JP5373298B2 - Euvlマスクの加工方法 - Google Patents
Euvlマスクの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5373298B2 JP5373298B2 JP2008053592A JP2008053592A JP5373298B2 JP 5373298 B2 JP5373298 B2 JP 5373298B2 JP 2008053592 A JP2008053592 A JP 2008053592A JP 2008053592 A JP2008053592 A JP 2008053592A JP 5373298 B2 JP5373298 B2 JP 5373298B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorption layer
- etching
- gas
- layer
- euvl mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 104
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- -1 xenon halide Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical group [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 46
- 150000003736 xenon Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 82
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 41
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
この発明によれば、エッチング工程において新たに露出した吸収層の側面に、酸化剤供給工程において側面酸化層を形成することができる。なおハロゲン化キセノンガスは、EUVLマスクの吸収層およびその酸化層に対してエッチング選択性を有する。またハロゲン化キセノンガスによる化学的エッチングが等方性エッチングであるのに対し、荷電粒子ビームによる物理的エッチングは異方性エッチングであり、全体として異方性エッチングが支配的となる。そのため次のエッチング工程では、吸収層の側面酸化層を残しつつ、吸収層の上面をエッチングすることができる。また、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することにより、1回のエッチング工程が短時間になる。これにより、各エッチング工程において新たに露出する吸収層の側面がエッチングされるのを最小限に留めることができる。以上により、吸収層のサイドエッチングを抑制することが可能になり、吸収層のパターンを精度よく加工することができる。
この発明によれば、吸収層に対して確実に側面酸化層を形成することができる。なおエッチング工程においてハロゲン化キセノンガスを、酸化剤供給工程において水を、それぞれ別々に供給するので、ハロゲン化キセノンガスが水によって分解されるのを防止することができる。
この発明によれば、新たに露出する吸収層の側面に側面酸化層を形成しつつ、吸収層の上面のエッチングを進行させることが可能になる。すなわち、吸収層の側面を常に酸化層で保護することが可能になり、吸収層のサイドエッチングを確実に防止することができる。これにより、吸収層のパターンを極めて精度よく加工することができる。
この発明によれば、吸収層に対して確実に側面酸化層を形成することができる。またハロゲン化キセノンガスおよび酸化剤を交互に供給する場合と比べて、製造工程を簡略化することができる。
(マスク加工装置)
図1はマスク加工装置の概略構成を示す模式的な斜視図であり、図2は断面図である。図1および図2に示すように、本実施形態のマスク加工装置100は、集束イオンビーム(Focused Ion Beam;FIB)を照射してマスクの欠陥修正を行うものであり、イオンビーム照射系20と、試料ステージ16と、真空室13と、二次荷電粒子検出器18と、ガス銃11とを備えている。真空室13は、内部を所定の真空度まで減圧可能になっており、上記の各構成品はそれらの一部または全部が真空室13内に配置されている。試料ステージ16は、試料Waが載置される試料台14をXY2軸で移動可能に支持している。
図2に示すように、イオンビーム照射系20の概略構成は、イオンを発生させるとともに流出させるイオン源21と、イオン源21から引き出されたイオンを集束イオンビームであるイオンビーム20Aに成形するイオン光学系25とを備えている。
二次荷電粒子検出器18は、イオンビーム照射系20から試料Waへイオンビーム20Aが照射された際に、試料Waから発せられる二次電子や二次イオンを検出するものである。
例えば、ガス銃11からエッチングアシストガスを供給しながら、試料Waにイオンビーム20Aを照射することで、ガスアシストエッチングを行うことができる。これにより、イオンビーム20Aの物理的なスパッタのみによる場合に比べて、試料Waのエッチング速度(エッチングレート)を高めることができる。
また、ガス銃11からデポジション用ガスを供給しながら、試料Waにイオンビーム20Aを照射すれば、ガスアシストデポジションを行うことができる。これにより、試料Wa上に金属や絶縁体の堆積物あるいは成膜物を形成することができる。
また、制御装置30は画像処理部を備えている。画像処理部は、生成された画像データに画像処理を施して試料Waの形状情報を取得し、例えば試料Waの正常な形状情報と比較するなどして欠陥を抽出し、欠陥の種類、位置、大きさなどの欠陥情報を取得する。このため制御装置30では、試料Waにイオンビーム20Aを照射した際に発生する二次荷電粒子40の出力を利用して、試料Waの欠陥修正前後の形状を解析することができるようになっている。
また、制御装置30は、ソフトウェアの指令やオペレータの入力に基づいて試料ステージ16を駆動し、試料Waの位置や姿勢を調整する。これにより、試料表面におけるイオンビーム20Aの照射位置を調整できるようになっている。
次に、前記マスク加工装置を用いたEUVLマスクの加工方法について説明する。
図3はEUVLマスクの説明図であり、図3(a)は部分平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A線における側面断面図である。図3(b)に示すように、EUVLマスク50は、石英等の基板(不図示)の表面全体に形成されたEUV光を反射する反射層52と、反射層52の表面に所定パターンに形成されたSiキャップ層54a、バッファ層54bおよび吸収層56を備えている。反射層52は、約4nmのMo層および約3nmのSi層を交互に40層程度に積層したものである。
