JP3626453B2 - フォトマスクの修正方法及び修正装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 41
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 70
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 60
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 43
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 25
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/30438—Registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクに形成された欠陥を修正する技術に係わり、特にパターンの出張り欠陥（黒系欠陥）を修正するためのフォトマスクの修正方法及び修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フォトマスクに形成された微細パターンを修正するには、ガリウムをイオン源とした集束イオンビーム修正装置が利用されている。この装置で修正を行う手順は、
（１） 欠陥部を中心とした適当な大きさのエリアにイオンビームを走査し、放出される二次電子又は二次イオンを検出することで画像を形成する。
【０００３】
（２） その画像上で欠陥のサイズ、欠陥の位置、正常パターンとの位置関係、などを認識する。
【０００４】
（３） 適当なエッチングガスを流しながら欠陥の部分にビーム照射させる。
【０００５】
というステップに区分される。
【０００６】
この場合、（１） 過程で、修正を行う部分の周囲数μｍの領域にわたって正常なパターンにも拘わらず、イオンビームを打ち込まなくてはならない。フォトマスクにおいて、露光する光が透過する部分（ガラス部）にガリウムイオンが打ち込まれると、その部分はガリウムステインと呼ばれ、透過率が低下することが知られている。従って、過剰にガリウムを打ち込むとウェハ転写像に影響が出る場合があるため、基準となるドーズ量を超えて照射しないことが必要とされる。
【０００７】
また、ガリウムステインの影響は、露光装置の波長が小さくなるにつれ大きくなることが分かっている。従って、露光装置がＫｒＦレーザの世代（λ：２４８ｎｍ）からＡｒＦレーザ（λ：１９３ｎｍ）になると、イメージ取得の際に許容されるドーズ量が減少する。さらにその次世代のＦ２レーザ（１５７ｎｍ）になると、極少量のガリウムイオンでも転写に影響が出て、実質的にガリウムイオンビームは使用できない可能性がある。
【０００８】
また、欠陥を修正した後、その位置精度が不十分であった場合は再修正が必要であるが、ガリウムステインの問題があるために再修正の回数が制限される。これは、どの露光波長の世代でも共通の問題である。また、（３） 過程において欠陥の下地基板に打ち込まれるガリウムイオンの影響も無視できない。これは、エンドポイントをオーバーしてエッチングすることでガリウムが打ち込まれることによるものである。
【０００９】
これらの問題を解決するために、イオンビームの代わりに電子ビームを使用する方法が提案されているが、イオン光学系でよく用いられているような細く絞ったビームを縦横に走査する方式では、イオン励起の方式に比べてエッチングレートが小さいことが問題となる。ビームサイズを大きくしたりビーム走査画素サイズを大きくしたりすれば、エッチングレートの問題は改善されるが、斜めパターンに沿う形でビーム走査させるとエッジが階段状に加工されてしまう。また、直線的なエッジにおいても、パターンの幅がピクセルサイズの整数倍とならない場合は、最大でピクセルサイズの半分の幅で削り幅が広がるか或いは狭まってしまう。
【００１０】
この様子を、図８に示す。図８（ａ）は、隣接パターン８１，８２間に欠陥部８３，８４が存在する状態であり、これに対し図８（ｂ）に示すように、矩形ビーム８５の走査により欠陥部８３，８４を除去しようとすると、図８（ｃ）に示すように、エッジラフネスが生じてしまう。なお、ビームサイズとビーム走査画素を極限に小さくして走査すれば上記の加工エッジラフネスの問題は改善されるが、エッチングレートが遅くなってしまいもとの問題に戻ってしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、フォトマスクに形成された欠陥（黒系欠陥）を除去するために、イオンビームの代わりに電子ビームを用いる方法があるが、電子ビームがイオンビームと比較してエッチレートが低いために、ビームサイズを小さくすると修正に要する時間が極めて長くなる。これとは逆に、電子ビームのサイズを大きくすると、斜めパターンに沿う部分でエッジラフネスが生じてしまう問題があった。
【００１２】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現することができるフォトマスクの修正方法及び修正装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１４】
即ち本発明は、電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム成形用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に投影露光される成形ビームであって、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう照射されることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記エッチング領域に対しビーム成形用のアパーチャにより成形された電子ビームを照射してエッチングする工程と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞った電子ビームを走査させることにより二次電子を放出させてパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向での二次電子強度プロファイルを比較することにより欠陥部分の端にあたる位置を認識する観察工程とを交互に繰り返しながら修正を進行させ、最終的に欠陥部分の端の適正な位置になったときエッチング工程をストップさせることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、上記方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してなり、前記成形ビームは、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう定義されていることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、上記方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してなり、前記ビーム走査によるモニタと成形ビーム照射によるエッチングとを交互に繰り返し、且つモニタ時に前記パターン像から正常エッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識し、修正エッジ位置が適切な位置になったときエッチングをストップさせることを特徴とする。
【００１８】
（作用）
本発明によれば、フォトマスクにおけるパターン欠陥（黒系欠陥）を成形ビームを用いて修正することにより、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。また、ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細かいステップで照射エリアを設定できる。
【００１９】
