TW201327064A - 微影裝置及基板處置方法 - Google Patents

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Abstract

一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包括經建構以固持一基板之一基板台及經配置以將該基板定位於該基板台上之一夾緊器。該夾緊器包括經配置以在該基板之一頂側處夾持該基板之一真空夾持件。在一實施例中，該真空夾持件經配置以夾持基板頂部表面之一圓周外部區之至少一部分。亦提供一種包括使用一夾緊器將基板定位於一微影裝置之一基板台上之基板處置方法，該方法包括使用該夾緊器之一真空夾持件而在該基板之一頂側處夾持該基板。

Description

微影裝置及基板處置方法
本發明係關於一種微影裝置、一種基板處置方法及一種基板處置器。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
當前晶圓處置器系統將基板(例如，晶圓)輸送至基板台隔室(例如，晶圓載物台隔室)中。基板係由處置器之夾緊器定位於基板台上方，且自基板台突出之銷釘接管晶圓。當夾緊器被擷取時，銷釘向下移動且將晶圓裝載至晶圓台 上。
當將晶圓裝載於晶圓台上時，可由於晶圓台之瘤節與晶圓之間的摩擦而在晶圓中引入應力。此等應力可導致晶圓變形及後繼投影誤差。
需要以低應力或在無應力的情況下將基板定位於基板台上。
根據本發明之一實施例，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含經建構以固持一基板之一基板台及經配置以自該基板台提昇該基板之一夾緊器，該夾緊器包含經配置以在該基板之一頂側處夾持該基板之一真空夾持件。
根據本發明之另一實施例，提供一種包含使用一夾緊器將基板定位於一微影裝置之一基板台上之基板處置方法，該方法包含使用該夾緊器之一真空夾持件而在該基板之一頂側處夾持該基板。
根據本發明之又一實施例，提供一種用於處置一基板之基板處置器，該基板處置器包含經組態以夾緊該基板且將該基板定位於一基板台上之一夾緊器，其中該夾緊器包含經配置以在該基板之一頂側處夾持該基板之一真空夾持件。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，圖案化器件(例如，光罩)與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱 作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對 準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中， 通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2A至圖12B描繪經配置以夾緊基板W(諸如，晶圓)之各別夾緊器本體GRP之部件的各種實施例，基板W之部分在圖2中予以描繪。基板W在其頂部表面處被夾緊。另外，夾緊器包含在基板之頂側處夾持基板之真空夾持件。結果，可避免習知可伸縮銷釘，該等銷釘將基板自基板台向上推動，以便在基板與基板台之間產生間隔，該間隔用以允許夾緊器在基板之下側處夾緊基板。因此，基板台可在質量及剛性方面得以改良。此外，可避免可由於銷釘與基板之局域接觸而發生之熱光點效應。
在一實施例中，真空夾持件經配置以沿著基板之外部邊緣來夾持基板。藉由夾持基板之頂部表面之圓周外部區(亦被稱作基板之排除區域)(之至少一部分)，可避免對基板上之結構或圖案之任何效應(諸如，損害)。此外，因為夾持件接觸基板表面之圓周部分或圓周部分之片段，所以可避免由於來自夾緊器之熱負荷而對基板之局域熱光點效應。在發生對基板之熱效應的狀況下，由於接觸基板之邊緣引起的熱效應之較全域性質可具有較小效應且可較容易 地(例如)藉由合適模型化予以補償。又另外，基板可定位於基板台上，從而在基板中涉及少量機械應力。此係因為：沿著基板之邊緣來夾持基板會允許歸因於由於重力引起的基板之某種程度之彎曲而自基板之中心開始將基板置放至基板台上(例如，置放至基板台之瘤節上)，接著自中心朝向基板之邊緣成圓形地接觸基板，使得可以低量之機械應力將基板置放至瘤節上。此外，因為基板之邊緣(其中夾持件接觸該邊緣)通常未由瘤節支撐，所以由夾持件強加於基板上之任何應力皆可較自由地鬆弛，此係因為基板之邊緣相對自由，即使當基板定位至基板台(之(例如)瘤節)上時亦如此。
應注意，在此文件中，術語真空應被理解為包含任何負壓位準，亦即，低於如施加於基板之外圍中之周圍壓力的任何壓力位準。
圖2A描繪經配置以沿著基板W之外部邊緣進行夾持之真空夾持件的實施例。夾緊器GRP包含：真空腔室，其使用待施加於真空腔室中之負壓pv將環形真空提供至基板W之外部邊緣上；及同心環形密封件SL，其位於真空腔室之徑向內側及外側上。可在建立與基板W之接觸時將預負載力Fpre施加至夾緊器上，以便提供密封件SL至基板W之頂部表面上之密封。密封件SL中之一者(例如，外部密封件SL)相比於另一密封件可展現在Z方向上之較低硬度，以便縮減在晶圓被夾緊時晶圓中之應力。
