JPH07297262A - 真空を使った真空チャンバ内のウエハ取扱 - Google Patents
真空を使った真空チャンバ内のウエハ取扱Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ウエハ処理において、ウエハを下向きで支持
する手段を提供する。 【構成】 Ｃ形状支持組立体から支えられた傾斜のつい
た接触面を有する一組の三つのトランスファフィンガ７
６ａ〜ｃが、サセプタ１３８の底面に隣接して置かれて
いるウエハを持ち上げる。ウエハの大きな部分を被って
いるサセプタの面内の凹みが、処理チャンバ圧力に比べ
て排気され、処理チャンバとウエハの後ろの排気された
凹みとの間の差圧がウエハを支えることができるように
なると、トランスファフィンガ支持体は下に下がり、ウ
エハとサセプタ組立体の下から回転し外れる。それから
サセプタは、真空によって取付けられたウエハと共に、
Ｃ形状支持組立体によって支持されまたガス分布板に対
抗するシャドウリングに接触する処理位置にまで降ろさ
れる。
する手段を提供する。 【構成】 Ｃ形状支持組立体から支えられた傾斜のつい
た接触面を有する一組の三つのトランスファフィンガ７
６ａ〜ｃが、サセプタ１３８の底面に隣接して置かれて
いるウエハを持ち上げる。ウエハの大きな部分を被って
いるサセプタの面内の凹みが、処理チャンバ圧力に比べ
て排気され、処理チャンバとウエハの後ろの排気された
凹みとの間の差圧がウエハを支えることができるように
なると、トランスファフィンガ支持体は下に下がり、ウ
エハとサセプタ組立体の下から回転し外れる。それから
サセプタは、真空によって取付けられたウエハと共に、
Ｃ形状支持組立体によって支持されまたガス分布板に対
抗するシャドウリングに接触する処理位置にまで降ろさ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、下向き処理用の、例え
ば化学蒸着（ＣＶＤ）や同様のプロセスのための、半導
体基板（ウエハ）の移送（ｔｒａｎｓｆｅｒ）及び保持
（ｈｏｌｄｉｎｇ）に関連した構造や方法に関する。
ば化学蒸着（ＣＶＤ）や同様のプロセスのための、半導
体基板（ウエハ）の移送（ｔｒａｎｓｆｅｒ）及び保持
（ｈｏｌｄｉｎｇ）に関連した構造や方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハを処理するときには、微粒
子がウエハの表面を汚染することがある。処理チャンバ
を通過するガスを清浄にし、濾過するためにあらゆる努
力がなされているが、プロセスそれ自身の化学的な副生
物（ｂｙｐｒｏｄｕｃｔｓ）（蒸着物（ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｓ））が微粒子を形成することがあり、そ
れがチャンバの内側表面に一時的に付着する。これらの
微粒子がその表面から解放されると、それらは処理され
るウエハの上向きの表面に落下しうることとなり、汚染
を引き起こし、ウエハの不合格を引き起こす。微粒子汚
染の現象はよく知られており、デイビス（Ｄａｖｉｓ）
他に発行された米国特許第４，８４２，６８０号に記載
されている。その特許は、微粒子のサイズと、真空環境
中で１ｍ落ちる時間との比較を議論している。下向き位
置に於けるウエハ処理が、そのような微粒子汚染を避け
るための、また微粒子やガス分布汚染を除去する際に重
力の効果を利用するための努力の中で、提案され論証さ
れている。
子がウエハの表面を汚染することがある。処理チャンバ
を通過するガスを清浄にし、濾過するためにあらゆる努
力がなされているが、プロセスそれ自身の化学的な副生
物（ｂｙｐｒｏｄｕｃｔｓ）（蒸着物（ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓｉｔｓ））が微粒子を形成することがあり、そ
れがチャンバの内側表面に一時的に付着する。これらの
微粒子がその表面から解放されると、それらは処理され
るウエハの上向きの表面に落下しうることとなり、汚染