また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することにより、過剰なエッチングやエッチング残しを防止することができ、修正精度の向上をはかることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥修正装置を示す概略構成図である。この装置は、電子光学鏡筒１０とチャンバ２０とを接続してなり、電子光学鏡筒１０内には、電子銃１１、集束レンズ１２、縮小レンズ１３、対物レンズ１４、成形アパーチャ１５，１６、偏向電極１７等が設けられている。また、チャンバ２０内にはフォトマスク２１が載置されるステージ（図示せず）が設けられている。
【００２２】
ここまでの基本構成は、従来一般的な電子ビーム露光装置と同じであるが、本実施形態ではこれに加えて、チャンバ２０内のフォトマスク２１からの二次電子を検出する電子検出器２２が設けられ、更にチャンバ２０内にエッチングガスを導入するためのガス導入機構２３が設けられている。そして、チャンバ２０はエッチングに有効なプロセスガスを一定圧力で保持する機能を持っており、電子ビームとの相互作用によってフォトマスク２１のパターン膜をエッチングする機能を持つ。
【００２３】
この装置で更に特徴的な点は、鏡筒内部において複数のビーム成形用のアパーチャ１５，１６を持ち、フォトマスク２１の表面上に投影されるビームの形状を自在に制御する点である。アパーチャは幾つあってもよいが本質的な二つについて以降説明する。第１の成形アパーチャ１５は矩形のものが適当であり、電子銃１１から放出された電子がこれを通過することで余分な領域への照射をカットすると共に矩形に成形される。この矩形ビームはさらに第２の成形アパーチャ１６により特定の形状に成形されてマスク面上に投影される。
【００２４】
このとき、図２に示すように、第２の成形アパーチャ１６の開口形状を単純な四角形やひし形とすると、第１成形アパーチャ１５の投影像１５ａとの重ね合わせで矩形や三角形のビームを形成できる。さらに、重ね合わせる面積を変えるとビームサイズを自在に変えることが可能である。このようにして形状とサイズを制御したビーム（Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｓｈａｐｅｄ Ｂｅａｍ；ＶＳＢ）を正常部のパターンエッジに合わせるよう偏向しながら連続照射すれば複雑なパターンについても修正することができる。
【００２５】
このＶＳＢ方式での修正例を、図３に示す。図３（ａ）において、隣接する正常パターン３１，３２間に欠陥を含む欠陥部分３３，３４があったとする。これらの欠陥部分は、後述するように細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成することにより認識することができる。そして、図３（ｂ）に示すように、欠陥部分に応じて三角形ビーム３５と矩形ビーム３６の組合せのパターンを形成し、欠陥部分を含むエッチング領域をビームを照射する。これにより、図３（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去することができる。
【００２６】
次に、本実施形態における具体的な修正プロセスについて、図４のフローチャートを参照して説明する。
【００２７】
まず、前記図１に示した装置において、電子光学鏡筒１０により電子ビームを細く絞り込み、この電子ビームをフォトマスク２１上の欠陥部分を含む数μｍのエリアで走査する（Ｓ１）。そして、フォトマスク２１から放出される二次電子を検出し、二次電子イメージ像を取得する（Ｓ２）。なお、このときのビーム電流量は後述するエッチング加工時のものに比べ非常に小さいものとする。
【００２８】
次いで、撮り込んだ画像において、正常パターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥の端に相当する位置を認識する。即ち、欠陥部分を認識する（Ｓ３）。このときの様子を図５に示す。（ａ）はパターンイメージの平面図、（ｂ）はパターンイメージの断面図、（ｃ）は二次電子プロファイルを示している。Ａの位置で走査した場合とＢの位置で走査した場合では、欠陥の存在により二次電子プロファイルが異なったものとなる。この違いから、欠陥部分の位置を特定することができる。
【００２９】
次いで、フォトマスク２１が収容されたチャンバ２０内に、パターン材に対して電子ビーム励起のエッチング効果があるガス、例えばＦ２ を導入し、一定圧力で保つようにする（Ｓ４）。このときの圧力，基板温度，電子ビーム電流量などの条件は、パターン材に対するエッチング速度が速く、マスク基板とのエッチング選択比が大きく取れるようなものとする。
【００３０】
例えば、Ｆ２ を用いた例では、チャンバ２０内を０．４Ｐａに保ち、２ＫｅＶの電子線を３．２×１０−４Ａ／ｃｍ２ の電流密度で連続照射することにより、位相シフトマスク膜材料であるモリブデンシリサイド（ＭＯＳｉ）を１９０ｎｍ／ｈのレートでエッチングすることが可能である。さらなるエッチングレートの向上には、ガス圧力をビーム照射領域で局所的に上げることが有効と考えられ、エッチング選択比を大きくとるには、塩素（Ｃｌ）や酸素（Ｏ）を添加することが有効と考えられる。
【００３１】
次いで、認識した欠陥部分に応じてＶＳＢ方式で電子ビームを成形し、この成形ビームで欠陥部分を露光する（Ｓ５）。即ち、Ｆ２ ガスを上記の条件で導入すると共に、成形電子ビームを前記図３（ｂ）に示すように照射する。これによって、前記図８に示したようなドットパターンでの階段状の仕上がりを防ぐことが可能となる。
【００３２】
欠陥修正後のエッジ位置は基本的にビームの照射位置に依存しているが、そればかりでなくプロセス的な要因が大きく関わっている。欠陥は表面からエッチングされると同時にエッジにあたる部分からもサイドエッチされ大きさが縮小していくからである。例えば、エッチングが終点に達したあとも引き続きビーム照射するとビームプロファイルの裾引きにより、徐徐に削った端面が後退していく。こうした過程をモニタするために次項の修正プロセスフローを実施する。
【００３３】
このプロセスでは修正時に用いる照射方式は後述するＣＰでもＶＳＢでもよいが、電子ビームは欠陥部分に一定時間照射してエッチングを進行させた後、一度細く絞り欠陥を含む数μｍのエリアでスキャンさせて（Ｓ６）、二次電子イメージ像を取り込む（Ｓ７）。このときのビーム電流量はエッチング加工時のものに比べ非常に小さいものとして、エッチングガス雰囲気中であってもパターンが殆どエッチングされないようにする。さらに、撮り込んだ画像において、正常パターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥の端に相当する位置を認識する（Ｓ８）。
【００３４】
次いで、欠陥部分が無くなったか否かを判定する（Ｓ９）。欠陥部分が無くなっていればプロセスを終了する。欠陥部分が残っていれば、欠陥の大きさに応じてビームを再成形して再度のビーム照射を行う（Ｓ１０）。そして、Ｓ６〜Ｓ１０の工程を繰り返し、即ち成形ビームを照射する過程と観察プロセスとを繰り返し、観察プロセスにより認識されるエッジの側面が適正な位置になったときエッチングをストップさせる。
【００３５】
なお、図４のフローチャートにおける成形ビーム照射工程Ｓ５とＳ１０において、ビーム強度は同じであってもよいし、最初のビーム照射工程Ｓ５でビーム強度を大きくし、以降のビーム照射工程Ｓ１０でビーム強度を弱くするようにしてもよい。ビーム強度を変える場合、最初のビーム照射工程Ｓ５におけるビーム強度を過剰エッチングが生じない範囲で大きくすることにより、トータルの処理時間を短縮することが可能となる。
【００３６】
このように本実施形態によれば、ＶＳＢ方式で三角形や矩形のビームを組み合わせてエッチング領域を設定することにより、正常パターンとの境界部において成形ビームは、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう照射される。このため、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。しかも、細く絞ったビームではなく成形ビームを用いることから、電子ビームを用いながら十分なエッチレートを確保することができる。
