JP2008158499A - フォトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム微細加工装置で、導電性探針6を接触させることで欠陥を含む孤立したパターン9を接地して、電子ビーム1によるチャージアップを防止しながら黒欠陥8を修正する。観察範囲内に複数の孤立パターンがあり、欠陥を含む孤立パターンを設置してもチャージアップの影響が出る場合には、複数の導電性探針でそれぞれの孤立パターンを接地してチャージアップの影響を抑える。独立に駆動できる探針のうち1本の探針で、電子ビームまたはガスイオンビームエッチングで加工中の欠陥の高さを測定して終点検出を行う。
【選択図】 図1
Description
K. Edinger, H. Becht, J. Bihr, V. Boegli, M. Budach, T. Hofmann, H. P. Coops, P. Kuschnerus, J. Oster, P. Spies, and B. Weyrauch, J. Vac. Sci. Technol. B22 2902-2906(2004) B.W.Ward, John A, Notte, and N.P.Economou,"Helium ion microscope: A new tool for nanoscale microscopy and metrology", J.Vac.Sci. Technol. B, Vol 24, No.6, Nov/Dec 2006 日本表面科学会編、ナノテクノロジーのための走査電子顕微鏡技術143-151(2004)、丸善 青野正和、中山知信、桑原裕司、赤井恵、応用物理 75 285-295(2006)
孤立パターンを接地してビームによるチャージアップを防止しながら欠陥を修正するようにした。
2 電子源
3 コンデンサレンズ
4 対物レンズ
5 偏向器
6 導電性探針
7 アシストエッチングガス導入系
8 黒欠陥
9 孤立パターン
10 パターン
11 ガラス基板
12 高さ測定用探針
13 遮光膜原料ガス導入系
14 白欠陥
15 遮光膜
16 導電性カーボンナノチューブまたはカーボンナノチューブに導電性膜をコートした探針
17 高さ測定用高アスペクト探針
18 バイモルフ型のカンチレバー
Claims (5)
- 電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた微細加工装置に、独立に駆動できる複数の探針を有するAFMを付加した装置で、電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームによるフォトマスクの欠陥修正時に、前記複数の探針のうちの導電性探針を、欠陥を含む孤立パターンに接触させることで孤立パターンを接地して電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームによるチャージアップを防止しながら欠陥を修正することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
- 前記複数の探針のうちの前記導電性探針とは別の探針で、電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームで加工中の欠陥の高さを測定しながら欠陥を修正することを特徴とする請求項1記載のフォトマスク欠陥修正方法。
- 前記導電性探針が導電性カーボンナノチューブあるいはカーボンナノチューブに導電性膜をコートしたものであることを特徴とする請求項1または2記載のフォトマスク欠陥修正方法。
- 前記欠陥の高さを測定する探針がカーボンナノチューブまたは電子ビームデポまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームデポで作成したカーボン微細探針であることを特徴とする請求項2記載のフォトマスク欠陥修正方法。
- 前記欠陥の高さを測定する探針を有するカンチレバーがバイモルフ型であり、電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームでの加工時は、カンチレバーを湾曲させて電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビーム照射経路から退避させることを特徴とする請求項2記載のフォトマスク欠陥修正方法。
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