ところで図3(a)に示すように、吸収層56および酸化層58が所定パターンからはみ出して黒欠陥60が形成される場合がある。このようなEUVLマスクを用いてリソグラフィを行うと、黒欠陥60ではEUV光が反射されないため、露光されたウェーハ上のパターンが設計値からずれることになり、デバイス性能の低下または不良や、ずれが大きいときには配線のショートもしくは断線が起こることになる。そこで、上述したマスク加工装置を用いて黒欠陥を除去する加工を行う。
次に、EUVLマスクの欠陥情報を取得する観察工程を行う。観察工程では、ガス銃11からのガス供給を停止した状態で、イオンビーム照射系20からEUVLマスクに対して、エッチングが起こらない程度の出力のイオンビーム20Aを照射する。これにより、図2に示すようにEUVLマスクの吸収層から二次荷電粒子40が放射され、放出された二次荷電粒子40が二次荷電粒子検出器18によって検出される。
また、この画像データは表示装置38に拡大表示される。そのため、マスク加工装置100のオペレータは、表示装置38を通して黒欠陥およびその近傍の様子を観察することができる。
図4および図5は、本実施形態に係るEUVLマスクの加工方法における黒欠陥修正工程の工程図である。なお図4および図5では、図面を見やすくするため、EUVLマスクのSiキャップ層およびバッファ層の記載を省略している。まず図4(a)に示すように、ガス銃11からエッチングアシストガス71を供給するとともに、イオンビーム照射系20からイオンビーム20Aを照射して、黒欠陥60をエッチングする(第1エッチング工程)。
第1酸化剤供給工程では、酸化剤ガス72により、新たに露出した吸収層56のうち、少なくとも吸収層56の側面を酸化する。具体的には、吸収層56の側面を酸化して側面酸化層56bを形成するとともに、吸収層56の上面を酸化して上面酸化層56aを形成する。
このように、エッチング工程および酸化剤供給工程を交互に複数回実施する。例えば、エッチング工程および酸化剤供給工程を1分間ずつ交互に実施する。
また、最後のエッチング工程の後にも酸化剤供給工程を実施することが望ましい。これにより、図5(d)に示すように、黒欠陥が除去された吸収層56の側面全体に側面酸化層56b,56cを形成することが可能になり、吸収層56をフッ化キセノンに耐性のある酸化層で保護して、フッ化キセノンによるサイドエッチングを抑えることができる。
この構成によれば、エッチング工程において新たに露出した吸収層56の側面に、酸化剤供給工程において側面酸化層56bを形成することができる。なおフッ化キセノンガスは、EUVLマスクの吸収層およびその酸化層に対してエッチング選択性を有する。またフッ化キセノンガスによる化学的エッチングが等方性エッチングであるのに対し、イオンビームによる物理的エッチングは異方性エッチングであり、全体として異方性エッチングが支配的となる。そのため次のエッチング工程では、吸収層56の側面酸化層56bを残しつつ、吸収層56の上面をエッチングすることができる。また、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することにより、1回のエッチング工程が短時間になる。これにより、各エッチング工程において新たに露出する吸収層56の側面がサイドエッチングされるのを最小限に留めることができる。以上により、吸収層56のサイドエッチングを抑制することが可能になり、吸収層56のパターンを精度よく加工することができる。
次に、第2実施形態に係るEUVLマスクの加工方法について説明する。第2実施形態では、エッチング工程においてフッ化キセノンガスとともに酸化剤を同時供給する点で、第1実施形態と相違している。なお第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
このエッチング工程を継続して実施し、図6(b)に示すように、黒欠陥60の全体を除去する。なお吸収層56の側面全体に側面酸化層56bが形成された状態で、エッチング工程を終了することができる。
この構成によれば、吸収層56の上面をエッチングする際に、その側面を常に側面酸化層56bで保護することが可能になり、吸収層56の側面がサイドエッチングされるのを確実に防止することができる。これにより、吸収層56のパターンを極めて精度よく加工することができる。またフッ化キセノンガス71および酸化剤ガス72を交互に供給する場合と比べて、製造工程を簡略化することができる。
例えば、前記実施形態ではEUVLマスクに照射する荷電粒子ビームとしてイオンビームを採用したが、電子ビームを採用することも可能である。
Claims (4)
- EUVLマスクにおける吸収層に、ハロゲン化キセノンガスを供給しつつ荷電粒子ビームを照射して、前記吸収層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程を有するEUVLマスクの加工方法であって、
前記エッチング工程の後に、前記吸収層に酸化剤を供給する酸化剤供給工程を有し、
前記エッチング工程と前記酸化剤供給工程とを交互に複数回実施して、前記酸化剤供給工程後の前記エッチング工程では、前記吸収層の表面の酸化層および前記吸収層の少なくとも一部をエッチングすることを特徴とするEUVLマスクの加工方法。 - 前記酸化剤は、水であることを特徴とする請求項1に記載のEUVLマスクの加工方法。
- EUVLマスクにおける吸収層に、ハロゲン化キセノンガスを供給しつつ荷電粒子ビームを照射して、前記吸収層の少なくとも一部をエッチングするエッチング工程を有するEUVLマスクの加工方法であって、
前記エッチング工程では、前記ハロゲン化キセノンガスとともに酸化剤を供給して、前記吸収層の表面の酸化層および前記吸収層の少なくとも一部をエッチングすることを特徴とするEUVLマスクの加工方法。 - 前記酸化剤は、オゾンガスであることを特徴とする請求項3に記載のEUVLマスクの加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053592A JP5373298B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | Euvlマスクの加工方法 |
TW098101903A TWI485506B (zh) | 2008-03-04 | 2009-01-19 | 用於製造極度紫外光微影光罩的方法 |
KR20090004491A KR101511790B1 (ko) | 2008-03-04 | 2009-01-20 | Euvl 마스크의 가공 방법 |
US12/380,872 US7927769B2 (en) | 2008-03-04 | 2009-03-03 | Method for fabricating EUVL mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053592A JP5373298B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | Euvlマスクの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009210805A JP2009210805A (ja) | 2009-09-17 |