【００３７】
また、ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細かいステップで照射エリアを設定できる。これにより、ブリッジ型の黒欠陥でパターン幅に極力近い形でビーム照射できる。このような成形アパーチャを使わない場合、ビームサイズと走査画素を極限まで小さくして走査することで同じ結果が得られるが、これではエッチングレートが極端に悪くなってしまい修正に多大な時間がかかってしまう。
【００３８】
また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することにより、加工途中においてその場での観察が可能になり、ビーム照射位置にフィードバックをかけることで修正精度の向上に効果がある。これは特に、チャージアップによりビームがドリフトする場合、マスクやステージの熱膨張により機械的に位置がずれる場合などに有効と考えられる。
【００３９】
ここで、欠陥の大きさや厚みは個々の欠陥によって様様に異なり、エンドポイントまでに必要なドーズ量は個々の欠陥によって異なる。エンドポイントに達した後もビーム照射を続けると、ビームプロファイルの裾引きがエッチングに寄与するため削った端面が徐徐に後退する。このため、エンドポイントは正確に制御しなくてはならない。しかし、個々の欠陥について正確にエンドポイントを把握することは困難である。従って、この意味でも加工途中に観察工程を挟み、欠陥の端の位置をモニタすることは効果がある。
【００４０】
また、加工途中に観察工程を挟むことは著しくビーム照射範囲がずれていた場合にはエンドポイントまで加工することなく途中でストップさせることが可能である。これにより、再修正が不可能になるような重大な修正失敗の確率を減少させることができる。
【００４１】
前述したガスを用いることにより、マスクと基板とのエッチング選択比が大きく、かつ垂直な加工形状を得ることが可能となる。
【００４２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態として、ＶＳＢの代わりにキャラクタアパーチャを用いてビームを成形した例を説明する。
【００４３】
パターン欠陥修正装置の構成は、基本的には前記図１と同じである。但し、第２の成形アパーチャ１６は矩形とひし形ではなく、正常パターンを反転した反転パターンの形状である。これは、パターンを形成する際に用いたのと同様なキャラクタアパーチャである。
【００４４】
このようなキャラクタアパーチャを用いることにより、図６に示すように、第２成形アパーチャ１６のキャラクタ開口（反転パターン）と第１成形アパーチャの投影像１５ａとの組合せにより、欠陥部分を含むエッチング領域に相当する合成図形を形成することができる。従って、ビーム偏向させることなく欠陥部分を一括照射して修正することができる。このような方式をキャラクタプロジェクション（以後ＣＰ方式と記載）と呼ぶ。
【００４５】
ＣＰ方式での修正例を、図７に示す。図７（ａ）において、隣接する正常パターン７１，７２間に欠陥を含む欠陥部分７３，７４があったとする。これらの欠陥部分は、細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成することにより認識することができる。そして、図７（ｂ）に示すように、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャとの組合せのエッチング領域７５を形成し、欠陥部分を含むエッチング領域７５を電子ビームで一括照射する。同様に、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャとの組合せのエッチング領域７６を形成し、欠陥部分を含むエッチング領域７６を電子ビームで一括照射する。これにより、図７（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去することができる。
【００４６】
本実施形態における具体的な修正プロセスは、エッチング領域に照射する成形ビームの形状が異なるだけで、前記図４のフローチャートで説明した第１の実施形態と実質的に同様である。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、エッチング領域を一括照射できることから、第１の実施形態以上にスループットの向上をはかることができる。
【００４７】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。欠陥部分のエッチングに用いるガスは、Ｆ２ に限るものではなく、Ｃｌ２ ，Ｂｒ２ ，Ｉ２ 等のハロゲンガス、若しくはこれらの混合ガス、又はこれらのガスにさらにＯ２ ，Ｎ２ ，若しくはＨ２ を添加したガス等、パターン材に対して電子ビーム励起のエッチング効果があるものであればよい。また、パターン欠陥修正装置の構成は前記図１に何ら限定されるものではなく、ＶＳＢやＣＰ等の成形ビームを形成できる電子線露光装置の構成に加え、ビーム走査によるフォトマスクからの二次電子又は反射電子を検出する機構、フォトマスクを収容したチャンバ内にエッチングガスを導入する機構を備えたものであればよい。
【００４８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、フォトマスクのパターン欠陥を修正する際に、成形用のアパーチャにより成形され、修正すべき欠陥部分と正常パターン部分との境界線に対し投影図形の辺が平行になるような電子ビームを用いることにより、フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるパターン欠陥修正装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態に用いたＶＳＢ方式のアパーチャの例を示す図。
【図３】ＶＳＢ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図４】第１の実施形態における具体的な修正プロセスを説明するためのフローチャート。
【図５】パターンイメージ検出の様子を示す図。
【図６】第２の実施形態に用いたＣＰ方式のアパーチャの例を示す図。
【図７】ＣＰ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図８】従来方式の問題点を説明するための図。
【符号の説明】
１０…電子光学鏡筒
１１…電子銃
１２…集束レンズ
１３…縮小レンズ
１４…対物レンズ
１５…第１成形アパーチャ
１６…第２成形アパーチャ
１７…偏向電極
２０…チャンバ
２１…フォトマスク
２２…二次電子検出器
２３…ガス供給機構
３１，３２，７１，７２…正常パターン
３３，３４，７３，７４…欠陥部
３５…三角形ビーム
３６…矩形ビーム
７５，７６…エッチング領域
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクに形成された欠陥を修正する技術に係わり、特にパターンの出張り欠陥（黒系欠陥）を修正するためのフォトマスクの修正方法及び修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フォトマスクに形成された微細パターンを修正するには、ガリウムをイオン源とした集束イオンビーム修正装置が利用されている。この装置で修正を行う手順は、
（１） 欠陥部を中心とした適当な大きさのエリアにイオンビームを走査し、放出される二次電子又は二次イオンを検出することで画像を形成する。
【０００３】
（２） その画像上で欠陥のサイズ、欠陥の位置、正常パターンとの位置関係、などを認識する。
【０００４】
（３） 適当なエッチングガスを流しながら欠陥の部分にビーム照射させる。
【０００５】
というステップに区分される。
【０００６】
この場合、（１） 過程で、修正を行う部分の周囲数μｍの領域にわたって正常なパターンにも拘わらず、イオンビームを打ち込まなくてはならない。フォトマスクにおいて、露光する光が透過する部分（ガラス部）にガリウムイオンが打ち込まれると、その部分はガリウムステインと呼ばれ、透過率が低下することが知られている。従って、過剰にガリウムを打ち込むとウェハ転写像に影響が出る場合があるため、基準となるドーズ量を超えて照射しないことが必要とされる。
