JP2005260056A - Dlcメンブレンマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
Dlcメンブレンマスクの欠陥修正方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 DLC膜を導電性のAFM探針4で陽極酸化するとDLCが基板や針先に吸着した水分5と反応し、酸化されCO2等の揮発性の成分7に変わり、局所的に除去されることを利用する。AFMの観察で黒欠陥領域3を認識し、加工途中で高さをモニターしながら選択的な走査で黒欠陥領域3のみ繰り返し陽極酸化を行って黒欠陥を除去する。またはオゾン雰囲気下での走査近接場光学顕微鏡探針からの局所VUV光照射でDLCが酸化され揮発性成分となって除去されることを利用し、陽極酸化と同様な方法で黒欠陥を除去する。
【選択図】 図1
Description
I. Amemiya, H. Yamashita, S. Na katsuka, M. Tsukahara, and O. Nagarekawa, J. Vac. Sci. Technol. B21 3032-3036(2003) M. Okada, S. Shimizu, S. Kawata, and T. Kaito, J. Vac. Sci. Technol. B18 3254-3258(2000) Y. Morikawa, H. Kokubo, M. Nishiguchi, N. Hayashi, R. White, R. Bozak, and L. Terrill, Proc. of SPIE 5130 520-527(2003)
AFMの観察で黒欠陥領域を認識し、選択的な走査で黒欠陥領域のみ繰り返し陽極酸化を行って黒欠陥を除去する。オーバーエッチしないように加工途中で高さをモニターし、メンブレンと同じ高さのところで加工を終了させる。
2 DLCメンブレン(透過部分)
3 黒欠陥部分
4 導電性探針
5 吸着した水分
6 パルス電源
7 酸化による揮発成分
8 走査近接場光学顕微鏡探針
9 オゾン供給系
10 VUV光源
11 近接場光
12 導電性の単層または多層のカーボンナノチューブ
Claims (6)
- DLCメンブレンマスクの黒欠陥を走査プローブ顕微鏡の導電性探針を用いた陽極酸化で除去することを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- 請求項1記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法において、加工途中でダメージの少ない間欠的な接触モードまたは非接触モードで高さをモニターし、以降の加工を行う接触モードの走査範囲の微調整を行うことを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- 請求項1記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法において、走査速度、湿度、荷重、印加電圧、パルス幅を変化させて加工終点近傍では低いエッチレートで、加工終点近傍以外では高いエッチレートで加工することを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- DLCメンブレンマスクの黒欠陥をオゾン雰囲気下での走査近接場光学顕微鏡探針からのVUV光局所照射で除去することを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- 請求項1または4記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法において、あらかじめ欠陥の3次元形状を測定しておきその3次元情報にもとづいて加工の走査範囲を加工の進行とともに変えていくことを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法において、陽極酸化に用いる導電性探針が単層もしくは多層の導電性のカーボンナノチューブであることを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009210805A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Sii Nanotechnology Inc | Euvlマスクの加工方法 |
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JP2011510353A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-03-31 | コリア リサーチ インスティテュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | フォトマスクの修理装置及びこれを利用した修理方法 |
KR101069439B1 (ko) | 2009-12-28 | 2011-09-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 마스크의 결함 수정방법 |
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2004
- 2004-03-12 JP JP2004070801A patent/JP2005260056A/ja not_active Withdrawn
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