を引き起こし、ウエハの不合格を引き起こす。微粒子汚
染の現象はよく知られており、デイビス（Ｄａｖｉｓ）
他に発行された米国特許第４，８４２，６８０号に記載
されている。その特許は、微粒子のサイズと、真空環境
中で１ｍ落ちる時間との比較を議論している。下向き位
置に於けるウエハ処理が、そのような微粒子汚染を避け
るための、また微粒子やガス分布汚染を除去する際に重
力の効果を利用するための努力の中で、提案され論証さ
れている。
【０００３】テキサスインスツルメント社は、ウエハ処
理技術に於ける改善として、下向きウエハ処理をよく提
案している。しかしながら、下向きウエハの汚染を避け
るためには、ウエハの下向き処理面に接触がないように
する必要がある。今まで試みられてきた一つの技術は、
処理中にウエハを支持するために、ウエハの面上に或い
はエッジ部分にピンを使用することである。処理中にウ
エハを支持するために金属製の或いはセラミックのピン
を使用すると、付着力が不適切な変態性の堆積（ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ａｎｏｍａｌｉｅｓ）を生じ、新たに
堆積はしたが接着力が適切でないコ−ティング材料のフ
レ−キング（ｆｌａｋｉｎｇ）につながることがある。
理技術に於ける改善として、下向きウエハ処理をよく提
案している。しかしながら、下向きウエハの汚染を避け
るためには、ウエハの下向き処理面に接触がないように
する必要がある。今まで試みられてきた一つの技術は、
処理中にウエハを支持するために、ウエハの面上に或い
はエッジ部分にピンを使用することである。処理中にウ
エハを支持するために金属製の或いはセラミックのピン
を使用すると、付着力が不適切な変態性の堆積（ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ａｎｏｍａｌｉｅｓ）を生じ、新たに
堆積はしたが接着力が適切でないコ−ティング材料のフ
レ−キング（ｆｌａｋｉｎｇ）につながることがある。
【０００４】下向きウエハ処理技術は、ブランケット
（ｂｌａｎｋｅｔ）タングステンが堆積されるときに
は、特に有利であると考えられている。下向き技術はま
た、コ−ティング厚さの一様性を更に高めるのに役立つ
と考えられている。
（ｂｌａｎｋｅｔ）タングステンが堆積されるときに
は、特に有利であると考えられている。下向き技術はま
た、コ−ティング厚さの一様性を更に高めるのに役立つ
と考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ウエハの下向き処理技
術を導入するという上記の試みは、検証されテストさ
れ、最終的には、保管し移送しまた処理している間に下
向き面を汚染することなしに半導体ウエハを扱うための
合理的な程度まで自動化された方法がないという理由で
斥けられた。このようにして、ウエハの処理表面に痕跡
をつけることがなく、また合理的な程度まで自動化に適
した、ウエハを処理する際に下向き位置で半導体ウエハ
を支持するための手段の必要性が存在している。
術を導入するという上記の試みは、検証されテストさ
れ、最終的には、保管し移送しまた処理している間に下
向き面を汚染することなしに半導体ウエハを扱うための
合理的な程度まで自動化された方法がないという理由で
斥けられた。このようにして、ウエハの処理表面に痕跡
をつけることがなく、また合理的な程度まで自動化に適
した、ウエハを処理する際に下向き位置で半導体ウエハ
を支持するための手段の必要性が存在している。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、半導
体ウエハを移送し、処理中は勿論のことＣＶＤ型処理チ
ャンバに出し入れする移送の間に半導体ウエハを支持す
る構造と方法を提供する。真空グリップ（ｇｒｉｐ）
が、下向きウエハの裏側に用いられ、移送及び処理中に
そのウエハを支持する。
体ウエハを移送し、処理中は勿論のことＣＶＤ型処理チ
ャンバに出し入れする移送の間に半導体ウエハを支持す