【０００７】
また、ガリウムステインの影響は、露光装置の波長が小さくなるにつれ大きくなることが分かっている。従って、露光装置がＫｒＦレーザの世代（λ：２４８ｎｍ）からＡｒＦレーザ（λ：１９３ｎｍ）になると、イメージ取得の際に許容されるドーズ量が減少する。さらにその次世代のＦ２レーザ（１５７ｎｍ）になると、極少量のガリウムイオンでも転写に影響が出て、実質的にガリウムイオンビームは使用できない可能性がある。
【０００８】
また、欠陥を修正した後、その位置精度が不十分であった場合は再修正が必要であるが、ガリウムステインの問題があるために再修正の回数が制限される。これは、どの露光波長の世代でも共通の問題である。また、（３） 過程において欠陥の下地基板に打ち込まれるガリウムイオンの影響も無視できない。これは、エンドポイントをオーバーしてエッチングすることでガリウムが打ち込まれることによるものである。
【０００９】
これらの問題を解決するために、イオンビームの代わりに電子ビームを使用する方法が提案されているが、イオン光学系でよく用いられているような細く絞ったビームを縦横に走査する方式では、イオン励起の方式に比べてエッチングレートが小さいことが問題となる。ビームサイズを大きくしたりビーム走査画素サイズを大きくしたりすれば、エッチングレートの問題は改善されるが、斜めパターンに沿う形でビーム走査させるとエッジが階段状に加工されてしまう。また、直線的なエッジにおいても、パターンの幅がピクセルサイズの整数倍とならない場合は、最大でピクセルサイズの半分の幅で削り幅が広がるか或いは狭まってしまう。
【００１０】
この様子を、図８に示す。図８（ａ）は、隣接パターン８１，８２間に欠陥部８３，８４が存在する状態であり、これに対し図８（ｂ）に示すように、矩形ビーム８５の走査により欠陥部８３，８４を除去しようとすると、図８（ｃ）に示すように、エッジラフネスが生じてしまう。なお、ビームサイズとビーム走査画素を極限に小さくして走査すれば上記の加工エッジラフネスの問題は改善されるが、エッチングレートが遅くなってしまいもとの問題に戻ってしまう。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、フォトマスクに形成された欠陥（黒系欠陥）を除去するために、イオンビームの代わりに電子ビームを用いる方法があるが、電子ビームがイオンビームと比較してエッチレートが低いために、ビームサイズを小さくすると修正に要する時間が極めて長くなる。これとは逆に、電子ビームのサイズを大きくすると、斜めパターンに沿う部分でエッジラフネスが生じてしまう問題があった。
【００１２】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現することができるフォトマスクの修正方法及び修正装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【００１４】
即ち本発明は、電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記被エッチング領域に照射する電子ビームは、ビーム成形用のアパーチャにより成形されフォトマスク表面に投影露光される成形ビームであって、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう照射されることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記エッチング領域に対しビーム成形用のアパーチャにより成形された電子ビームを照射してエッチングする工程と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞った電子ビームを走査させることにより二次電子を放出させてパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向での二次電子強度プロファイルを比較することにより欠陥部分の端にあたる位置を認識する観察工程とを交互に繰り返しながら修正を進行させ、最終的に欠陥部分の端の適正な位置になったときエッチング工程をストップさせることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、上記方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してなり、前記成形ビームは、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう定義されていることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、上記方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してなり、前記ビーム走査によるモニタと成形ビーム照射によるエッチングとを交互に繰り返し、且つモニタ時に前記パターン像から正常エッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識し、修正エッジ位置が適切な位置になったときエッチングをストップさせることを特徴とする。
【００１８】
（作用）
本発明によれば、フォトマスクにおけるパターン欠陥（黒系欠陥）を成形ビームを用いて修正することにより、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。また、ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細かいステップで照射エリアを設定できる。
【００１９】
また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することにより、過剰なエッチングやエッチング残しを防止することができ、修正精度の向上をはかることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるフォトマスクの欠陥修正装置を示す概略構成図である。この装置は、電子光学鏡筒１０とチャンバ２０とを接続してなり、電子光学鏡筒１０内には、電子銃１１、集束レンズ１２、縮小レンズ１３、対物レンズ１４、成形アパーチャ１５，１６、偏向電極１７等が設けられている。また、チャンバ２０内にはフォトマスク２１が載置されるステージ（図示せず）が設けられている。
【００２２】
ここまでの基本構成は、従来一般的な電子ビーム露光装置と同じであるが、本実施形態ではこれに加えて、チャンバ２０内のフォトマスク２１からの二次電子を検出する電子検出器２２が設けられ、更にチャンバ２０内にエッチングガスを導入するためのガス導入機構２３が設けられている。そして、チャンバ２０はエッチングに有効なプロセスガスを一定圧力で保持する機能を持っており、電子ビームとの相互作用によってフォトマスク２１のパターン膜をエッチングする機能を持つ。
【００２３】
この装置で更に特徴的な点は、鏡筒内部において複数のビーム成形用のアパーチャ１５，１６を持ち、フォトマスク２１の表面上に投影されるビームの形状を自在に制御する点である。アパーチャは幾つあってもよいが本質的な二つについて以降説明する。第１の成形アパーチャ１５は矩形のものが適当であり、電子銃１１から放出された電子がこれを通過することで余分な領域への照射をカットすると共に矩形に成形される。この矩形ビームはさらに第２の成形アパーチャ１６により特定の形状に成形されてマスク面上に投影される。
【００２４】
このとき、図２に示すように、第２の成形アパーチャ１６の開口形状を単純な四角形やひし形とすると、第１成形アパーチャ１５の投影像１５ａとの重ね合わせで矩形や三角形のビームを形成できる。さらに、重ね合わせる面積を変えるとビームサイズを自在に変えることが可能である。このようにして形状とサイズを制御したビーム（Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｓｈａｐｅｄ Ｂｅａｍ；ＶＳＢ）を正常部のパターンエッジに合わせるよう偏向しながら連続照射すれば複雑なパターンについても修正することができる。