圖2B描繪與圖2A所描繪之夾緊器相似的夾緊器，然 而，提供與根據圖2A之實施例之真空腔室pv2同心的另外真空腔室pv1。當夾緊器建立與基板W之接觸時，該另外(中心)真空腔室可提供預負載，使得密封件接觸基板。接著，可將真空施加至外部真空腔室pv1且可釋放中心腔室pv1中之真空，以便移除預負載。預負載可在基板表面與密封件SL之間建立良好接觸，以便避免洩漏。又，在提昇基板期間之預負載真空可有助於自基板台提昇基板。可處置夾緊器之高加速度，此係因為另外真空腔室中之真空可增加夾緊器之固持力。此外，當釋放基板時，可將過壓施加至另外真空腔室，以便較快速地釋放晶圓且規定首先使基板之中心接觸待裝載有基板之基板台。因此，當在將基板定位於基板台上之前將負壓施加至另外真空腔室時，可在將基板定位至基板台上時將負壓改變成過壓，使得基板形狀可正規化。
圖2C描繪與圖2B所描繪之夾緊器相似的夾緊器，然而，另外真空腔室pv1具備複數個空氣軸承以用於將局域力施加至基板之不同部分。可將真空施加於pv1處。空氣軸承可與基板保持相隔一距離，以便防止在將真空施加於另外真空腔室中時基板接觸夾緊器。另外，可將壓力施加於AIB處。可提供一感測器或複數個感測器以量測基板之平坦度。真空施加管道中每一者處之局域壓力之位準可經調適以便增加基板之平坦度。該感測器或該等感測器可提供於夾緊器GRP上且因此量測朝向基板之頂部表面之距離。或者，該感測器或該等感測器可經配置以量測朝向基板之 底部表面之距離：在彼狀況下，該感測器或該等感測器可(例如)提供於微影裝置或關聯設備之靜止部件處，夾緊器定位於該(該等)感測器上方以便量測平坦度。應注意，如參看圖2B所描述，過壓及負壓之施加可同樣地應用於根據圖2C之實施例中。
圖3A描繪與圖2A所描繪之夾緊器相似的夾緊器，該夾緊器包含一硬性夾緊器框架GPF及相對於該硬性夾緊器框架具柔性之一或多個柔性真空夾持片段VCS，其在此實例中使用軸承BRG。真空供應孔口延伸通過夾緊器框架GPF及真空夾持片段VCS。柔性允許夾緊器GRP使其自身形成為待夾緊基板頂部表面之形狀。歸因於彈性，即使當基板表面之部分仍具有至夾緊器框架之大間隙時亦可夾緊基板。相對低真空位準可足夠。真空夾持片段VCS之真空接觸面積之定尺寸可提供所要夾持力：真空夾持片段VCS之質量愈低，則真空接觸面積可愈大，以便避免該等真空夾持片段在基板之表面上之提昇及/或振動。
圖3B描繪柔性夾緊器之另一實施例，該柔性夾緊器包含在此實例中諸如伸縮囊BLW之軟密封件。代替此實施例中以及此文件所描述之其他實施例中之伸縮囊，可應用具有在垂直方向上之柔性之任何其他密封件。夾緊器具備在真空供應孔口VSO之任一側上之環形突起部APT。當突起部被夾持時，突起部幾乎關閉真空至軟密封件(伸縮囊BLW)之間的真空腔室(之部分)之供應。經界定接觸面積可由突起部提供。
圖4中描繪夾緊器之另一實施例，該夾緊器包含夾緊器框架GPF及環形密封件SL，環形密封件SL自該夾緊器框架延伸以形成真空腔室。可(例如)在夾緊器框架GPF之中心提供真空入口孔口。環形密封件可展現在垂直方向上之高硬度以在由夾緊器夾緊基板時允許基板在垂直方向上之高夾緊力及準確定位。
圖5A及圖5B各自描繪接觸基板之表面之密封件SL之部件的視圖。如圖5A所描繪，諸如圖4所描繪之夾緊器之環形密封件可形成(例如)具有尖銳邊緣之環狀刀。如圖5B所描繪，諸如圖4所描繪之夾緊器之環形密封件可形成圓形邊緣。環狀刀及圓形邊緣兩者旨在提供對基板(例如，對基板之抗蝕劑或頂部塗層)之最小影響。在使用圓形邊緣的情況下，施加相對大表面接觸，從而縮減接觸壓力，因此縮減變形/壓痕。環狀刀以最小表面接觸基板，從而可能地切入基板之抗蝕劑或頂部塗層之小區。在夾緊器與基板之間的小橫向移動之狀況下，環狀刀可保持於其位置，且因此產生較少粒子。應注意，可應用機械密封件，以便覆蓋由於環形密封件之接觸而留存之剩餘凹槽(若存在)。圖6A中描繪具有形成環形刀之密封件SL之夾緊器的實例，而圖6B中描繪具有提供圓形邊緣之密封件SL之夾緊器的實例。
圖7高度示意性地說明具有由突起部PRT(諸如，環形突起部)形成之專用接觸結構之夾緊器的實例。專用接觸結構可允許基板之經準確界定定位，可在由夾緊器對基板之 輸送期間提供高橫向硬度。下文參看圖8A、圖8B及圖9來描述包含此專用接觸件之夾緊器之實施例。
圖8A及圖8B描繪一實施例，藉以，夾緊器框架GPF包含兩個同心軟密封件SL及由兩個同心軟密封件SL之間的環形突起部PRT形成之接觸結構。在環形突起部之任一側上，一各別真空供應孔口VSO通向真空腔室。如圖8B所描繪，當基板由於真空吸入力而接觸環形突起部時，可提供基板之經準確界定定位。應注意，如圖8A及圖8B所描繪，可提供在該真空腔室內部同心之另外真空腔室，該另外真空腔室具有其自有真空供應孔口。可經由各別真空供應孔口VSO而施加不同真空位準(壓力)，以便引入對基板之彎曲力。舉例而言，突起部PRT之徑向內側及外側上的真空腔室之部分可具備不同真空壓力位準，或真空腔室之真空供應孔口及另外真空腔室之真空供應孔口可具備不同真空壓力位準。可以與參看圖2B所描述之方式相似的方式來應用同心真空供應腔室。
圖9中描繪一稍微簡化實施例。此處，已省略第二(內部)軟密封件及真空腔室之真空供應孔口中之內部真空供應孔口，使得接觸結構可充當真空腔室與在真空腔室內部同心之另外真空腔室之間的密封件。
圖10A描繪包含夾緊器框架GPF及由刀片結構RZB形成之環形密封件之夾緊器的高度示意圖。真空腔室係由刀片結構RZB密封。刀片結構可提供在徑向方向上之柔性以縮減基板變形，同時提供在平移方向上之高硬度：如圖10B 之示意性俯視圖所描繪，當在x方向上平移時，在由點線標記之區域內所識別的刀片之區域展現在移動方向上之高硬度。刀片結構可包含可避免或縮減自所夾持之基板之外部邊緣至基板表面之內部區域(其中可投影或將投影經圖案化結構)之靜電放電的導電材料。
可藉由圖11所描繪之實施例來獲得如參看圖10A及圖10B所描述之相似效應。在此實施例中，密封件係由環形刀KNF形成。在此實例中諸如環形板片彈簧LFS之彈簧結構將夾緊器本體與環形刀KNF進行互連，以便提供環形刀KNF之徑向柔性RAC。圖12A及圖12B中描繪彈簧結構之另一實施例。在此實施例中，彈簧結構包含允許垂直柔性VEC之彈簧。在夾緊器框架GPF上或中，形成環形溝槽結構AGS(例如，半球形)，而在環形刀KNF之側處，形成與該環形溝槽結構互補之互補結構CS(例如，球形)，以便允許由該環形溝槽結構收納該互補結構。藉此，即使當板片彈簧被壓縮(如圖12B所描繪)時，環形刀KNF亦可展現徑向柔性RAC。圖13A中描繪使用彈簧結構之實例之又一實施例。在此實施例中，彈簧結構係由將夾緊器框架GPF連接至真空夾持子框架VCS之板片彈簧LFS形成，該真空夾持子框架包含兩個同心環形密封件，在圖13A之實施例中，該等密封件係由環形刀或環形突起部形成，而在圖13B所描繪之實施例中，該等密封件中之一者係由突起部或環形刀形成，而另一者(在此實例中為外部環形密封件)係由伸縮囊形成。在圖13A之實施例及圖13B之實施例兩 者中，使用可撓性真空供應管VST將真空提供至真空腔室。在圖13A之實施例及圖13B之實施例兩者中，真空夾持子框架可由單一環形部件形成，或可包含可縮減基板上之應力之複數個(例如，4個、6個或8個)片段。
可將真空夾持件應用於基板之頂部平坦圓周邊緣部分。然而，亦可將真空夾持件應用於基板之彎曲邊緣部分，以便儘可能少地干涉基板之表面之較中心區域上的任何圖案。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微 影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
AD‧‧‧調整器
AGS‧‧‧環形溝槽結構
AIB‧‧‧空氣軸承
APT‧‧‧環形突起部
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BLW‧‧‧伸縮囊
BRG‧‧‧軸承
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
CS‧‧‧互補結構
Fpre‧‧‧預負載力
GPF‧‧‧硬性夾緊器框架
GRP‧‧‧夾緊器本體/夾緊器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
KNF‧‧‧環形刀
LFS‧‧‧環形板片彈簧
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/圖案化器件支撐件/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PRT‧‧‧環形突起部
PS‧‧‧投影系統
Pv‧‧‧負壓
Pv1‧‧‧另外真空腔室/外部真空腔室/中心腔室
Pv2‧‧‧真空腔室
PW‧‧‧第二定位器件
RAC‧‧‧徑向柔性
RZB‧‧‧刀片結構
SL‧‧‧同心環形密封件/外部密封件/同心軟密封件
SO‧‧‧輻射源
VCS‧‧‧柔性真空夾持片段/真空夾持子框架
VEC‧‧‧垂直柔性
VSO‧‧‧真空供應孔口
VST‧‧‧可撓性真空供應管
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪可提供本發明之一實施例的微影裝置； 圖2A至圖2C各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖3A至圖3B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖4描繪根據本發明之一實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖5A至圖5B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖6A至圖6B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖7描繪根據本發明之一實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖8A至圖8B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖9描繪根據本發明之一實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖10A至圖10B分別描繪根據本發明之一實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖及俯視圖；圖11描繪根據本發明之一實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；圖12A至圖12B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖；及圖13A至圖13B各自描繪根據本發明之實施例之夾緊器之部件的示意性部分橫截面側視圖。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構/圖案化器件支撐件/光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件轉印至一基板上之微影裝置，該微影裝置包含經建構以固持一基板之一基板台及經配置以將該基板定位於該基板台上之一夾緊器，該夾緊器包含經配置以在該基板之一頂側處夾持該基板之一真空夾持件。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該真空夾持件經配置以夾持基板頂部表面之一圓周外部區之至少一部分。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含兩個同心密封件及形成於該等密封件之間的一真空腔室。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含：經配置以夾持該基板頂部表面之該圓周外部區之至少一部分的一真空腔室；及用以夾持該基板表面之一中心區域之至少一部分的與該真空腔室同心之一另外真空腔室。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中該另外真空腔室包含複數個真空入口管道，該微影裝置包含用以量測該基板之一平坦度之一感測器及用以根據該測定平坦度來控制真空至該等真空入口管道中每一者之一施加之一真空施加控制器。
  6. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含一硬性夾緊器框架及經配置以接觸該基板表面之至少一柔性夾緊器部件，該柔性夾緊器部件可相對於該硬性夾緊器框架而移動。
  7. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含：兩 個同心軟密封件；用以將該真空供應於形成於該等軟密封件之間的一真空腔室中之一真空供應孔口；及在該真空腔室中位於該真空供應孔口之任一側上之環形突起部，該等突起部經形成為在由該夾緊器夾持該基板時實質上截止至該真空腔室之一剩餘部分之該真空供應。
  8. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含形成於該真空腔室中之一接觸結構，該接觸結構經配置以在由該夾緊器夾緊該基板時建立與該基板之一接觸。
  9. 如請求項8之微影裝置，其中該真空夾持件包含用以形成一外部密封件之一環形軟密封件，該接觸結構為環形且與該軟環形軟密封件同心，一真空供應孔口係在該環形軟密封件與該接觸結構之間提供至該真空腔室中。
  10. 如請求項1或2之微影裝置，其中該真空夾持件包含一夾緊器框架及自該夾緊器框架延伸以形成一真空腔室之一環形密封件。
  11. 如請求項10之微影裝置，其中該環形密封件包含一環形刀片。
  12. 如請求項10之微影裝置，其中該環形密封件包含一環形刀及用以將該環形刀連接至該夾緊器框架之一彈簧結構。
  13. 一種基板處置方法，其包含：使用一夾緊器將基板定位於一微影裝置之一基板台上，該定位包含使用該夾緊器之一真空夾持件而在該基板之一頂側處夾持該基板。
  14. 如請求項13之基板處置方法，其包含夾持基板頂部表面之一圓周外部區之至少一部分。
  15. 一種用於處置一基板之基板處置器，該基板處置器包含經組態以夾緊該基板且將該基板定位於一基板台上之一夾緊器，其中該夾緊器包含經配置以在該基板之一頂側處夾持該基板之一真空夾持件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11079684B2 (en) 2018-01-30 2021-08-03 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and a method for determining a substrate grid

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITCO20150008A1 (it) * 2015-04-20 2016-10-20 L P E S P A Utensile per manipolare substrati e reattore epitassiale
WO2017079377A1 (en) * 2015-11-03 2017-05-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Systems and methods for passive alignment of semiconductor wafers
US11081383B2 (en) * 2017-11-24 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate table with vacuum channels grid

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4624551A (en) * 1983-09-17 1986-11-25 Nippon Kogaku K.K. Light irradiation control method for projection exposure apparatus
JPH0533012Y2 (zh) * 1988-01-22 1993-08-23
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
US6672358B2 (en) * 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
JP4108941B2 (ja) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
US6939206B2 (en) * 2001-03-12 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus of sealing wafer backside for full-face electrochemical plating
JP3751246B2 (ja) * 2001-11-13 2006-03-01 大日本スクリーン製造株式会社 薄膜形成装置および搬送方法
JP2004014723A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Canon Inc 露光装置
JP3927158B2 (ja) * 2002-07-11 2007-06-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダおよびデバイス製造方法
US6896304B2 (en) * 2002-09-03 2005-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automatic sensing wafer blade and method for using
US7397539B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-08 Asml Netherlands, B.V. Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof
KR100536600B1 (ko) * 2003-06-23 2005-12-14 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 수단을 갖는 투영 노광 장비
US7352438B2 (en) * 2006-02-14 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5068107B2 (ja) * 2007-06-18 2012-11-07 Ｎｓｋテクノロジー株式会社 露光装置用基板搬送機構及びその制御方法
JP2010076929A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Ushio Inc 基板搬送アーム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11079684B2 (en) 2018-01-30 2021-08-03 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
TWI735842B (zh) * 2018-01-30 2021-08-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 量測裝置及用於判定基板格柵的方法
US11966166B2 (en) 2018-01-30 2024-04-23 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and a method for determining a substrate grid

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