る構造と方法を提供する。真空グリップ（ｇｒｉｐ）
が、下向きウエハの裏側に用いられ、移送及び処理中に
そのウエハを支持する。
【０００７】最も単純な形態に於いては、上向きウエハ
処理チャンバが、逆さにされ、移送及び処理中にウエハ
を取扱い保持するために必要な構造を支持するように、
再構成される。円形のウエハが、処理チャンバ内にウエ
ハを導入するためのロボットブレ−ドの上に、下向きに
置かれる。そのブレ−ドは、傾斜した（ｓｌｏｐｅｄ
（ｂｅｖｅｌｅｄ））円錐形の面を有する凹んだ（ｒｅ
ｃｅｓｓｅｄ）ウエハ受容部分を含み、その円錐形の面
上に、ウエハがその外側エッジに非常に近い下部面上で
支持される。そのブレ−ドは処理チャンバ内に移動し、
ウエハをその処理位置（ｌｏｃａｔｉｏｎ（ｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ））上に直接載置する。
処理チャンバが、逆さにされ、移送及び処理中にウエハ
を取扱い保持するために必要な構造を支持するように、
再構成される。円形のウエハが、処理チャンバ内にウエ
ハを導入するためのロボットブレ−ドの上に、下向きに
置かれる。そのブレ−ドは、傾斜した（ｓｌｏｐｅｄ
（ｂｅｖｅｌｅｄ））円錐形の面を有する凹んだ（ｒｅ
ｃｅｓｓｅｄ）ウエハ受容部分を含み、その円錐形の面
上に、ウエハがその外側エッジに非常に近い下部面上で
支持される。そのブレ−ドは処理チャンバ内に移動し、
ウエハをその処理位置（ｌｏｃａｔｉｏｎ（ｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ））上に直接載置する。
【０００８】トランスファフィンガ支持組立体が、ウエ
ハをブレ−ドから持ち上げる。この組立体は、ウエハに
向かって延びる三つのトランスファフィンガを含む。各
フィンガは、ウエハのエッジの下に位置するテ−パ−の
ついた即ち傾斜のついた端部面を有し、トランスファフ
ィンガが持ち上げられたとき、それがウエハをロボット
ブレ−ドから持ち上げるようになっている。上昇する
時、トランスファフィンガとウエハとの間の接触は、ウ
エハのエッジの一番外側に近い下部の各フィンガの上に
於ける、一点のみ或いは一つの線のみの接触である。
ハをブレ−ドから持ち上げる。この組立体は、ウエハに
向かって延びる三つのトランスファフィンガを含む。各
フィンガは、ウエハのエッジの下に位置するテ−パ−の
ついた即ち傾斜のついた端部面を有し、トランスファフ
ィンガが持ち上げられたとき、それがウエハをロボット
ブレ−ドから持ち上げるようになっている。上昇する
時、トランスファフィンガとウエハとの間の接触は、ウ
エハのエッジの一番外側に近い下部の各フィンガの上に
於ける、一点のみ或いは一つの線のみの接触である。
【０００９】ウエハはトランスファフィンガ支持組立体
の三つのフィンガによって持ち上げられ、そのウエハ
は、サセプタ支持組立体のサセプタ支持ア−ムによって
支持された下向きサセプタに非常に近い一点に到達す
る。その下向きサセプタは凹んだ面を含んでいる。その
凹みは、ウエハを平坦な面上に支持するためにその凹み
から出っ張っている一連のウエハ支持点を含んでいる。
サセプタの凹みに接続された真空システムが、次に起動
され、処理チャンバとサセプタ真空システムとの間の差
圧がウエハ上に十分な力を提供し、サセプタの底面にそ
れをしっかりと支持する。
の三つのフィンガによって持ち上げられ、そのウエハ
は、サセプタ支持組立体のサセプタ支持ア−ムによって
支持された下向きサセプタに非常に近い一点に到達す
る。その下向きサセプタは凹んだ面を含んでいる。その
凹みは、ウエハを平坦な面上に支持するためにその凹み
から出っ張っている一連のウエハ支持点を含んでいる。
サセプタの凹みに接続された真空システムが、次に起動
され、処理チャンバとサセプタ真空システムとの間の差
圧がウエハ上に十分な力を提供し、サセプタの底面にそ
れをしっかりと支持する。
【００１０】次にトランスファフィンガ支持組立体は下
げられ、それがウエハをその処理位置に置くように降下
