし、アパー
チャの一調整不良、フォーカス調整不良、光軸調整不良
等で照射される整形されたレーザ光の端では、その強度
は均一となっていないため、修正端部のエッジは直線的
でなくなり、がさつきがあるのが一般的で、場合によっ
てはフオトマスクの遮光膜がめくれてしまうこともあっ
た。またレーザー光を用いて欠陥部を蒸発させて除去す
る際、下地の透明基板（通常は石英基板）の一部、深さ
にして１０〜５０オングストローム程度も一緒に蒸発し
てしまうため、修正部に相当する箇所が荒れる現象が生
じる。ｉ線ステッパーによる露光では特に問題はない
が、フォトマスクの転写の際の露光光がより短波長化し
てくると、修正部の荒れも問題となってくる。例えば、
露光光源としてエキシマレーザーを用いて転写を行う場
合には、大きな問題となってくる。さらには、レーザー
光には回折による集光の限界がある。この限界は一般に
０．５μｍ程度とされている。１６ＭＤＲＡＭレベルで
は、０．５μｍサイズの残留欠陥が検査、修正されてい
るのが現状で、もはやレーザビームの集光の限界であ
り、６４ＭＤＲＡＭレベルにおいては、限界を超えたレ
ベルの修正が求められている。
【０００６】一方、レーザービームによる修正に代わ
り、微細化に対応できるものとして、集束イオンビーム
により残留欠陥除去する方法が採られるようになってき
た。しかし、この方法の場合、欠陥形状が不定形で、欠
陥箇所のみを修正することが難しく、欠陥の周囲の部分
の透明基板（石英ガラス等）へのダメージを与えること
があると言う問題の他に、イオンビームが通常はガリウ
ムであるため、ガリウムが下地の透明基板に打ち込まれ
る、いわゆるガリウムステインという現象が生じて、修
正部の光の透過率を低下させるという問題もある。
り、微細化に対応できるものとして、集束イオンビーム
により残留欠陥除去する方法が採られるようになってき
た。しかし、この方法の場合、欠陥形状が不定形で、欠
陥箇所のみを修正することが難しく、欠陥の周囲の部分
の透明基板（石英ガラス等）へのダメージを与えること
があると言う問題の他に、イオンビームが通常はガリウ
ムであるため、ガリウムが下地の透明基板に打ち込まれ
る、いわゆるガリウムステインという現象が生じて、修
正部の光の透過率を低下させるという問題もある。
【０００７】最近では、ガリウムステイン低減等のた
め、ガリウムイオンにより励起させて欠陥部のみを選択
的にエッチングするガスアシストエッチング技術が実用
化されつつあるが、この技術を用いても透過率を回復さ
せることは不可能であり、露光光の波長が短かくなれば
なおさらである。
め、ガリウムイオンにより励起させて欠陥部のみを選択
的にエッチングするガスアシストエッチング技術が実用
化されつつあるが、この技術を用いても透過率を回復さ
せることは不可能であり、露光光の波長が短かくなれば
なおさらである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、デバイ
スの微細化加工が求められるに伴い、修正しなければな
らない残留欠陥のサイズも益々小さくなり、且つ、修正
の精度も厳しく求められるようになってきており、従来
のレーザー光照射による修正における、種々の調整不良
の問題、レーザビームの集光の限界の問題、修正部の荒
れの問題、および集束イオンビーム照射による修正にお
ける、透明基板（石英ガラス等）へのダメージの問題、
ガリウムステインの問題が、一層大きな問題となってき
た。本発明は、これに対応するもので、前記問題を解決
できる、且つ、実用レベルの残留欠陥の修正方法を提供
しようとするものである。
スの微細化加工が求められるに伴い、修正しなければな
らない残留欠陥のサイズも益々小さくなり、且つ、修正
の精度も厳しく求められるようになってきており、従来
のレーザー光照射による修正における、種々の調整不良
の問題、レーザビームの集光の限界の問題、修正部の荒
れの問題、および集束イオンビーム照射による修正にお
ける、透明基板（石英ガラス等）へのダメージの問題、
ガリウムステインの問題が、一層大きな問題となってき
た。本発明は、これに対応するもので、前記問題を解決
できる、且つ、実用レベルの残留欠陥の修正方法を提供
しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
残留欠陥修正方法は、残留欠陥があることにより、残留
欠陥領域およびその周辺領域において、露光光の光透過
率が部分的に損なわれているフォトマスクに対して、前
記残留欠陥領域およびその周辺領域の透過率の回復を図
るフォトマスクの修正方法であって、順に、（ａ）残留
欠陥部の外周全体にわたり、外周から所定幅の領域を残
し、それ以外の部分を、エネルギー線を照射して、物理
的に除去する工程と、（ｂ）物理的に除去されずに残っ
ている残留欠陥部の外周全体にわたる外周から所定幅の
領域を、薬液により化学的なエッチングを施して除去す
る工程とを実施するもので、前記所定幅が、エネルギー
線の影響が残留欠陥部の外部に及ばない幅で、且つ、化
学的エッチングにより外周から該所定幅の領域が消失
し、他の遮光層等への実質的な影響がでないエッチング
時間を設定できる幅であることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、エネルギー線がレーザビー
ムであり、必要に応じて、残留欠陥を修正した箇所の透
明基板部の荒れを、薬液により除去すること特徴とする
ものである。また、上記において、エネルギー線が集束
イオンビームであり、必要に応じ、残留欠陥を修正した
箇所の集束イオンビーム照射により発生したガリウムス
ティンを薬液により除去することを特徴とするものであ
る。そしてまた、上記エネルギー線がレーザビームであ
り、化学的なエッチングを施す薬液が熱アルカリないし
フッ酸を主成分とする溶液であることを特徴とするもの
である。また、上記において、エネルギー線が集束イオ
ンビームであり、集束イオンビーム照射により発生した
ガリウムスティンを薬液により除去することを特徴とす
るものである。また、上記において、エネルギー線が集
束イオンビームであり、化学的なエッチングを施す薬液
が熱アルカリないしフッ酸を主成分とする溶液であるこ
とを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、修正の際、集束イオンビーム照射に伴行して、補助
的にガスアシストエッチングを行うことを特徴とするも
のである。そして、上記におけるフォトマスクが位相シ
フトフォトマスクであることを特徴とするものであり、
位相シフトフォトマスクが、ハーフトーン型位相シフト
フォトマスクないしレベンソン型位相シフトフォトマス
クであることを特徴とするものである。更に、レベンソ
ン型位相シフトフォトマスクが、透明基板として石英基
板を用いた石英基板彫り込み型ないし下シフター型であ
ることを特徴とするものであり、遮光層下の石英基板ま
たは位相シフター層にアンダーカットが入っていること
を特徴とするものである。更に、上記において、レベン
ソン型位相シフトフォトマスクが透明基板として石英基
板を用いた石英基板彫り込み型で、遮光層がクロムを主
とするもので、残留欠陥がシフター層となる石英であ
り、物理的な残留欠陥の除去を集束イオンビームで行う
もので、物理的な除去の際に残す残留欠陥の領域を、残
留欠陥部の外周全体にわたり、外周から３０ｎｍ〜４０
０ｎｍの範囲の所定幅の領域とすることを特徴とするも
のである。
残留欠陥修正方法は、残留欠陥があることにより、残留
欠陥領域およびその周辺領域において、露光光の光透過
率が部分的に損なわれているフォトマスクに対して、前
記残留欠陥領域およびその周辺領域の透過率の回復を図
るフォトマスクの修正方法であって、順に、（ａ）残留
欠陥部の外周全体にわたり、外周から所定幅の領域を残
し、それ以外の部分を、エネルギー線を照射して、物理
的に除去する工程と、（ｂ）物理的に除去されずに残っ
ている残留欠陥部の外周全体にわたる外周から所定幅の
領域を、薬液により化学的なエッチングを施して除去す
る工程とを実施するもので、前記所定幅が、エネルギー
線の影響が残留欠陥部の外部に及ばない幅で、且つ、化
学的エッチングにより外周から該所定幅の領域が消失
し、他の遮光層等への実質的な影響がでないエッチング
時間を設定できる幅であることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、エネルギー線がレーザビー
ムであり、必要に応じて、残留欠陥を修正した箇所の透
明基板部の荒れを、薬液により除去すること特徴とする
ものである。また、上記において、エネルギー線が集束
イオンビームであり、必要に応じ、残留欠陥を修正した
箇所の集束イオンビーム照射により発生したガリウムス
ティンを薬液により除去することを特徴とするものであ
る。そしてまた、上記エネルギー線がレーザビームであ
り、化学的なエッチングを施す薬液が熱アルカリないし
フッ酸を主成分とする溶液であることを特徴とするもの
である。また、上記において、エネルギー線が集束イオ
ンビームであり、集束イオンビーム照射により発生した
