JP4784931B2 - 試料保持機構及び試料加工・観察装置 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 43
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 342
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/202—Movement
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- H—ELECTRICITY
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20292—Means for position and/or orientation registration
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Description
本発明は、上面に薄板状の試料を載置して保持する試料ホルダと、該試料ホルダを着脱可能に支持するベースとを備えた試料保持機構であって、前記試料ホルダと前記ベースとの間には、前記試料ホルダを前記ベースに対して回転可能に支持する回転支持部と、前記試料ホルダを前記ベースに対して、前記回転支持部の回転中心から所定のX方向に向って摺動可能に支持するスライド支持部と、前記試料ホルダを前記ベースに対して、前記X方向及び前記X方向に直交するY方向に摺動可能に支持する少なくとも一つの当接支持部とが、それぞれ着脱可能に設けられ、前記試料ホルダの前記上面には、前記回転支持部の前記回転中心から前記Y方向に沿って配置され、前記試料の一辺に当接して前記試料を前記X方向に位置決めするX方向位置決め部材と、前記回転支持部の前記回転中心から前記X方向に沿って配置され、前記試料の前記一辺と隣り合う他辺に当接して前記試料を前記Y方向に位置決めするY方向位置決め部材とが設けられていることを特徴としている。
この発明に係る試料加工・観察装置によれば、温度変化の影響を受けずに、正確に所定の位置に鏡筒から荷電粒子ビームを照射して、試料を加工することができる。さらに、荷電粒子ビームを照射することによって発生する二次電子等を検出することによって、試料の表面を正確に観察することもできる。
この発明に係る試料加工・観察装置によれば、温度変化の影響を受けずに、試料の表面の所定の位置に正確にプローブを走査させることができ、正確な加工を行うことができ、また、正確な観察像を得ることができる。
図1は、この発明に係る第1の実施形態を示している。図1に示すように、試料加工・観察装置である集束イオンビーム装置(FIB)1は、薄板状の試料Sに荷電粒子ビームである集束イオンビームB1を照射することによって、試料Sの表面の加工、観察を行うものである。本実施形態においては、試料Sとして、フラットパネルディスプレイの製造や半導体製造の露光工程に使用されるフォトマスクを例に挙げ、所定の位置を加工することでフォトマスクの修正を行う。以下、本実施形態における集束イオンビーム装置1の詳細について説明する。
図9は、この発明に係る第2の実施形態を示している。この実施形態において、前述した実施形態で用いた部材と共通の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
2 試料室
2a 内部
3 鏡筒(加工・観察手段)
4 二軸ステージ
20 試料保持機構
21 試料ホルダ
21a 上面
21b 下面
22 ベース
22a 上面
23 凸部
24a 嵌合凹部
25a 嵌合溝
26a 当接面
27 回転支持部
27a 回転中心
28 スライド支持部
29 当接支持部
31 X方向位置決めピン(X方向位置決め部材)
32 Y方向位置決めピン(Y方向位置決め部材)
36 昇降・回転手段
50 走査型プローブ顕微鏡(試料加工・観察装置)
51 プローブ
B 集束イオンビーム(荷電粒子ビーム)
S 試料
S1 一辺
S2 他辺
S3 交点
X 方向
Y 方向
Claims (8)
- 上面に薄板状の試料を載置して保持する試料ホルダと、該試料ホルダを着脱可能に支持するベースとを備えた試料保持機構であって、
前記試料ホルダと前記ベースとの間には、前記試料ホルダを前記ベースに対して回転可能に支持する回転支持部と、
前記試料ホルダを前記ベースに対して、前記回転支持部の回転中心から所定のX方向に向って摺動可能に支持するスライド支持部と、
前記試料ホルダを前記ベースに対して、前記X方向及び前記X方向に直交するY方向に摺動可能に支持する少なくとも一つの当接支持部とが、それぞれ着脱可能に設けられ、
前記試料ホルダの前記上面には、前記回転支持部の前記回転中心から前記Y方向に沿って配置され、前記試料の一辺に当接して前記試料を前記X方向に位置決めするX方向位置決め部材と、
前記回転支持部の前記回転中心から前記X方向に沿って配置され、前記試料の前記一辺と隣り合う他辺に当接して前記試料を前記Y方向に位置決めするY方向位置決め部材とが設けられていることを特徴とする試料保持機構。 - 請求項1に記載の試料保持機構において、
前記試料ホルダの下面と前記ベースの上面のいずれか一方には、前記回転支持部、前記スライド支持部及び前記当接支持部のそれぞれと対応する位置で、凸部が突出して設けられているとともに、
前記試料ホルダの下面と前記ベースの上面の他方には、前記回転支持部と対応する位置で前記凸部に対して回転可能に嵌合する嵌合凹部が、前記スライド支持部と対応する位置で前記凸部に対して前記X方向に摺動可能に嵌合する嵌合溝が、さらに、前記当接支持部と対応する位置で前記凸部に当接する当接面が、それぞれ形成されており、
前記回転支持部は前記嵌合凹部及び対応する前記凸部で、前記スライド支持部は前記嵌合溝及び対応する前記凸部で、前記当接支持部は前記当接面及び対応する前記凸部で、それぞれ構成されていることを特徴とする試料保持機構。 - 請求項2に記載の試料保持機構において、
前記回転支持部、前記スライド支持部、及び前記当接支持部のそれぞれの前記凸部の表面形状は、球面に形成されているとともに、
前記回転支持部の前記嵌合凹部は、前記凸部に嵌合可能な円錐状に形成され、
前記スライド支持部の前記嵌合溝は、前記凸部に嵌合可能な断面V字状に形成されていることを特徴とする試料保持機構。 - 請求項2または請求項3に記載の試料保持機構において、
前記ベースの前記上面には、前記凸部が四箇所に正方状に配置されているとともに、