する際、トランスファフィンガはサセプタとウエハ組立
体の進路から外れるように動かされる。処理位置に於い
て、ウエハとサセプタはチャンバガス分配板の反対側の
シャド−リング（Ｓｈａｄｏｗ ｒｉｎｇ）組立体上に
載る。そのシャド−リング組立体も、またトランスファ
フィンガ支持組立体から支持されている。
げられ、それがウエハをその処理位置に置くように降下
する際、トランスファフィンガはサセプタとウエハ組立
体の進路から外れるように動かされる。処理位置に於い
て、ウエハとサセプタはチャンバガス分配板の反対側の
シャド−リング（Ｓｈａｄｏｗ ｒｉｎｇ）組立体上に
載る。そのシャド−リング組立体も、またトランスファ
フィンガ支持組立体から支持されている。
【００１１】サセプタを支持しているサセプタ支持ア−
ムは中空であり、サセプタ面上の凹みを真空接続をもっ
て真空源に接続している金属製のチュ−ブ真空通路を含
む。サセプタの裏の中心への熱電対ワイヤが、このチュ
−ブの内側を走っており、サセプタの裏の中心にある熱
電対につながっている。
ムは中空であり、サセプタ面上の凹みを真空接続をもっ
て真空源に接続している金属製のチュ−ブ真空通路を含
む。サセプタの裏の中心への熱電対ワイヤが、このチュ
−ブの内側を走っており、サセプタの裏の中心にある熱
電対につながっている。
【００１２】このサセプタ面と凹みの設計は、加熱され
るウエハの面上の温度の一様性を改善している。ウエハ
の背後の、サセプタの面内の凹みの深さを増加すると、
サセプタの面上の同一位置に対応する位置にあるウエハ
への熱伝達を低減する。ウエハサセプタ組立体の周辺部
に於ける熱損失が、サセプタの中心に於ける熱損失に比
べて高いので、所定の形状とすれば加熱量が少なくな
り、或いはサセプタの中心近くの熱損失を比較的大きく
すれば、サセプタの周辺部に於ける熱損失が補償され、
ウエハ上の温度の一様性が改善され、その結果ウエハの
表面上に、より一様な堆積コ−ティングがもたらされ
る。
るウエハの面上の温度の一様性を改善している。ウエハ
の背後の、サセプタの面内の凹みの深さを増加すると、
サセプタの面上の同一位置に対応する位置にあるウエハ
への熱伝達を低減する。ウエハサセプタ組立体の周辺部
に於ける熱損失が、サセプタの中心に於ける熱損失に比
べて高いので、所定の形状とすれば加熱量が少なくな
り、或いはサセプタの中心近くの熱損失を比較的大きく
すれば、サセプタの周辺部に於ける熱損失が補償され、
ウエハ上の温度の一様性が改善され、その結果ウエハの
表面上に、より一様な堆積コ−ティングがもたらされ
る。
【００１３】トランスファウエハ支持組立体は、処理チ
ャンバの高温による損傷に耐えるようにセラミック材料
で構成されたチャンネルとして形成されているＣ（或い
は三日月形の鎌（ｓｉｃｋｌｅ））形状の一部フ−プ
（ｈｏｏｐ）である。そのＣ形状のチャンネルは、トラ
ンスファフィンガを同時に動かすようにそれらを接続し
たリンクを含んだトランスファフィンガ回転機構を取り
囲んでいる。各フィンガ軸は、フィンガ軸のクランクア
−ムとして知られているオフセットピンを有している。
隣接したフィンガ軸のクランクア−ムは、クランクア−
ム接続部材（リンク（ｌｉｎｋｓ））によって接続され
ており、一つの接続部材が動けばクランクア−ムとフィ
ンガ軸が同時に動くようになっている。
ャンバの高温による損傷に耐えるようにセラミック材料
で構成されたチャンネルとして形成されているＣ（或い
は三日月形の鎌（ｓｉｃｋｌｅ））形状の一部フ−プ
（ｈｏｏｐ）である。そのＣ形状のチャンネルは、トラ
ンスファフィンガを同時に動かすようにそれらを接続し
たリンクを含んだトランスファフィンガ回転機構を取り
囲んでいる。各フィンガ軸は、フィンガ軸のクランクア
−ムとして知られているオフセットピンを有している。
隣接したフィンガ軸のクランクア−ムは、クランクア−
ム接続部材（リンク（ｌｉｎｋｓ））によって接続され
ており、一つの接続部材が動けばクランクア−ムとフィ
ンガ軸が同時に動くようになっている。
【００１４】トランスファフィンガがその延び出した位
置からその引っ込んだ（ｒｅｔｒａｃｔｅｄ（ｓｔｏｗ
ｅｄ））位置まで回転するとき、トランスファフィンガ
の下の位置まで、またウエハ処理位置にあるシャド−リ
ング組立体の中まで降下する際、フィンガはウエハとサ
セプタの組立体の進路の外にある。
置からその引っ込んだ（ｒｅｔｒａｃｔｅｄ（ｓｔｏｗ
ｅｄ））位置まで回転するとき、トランスファフィンガ
の下の位置まで、またウエハ処理位置にあるシャド−リ
ング組立体の中まで降下する際、フィンガはウエハとサ
セプタの組立体の進路の外にある。
【００１５】Ｃ形状のトランスファフィンガ支持組立体
のフ−プに開口部があるので、サセプタ支持ア−ム及び
サセプタ支持組立体が処理チャンバ内でトランスファフ
ィンガ支持組立体と独立して自由に上下することがで
き、それら二つの間の干渉を避けている。
のフ−プに開口部があるので、サセプタ支持ア−ム及び
サセプタ支持組立体が処理チャンバ内でトランスファフ
ィンガ支持組立体と独立して自由に上下することがで
き、それら二つの間の干渉を避けている。
【００１６】そのトランスファリフトフィンガは、フィ
ンガ軸とトランスファフィンガの水平部分内にある対応
するインデンテ−ション（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎｓ）
によって、トランスファフィンガ支持組立体から支持さ
れている、フィンガ軸上に保持されている。セラミック
ボ−ルが、フィンガ軸インデンテ−ション内に置かれて
おり、トランスファフィンガ軸接続穴の水平部分にある
対応するインデンテ−ション（ぴったりと嵌合した半円
キ−溝）によって、そこに補捉されている。
ンガ軸とトランスファフィンガの水平部分内にある対応
するインデンテ−ション（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎｓ）
によって、トランスファフィンガ支持組立体から支持さ
れている、フィンガ軸上に保持されている。セラミック
ボ−ルが、フィンガ軸インデンテ−ション内に置かれて
おり、トランスファフィンガ軸接続穴の水平部分にある
対応するインデンテ−ション（ぴったりと嵌合した半円
キ−溝）によって、そこに補捉されている。
【００１７】トランスファフィンガは、トランスファフ
ィンガ回転機構によって動かされる。この回転機構はト
ランスファフィンガから成っており、その各々はフィン
ガ軸によって支えられている。そのフィンガ軸は、その
先端に於いて二つのフランジを含んでいる。これらフラ
ンジのエッジを貫通する穴であって、フィンガ軸の長手
方向の軸芯に平行な穴が、フィンガ軸用クランクア−ム
として働く支点（ｐｉｖｏｔ）ピンを受容している。
ィンガ回転機構によって動かされる。この回転機構はト
ランスファフィンガから成っており、その各々はフィン
ガ軸によって支えられている。そのフィンガ軸は、その
先端に於いて二つのフランジを含んでいる。これらフラ
ンジのエッジを貫通する穴であって、フィンガ軸の長手
方向の軸芯に平行な穴が、フィンガ軸用クランクア−ム
として働く支点（ｐｉｖｏｔ）ピンを受容している。
【００１８】一組のクランクア−ム接続部材が、隣接す
るフィンガ軸のクランクア−ムを接続している。クラン
クア−ム接続部材は、その一番端部に、フィンガ軸フラ
ンジ上のピン穴に一致する穴を有しており、接続部材が
フランジ同士の間にあり且つピンがしかるべき位置にあ
るとき、クランクア−ム接続部材の動きによって軸がそ
の軸受の上で回転するようになる。
るフィンガ軸のクランクア−ムを接続している。クラン
クア−ム接続部材は、その一番端部に、フィンガ軸フラ
ンジ上のピン穴に一致する穴を有しており、接続部材が
フランジ同士の間にあり且つピンがしかるべき位置にあ
るとき、クランクア−ム接続部材の動きによって軸がそ
の軸受の上で回転するようになる。
【００１９】三つのトランスファフィンガ形態が、Ｃ形
状のトランスファア−ム支持部材の回りに与えられてい
る。そのＣ形状の両端部に最も近いトランスファフィン
ガ組立体の各々はクランクピンを一つだけ有している。
二つの端部組立体の間のトランスファフィンガ組立体
は、お互いに隣接した位置にある二つのクランクア−ム
ピンを有しており、一つの接続部材が、ある一つの方向
に動かされるとき、もう一方の接続部材が同一方向に動
くようになっている。しかしながら、中間トランスファ
フィンガ組立体は、両クランクア−ム接続部材が接続さ
れることができるクランクア−ム一つだけ、或いはその
中間クランクア−ムの回転軸の向い側に二つのクランク
ア−ムを有することができ、それらは同一方向ではなく
むしろ反対方向に動く。
状のトランスファア−ム支持部材の回りに与えられてい
る。そのＣ形状の両端部に最も近いトランスファフィン
ガ組立体の各々はクランクピンを一つだけ有している。
二つの端部組立体の間のトランスファフィンガ組立体
は、お互いに隣接した位置にある二つのクランクア−ム
ピンを有しており、一つの接続部材が、ある一つの方向
に動かされるとき、もう一方の接続部材が同一方向に動
くようになっている。しかしながら、中間トランスファ
フィンガ組立体は、両クランクア−ム接続部材が接続さ
れることができるクランクア−ム一つだけ、或いはその
中間クランクア−ムの回転軸の向い側に二つのクランク
ア−ムを有することができ、それらは同一方向ではなく
むしろ反対方向に動く。
【００２０】三日月形の鎌シックルの取っ手部分にある
駆動部材（Ｃ形状ピース（ｐｉｅｃｅ）から飛び出た部
分）がクランクア−ム接続部材の一つに固定されてお
り、この剛性のあるピ−スを動かすことによって全ての
トランスファフィンガがそれぞれ移送位置及び引っ込ん
だ位置の間を同時に動く。
駆動部材（Ｃ形状ピース（ｐｉｅｃｅ）から飛び出た部
分）がクランクア−ム接続部材の一つに固定されてお
り、この剛性のあるピ−スを動かすことによって全ての
トランスファフィンガがそれぞれ移送位置及び引っ込ん
だ位置の間を同時に動く。
【００２１】クランクア−ム接続部材が固着するのを防
ぐために、円形の沈み穴（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｂｏｒｅ）
内に収容されたボ−ルベアリングが、一般的にトランス
ファフィンガ組立体の間に集中した各クランクア−ム接
続部材の下に設けられる。その接続部材は、動く際は、
そのボ−ルの上に乗っている。
ぐために、円形の沈み穴（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｂｏｒｅ）
内に収容されたボ−ルベアリングが、一般的にトランス
ファフィンガ組立体の間に集中した各クランクア−ム接
続部材の下に設けられる。その接続部材は、動く際は、
そのボ−ルの上に乗っている。
【００２２】種々の組立体の構造はまた、基板処理チャ
ンバ内で基板を取扱うための方法を定める。その方法
は、処理チャンバ内で基板処理位置の上方に基板を置く
ことによって、基板の動きを追う。即ち基板をサセプタ
組立体まで持ち上げ、真空をサセプタ組立体に適用し確
実に基板をサセプタに付着させ、サセプタ組立体に取付
けられたウエハからウエハリフト機構を解放し、ウエハ
リフト機構を操作しその進路内でウエハサセプタ組立体
の進路から処理位置に向けて外に動かし、ウエハとサセ
プタ組立体を処理のために処理位置まで降下させる。
ンバ内で基板を取扱うための方法を定める。その方法
は、処理チャンバ内で基板処理位置の上方に基板を置く
ことによって、基板の動きを追う。即ち基板をサセプタ
組立体まで持ち上げ、真空をサセプタ組立体に適用し確
実に基板をサセプタに付着させ、サセプタ組立体に取付
けられたウエハからウエハリフト機構を解放し、ウエハ
リフト機構を操作しその進路内でウエハサセプタ組立体
の進路から処理位置に向けて外に動かし、ウエハとサセ
プタ組立体を処理のために処理位置まで降下させる。
【００２３】本発明の構造と方法は従来技術を改善し、
下向き状態に於ける半導体ウエハの自動移送及び処理が
高水準の信頼性をもってまた従来技術よりも更に容易に
遂行できる。
下向き状態に於ける半導体ウエハの自動移送及び処理が
高水準の信頼性をもってまた従来技術よりも更に容易に
遂行できる。
【００２４】
【実施例】下向き位置で半導体基板（ウエハ）を処理す
る利点を活用するために、これらの基板の移送及び取扱
いは、処理ウエハ面の汚染を避けなければならない。汚
染は、移送中や処理中に基板面に付着する微粒子の浮遊
の結果として、或いはあらゆる異物（金属、セラミッ
ク、或いは他のもの）との接触の結果として生じうる。
そのような異物は、接触の結果としてウエハ面上に数個
の原子或いは微粒子を残すのである（最も穏やかな接触
であってさえも微量な物質を残しうる）。異物たる微粒
子や、特に半導体の性能に影響を与えることのある原子
構造を有する微粒子は、いかなる種類のものであって
も、回避されなければならない。半導体処理業界で普通
に行われているやり方は、処理すべきウエハをその裏面
上で、或いは裏面上によって支持することである。前面
（処理すべき側のウエハ面）が上向きのときは、ウエハ
の重量及び重力が、ウエハを処理すべき位置に、またそ
の位置から移送しまたウエハをその位置で処理している
間適切な位置に保持するに十分である。
る利点を活用するために、これらの基板の移送及び取扱
いは、処理ウエハ面の汚染を避けなければならない。汚
染は、移送中や処理中に基板面に付着する微粒子の浮遊
の結果として、或いはあらゆる異物（金属、セラミッ
ク、或いは他のもの）との接触の結果として生じうる。
そのような異物は、接触の結果としてウエハ面上に数個
の原子或いは微粒子を残すのである（最も穏やかな接触
であってさえも微量な物質を残しうる）。異物たる微粒
子や、特に半導体の性能に影響を与えることのある原子
構造を有する微粒子は、いかなる種類のものであって
も、回避されなければならない。半導体処理業界で普通
に行われているやり方は、処理すべきウエハをその裏面
上で、或いは裏面上によって支持することである。前面
（処理すべき側のウエハ面）が上向きのときは、ウエハ
の重量及び重力が、ウエハを処理すべき位置に、またそ
の位置から移送しまたウエハをその位置で処理している
間適切な位置に保持するに十分である。
【００２５】ウエハを下向き位置で処理するためには、
ウエハは逆さにして（処理面を下向きにして）取扱わな
ければならず、或いはウエハは通常の上向き移送方向か
ら所望の下向き処理位置に向きを変えなければならな
い。取扱い中のウエハに接触するということは、ウエハ
のエッジ部分に或いはその近傍に、高い確率で欠陥を生
じさせるということが知られている。また通常の処理中
には、シャドー（バリア）リング（ｓｈａｄｏｗ （ｂ
ａｒｒｉｅｒ） ｒｉｎｇ）が、ウエハのエッジ回りを
密封するようにウエハのエッジをカバ−するために提供
され、処理ガスがそのエッジの周りに入り込み化学蒸着
（ＣＶＤ）処理の産物がウエハの裏面上に堆積するのを
防止する。ウエハの裏側への蒸着は、汚染であると考え
られ、ウエハを不合格にし、多くの半導体の用途にとっ
て許容出来ない。不合格率を最小限にするために、また
ウエハのエッジ部分に生じるどのような僅かな欠陥と汚
染をも低減するために、ウエハの外側３ｍｍは排他的領
域（ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ ａｒｅａ）と考えられてい
る。それ故、排他的領域と呼ばれるこの周辺の帯状領域
に触っても、汚染物質が導入されたことにもならないし
ウエハも不合格にはならない。
ウエハは逆さにして（処理面を下向きにして）取扱わな
ければならず、或いはウエハは通常の上向き移送方向か
ら所望の下向き処理位置に向きを変えなければならな
い。取扱い中のウエハに接触するということは、ウエハ
のエッジ部分に或いはその近傍に、高い確率で欠陥を生
じさせるということが知られている。また通常の処理中
には、シャドー（バリア）リング（ｓｈａｄｏｗ （ｂ
ａｒｒｉｅｒ） ｒｉｎｇ）が、ウエハのエッジ回りを
密封するようにウエハのエッジをカバ−するために提供