ガリウムスティンを薬液により除去することを特徴とす
るものである。また、上記において、エネルギー線が集
束イオンビームであり、化学的なエッチングを施す薬液
が熱アルカリないしフッ酸を主成分とする溶液であるこ
とを特徴とするものである。そしてまた、上記におい
て、修正の際、集束イオンビーム照射に伴行して、補助
的にガスアシストエッチングを行うことを特徴とするも
のである。そして、上記におけるフォトマスクが位相シ
フトフォトマスクであることを特徴とするものであり、
位相シフトフォトマスクが、ハーフトーン型位相シフト
フォトマスクないしレベンソン型位相シフトフォトマス
クであることを特徴とするものである。更に、レベンソ
ン型位相シフトフォトマスクが、透明基板として石英基
板を用いた石英基板彫り込み型ないし下シフター型であ
ることを特徴とするものであり、遮光層下の石英基板ま
たは位相シフター層にアンダーカットが入っていること
を特徴とするものである。更に、上記において、レベン
ソン型位相シフトフォトマスクが透明基板として石英基
板を用いた石英基板彫り込み型で、遮光層がクロムを主
とするもので、残留欠陥がシフター層となる石英であ
り、物理的な残留欠陥の除去を集束イオンビームで行う
もので、物理的な除去の際に残す残留欠陥の領域を、残
留欠陥部の外周全体にわたり、外周から３０ｎｍ〜４０
０ｎｍの範囲の所定幅の領域とすることを特徴とするも
のである。
【００１０】また、ここでは、正規パターン以外の残存
した欠陥を総称して残留欠陥と言っており、遮光膜材
質、シフタ層材質、金属異物等からなり、正規パターン
に連続して突出した欠陥、正規パターンとは離れた欠陥
を含む。
した欠陥を総称して残留欠陥と言っており、遮光膜材
質、シフタ層材質、金属異物等からなり、正規パターン
に連続して突出した欠陥、正規パターンとは離れた欠陥
を含む。
【００１１】残留欠陥部の外周全体にわたる外周から所
定幅の領域を残すように、物理的な除去を行うが、これ
は、エネルギー線の照射により残留欠陥部以外の領域
に、エネルギー線の照射の影響が及ぶことを防ぐもので
あり、集束イオンビームではこの幅が３０ｎｍとされて
いる。また、図６の（ａ）（イ）に示す透明基板として
石英基板を用いた石英彫り込み型のレベンソン型の位相
シフトフォトマスクのシフト層の除去の場合には、彫り
込み部の残留欠陥を除去するために、熱アルカリないし
フッ酸系溶液により化学的エッチングを行うが、エッチ
ングは等方性のため彫り込み部の側壁（サイド）にも入
る。このサイドエッチング量は、片側で０．１５μｍ〜
０．２０μｍ程度が好ましいとされている。したがっ
て、彫り込み部の残留欠陥の、化学的エッチングによる
除去の幅としては、０．４０μｍ（４００ｎｍ）が上限
となり、物理的な残留欠陥の除去を集束イオンビームで
行う場合には、この幅を３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で
適当に設定することが可能となる。尚、図６（ａ）
（イ）に示す、石英彫り込み型のレベンソン型位相シフ
トフォトマスクの彫り込み部６３０は、Ｑｚ（石英）を
Ｆ系ガスを用いて異方性のドライエッチングにて作成さ
れるが、異方性エッチングのため、エッチング形状か垂
直となりすぎて、露光する際の光強度が彫り込んでいな
いＱｚ（石英）部より低くなってしまう為、通常、熱ア
ルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を主成分と
した溶液でウエットエッチングを行い、片側１５０ｎｍ
〜２００ｎｍ程度のサイドエッチングを行い露光強度を
回復させている。
定幅の領域を残すように、物理的な除去を行うが、これ
は、エネルギー線の照射により残留欠陥部以外の領域
に、エネルギー線の照射の影響が及ぶことを防ぐもので
あり、集束イオンビームではこの幅が３０ｎｍとされて
いる。また、図６の（ａ）（イ）に示す透明基板として
石英基板を用いた石英彫り込み型のレベンソン型の位相
シフトフォトマスクのシフト層の除去の場合には、彫り
込み部の残留欠陥を除去するために、熱アルカリないし
フッ酸系溶液により化学的エッチングを行うが、エッチ
ングは等方性のため彫り込み部の側壁（サイド）にも入
る。このサイドエッチング量は、片側で０．１５μｍ〜
０．２０μｍ程度が好ましいとされている。したがっ
て、彫り込み部の残留欠陥の、化学的エッチングによる
除去の幅としては、０．４０μｍ（４００ｎｍ）が上限
となり、物理的な残留欠陥の除去を集束イオンビームで
行う場合には、この幅を３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で
適当に設定することが可能となる。尚、図６（ａ）
（イ）に示す、石英彫り込み型のレベンソン型位相シフ
トフォトマスクの彫り込み部６３０は、Ｑｚ（石英）を
Ｆ系ガスを用いて異方性のドライエッチングにて作成さ
れるが、異方性エッチングのため、エッチング形状か垂
直となりすぎて、露光する際の光強度が彫り込んでいな
いＱｚ（石英）部より低くなってしまう為、通常、熱ア
ルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を主成分と
した溶液でウエットエッチングを行い、片側１５０ｎｍ
〜２００ｎｍ程度のサイドエッチングを行い露光強度を
回復させている。
【００１２】
【作用】本発明は、このような構成にすることにより、
従来のレーザー光照射による修正おける、種々の調整不
良にともなう問題、レーザビームの集光の限界からくる
問題、修正部の荒れの問題、および集束イオンビーム照
射による修正における、透明基板（石英ガラス等）への
ダメージの問題、ガリウムステインの問題等を解決で
き、且つ実用レベルである残留欠陥の修正方法の提供を
可能としている。この結果、デバイスの微細化加工に伴
う、フォトマスクの修正における修正する欠陥サイズの
微小化、修正精度の向上に対応できるものとしている。
具体的には、順に、（ａ）残留欠陥部の外周全体にわた
り、外周から所定幅の領域を残し、それ以外の部分を、
エネルギー線を照射して、物理的に除去する工程と、
（ｂ）物理的に除去されずに残っている残留欠陥部の外
周全体にわたる外周から所定幅の領域を、薬液により化
学的なエッチングを施して除去する工程とを実施するも
ので、前記所定幅が、エネルギー線の影響が残留欠陥部
の外部に及ばない幅で、且つ、化学的エッチングにより
外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮光層等への実
質的な影響がでないエッチング時間を設定できる幅であ
ることにより、従来のレーザー光照射による修正おけ
る、種々の調整不良にともなう問題、レーザビームの集
光の限界からくる問題を解決している。そして、エネル
ギー線がレーザビームの場合、必要に応じて、残留欠陥
を修正した箇所のガラス部の荒れを、薬液により除去す
るこにより、レーザビームの修正部の荒れの問題を解決
できるものとしている。更に、通常のクロム層やクロム
層上に酸化クロム層を設けた遮光層と同じ組成の残留欠
陥部の場合、化学的なエッチングを施す薬液が熱アルカ
リないしフッ酸を主成分とする溶液とすることにより、
化学的なエッチングと伴行して石英基板等の透明基板表
面の荒れの除去を同時にできる。また、エネルギー線が
集束イオンビーム場合、必要に応じて、集束イオンビー
ム照射により発生したガリウムスティンを薬液により除
去するこにより、ガリウムステインの問題等を解決でき
るものとしている。更に、化学的なエッチングを施す薬
液が熱アルカリないしフッ酸を主成分とする溶液とする
ことにより、化学的なエッチングと伴行してガリウムス
ティンの除去が可能である。更に、エネルギー線が集束
イオンビームであり、修正の際、集束イオンビーム照射
に伴行して、補助的にガスアシストエッチングを行うこ
とにより、処理性の良いものとしている。
従来のレーザー光照射による修正おける、種々の調整不
良にともなう問題、レーザビームの集光の限界からくる
問題、修正部の荒れの問題、および集束イオンビーム照
射による修正における、透明基板（石英ガラス等）への
ダメージの問題、ガリウムステインの問題等を解決で
き、且つ実用レベルである残留欠陥の修正方法の提供を
可能としている。この結果、デバイスの微細化加工に伴
う、フォトマスクの修正における修正する欠陥サイズの
微小化、修正精度の向上に対応できるものとしている。
具体的には、順に、（ａ）残留欠陥部の外周全体にわた
り、外周から所定幅の領域を残し、それ以外の部分を、
エネルギー線を照射して、物理的に除去する工程と、
（ｂ）物理的に除去されずに残っている残留欠陥部の外
周全体にわたる外周から所定幅の領域を、薬液により化
学的なエッチングを施して除去する工程とを実施するも
ので、前記所定幅が、エネルギー線の影響が残留欠陥部
の外部に及ばない幅で、且つ、化学的エッチングにより
外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮光層等への実
質的な影響がでないエッチング時間を設定できる幅であ
ることにより、従来のレーザー光照射による修正おけ
る、種々の調整不良にともなう問題、レーザビームの集
光の限界からくる問題を解決している。そして、エネル
ギー線がレーザビームの場合、必要に応じて、残留欠陥
を修正した箇所のガラス部の荒れを、薬液により除去す
るこにより、レーザビームの修正部の荒れの問題を解決
できるものとしている。更に、通常のクロム層やクロム
層上に酸化クロム層を設けた遮光層と同じ組成の残留欠
陥部の場合、化学的なエッチングを施す薬液が熱アルカ
リないしフッ酸を主成分とする溶液とすることにより、
化学的なエッチングと伴行して石英基板等の透明基板表
面の荒れの除去を同時にできる。また、エネルギー線が
集束イオンビーム場合、必要に応じて、集束イオンビー
ム照射により発生したガリウムスティンを薬液により除
去するこにより、ガリウムステインの問題等を解決でき
るものとしている。更に、化学的なエッチングを施す薬
液が熱アルカリないしフッ酸を主成分とする溶液とする
ことにより、化学的なエッチングと伴行してガリウムス
ティンの除去が可能である。更に、エネルギー線が集束
イオンビームであり、修正の際、集束イオンビーム照射
に伴行して、補助的にガスアシストエッチングを行うこ
とにより、処理性の良いものとしている。
【００１３】また、フォトマスクが位相シフトフォトマ
スクであることより、デバイスの微細化加工に一層対応
できるものとしており、位相シフトフォトマスクが、実
用レベルのハーフトーン型位相シフトフォトマスクない
しレベンソン型位相シフトフォトマスクであることによ
り、特に有効である。更に詳しくは、レベンソン型位相
シフトフォトマスクが、石英基板彫り込み型ないし下シ
フター型にも有効で、遮光層下の石英基板または位相シ
フター層にアンダーカットが入っている場合にも適用で
きる。特に、図６の（ａ）に示す透明基板として石英基
板を用いた石英彫り込み型のレベンソン型の位相シフト
フォトマスクのシフト層の除去の場合には、化学的エッ
チングにより外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮
光層等への実質的な影響がでないエッチング時間を設定
できる幅としては、上限として４００ｎｍまでとること
ができる処理性の極めて良いものとしている。
スクであることより、デバイスの微細化加工に一層対応
できるものとしており、位相シフトフォトマスクが、実
用レベルのハーフトーン型位相シフトフォトマスクない
しレベンソン型位相シフトフォトマスクであることによ
り、特に有効である。更に詳しくは、レベンソン型位相
シフトフォトマスクが、石英基板彫り込み型ないし下シ
フター型にも有効で、遮光層下の石英基板または位相シ
フター層にアンダーカットが入っている場合にも適用で
きる。特に、図６の（ａ）に示す透明基板として石英基
板を用いた石英彫り込み型のレベンソン型の位相シフト
フォトマスクのシフト層の除去の場合には、化学的エッ
チングにより外周から該所定幅の領域が消失し、他の遮
光層等への実質的な影響がでないエッチング時間を設定
できる幅としては、上限として４００ｎｍまでとること
ができる処理性の極めて良いものとしている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、残留欠陥があることに
より、残留欠陥領域およびその周辺領域において、露光
光の光透過率が部分的に損なわれているフォトマスクに
対して、残留欠陥領域およびその周辺領域の透過率の回
復を図るフォトマスクの修正方法で、透明基板の一面に
クロム、モリブデンシリサイド等の遮光膜を設けた通常
のフオトマスクの他に、図６に示すような各種の位相シ
フトフォトマスクの残留欠陥の修正に適用できるもので
ある。以下、図１に基づいて本発明の残留欠陥の修正方
法を説明する。図１は、本発明の工程概略図で、分かり
易くするため、欠陥箇所のみを示してある。図１（ａ）
（イ）、図１（ｂ）（イ）、図１（ｃ）（イ）は、残留
欠陥１２０を含む箇所の各工程の断面図で、これらに対
応する各工程における残留欠陥を含む平面を示したもの
が、それぞれ、図１（ａ）（ロ）、図１（ｂ）（ロ）、
図１（ｃ）（ロ）である。尚、図１（ａ）（ロ）のＡ１
−Ａ２における断面図が図１（ａ）（イ）であり、図１
（ｂ）、図１（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）に示す対応
する位置における各工程の断面図ないし、平面図を示し
たものである。図１中、１１０は透明基板、１２０は残
留欠陥、１２０Ａ、１２０Ｂは領域部、１２１は外周、
１３０はエネルギー線である。先ず、透明基板１１０上
の残留欠陥１２０（図１（ａ））に対し、残留欠陥部１
２０の外周１２１から３０〜４００ｎｍの領域部１２０
Ａを残し、残留欠陥部の領域部１２０Ａ以外の領域部１
２０Ｂを、エネルギー線１３０を照射して（図１
（ｂ））、物理的に除去する。（図１（ｃ）） エネルギー線１３０としては、残留欠陥部を物理的に除
去できることが必要で、レーザー光、集束イオンビーム
等が挙げられる。レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第
二高調波（５３０ｎｍ）がフオトマスクのクロムないし
モリブデンシリサイドを主成分とする遮光層の除去には
一般的に用いられているが、除去する欠陥の材質やその
目的によっては、ＫｒＦエキシマレーザや赤外線レーザ
である炭酸ガスレーザ等を用いても良い。また、集束イ
オンビームとしてはガリウムイオンを用いるものが一般
的であるが、特に、これには限定されない。次いで、エ
ネルギー線１３０を照射後に残った領域部１２０Ａを薬
品を用いて化学的にエッチング除去する。（図１
（ｄ）） 残留欠陥の材質により薬品を選ぶが、クロム、酸化クロ
ム、酸化窒化クロム、石英の場合には、熱アルカリ溶
液、フッ酸を主成分とする溶液溶液が適用できる。
より、残留欠陥領域およびその周辺領域において、露光
光の光透過率が部分的に損なわれているフォトマスクに
対して、残留欠陥領域およびその周辺領域の透過率の回
復を図るフォトマスクの修正方法で、透明基板の一面に
クロム、モリブデンシリサイド等の遮光膜を設けた通常
のフオトマスクの他に、図６に示すような各種の位相シ
フトフォトマスクの残留欠陥の修正に適用できるもので
ある。以下、図１に基づいて本発明の残留欠陥の修正方
法を説明する。図１は、本発明の工程概略図で、分かり
易くするため、欠陥箇所のみを示してある。図１（ａ）
（イ）、図１（ｂ）（イ）、図１（ｃ）（イ）は、残留
欠陥１２０を含む箇所の各工程の断面図で、これらに対
応する各工程における残留欠陥を含む平面を示したもの
が、それぞれ、図１（ａ）（ロ）、図１（ｂ）（ロ）、
図１（ｃ）（ロ）である。尚、図１（ａ）（ロ）のＡ１
−Ａ２における断面図が図１（ａ）（イ）であり、図１
（ｂ）、図１（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）に示す対応
する位置における各工程の断面図ないし、平面図を示し
たものである。図１中、１１０は透明基板、１２０は残
留欠陥、１２０Ａ、１２０Ｂは領域部、１２１は外周、
１３０はエネルギー線である。先ず、透明基板１１０上
の残留欠陥１２０（図１（ａ））に対し、残留欠陥部１
２０の外周１２１から３０〜４００ｎｍの領域部１２０
Ａを残し、残留欠陥部の領域部１２０Ａ以外の領域部１
２０Ｂを、エネルギー線１３０を照射して（図１
（ｂ））、物理的に除去する。（図１（ｃ）） エネルギー線１３０としては、残留欠陥部を物理的に除
去できることが必要で、レーザー光、集束イオンビーム
等が挙げられる。レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第
二高調波（５３０ｎｍ）がフオトマスクのクロムないし
モリブデンシリサイドを主成分とする遮光層の除去には
一般的に用いられているが、除去する欠陥の材質やその
目的によっては、ＫｒＦエキシマレーザや赤外線レーザ
である炭酸ガスレーザ等を用いても良い。また、集束イ
オンビームとしてはガリウムイオンを用いるものが一般
的であるが、特に、これには限定されない。次いで、エ
ネルギー線１３０を照射後に残った領域部１２０Ａを薬
品を用いて化学的にエッチング除去する。（図１
（ｄ）） 残留欠陥の材質により薬品を選ぶが、クロム、酸化クロ
ム、酸化窒化クロム、石英の場合には、熱アルカリ溶
液、フッ酸を主成分とする溶液溶液が適用できる。
【００１５】エネルギー線１３０としてレーザー光を用
いた場合には、残留欠陥部をレーザー光を照射後によ
り、透明基板１１０の面１１１に荒れが発生するが、透
明基板１１０としては石英が一般的で、熱アルカリ溶
液、フッ酸を主成分とする溶液溶液を用いて領域部１２
０Ａを化学的にエッチング除去する際に、透明基板１１
０の面１１１にもエッチングが入り、滑らかな面とな
り、荒れは無くなる。即ち、領域部１２０Ａのエッチン
グ除去と透明基板１１０の面１１１の荒れの除去（平滑
化）が同時に行われる。（図１（ｅ）（イ）） 尚、エネルギー線１３０としてレーザー光を用いた場合
で、領域部１２０Ａを化学的にエッチング除去する際
に、透明基板１１０の面１１１にエッチングが入らない
ような薬品を用いる場合には、別に、透明基板１１０の
面１１１に滑らかな面とする薬品（熱アルカリ溶液、フ
ッ酸を主成分とする溶液溶液等）による処理を施しても
良い。 また、エネルギー線１３０として、ガリウムイ
オン使用の集束イオンビームを用いた場合、集束イオン
ビーム照射によりガリウムスティンが発生するが、透明
基板１１０としては石英が一般的で、熱アルカリ溶液、
フッ酸を主成分とする溶液溶液を用いて領域部１２０Ａ
を化学的にエッチング除去する際に、これもエッチング
除去されてしまう。尚、エネルギー線１３０として、ガ
リウム集束イオンビームを用いた場合で、領域部１２０
Ａを化学的にエッチング除去する際に、透明基板１１０
の面１１１にエッチングが入らないような薬品を用いる
場合には、別に、透明基板１１０にエッチングがはいる
薬品（熱アルカリ溶液、フッ酸を主成分とする溶液溶液
等）により、ガリウムスティンの除去を行う。（図１
（ｄ）（ロ））
いた場合には、残留欠陥部をレーザー光を照射後によ
り、透明基板１１０の面１１１に荒れが発生するが、透
明基板１１０としては石英が一般的で、熱アルカリ溶
液、フッ酸を主成分とする溶液溶液を用いて領域部１２
０Ａを化学的にエッチング除去する際に、透明基板１１
０の面１１１にもエッチングが入り、滑らかな面とな
り、荒れは無くなる。即ち、領域部１２０Ａのエッチン
グ除去と透明基板１１０の面１１１の荒れの除去（平滑
化）が同時に行われる。（図１（ｅ）（イ）） 尚、エネルギー線１３０としてレーザー光を用いた場合
で、領域部１２０Ａを化学的にエッチング除去する際
に、透明基板１１０の面１１１にエッチングが入らない
ような薬品を用いる場合には、別に、透明基板１１０の
面１１１に滑らかな面とする薬品（熱アルカリ溶液、フ
ッ酸を主成分とする溶液溶液等）による処理を施しても
良い。 また、エネルギー線１３０として、ガリウムイ
オン使用の集束イオンビームを用いた場合、集束イオン
ビーム照射によりガリウムスティンが発生するが、透明
基板１１０としては石英が一般的で、熱アルカリ溶液、
フッ酸を主成分とする溶液溶液を用いて領域部１２０Ａ
を化学的にエッチング除去する際に、これもエッチング
除去されてしまう。尚、エネルギー線１３０として、ガ
リウム集束イオンビームを用いた場合で、領域部１２０
Ａを化学的にエッチング除去する際に、透明基板１１０
の面１１１にエッチングが入らないような薬品を用いる
場合には、別に、透明基板１１０にエッチングがはいる
薬品（熱アルカリ溶液、フッ酸を主成分とする溶液溶液
等）により、ガリウムスティンの除去を行う。（図１
（ｄ）（ロ））
【００１６】
【実施例】更に実施例を挙げて、本発明の残留欠陥の修
正方法を図に基づいて説明する。はじめに、実施例１を
挙げ、図２に基づいて説明する。図２は、実施例１の工
程を示した概略図であり、図２（ａ）（イ）、図２
（ｂ）（イ）、図２（ｃ）（イ）は、残留欠陥２２０を
含む箇所の各工程の断面図で、これらに対応する各工程
における残留欠陥を含む平面を示したものが、それぞ
れ、図２（ａ）（ロ）、図２（ｂ）（ロ）、図２（ｃ）
（ロ）である。尚、図２（ａ）（ロ）のＢ１−Ｂ２の方
向に見た断面図が図２（ａ）（イ）であり、図２
（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ、図２（ａ）に示す対応
する位置における各工程の断面図ないし、平面図を示し
たものである。また、図２（ｄ）は図２（ｂ）（ロ）の
欠陥部を含む領域を拡大して示した図である。図２中、
２１０は透明基板、２１１、２１２は面、２２０は遮光
層、２３０は残留欠陥である。実施例１は、石英基板か
らなる透明基板２１０上に、クロム膜（１３０ｎｍ
厚）、酸化クロム（数ｎｍ厚）を順次積層して設けた遮
光層２２０からなるパターンを形成した通常のフォトマ
スクにおける残留欠陥の除去を行う場合である。フォト
マスクは、６４ＭＤＲＡＭのチップ２個配置したデバイ
ス作製用のレチクルでワードラインレイヤーであり、フ
ォトマスクブランクス上にノボラック系ポジレジストＮ
ＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、レーザ描
画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で描画し、
無機アルカリ現像液で現像し、その開口部のクロムを硝
酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチッン
トにてウエットエッチングし、レジストを剥離、洗浄し
て作製されたものであるが、洗浄後、外観検査機（ＫＬ
Ａ社製３３１）にて欠陥検査したところ、約０．６μｍ
□の遮光膜の残留欠陥（図２の２３０）が検出された。
（図２（ａ）） 先ず、残留欠陥２３０をレーザー修正装置（ＮＥＣ社製
ＳＬ−４５３Ｃ）を用い、ＹＡＧレーザの第二高調波
（５３０ｎｍ）を欠陥２３０の外周から約６０ｎｍの領
域部２３０Ａを残して照射除去した。（図２（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率が約３％低下していた。次い
で、温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液を
攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、欠陥部の残った
部分２３０Ａを化学的にエッチングして除去した。（図
２（ｃ）） 洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定したが、他
の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所の透過率
が回復された。
正方法を図に基づいて説明する。はじめに、実施例１を
挙げ、図２に基づいて説明する。図２は、実施例１の工
程を示した概略図であり、図２（ａ）（イ）、図２
（ｂ）（イ）、図２（ｃ）（イ）は、残留欠陥２２０を
含む箇所の各工程の断面図で、これらに対応する各工程
における残留欠陥を含む平面を示したものが、それぞ
れ、図２（ａ）（ロ）、図２（ｂ）（ロ）、図２（ｃ）
（ロ）である。尚、図２（ａ）（ロ）のＢ１−Ｂ２の方
向に見た断面図が図２（ａ）（イ）であり、図２
（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ、図２（ａ）に示す対応
する位置における各工程の断面図ないし、平面図を示し
たものである。また、図２（ｄ）は図２（ｂ）（ロ）の
欠陥部を含む領域を拡大して示した図である。図２中、
２１０は透明基板、２１１、２１２は面、２２０は遮光
層、２３０は残留欠陥である。実施例１は、石英基板か
らなる透明基板２１０上に、クロム膜（１３０ｎｍ
厚）、酸化クロム（数ｎｍ厚）を順次積層して設けた遮
光層２２０からなるパターンを形成した通常のフォトマ
スクにおける残留欠陥の除去を行う場合である。フォト
マスクは、６４ＭＤＲＡＭのチップ２個配置したデバイ
ス作製用のレチクルでワードラインレイヤーであり、フ
ォトマスクブランクス上にノボラック系ポジレジストＮ
ＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、レーザ描
画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で描画し、
無機アルカリ現像液で現像し、その開口部のクロムを硝
酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチッン
トにてウエットエッチングし、レジストを剥離、洗浄し
て作製されたものであるが、洗浄後、外観検査機（ＫＬ
Ａ社製３３１）にて欠陥検査したところ、約０．６μｍ
□の遮光膜の残留欠陥（図２の２３０）が検出された。
（図２（ａ）） 先ず、残留欠陥２３０をレーザー修正装置（ＮＥＣ社製
ＳＬ−４５３Ｃ）を用い、ＹＡＧレーザの第二高調波
（５３０ｎｍ）を欠陥２３０の外周から約６０ｎｍの領
域部２３０Ａを残して照射除去した。（図２（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率が約３％低下していた。次い
で、温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液を
攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、欠陥部の残った
部分２３０Ａを化学的にエッチングして除去した。（図
２（ｃ）） 洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定したが、他
の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所の透過率
が回復された。
【００１７】次いで、実施例２を挙げ、図３に基づいて
説明する。図３は、実施例２の工程を示した概略図であ
り、図３（ａ）（イ）、図３（ｂ）（イ）、図３（ｃ）
（イ）は、残留欠陥３２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図３（ａ）（ロ）、図３
（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）である。尚、図３
（ａ）（ロ）のＣ１−Ｃ２における断面図が図３（ａ）
（イ）であり、図３（ｂ）、図３（ｃ）はそれぞれ、図
３（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図３（ｄ）は
図３（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図３中、３１０は透明基板、３１１、３１２
は面、３２０はハーフトーン層、、３２１は酸化窒化ク
ロム、３２２は窒化クロム、３３０は残留欠陥、３４０
は集束イオンビーム、３５０はエッチングガスである。
実施例２は、透明基板３１０上に、窒化クロム３２２
（１０ｎｍ厚）、酸化窒化クロム３２１（１３９ｎｍ
厚）を順次積層してなるハーフトーン層３２０からなる
パターンを形成したｉ線ハーフトーン型位相シフトフォ
トマスクにおける残留欠陥の除去を行う場合である。フ
ォトマスクは、１６ＭＤＲＡＭのチップ３個配置したデ
バイス作製用のレチクルでコンタクトホールレイヤー
で、フォトマスクブランクス上にノボラック系ポジレジ
ストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、レ
ーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で描
画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化
窒化クロム及び窒化クロムをジクロロメタン（ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ）と酸素の混合ガスを用いてリアクティブイオンエ
ッチングにてドライエッチングを行いった後、レジスト
を剥離、洗浄して作製されたものであるが、洗浄後、外
観検査機（ＫＬＡ社製３３１）にて欠陥検査したとこ
ろ、約０．４μｍ□の遮光膜の残留欠陥（図３の３３
０）が検出された。（図３（ａ）） 先ず、残留欠陥３３０を集束イオンビーム装置ＳＩＲ１
５００α（セイコー電子工業製）を用い、ガリウムイオ
ン集束イオンビームを欠陥３３０の外周から３０〜５０
ｎｍの領域部３３０Ａを残して照射除去した。（図３
（ｂ）） 酸化窒化クロム３２１及び窒化クロム３２２は熱アルカ
リに対する耐性がクロムより劣るため、残す欠陥形状も
できるだ限り少なくする必要がある。この段階で、透過
率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レーザーテック社
製）により測定した結果は、修正部は他の箇所と比較し
て光透過率が約１０％低下していた。次いで、温度７０
°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液を攪拌しなが
ら、６０分間浸漬処理して、欠陥部の残った部分３３０
Ａを化学的にエッチングして除去した。（図３（ｃ）） 洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定したが、他
の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所の透過率
が回復された。
説明する。図３は、実施例２の工程を示した概略図であ
り、図３（ａ）（イ）、図３（ｂ）（イ）、図３（ｃ）
（イ）は、残留欠陥３２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図３（ａ）（ロ）、図３
（ｂ）（ロ）、図３（ｃ）（ロ）である。尚、図３
（ａ）（ロ）のＣ１−Ｃ２における断面図が図３（ａ）
（イ）であり、図３（ｂ）、図３（ｃ）はそれぞれ、図
３（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図３（ｄ）は
図３（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図３中、３１０は透明基板、３１１、３１２
は面、３２０はハーフトーン層、、３２１は酸化窒化ク
ロム、３２２は窒化クロム、３３０は残留欠陥、３４０
は集束イオンビーム、３５０はエッチングガスである。
実施例２は、透明基板３１０上に、窒化クロム３２２
（１０ｎｍ厚）、酸化窒化クロム３２１（１３９ｎｍ
厚）を順次積層してなるハーフトーン層３２０からなる
パターンを形成したｉ線ハーフトーン型位相シフトフォ
トマスクにおける残留欠陥の除去を行う場合である。フ
ォトマスクは、１６ＭＤＲＡＭのチップ３個配置したデ
バイス作製用のレチクルでコンタクトホールレイヤー
で、フォトマスクブランクス上にノボラック系ポジレジ
ストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、レ
ーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で描
画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化
窒化クロム及び窒化クロムをジクロロメタン（ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ）と酸素の混合ガスを用いてリアクティブイオンエ
ッチングにてドライエッチングを行いった後、レジスト
を剥離、洗浄して作製されたものであるが、洗浄後、外
観検査機（ＫＬＡ社製３３１）にて欠陥検査したとこ
ろ、約０．４μｍ□の遮光膜の残留欠陥（図３の３３
０）が検出された。（図３（ａ）） 先ず、残留欠陥３３０を集束イオンビーム装置ＳＩＲ１
５００α（セイコー電子工業製）を用い、ガリウムイオ
ン集束イオンビームを欠陥３３０の外周から３０〜５０
ｎｍの領域部３３０Ａを残して照射除去した。（図３
（ｂ）） 酸化窒化クロム３２１及び窒化クロム３２２は熱アルカ
リに対する耐性がクロムより劣るため、残す欠陥形状も
できるだ限り少なくする必要がある。この段階で、透過
率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レーザーテック社
製）により測定した結果は、修正部は他の箇所と比較し
て光透過率が約１０％低下していた。次いで、温度７０
°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液を攪拌しなが
ら、６０分間浸漬処理して、欠陥部の残った部分３３０
Ａを化学的にエッチングして除去した。（図３（ｃ）） 洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定したが、他
の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所の透過率
が回復された。
【００１８】次いで、実施例３を挙げ、図４に基づいて
説明する。図４は、実施例３の工程を示した概略図であ
り、図４（ａ）（イ）、図４（ｂ）（イ）、図４（ｃ）
（イ）は、残留欠陥４２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図４（ａ）（ロ）、図４
（ｂ）（ロ）、図４（ｃ）（ロ）である。尚、図４
（ａ）（ロ）のＤ１−Ｄ２から見た断面図が図４（ａ）
（イ）であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）はそれぞれ、図
４（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図４（ｄ）は
図４（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図４中、４１０は透明基板（石英基板Ｑ
ｚ）、４１１、４１２は面、４１５、４１６は側面、４
２０は遮光層、４３０は残留欠陥、４４０は彫り込み部
はシフター部である。実施例３は、石英基板からなる透
明基板４１０上に、クロム膜（１１０ｎｍ厚）、酸化ク
ロム（数ｎｍ厚）を順次積層して設けた遮光層４２０か
らなるパターンを形成したレベンソン型の石英彫り込み
型の位相シフトフォトマスクにおける残留欠陥の除去を
行う場合である。フォトマスクは、６４ＭＤＲＡＭのチ
ップ２個配置したデバイス作製用のレチクルでビットラ
インレイヤーで、フォトマスクブランクス上にノボラッ
ク系ポジレジストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を用
い、ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIII（ＥＴＥＣ社製）で描
画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化
クロムおよびクロムを硝酸第二セリウムアンモニウムを
主成分とするエッチッントにてウエットエッチングし、
レジストを剥離、洗浄して作製されたものに対し、レジ
ストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を再塗布し、ジレ
ジストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、
レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で
描画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部のシ
フター（石英Ｑｚ部）をＣＦ4 ガスを用いドライエッチ
ングし、レジストを剥離、洗浄して作製されたものであ
るが、洗浄後、外観検査機（ＫＬＡ社製３３１）にて欠
陥検査したところ、約１．５μｍ□の遮光膜の残留欠陥
（図２の２３０）が検出された。（図４（ａ）） 先ず、残留欠陥４３０を集束イオンビーム装置ＳＭＩ９
８００（セイコー電子工業製）を用い、ガリウムイオン
集束イオンビームを欠陥４３０の外周から１００ｎｍ〜
２００ｎｍの領域部４３０Ａを残して照射除去した。
（図４（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率が約１０％低下していた。通
常石英彫り込み型のレベンソン型位相シフトフォトマス
クは、Ｑｚ（石英）をＦ系ガスを用いてエッチングした
だけでは、異方性エッチングのためエッチング形状か垂
直となりすぎて、ステッパーへ露光する際の光強度が彫
り込んでいないＱｚ（石英）部より低くなってしまう
為、熱アルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を
主成分とした溶液でウエットエッチングを行い１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍのサイドエッチングを行い露光強度を回
復させる工程が必要となる。この為、次いで、熱アルカ
リ（温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液）
にて攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、１００ｎｍ
〜４００ｎｍのサイドエッチングを行うと同時に、欠陥
部の残った部分４３０Ａを化学的にエッチングして除去
した。（図４（ｃ）） 図４（ａ）に示す面４１１、側面４１５は、処理後、図
４（ｃ）に示す面４１２、側面４１６のように形状が変
化した。洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定し
たが、他の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所
の透過率が回復された。
説明する。図４は、実施例３の工程を示した概略図であ
り、図４（ａ）（イ）、図４（ｂ）（イ）、図４（ｃ）
（イ）は、残留欠陥４２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図４（ａ）（ロ）、図４
（ｂ）（ロ）、図４（ｃ）（ロ）である。尚、図４
（ａ）（ロ）のＤ１−Ｄ２から見た断面図が図４（ａ）
（イ）であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）はそれぞれ、図
４（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図４（ｄ）は
図４（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図４中、４１０は透明基板（石英基板Ｑ
ｚ）、４１１、４１２は面、４１５、４１６は側面、４
２０は遮光層、４３０は残留欠陥、４４０は彫り込み部
はシフター部である。実施例３は、石英基板からなる透
明基板４１０上に、クロム膜（１１０ｎｍ厚）、酸化ク
ロム（数ｎｍ厚）を順次積層して設けた遮光層４２０か
らなるパターンを形成したレベンソン型の石英彫り込み
型の位相シフトフォトマスクにおける残留欠陥の除去を
行う場合である。フォトマスクは、６４ＭＤＲＡＭのチ
ップ２個配置したデバイス作製用のレチクルでビットラ
インレイヤーで、フォトマスクブランクス上にノボラッ
ク系ポジレジストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を用
い、ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIII（ＥＴＥＣ社製）で描
画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部の酸化
クロムおよびクロムを硝酸第二セリウムアンモニウムを
主成分とするエッチッントにてウエットエッチングし、
レジストを剥離、洗浄して作製されたものに対し、レジ
ストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を再塗布し、ジレ
ジストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会社製）を用い、
レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲＥ２５４３）で
描画し、無機アルカリ現像液で現像し、その開口部のシ
フター（石英Ｑｚ部）をＣＦ4 ガスを用いドライエッチ
ングし、レジストを剥離、洗浄して作製されたものであ
るが、洗浄後、外観検査機（ＫＬＡ社製３３１）にて欠
陥検査したところ、約１．５μｍ□の遮光膜の残留欠陥
（図２の２３０）が検出された。（図４（ａ）） 先ず、残留欠陥４３０を集束イオンビーム装置ＳＭＩ９
８００（セイコー電子工業製）を用い、ガリウムイオン
集束イオンビームを欠陥４３０の外周から１００ｎｍ〜
２００ｎｍの領域部４３０Ａを残して照射除去した。
（図４（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率が約１０％低下していた。通
常石英彫り込み型のレベンソン型位相シフトフォトマス
クは、Ｑｚ（石英）をＦ系ガスを用いてエッチングした
だけでは、異方性エッチングのためエッチング形状か垂
直となりすぎて、ステッパーへ露光する際の光強度が彫
り込んでいないＱｚ（石英）部より低くなってしまう
為、熱アルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を
主成分とした溶液でウエットエッチングを行い１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍのサイドエッチングを行い露光強度を回
復させる工程が必要となる。この為、次いで、熱アルカ
リ（温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液）
にて攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、１００ｎｍ
〜４００ｎｍのサイドエッチングを行うと同時に、欠陥
部の残った部分４３０Ａを化学的にエッチングして除去
した。（図４（ｃ）） 図４（ａ）に示す面４１１、側面４１５は、処理後、図
４（ｃ）に示す面４１２、側面４１６のように形状が変
化した。洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定し
たが、他の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所
の透過率が回復された。
【００１９】次いで、実施例４を挙げ、図５に基づいて
説明する。図５は、実施例４の工程を示した概略図であ
り、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）、図５（ｃ）
（イ）は、残留欠陥５２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図５（ａ）（ロ）、図５
（ｂ）（ロ）、図５（ｃ）（ロ）である。尚、図５
（ａ）（ロ）のＥ１−Ｅ２から見た断面図が図５（ａ）
（イ）であり、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ、図
５（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図５（ｄ）は
図５（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図５中、５１０は透明基板（石英基板Ｑ
ｚ）、５１１、５１２は面、５１５、５１６は側面、５
２０は遮光層、５３０は残留欠陥、５４０は彫り込み
部、５５０は集束イオンビーム、５６０はエッチングガ
スである。実施例４は、透明基板上に、クロム、酸化ク
ロムからなる遮光層パターンを形成したレベンソン型の
石英彫り込み型の位相シフトフォトマスクにおける残留
欠陥の除去を行う場合である。実施例４も、実施例３と
同じく、石英基板からなる透明基板５１０上に、クロム
膜（１１０ｎｍ厚）、酸化クロム（数ｎｍ厚）を順次積