前記試料ホルダの前記下面には、前記凸部と対応して、一つの前記嵌合凹部、一つの前記嵌合溝及び二つの前記当接面が正方状に配置されていることを特徴とする試料保持機構。 - 請求項4に記載の試料保持機構において、
前記ベースの前記凸部が正方状に配置された中心には、上下方向に進退して前記ベースに支持された前記試料ホルダを押し上げるとともに、押し上げた前記試料ホルダを前記ベースに対して垂直な軸回りに回転させることが可能な昇降・回転手段が設けられていることを特徴とする試料保持機構。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の試料保持機構を備えた試料加工・観察装置であって、
前記試料保持機構が収容された試料室と、
該試料室の内部に配置された前記試料保持機構を水平方向に移動させる二軸ステージと、
前記試料保持機構の前記試料ホルダに保持された前記試料の加工・観察を行う加工・観察手段を備えていることを特徴とする試料加工・観察装置。 - 請求項6に記載の試料加工・観察装置において、
前記加工・観察手段は、前記試料に荷電粒子ビームを照射可能な鏡筒であることを特徴とする試料加工・観察装置。 - 請求項6に記載の試料加工・観察装置において、
前記加工・観察手段は、前記試料の表面を走査可能なプローブであることを特徴とする試料加工・観察装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006032146A JP4784931B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 試料保持機構及び試料加工・観察装置 |
US11/701,286 US7574932B2 (en) | 2006-02-09 | 2007-01-31 | Sample holding mechanism and sample working/observing apparatus |
KR1020070011593A KR101321620B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-02-05 | 샘플 유지 기구 및 샘플 가공 및 관찰 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006032146A JP4784931B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 試料保持機構及び試料加工・観察装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007213956A JP2007213956A (ja) | 2007-08-23 |
JP4784931B2 true JP4784931B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=38492198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006032146A Active JP4784931B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | 試料保持機構及び試料加工・観察装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7574932B2 (ja) |
JP (1) | JP4784931B2 (ja) |
KR (1) | KR101321620B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302415A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置,試料保持システム,試料の保持方法、および、試料の離脱方法 |
JP5461917B2 (ja) * | 2009-08-12 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 軟化点測定装置および熱伝導測定装置 |
JP5585959B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2014-09-10 | 独立行政法人理化学研究所 | マウント装置 |
DE102012000736A1 (de) * | 2012-01-16 | 2013-07-18 | Bundesrepublik Deutschland, vertreten durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie, dieses vertreten durch den Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Braunschweig und Berlin | Probenpositioniereinrichtung und Verfahren zu ihrem Betrieb |
CN103198997B (zh) * | 2013-03-22 | 2015-05-13 | 中国科学院半导体研究所 | 具有角度调节功能的样品托 |
JP6516569B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2019-05-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 走査プローブ顕微鏡 |
US10429284B1 (en) * | 2016-07-28 | 2019-10-01 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | In situ environmentally-isolated wear tester |
JP6493339B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2019-04-03 | 村田機械株式会社 | 搬送容器、及び収容物の移載方法 |
KR102042669B1 (ko) * | 2018-07-05 | 2019-11-08 | 한국기초과학지원연구원 | 전자기적 성질 검측 장비용 샘플 마운트 어셈블리 |