JP5373298B2 true JP5373298B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=41053954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008053592A Active JP5373298B2 (ja) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | Euvlマスクの加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7927769B2 (ja) |
JP (1) | JP5373298B2 (ja) |
KR (1) | KR101511790B1 (ja) |
TW (1) | TWI485506B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107108895B (zh) * | 2014-10-24 | 2020-10-16 | 索尔维特殊聚合物美国有限责任公司 | 用于使用至少一种有机碱制造聚(芳基醚)的方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5707696B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
JP5662123B2 (ja) | 2010-02-02 | 2015-01-28 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Euvマスク修正装置および方法 |
JP5941522B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2016-06-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イオンビーム装置 |
JP5581797B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-09-03 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
JP5471798B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-04-16 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク |
JP2012063699A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 透過型フォトマスクの製造方法 |
JP5772185B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2015-09-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
JP6369021B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-08-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク |
US9934969B2 (en) * | 2014-01-31 | 2018-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Charged-particle-beam patterning without resist |
KR102235616B1 (ko) | 2014-08-14 | 2021-04-02 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크, 포토마스크 제조방법, 및 포토마스크를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
KR102469807B1 (ko) * | 2015-10-28 | 2022-11-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반사형 포토마스크의 제조방법 |
US10620529B2 (en) * | 2016-09-06 | 2020-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks |
JP6928943B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-09-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP6845122B2 (ja) * | 2017-11-27 | 2021-03-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP7244067B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-03-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | マスク欠陥修正装置、及びマスク欠陥修正方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3513124B2 (ja) * | 1992-11-02 | 2004-03-31 | 株式会社東芝 | 成膜方法 |
JP3310136B2 (ja) * | 1994-09-17 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
JPH10135103A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写用マスクまたはx線転写用マスクの製造方法 |
JP3388421B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2003-03-24 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの残留欠陥修正方法 |
US6440615B1 (en) * | 1999-02-09 | 2002-08-27 | Nikon Corporation | Method of repairing a mask with high electron scattering and low electron absorption properties |
JP3479838B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | パターン修正方法及びパターン修正装置 |
JP3626453B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-03-09 | 株式会社東芝 | フォトマスクの修正方法及び修正装置 |