層して設けた遮光層５２０からなるパターンを形成した
レベンソン型の石英彫り込み型の位相シフトフォトマス
クにおける残留欠陥の除去を行う場合であるが、ガスア
シストによる処理の場合である。フォトマスクは、６４
ＭＤＲＡＭのチップ２個配置したデバイス作製用のレチ
クルででビットラインレイヤーで、フォトマスクブラン
クス上にノボラック系ポジレジストＥＢＲ９００（東レ
株式会社製）を用い、ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIV（ＥＴ
ＥＣ社製）で描画し、無機アルカリ現像液で現像し、そ
の開口部の酸化クロムおよびクロムを硝酸第二セリウム
アンモニウムを主成分とするエッチッントにてウエット
エッチングし、レジストを剥離、洗浄して作製されたも
のに対し、レジストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を
再塗布し、ジレジストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会
社製）を用い、レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲ
Ｅ２５４３）で描画し、無機アルカリ現像液で現像し、
その開口部のシフター（石英Ｑｚ部）をＣＦ4 ガスを用
いドライエッチングし、レジストを剥離、洗浄して作製
されたものであるが、洗浄後、外観検査機（ＫＬＡ社製
３０１ＳＴＡＲｌｉｇｈｔ））にて欠陥検査したとこ
ろ、約１．０μｍ□の遮光膜の残留欠陥（図２の２３
０）が検出された。（図５（ａ）） 先ず、残留欠陥４３０を集束イオンビーム装置ＳＭＩ９
８００（セイコー電子工業製）を用い、エッチングを補
助するガスアシストエッチングにて、ガリウムイオン集
束イオンビームを照射して、欠陥５３０の外周から１０
０ｎｍ〜２００ｎｍの領域部５３０Ａを残して照射除去
した。（図５（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率はほとんど差がなかった。通
常石英彫り込み型のレベンソン型位相シフトフォトマス
クは、Ｑｚ（石英）をＦ系ガスを用いてエッチングした
だけでは、異方性エッチングのためエッチング形状か垂
直となりすぎて、ステッパーへ露光する際の光強度が彫
り込んでいないＱｚ（石英）部より低くなってしまう
為、熱アルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を
主成分とした溶液でウエットエッチングを行い１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍのサイドエッチングを行い露光強度を回
復させる工程が必要となる。この為、次いで、熱アルカ
リ（温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液）
にて攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、１００ｎｍ
〜４００ｎｍのサイドエッチングを行うと同時に、欠陥
部の残った部分５３０Ａを化学的にエッチングして除去
した。（図５（ｃ）） 図５（ａ）に示す面５１１、側面５１５は、処理後、図
５（ｃ）に示す面５１２、側面５１６のように形状が変
化した。洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定し
たが、他の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所
の透過率が回復された。
説明する。図５は、実施例４の工程を示した概略図であ
り、図５（ａ）（イ）、図５（ｂ）（イ）、図５（ｃ）
（イ）は、残留欠陥５２０を含む箇所の各工程の断面図
で、これらに対応する各工程における残留欠陥を含む平
面を示したものが、それぞれ、図５（ａ）（ロ）、図５
（ｂ）（ロ）、図５（ｃ）（ロ）である。尚、図５
（ａ）（ロ）のＥ１−Ｅ２から見た断面図が図５（ａ）
（イ）であり、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ、図
５（ａ）に示す対応する位置における各工程の断面図な
いし、平面図を示したものである。また、図５（ｄ）は
図５（ｂ）（ロ）の欠陥部を含む領域を拡大して示した
図である。図５中、５１０は透明基板（石英基板Ｑ
ｚ）、５１１、５１２は面、５１５、５１６は側面、５
２０は遮光層、５３０は残留欠陥、５４０は彫り込み
部、５５０は集束イオンビーム、５６０はエッチングガ
スである。実施例４は、透明基板上に、クロム、酸化ク
ロムからなる遮光層パターンを形成したレベンソン型の
石英彫り込み型の位相シフトフォトマスクにおける残留
欠陥の除去を行う場合である。実施例４も、実施例３と
同じく、石英基板からなる透明基板５１０上に、クロム
膜（１１０ｎｍ厚）、酸化クロム（数ｎｍ厚）を順次積
層して設けた遮光層５２０からなるパターンを形成した
レベンソン型の石英彫り込み型の位相シフトフォトマス
クにおける残留欠陥の除去を行う場合であるが、ガスア
シストによる処理の場合である。フォトマスクは、６４
ＭＤＲＡＭのチップ２個配置したデバイス作製用のレチ
クルででビットラインレイヤーで、フォトマスクブラン
クス上にノボラック系ポジレジストＥＢＲ９００（東レ
株式会社製）を用い、ＥＢ描画装置ＭＥＢＥＳIV（ＥＴ
ＥＣ社製）で描画し、無機アルカリ現像液で現像し、そ
の開口部の酸化クロムおよびクロムを硝酸第二セリウム
アンモニウムを主成分とするエッチッントにてウエット
エッチングし、レジストを剥離、洗浄して作製されたも
のに対し、レジストＥＢＲ９００（東レ株式会社製）を
再塗布し、ジレジストＮＰＲ８９５Ｉ（長瀬産業株式会
社製）を用い、レーザ描画装置（ＥＴＥＣ社製 ＣＯＲ
Ｅ２５４３）で描画し、無機アルカリ現像液で現像し、
その開口部のシフター（石英Ｑｚ部）をＣＦ4 ガスを用
いドライエッチングし、レジストを剥離、洗浄して作製
されたものであるが、洗浄後、外観検査機（ＫＬＡ社製
３０１ＳＴＡＲｌｉｇｈｔ））にて欠陥検査したとこ
ろ、約１．０μｍ□の遮光膜の残留欠陥（図２の２３
０）が検出された。（図５（ａ）） 先ず、残留欠陥４３０を集束イオンビーム装置ＳＭＩ９
８００（セイコー電子工業製）を用い、エッチングを補
助するガスアシストエッチングにて、ガリウムイオン集
束イオンビームを照射して、欠陥５３０の外周から１０
０ｎｍ〜２００ｎｍの領域部５３０Ａを残して照射除去
した。（図５（ｂ）） この段階で、透過率を位相差測定機ＭＰＭ−２４８（レ
ーザーテック社製）により測定した結果は、修正部は他
の箇所と比較して光透過率はほとんど差がなかった。通
常石英彫り込み型のレベンソン型位相シフトフォトマス
クは、Ｑｚ（石英）をＦ系ガスを用いてエッチングした
だけでは、異方性エッチングのためエッチング形状か垂
直となりすぎて、ステッパーへ露光する際の光強度が彫
り込んでいないＱｚ（石英）部より低くなってしまう
為、熱アルカリ、もしくはフッ酸を主成分とする溶液を
主成分とした溶液でウエットエッチングを行い１００ｎ
ｍ〜４００ｎｍのサイドエッチングを行い露光強度を回
復させる工程が必要となる。この為、次いで、熱アルカ
リ（温度７０°Ｃ±１°Ｃの１０％のＮａＯＨ溶液液）
にて攪拌しながら、６０分間浸漬処理して、１００ｎｍ
〜４００ｎｍのサイドエッチングを行うと同時に、欠陥
部の残った部分５３０Ａを化学的にエッチングして除去
した。（図５（ｃ）） 図５（ａ）に示す面５１１、側面５１５は、処理後、図
５（ｃ）に示す面５１２、側面５１６のように形状が変
化した。洗浄後、修正箇所の透過率を同様にして測定し
たが、他の箇所と比較してほとんど差が無く、修正箇所
の透過率が回復された。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、上記の通り、従来のレーザー
光照射による修正おける、種々の調整不良にともなう問
題、レーザビームの集光の限界からくる問題、修正部の
荒れの問題、および集束イオンビーム照射による修正に
おける、透明基板（石英ガラス等）へのダメージの問
題、ガリウムステインの問題等を解決でき、且つ実用レ
ベルの残留欠陥の修正方法の提供を可能としている。こ
の結果、本発明を位相シフトフォトマスク等の修正に用
いることにより、デバイスの微細化加工に対応できるも
のとしている。
光照射による修正おける、種々の調整不良にともなう問
題、レーザビームの集光の限界からくる問題、修正部の
荒れの問題、および集束イオンビーム照射による修正に
おける、透明基板（石英ガラス等）へのダメージの問
題、ガリウムステインの問題等を解決でき、且つ実用レ
ベルの残留欠陥の修正方法の提供を可能としている。こ
の結果、本発明を位相シフトフォトマスク等の修正に用
いることにより、デバイスの微細化加工に対応できるも
のとしている。
【図１】本発明の実施の形態を示した工程図
【図２】実施例１を説明するため工程図
【図３】実施例２を説明するため工程図
【図４】実施例３を説明するため工程図
【図５】実施例４を説明するため工程図
【図６】位相シフトフォトマスクを説明するための図
１１０ 透明基板 １２０ 残留欠陥 １２０Ａ、１２０Ｂ 領域部 １２１ 外周 １３０ エネルギー線 ２１０ 透明基板 ２１１、２１２ 面 ２２０ 遮光層 ２２１ クロム ２２２ 酸化クロム ２３０ 残留欠陥 ３１０ 透明基板 ３１１、３１２ 面 ３２０ ハーフトーン層 ３２１ 酸化窒化クロム ３２２ 窒化クロム ３３０ 残留欠陥 ３４０ 集束イオンビーム ３５０ エッチングガス ４１０ 透明基板（石英基板Ｑ
ｚ） ４１１、４１２ 面 ４１５、４１６ 側面 ４２０ 遮光層 ４３０ 残留欠陥 ４４０ 彫り込み部 ５１０ 透明基板（石英基板Ｑ
ｚ） ５１１、５１２ 面 ５１５、５１６ 側面 ５２０ 遮光層 ５３０ 残留欠陥 ５４０ 彫り込み部 ５５０ 集束イオンビーム ５６０ エッチングガス ６１０、６１１、６１２、６１３、６１４ 透明基板 ６２０、６２１、６２２ 遮光層 ６３０ 彫り込み部 ６３１、６３２ ＳｉＯ2 系シフター層 ６４２ エッチングストッパー層 ６５３、６５４ 酸化窒化膜 ６６４ 窒化膜
ｚ） ４１１、４１２ 面 ４１５、４１６ 側面 ４２０ 遮光層 ４３０ 残留欠陥 ４４０ 彫り込み部 ５１０ 透明基板（石英基板Ｑ
ｚ） ５１１、５１２ 面 ５１５、５１６ 側面 ５２０ 遮光層 ５３０ 残留欠陥 ５４０ 彫り込み部 ５５０ 集束イオンビーム ５６０ エッチングガス ６１０、６１１、６１２、６１３、６１４ 透明基板 ６２０、６２１、６２２ 遮光層 ６３０ 彫り込み部 ６３１、６３２ ＳｉＯ2 系シフター層 ６４２ エッチングストッパー層 ６５３、６５４ 酸化窒化膜 ６６４ 窒化膜
Claims (11)
- 【請求項１】 残留欠陥があることにより、残留欠陥領
域およびその周辺領域において、露光光の光透過率が部
分的に損なわれているフォトマスクに対して、前記残留
欠陥領域およびその周辺領域の透過率の回復を図るフォ
トマスクの修正方法であって、順に、（ａ）残留欠陥部
の外周全体にわたり、外周から所定幅の領域を残し、そ
れ以外の部分を、エネルギー線を照射して、物理的に除
去する工程と、（ｂ）物理的に除去されずに残っている
残留欠陥部の外周全体にわたる外周から所定幅の領域
を、薬液により化学的なエッチングを施して除去する工
程とを実施するもので、前記所定幅が、エネルギー線の
影響が残留欠陥部の外部に及ばない幅で、且つ、化学的
エッチングにより外周から該所定幅の領域が消失し、他
の遮光層等への実質的な影響がでないエッチング時間を
設定できる幅であることを特徴とするフォトマスクの残
留欠陥修正方法。 - 【請求項２】 請求項１において、エネルギー線がレー
ザビームであり、必要に応じて、残留欠陥を修正した箇
所の透明基板部の荒れを、薬液により除去すること特徴
とするフォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項３】 請求項１において、エネルギー線がレー
ザビームであり、化学的なエッチングを施す薬液が熱ア
ルカリないしフッ酸を主成分とする溶液であることを特
徴とするフォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項４】 請求項１において、エネルギー線が集束
イオンビームであり、必要に応じ、残留欠陥を修正した
箇所の集束イオンビーム照射により発生したガリウムス
ティンを薬液により除去することを特徴とするフォトマ
スクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項５】 請求項１において、エネルギー線が集束
イオンビームであり、化学的なエッチングを施す薬液が
熱アルカリないしフッ酸を主成分とする溶液であること
を特徴とするフォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項６】 請求項４ないし５において、修正の際、
集束イオンビーム照射に伴行して、補助的にガスアシス
トエッチングを行うことを特徴とするフォトマスクの残
留欠陥修正方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６におけるフォトマスク
が位相シフトフォトマスクであることを特徴とするフォ
トマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項８】 請求項７における位相シフトフォトマス
クが、ハーフトーン型位相シフトフォトマスク、レベン
ソン型位相シフトフォトマスクであることを特徴とする
フォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項９】 請求項８におけるレベンソン型位相シフ
トフォトマスクが、透明基板として石英基板を用いた石
英基板彫り込み型ないし、下シフター型であることを特
徴とするフォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項１０】 請求項９において、遮光層下の石英基
板または位相シフター層にアンダーカットが入っている
ことを特徴とするフォトマスクの残留欠陥修正方法。 - 【請求項１１】 請求項９ないし１０において、レベン
ソン型位相シフトフォトマスクが透明基板として石英基
板を用いた石英基板彫り込み型で、遮光層がクロムを主
とするもので、残留欠陥がシフター層となる石英であ
り、物理的な残留欠陥の除去を集束イオンビームで行う
もので、物理的な除去の際に残す残留欠陥の領域を、残
留欠陥部の外周全体にわたり、外周から３０ｎｍ〜４０
０ｎｍの範囲の所定幅の領域とすることを特徴とするフ
ォトマスクの残留欠陥修正方法。
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|---|---|---|---|
| JP32902896A JP3388421B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | フォトマスクの残留欠陥修正方法 |
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| TW086117715A TW400566B (en) | 1996-11-26 | 1997-11-25 | Method for repairing photomask by removing residual defect in said photomask |
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| JP32902896A JP3388421B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | フォトマスクの残留欠陥修正方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10161293A true JPH10161293A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3388421B2 JP3388421B2 (ja) | 2003-03-24 |
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Cited By (3)
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| JP2009098369A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 |
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| US6322935B1 (en) | 2000-02-28 | 2001-11-27 | Metron Technology | Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask |
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1996
- 1996-11-26 JP JP32902896A patent/JP3388421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-25 US US08/976,453 patent/US5965301A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-25 TW TW086117715A patent/TW400566B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-11-26 KR KR1019970063091A patent/KR100264023B1/ko not_active IP Right Cessation
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