JP7291049B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2023-06-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP7361595B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2023-10-16 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
CN112509632B (zh) * | 2020-12-04 | 2022-02-22 | 中国石油大学(华东) | 用于高压釜内的多级微米位移垂向调整装置 |
JP7280237B2 (ja) * | 2020-12-28 | 2023-05-23 | 株式会社ホロン | サンプル傾斜自動補正装置およびサンプル傾斜自動補正方法 |
US20220260508A1 (en) * | 2021-02-18 | 2022-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | System to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles, set of systems to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample and method to inspect, modify or analyze a region of interest of a sample by charged particles |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3448265A (en) * | 1966-06-01 | 1969-06-03 | Wallace H Samuelson | Piezo-electric crystal manufacturing apparatus and method for location of atomic planes relative to the crystal surface |
US3801139A (en) * | 1972-12-07 | 1974-04-02 | V Larson | Holder for sheet like materials |
FR2466097A1 (fr) * | 1979-09-20 | 1981-03-27 | Georges Adrien | Porte-objet a temperature variable pour microscope electronique |
US4521119A (en) * | 1983-10-03 | 1985-06-04 | Theta Industries, Inc. | Constant load dilatometers |
JPH04242955A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Toshiba Corp | 基板の位置決め方法および装置 |
KR930016206A (ko) * | 1992-01-30 | 1993-08-26 | 존 엠. 클락 3세 | 이동 접착 샘플용 펀치 |
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JP3589583B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2004-11-17 | 日本電子株式会社 | 試料ホルダ支持装置 |
JP4814438B2 (ja) | 2001-05-02 | 2011-11-16 | 日本トムソン株式会社 | リニアモータを内蔵したステージ装置 |
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GB0200925D0 (en) * | 2002-01-16 | 2002-03-06 | Renishaw Plc | Aligning optical components of an optical measuring system |
JP3626453B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-03-09 | 株式会社東芝 | フォトマスクの修正方法及び修正装置 |
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JP2005032906A (ja) | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | ウェハローダ及び露光装置 |
JP4538292B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2010-09-08 | 株式会社三共製作所 | 傾斜回転テーブル装置 |
JP4616701B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-01-19 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡の試料ホルダ |
-
2006
- 2006-02-09 JP JP2006032146A patent/JP4784931B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-31 US US11/701,286 patent/US7574932B2/en active Active
- 2007-02-05 KR KR1020070011593A patent/KR101321620B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101321620B1 (ko) | 2013-10-22 |
JP2007213956A (ja) | 2007-08-23 |
KR20070081090A (ko) | 2007-08-14 |
US20080224374A1 (en) | 2008-09-18 |
US7574932B2 (en) | 2009-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081002 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
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