【００２５】
このＶＳＢ方式での修正例を、図３に示す。図３（ａ）において、隣接する正常パターン３１，３２間に欠陥を含む欠陥部分３３，３４があったとする。これらの欠陥部分は、後述するように細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成することにより認識することができる。そして、図３（ｂ）に示すように、欠陥部分に応じて三角形ビーム３５と矩形ビーム３６の組合せのパターンを形成し、欠陥部分を含むエッチング領域をビームを照射する。これにより、図３（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去することができる。
【００２６】
次に、本実施形態における具体的な修正プロセスについて、図４のフローチャートを参照して説明する。
【００２７】
まず、前記図１に示した装置において、電子光学鏡筒１０により電子ビームを細く絞り込み、この電子ビームをフォトマスク２１上の欠陥部分を含む数μｍのエリアで走査する（Ｓ１）。そして、フォトマスク２１から放出される二次電子を検出し、二次電子イメージ像を取得する（Ｓ２）。なお、このときのビーム電流量は後述するエッチング加工時のものに比べ非常に小さいものとする。
【００２８】
次いで、撮り込んだ画像において、正常パターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥の端に相当する位置を認識する。即ち、欠陥部分を認識する（Ｓ３）。このときの様子を図５に示す。（ａ）はパターンイメージの平面図、（ｂ）はパターンイメージの断面図、（ｃ）は二次電子プロファイルを示している。Ａの位置で走査した場合とＢの位置で走査した場合では、欠陥の存在により二次電子プロファイルが異なったものとなる。この違いから、欠陥部分の位置を特定することができる。
【００２９】
次いで、フォトマスク２１が収容されたチャンバ２０内に、パターン材に対して電子ビーム励起のエッチング効果があるガス、例えばＦ２ を導入し、一定圧力で保つようにする（Ｓ４）。このときの圧力，基板温度，電子ビーム電流量などの条件は、パターン材に対するエッチング速度が速く、マスク基板とのエッチング選択比が大きく取れるようなものとする。
【００３０】
例えば、Ｆ２ を用いた例では、チャンバ２０内を０．４Ｐａに保ち、２ＫｅＶの電子線を３．２×１０−４Ａ／ｃｍ２ の電流密度で連続照射することにより、位相シフトマスク膜材料であるモリブデンシリサイド（ＭＯＳｉ）を１９０ｎｍ／ｈのレートでエッチングすることが可能である。さらなるエッチングレートの向上には、ガス圧力をビーム照射領域で局所的に上げることが有効と考えられ、エッチング選択比を大きくとるには、塩素（Ｃｌ）や酸素（Ｏ）を添加することが有効と考えられる。
【００３１】
次いで、認識した欠陥部分に応じてＶＳＢ方式で電子ビームを成形し、この成形ビームで欠陥部分を露光する（Ｓ５）。即ち、Ｆ２ ガスを上記の条件で導入すると共に、成形電子ビームを前記図３（ｂ）に示すように照射する。これによって、前記図８に示したようなドットパターンでの階段状の仕上がりを防ぐことが可能となる。
【００３２】
欠陥修正後のエッジ位置は基本的にビームの照射位置に依存しているが、そればかりでなくプロセス的な要因が大きく関わっている。欠陥は表面からエッチングされると同時にエッジにあたる部分からもサイドエッチされ大きさが縮小していくからである。例えば、エッチングが終点に達したあとも引き続きビーム照射するとビームプロファイルの裾引きにより、徐徐に削った端面が後退していく。こうした過程をモニタするために次項の修正プロセスフローを実施する。
【００３３】
このプロセスでは修正時に用いる照射方式は後述するＣＰでもＶＳＢでもよいが、電子ビームは欠陥部分に一定時間照射してエッチングを進行させた後、一度細く絞り欠陥を含む数μｍのエリアでスキャンさせて（Ｓ６）、二次電子イメージ像を取り込む（Ｓ７）。このときのビーム電流量はエッチング加工時のものに比べ非常に小さいものとして、エッチングガス雰囲気中であってもパターンが殆どエッチングされないようにする。さらに、撮り込んだ画像において、正常パターンと垂直な方向に二次電子強度プロファイルを描き、ピークの位置から正常パターンのエッジに相当する位置、欠陥の端に相当する位置を認識する（Ｓ８）。
【００３４】
次いで、欠陥部分が無くなったか否かを判定する（Ｓ９）。欠陥部分が無くなっていればプロセスを終了する。欠陥部分が残っていれば、欠陥の大きさに応じてビームを再成形して再度のビーム照射を行う（Ｓ１０）。そして、Ｓ６〜Ｓ１０の工程を繰り返し、即ち成形ビームを照射する過程と観察プロセスとを繰り返し、観察プロセスにより認識されるエッジの側面が適正な位置になったときエッチングをストップさせる。
【００３５】
なお、図４のフローチャートにおける成形ビーム照射工程Ｓ５とＳ１０において、ビーム強度は同じであってもよいし、最初のビーム照射工程Ｓ５でビーム強度を大きくし、以降のビーム照射工程Ｓ１０でビーム強度を弱くするようにしてもよい。ビーム強度を変える場合、最初のビーム照射工程Ｓ５におけるビーム強度を過剰エッチングが生じない範囲で大きくすることにより、トータルの処理時間を短縮することが可能となる。
【００３６】
このように本実施形態によれば、ＶＳＢ方式で三角形や矩形のビームを組み合わせてエッチング領域を設定することにより、正常パターンとの境界部において成形ビームは、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう照射される。このため、斜め線に沿った欠陥を修正しても階段状に加工されることはなく、正常パターンと同様なラフネスのない形状の修正仕上がりが得られる。しかも、細く絞ったビームではなく成形ビームを用いることから、電子ビームを用いながら十分なエッチレートを確保することができる。
【００３７】
また、ピクセルサイズではなく複数の成形アパーチャの光学的重なりにより照射する幅を制御できるため、非常に細かいステップで照射エリアを設定できる。これにより、ブリッジ型の黒欠陥でパターン幅に極力近い形でビーム照射できる。このような成形アパーチャを使わない場合、ビームサイズと走査画素を極限まで小さくして走査することで同じ結果が得られるが、これではエッチングレートが極端に悪くなってしまい修正に多大な時間がかかってしまう。
【００３８】
また、欠陥のエッチングとモニタを繰り返し、モニタ情報に応じてエッチングを停止することにより、加工途中においてその場での観察が可能になり、ビーム照射位置にフィードバックをかけることで修正精度の向上に効果がある。これは特に、チャージアップによりビームがドリフトする場合、マスクやステージの熱膨張により機械的に位置がずれる場合などに有効と考えられる。
【００３９】
ここで、欠陥の大きさや厚みは個々の欠陥によって様様に異なり、エンドポイントまでに必要なドーズ量は個々の欠陥によって異なる。エンドポイントに達した後もビーム照射を続けると、ビームプロファイルの裾引きがエッチングに寄与するため削った端面が徐徐に後退する。このため、エンドポイントは正確に制御しなくてはならない。しかし、個々の欠陥について正確にエンドポイントを把握することは困難である。従って、この意味でも加工途中に観察工程を挟み、欠陥の端の位置をモニタすることは効果がある。
【００４０】
また、加工途中に観察工程を挟むことは著しくビーム照射範囲がずれていた場合にはエンドポイントまで加工することなく途中でストップさせることが可能である。これにより、再修正が不可能になるような重大な修正失敗の確率を減少させることができる。
【００４１】
前述したガスを用いることにより、マスクと基板とのエッチング選択比が大きく、かつ垂直な加工形状を得ることが可能となる。
【００４２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態として、ＶＳＢの代わりにキャラクタアパーチャを用いてビームを成形した例を説明する。
【００４３】
パターン欠陥修正装置の構成は、基本的には前記図１と同じである。但し、第２の成形アパーチャ１６は矩形とひし形ではなく、正常パターンを反転した反転パターンの形状である。これは、パターンを形成する際に用いたのと同様なキャラクタアパーチャである。
【００４４】
このようなキャラクタアパーチャを用いることにより、図６に示すように、第２成形アパーチャ１６のキャラクタ開口（反転パターン）と第１成形アパーチャの投影像１５ａとの組合せにより、欠陥部分を含むエッチング領域に相当する合成図形を形成することができる。従って、ビーム偏向させることなく欠陥部分を一括照射して修正することができる。このような方式をキャラクタプロジェクション（以後ＣＰ方式と記載）と呼ぶ。
【００４５】
ＣＰ方式での修正例を、図７に示す。図７（ａ）において、隣接する正常パターン７１，７２間に欠陥を含む欠陥部分７３，７４があったとする。これらの欠陥部分は、細く絞った電子ビームを欠陥付近で走査し、その二次電子を検出して二次電子イメージ像を生成することにより認識することができる。そして、図７（ｂ）に示すように、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャとの組合せのエッチング領域７５を形成し、欠陥部分を含むエッチング領域７５を電子ビームで一括照射する。同様に、矩形アパーチャとキャラクタアパーチャとの組合せのエッチング領域７６を形成し、欠陥部分を含むエッチング領域７６を電子ビームで一括照射する。これにより、図７（ｃ）に示すように、欠陥部分を除去することができる。
【００４６】
本実施形態における具体的な修正プロセスは、エッチング領域に照射する成形ビームの形状が異なるだけで、前記図４のフローチャートで説明した第１の実施形態と実質的に同様である。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、エッチング領域を一括照射できることから、第１の実施形態以上にスループットの向上をはかることができる。
【００４７】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。欠陥部分のエッチングに用いるガスは、Ｆ２ に限るものではなく、Ｃｌ２ ，Ｂｒ２ ，Ｉ２ 等のハロゲンガス、若しくはこれらの混合ガス、又はこれらのガスにさらにＯ２ ，Ｎ２ ，若しくはＨ２ を添加したガス等、パターン材に対して電子ビーム励起のエッチング効果があるものであればよい。また、パターン欠陥修正装置の構成は前記図１に何ら限定されるものではなく、ＶＳＢやＣＰ等の成形ビームを形成できる電子線露光装置の構成に加え、ビーム走査によるフォトマスクからの二次電子又は反射電子を検出する機構、フォトマスクを収容したチャンバ内にエッチングガスを導入する機構を備えたものであればよい。
【００４８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、フォトマスクのパターン欠陥を修正する際に、成形用のアパーチャにより成形され、修正すべき欠陥部分と正常パターン部分との境界線に対し投影図形の辺が平行になるような電子ビームを用いることにより、フォトマスクの欠陥を電子ビームを用いて除去することができ、かつエッジラフネスのない仕上がり形状を速いエッチングレートで実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるパターン欠陥修正装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態に用いたＶＳＢ方式のアパーチャの例を示す図。
【図３】ＶＳＢ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図４】第１の実施形態における具体的な修正プロセスを説明するためのフローチャート。
【図５】パターンイメージ検出の様子を示す図。
【図６】第２の実施形態に用いたＣＰ方式のアパーチャの例を示す図。
【図７】ＣＰ方式による修正プロセスの例を示す図。
【図８】従来方式の問題点を説明するための図。
【符号の説明】
１０…電子光学鏡筒
１１…電子銃
１２…集束レンズ
１３…縮小レンズ
１４…対物レンズ
１５…第１成形アパーチャ
１６…第２成形アパーチャ
１７…偏向電極
２０…チャンバ
２１…フォトマスク
２２…二次電子検出器
２３…ガス供給機構
３１，３２，７１，７２…正常パターン
３３，３４，７３，７４…欠陥部
３５…三角形ビーム
３６…矩形ビーム
７５，７６…エッチング領域
Claims (9)
- 電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記被エッチング領域を、電子光学系において三角形或いは矩形のアパーチャを通過して前記フォトマスク上で得られる三角形或いは矩形の基本ビームを複数個組み合わせて作られる合成図形で定義し、且つ正常パターンとの境界部においては該パターンとの境界線に対して一辺が平行になる基本図形を選択し、前記被エッチング領域に対し合成図形を作る各基本ビームを順次照射することを特徴とするフォトマスクの修正方法。 - 電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記被エッチング領域は、前記フォトマスクの反転パターンに相当するキャラクタアパーチャと欠陥部分の位置を含む矩形アパーチャとの組合せにより作られる合成図形であり、前記被エッチング領域に対して一括の電子照射を行うことを特徴とするフォトマスクの修正方法。 - 前記被エッチング領域に対する複数の基本図形の照射又は合成図形の一括照射を繰り返すことでエッチングを進行させることを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの修正方法。
- 電子ビームをフォトマスク上で走査し、フォトマスク表面から放出される二次電子又は反射電子を検出することでフォトマスクのパターン像を生成し、生成したパターン像から欠陥部分の位置を特定し、フォトマスクのパターンを形成する膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガス雰囲気下で、欠陥部分を含む被エッチング領域に電子ビームを照射して欠陥を除去するフォトマスクの修正方法において、
前記エッチング領域に対し複数個のビーム成形用のアパーチャの光学的重なりにより成形された電子ビームを照射してエッチングする工程と、欠陥部分を中心とした所定エリアに対し細く絞った電子ビームを走査させることにより二次電子を放出させてパターン像を生成し、パターンエッジに垂直な方向での二次電子強度プロファイルから正常パターンのエッジ位置と欠陥のエッジ位置とを比較することにより欠陥部分の端にあたる位置を認識する観察工程と、を交互に繰り返しながら修正を進行させ、
最終的に欠陥部分の端が適正な位置になったときエッチング工程をストップさせることを特徴とするフォトマスクの修正方法。 - 前記膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガスとして、単一のハロゲンガス、又は複数のハロゲン元素の混合ガスを用いることを特徴とする請求項１，２又は４記載のフォトマスク修正方法。
- 前記膜材料に対して化学的にエッチング効果のあるガスとして、単一のハロゲンガス又は複数のハロゲン元素の混合ガスに、Ｏ2 ，Ｎ2 ，若しくはＨ2 を添加したガスを用いることを特徴とする請求項１，２又は４記載のフォトマスク修正方法。
- 前記ハロゲンガスとして、Ｆ2 ，Ｃｌ2 ，Ｂｒ2 ，又はＩ2 を用いたことを特徴とする請求項５又は６記載のフォトマスク修正方法。
- 請求項１〜３の何れかに記載の修正方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、
前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射する手段とを具備してなり、