JP2004012779A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Sony Corp | マスクの検査方法およびマスク欠陥検査装置 |
DE10338019A1 (de) | 2003-08-19 | 2005-03-24 | Nawotec Gmbh | Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen |
JP2005260057A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sii Nanotechnology Inc | Euvリソグラフィ用マスクの黒欠陥修正方法 |
JP2005260056A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sii Nanotechnology Inc | Dlcメンブレンマスクの欠陥修正方法 |
JP4535270B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2010-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
JP5200327B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-06-05 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法、並びに、極端紫外光の露光方法 |
KR20080001023A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
JP5053030B2 (ja) * | 2007-10-16 | 2012-10-17 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 |
JP2009188047A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Sii Nanotechnology Inc | Euvlマスクの黒欠陥修正方法 |
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008053592A patent/JP5373298B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-19 TW TW098101903A patent/TWI485506B/zh active
- 2009-01-20 KR KR20090004491A patent/KR101511790B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-03 US US12/380,872 patent/US7927769B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107108895B (zh) * | 2014-10-24 | 2020-10-16 | 索尔维特殊聚合物美国有限责任公司 | 用于使用至少一种有机碱制造聚(芳基醚)的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI485506B (zh) | 2015-05-21 |
US20090226825A1 (en) | 2009-09-10 |
JP2009210805A (ja) | 2009-09-17 |
US7927769B2 (en) | 2011-04-19 |
KR101511790B1 (ko) | 2015-04-13 |
TW200944934A (en) | 2009-11-01 |
KR20090095460A (ko) | 2009-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5373298B2 (ja) | Euvlマスクの加工方法 | |
EP1710327B1 (en) | Method of beam-induced selective etching of a material from a quartz substrate | |
US7927770B2 (en) | Defect correction method for EUV mask | |
JP5896540B2 (ja) | 粒子ビームを用いた処理中に基板を保護する方法及び装置 | |
US6897157B2 (en) | Method of repairing an opaque defect on a mask with electron beam-induced chemical etching | |
US6753538B2 (en) | Electron beam processing | |
US8368018B2 (en) | Method and apparatus for charged particle beam inspection | |
US20150107617A1 (en) | Method of cleaning photomask | |
US7576340B2 (en) | Focused ion beam processing method | |
JP2009188047A (ja) | Euvlマスクの黒欠陥修正方法 | |
JP5053030B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 | |
US6030731A (en) | Method for removing the carbon halo caused by FIB clear defect repair of a photomask | |
JP2000010260A (ja) | マスク修正装置の黒欠陥修正方法 | |
US20170123304A1 (en) | Method of fabricating reflective photomask | |
TWI501025B (zh) | 修復微影光罩的方法及裝置 | |
JP2699196B2 (ja) | X線露光用マスクの製造方法 | |
JP2012124372A (ja) | 反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスク欠陥修正装置 | |
JP5471798B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法および反射型マスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110114 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20121122 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5373298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |