JP2013098551A - リソグラフィ装置および基板ハンドリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように配置されたリソグラフィ装置であって、リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルと、基板を基板テーブル上に位置決めするように配置されたグリッパと、を備える。グリッパは、基板をその上面においてクランプするように配置された真空クランプを有する。一実施形態では、真空クランプは、基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプするように配置される。グリッパを用いて、基板をリソグラフィ装置の基板テーブル上に位置決めすることを含む基板ハンドリング方法も提供される。かかる方法は、グリッパの真空クランプを用いて基板をその上面においてクランプすることを含む。
【選択図】図1
Description
1.ステップモードでは、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」と、基板テーブルWTまたは「基板サポート」とを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、Xおよび/またはY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードでは、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」と、基板テーブルWTまたは「基板サポート」を同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えばマスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTまたは「基板サポート」を動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは「基板サポート」の移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (15)
- パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板を前記基板テーブル上に位置決めするグリッパと、を備え、
前記グリッパは、前記基板をその上面においてクランプする真空クランプを有する、リソグラフィ装置。 - 前記真空クランプは、前記基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプする、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、2つの同心円状シールと、前記シール間に形成される真空チャンバと、を有する、請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、前記基板頂面の前記周縁外側帯の少なくとも一部をクランプする真空チャンバと、前記真空チャンバと同心円状で、前記基板面の中心領域の少なくとも一部をクランプする更なる真空チャンバと、を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記さらなる真空チャンバは、複数の真空インレット管を有し、
前記リソグラフィ装置は、前記基板の平坦度を測定するセンサと、前記測定された平坦度に応じて前記真空インレット管のそれぞれへの真空の印加を制御する真空印加コントローラと、を有する、請求項4に記載のリソグラフィ装置。 - 前記真空クランプは、剛性グリッパフレームと、前記基板面に接触する少なくとも1つの柔軟グリッパ部と、を有し、前記柔軟グリッパ部は、前記剛性グリッパフレームに対して可動である、請求項1から5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、2つの同心円状の軟性シールと、前記軟性シール間に形成された真空チャンバ内に真空を供給する真空供給オリフィスと、前記真空供給オリフィスの両側の前記真空チャンバ内の環状突起部と、を有し、前記突起部は、前記基板がグリッパによってクランプされると前記真空チャンバの残りの部分への真空供給を実質的に遮断するように形成される、請求項1から6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、前記真空チャンバ内に形成された接触構造を含み、前記接触構造は、前記グリッパによってグリップされると前記基板との接触を確立する、請求項1から7のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、外側シールを形成する環状軟性シールを有し、前記接触構造は、環状であって前記軟性環状軟性シールと同心円状であり、前記環状軟性シールと前記接触構造との間の前記真空チャンバ内へと真空供給オリフィスが設けられる、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記真空クランプは、グリッパフレームと、前記グリッパフレームから延在して真空チャンバを形成する環状シールと、を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記環状シールは、環状レーザーブレードを有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記環状シールは、環状ナイフと、前記環状ナイフを前記グリッパフレームに接続するバネ構造と、を有する、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- グリッパを用いて、前記基板をリソグラフィ装置の基板テーブル上に位置決めすることを含み、
前記位置決めすることは、前記グリッパの真空クランプを用いて前記基板をその上面においてクランプすることを含む、基板ハンドリング方法。 - 前記基板頂面の周縁外側帯の少なくとも一部をクランプすることを含む、請求項13に記載の基板ハンドリング方法。
- 基板をハンドリングするための基板ハンドラであって、
前記基板をグリップし、前記基板を基板テーブル上に位置決めするグリッパを備え、
前記グリッパは、前記基板をその上面においてクランプする真空クランプを有する、基板ハンドラ。
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