前記成形ビームは、正常パターンとの境界部において、該成形ビームの辺が正常パターンとの境界線に対して平行になるよう定義されていることを特徴とするフォトマスクの修正装置。 - 請求項１〜３の何れかに記載の修正方法を実施するためのフォトマスクの修正装置であって、
前記フォトマスクを収容するためのチャンバと、このチャンバ内にエッチングガスを導入する手段と、前記フォトマスクの表面で電子ビームを走査し、フォトマスク表面からの二次電子又は反射電子を検出する手段と、検出した電子情報を基に前記フォトマスクのパターン像を生成する手段と、生成したパターン像から得られる欠陥部分に対して成形ビームを照射してエッチングする手段とを具備してなり、
前記ビーム走査によるモニタと成形ビーム照射によるエッチングとを交互に繰り返し、且つモニタ時に前記パターン像から正常エッジ位置と欠陥のエッジ位置とを認識し、修正エッジ位置が適切な位置になったときエッチングをストップさせることを特徴とするフォトマスクの修正装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398182A JP3626453B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | フォトマスクの修正方法及び修正装置 |
| US10/326,112 US6991878B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-23 | Photomask repair method and apparatus |
| DE10261035A DE10261035B4 (de) | 2001-12-27 | 2002-12-24 | Fotomasken-Reparaturverfahren und Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398182A JP3626453B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | フォトマスクの修正方法及び修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003195481A JP2003195481A (ja) | 2003-07-09 |
| JP3626453B2 true JP3626453B2 (ja) | 2005-03-09 |
Family
ID=27603722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398182A Expired - Fee Related JP3626453B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | フォトマスクの修正方法及び修正装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6991878B2 (ja) |
| JP (1) | JP3626453B2 (ja) |
| DE (1) | DE10261035B4 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050103272A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-05-19 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Material processing system and method |
| US7504182B2 (en) * | 2002-09-18 | 2009-03-17 | Fei Company | Photolithography mask repair |
| JP2004177682A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Seiko Instruments Inc | 複合荷電粒子ビームによるフォトマスク修正方法及びその装置 |
| KR101159337B1 (ko) * | 2003-01-16 | 2012-06-22 | 에프이아이 컴파니 | 마스크 수정을 위한 전자 빔 프로세싱 |
| DE10338019A1 (de) * | 2003-08-19 | 2005-03-24 | Nawotec Gmbh | Verfahren zum hochaufgelösten Bearbeiten dünner Schichten mit Elektronenstrahlen |
| US7786403B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-08-31 | Nawo Tec Gmbh | Method for high-resolution processing of thin layers using electron beams |
| JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
| JP2006294794A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 |
| US7670956B2 (en) * | 2005-04-08 | 2010-03-02 | Fei Company | Beam-induced etching |
| US7692163B2 (en) | 2006-01-31 | 2010-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam apparatus, defect correcting method, etching method, deposition method, and charge preventing method |
| JP4784931B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-10-05 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料保持機構及び試料加工・観察装置 |
| JP4205739B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2009-01-07 | エルピーダメモリ株式会社 | レチクルパターンの欠陥修正装置およびその修正方法 |
| KR100924332B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 브리지 리페어 방법 |
| KR100854459B1 (ko) * | 2007-02-14 | 2008-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 결함 수정방법 |
| JP5053030B2 (ja) * | 2007-10-16 | 2012-10-17 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置 |
| KR101640264B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2016-07-15 | 칼 짜이스 에스엠에스 게엠베하 | 소형 구조물을 갖는 오브젝트를 처리하는 방법 |
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| DE102008037943B4 (de) * | 2008-08-14 | 2018-04-26 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen und Halbleiterbauelement mit einer Struktur geätzt mittels eines derartigen Verfahrens |
| DE102008037951B4 (de) * | 2008-08-14 | 2018-02-15 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen von mit Gallium verunreinigten Schichten |
| JP2010109164A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Toshiba Corp | Ｅｕｖマスクの欠陥修正方法 |
| JP2010170019A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | リソグラフィ原版の異物除去方法及びリソグラフィ原版の製造方法 |
| KR101420907B1 (ko) | 2009-02-16 | 2014-07-17 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 수정 방법 |
| JP5104774B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP5104832B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスク |
| JP5526631B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2014-06-18 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクの修正方法および修正された位相シフトマスク、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| US8008176B2 (en) * | 2009-08-11 | 2011-08-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Masked ion implant with fast-slow scan |
| DE102020208183A1 (de) | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten einer lithographischen maske |
| DE102020208883B4 (de) | 2020-07-16 | 2023-06-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Computerprogramm zur Reparatur einer Maske für die Lithographie |
| DE102021213160A1 (de) * | 2021-11-23 | 2023-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtungen zur Untersuchung und/oder Bearbeitung eines Objekts für die Lithographie |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
| JP2804309B2 (ja) | 1989-09-14 | 1998-09-24 | 大日本印刷株式会社 | エマルジョンマスク等の欠陥修正装置 |
| JP2874406B2 (ja) | 1991-10-09 | 1999-03-24 | 株式会社日立製作所 | 位相シフタマスクの欠陥修正方法 |
| JPH0679470A (ja) | 1992-08-29 | 1994-03-22 | Seiken:Kk | コンデンサ素子のリード線溶接方法及びコンデンサ素子のリード線溶接装置 |
| US5482802A (en) | 1993-11-24 | 1996-01-09 | At&T Corp. | Material removal with focused particle beams |
| US5582939A (en) * | 1995-07-10 | 1996-12-10 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating and using defect-free phase shifting masks |
| US6165649A (en) * | 1997-01-21 | 2000-12-26 | International Business Machines Corporation | Methods for repair of photomasks |
| JP2000010260A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Seiko Instruments Inc | マスク修正装置の黒欠陥修正方法 |
| US6544692B1 (en) | 1999-04-20 | 2003-04-08 | Seiko Instruments Inc. | Black defect correction method and black defect correction device for photomask |
| US6322935B1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-11-27 | Metron Technology | Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask |
| WO2002056332A1 (fr) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | Ebara Corporation | Appareil et procede d'inspection a faisceau d'electrons, et procede de fabrication de dispositif comportant l'appareil d'inspection |
| JP2004537758A (ja) * | 2001-07-27 | 2004-12-16 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 電子ビーム処理 |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001398182A patent/JP3626453B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-23 US US10/326,112 patent/US6991878B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-24 DE DE10261035A patent/DE10261035B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10261035B4 (de) | 2006-06-29 |
| JP2003195481A (ja) | 2003-07-09 |
| US6991878B2 (en) | 2006-01-31 |
| US20030215722A1 (en) | 2003-11-20 |
| DE10261035A1 (de) | 2003-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071210 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081210 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091210 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101210 Year of fee payment: 6 |
|
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