され、処理ガスがそのエッジの周りに入り込み化学蒸着
（ＣＶＤ）処理の産物がウエハの裏面上に堆積するのを
防止する。ウエハの裏側への蒸着は、汚染であると考え
られ、ウエハを不合格にし、多くの半導体の用途にとっ
て許容出来ない。不合格率を最小限にするために、また
ウエハのエッジ部分に生じるどのような僅かな欠陥と汚
染をも低減するために、ウエハの外側３ｍｍは排他的領
域（ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ ａｒｅａ）と考えられてい
る。それ故、排他的領域と呼ばれるこの周辺の帯状領域
に触っても、汚染物質が導入されたことにもならないし
ウエハも不合格にはならない。
【００２６】処理すべきウエハを上向き位置で取扱うよ
うに形成されたロボットブレ−ド４６（図１）は、階段
状の（ｓｔａｉｒ ｓｔｅｐｐｅｄ）（先行技術）凹み
（ｒｅｃｅｓｓ）を有し、取扱われるウエハを破線６５
（図４）によって示されるように受容する。図４に見ら
れるように、そのような階段状の一連のランド上に支持
されているウエハは、その処理面が上向き面であるとき
には極めて適切である。ランドと接触しているウエハの
後ろ（裏）側は、その後面の汚染を顧慮せずに、ランド
のエッジに重ねてよい。その後面は処理されないからで
ある。
うに形成されたロボットブレ−ド４６（図１）は、階段
状の（ｓｔａｉｒ ｓｔｅｐｐｅｄ）（先行技術）凹み
（ｒｅｃｅｓｓ）を有し、取扱われるウエハを破線６５
（図４）によって示されるように受容する。図４に見ら
れるように、そのような階段状の一連のランド上に支持
されているウエハは、その処理面が上向き面であるとき
には極めて適切である。ランドと接触しているウエハの
後ろ（裏）側は、その後面の汚染を顧慮せずに、ランド
のエッジに重ねてよい。その後面は処理されないからで
ある。
【００２７】しかしながら、処理すべきウエハ面が下向
きのときは、ウエハの排他的領域の外側の接触を防ぎそ
の汚染を防ぐために、平坦なステップ、即ちランドの幅
を最小限にしなければならない。ウエハを受容するラン
ドの全体的な幅は、ウエハをランド上に置く際の僅かな
誤差は許容できるようなものでなければならない。この
ような拘束により、処理されるウエハを下向き位置に運
ぶための平坦なランドは非常に狭いことを要し、ウエハ
をブレ−ド上に置く機構は、そのウエハを非常に正確に
位置決めしなけらばならない。このことにより、ウエハ
がランドの壁にぶら下がることが防止され、及び／また
はウエハの面がランドのエッジに接触することによる汚
染が防止される。
きのときは、ウエハの排他的領域の外側の接触を防ぎそ
の汚染を防ぐために、平坦なステップ、即ちランドの幅
を最小限にしなければならない。ウエハを受容するラン
ドの全体的な幅は、ウエハをランド上に置く際の僅かな
誤差は許容できるようなものでなければならない。この
ような拘束により、処理されるウエハを下向き位置に運
ぶための平坦なランドは非常に狭いことを要し、ウエハ
をブレ−ド上に置く機構は、そのウエハを非常に正確に
位置決めしなけらばならない。このことにより、ウエハ
がランドの壁にぶら下がることが防止され、及び／また
はウエハの面がランドのエッジに接触することによる汚
染が防止される。
【００２８】処理ガスにさらされるウエハ面４３（図
４）の排他的領域内で、底面の中心部分が接触するのを
避けるために、その上面に形成された凹み５３を有する
挿入手段（ロボットブレ−ド）４６が、ウエハ４０をチ
ャンバに出し入れする間、そのウエハを支持する。その
凹みは、その底面のエッジ部分に斜面６０を有する。そ
の斜面６０の底エッジ５９は、その凹み上に中心を有す
る仮想円によって画成されており、ウエハ４０の直径よ
りも小さい直径を有する。斜面６０の上部エッジ５８
は、凹み上に中心を有する仮想円によって画成されてお
り、斜面の底エッジ５９の僅か上にある。斜面６０（代
わりに次のように呼ぶこともある。即ち、傾斜した面、
ウエハエッジ支持トランジション、少なくとも一つのリ
テ−ナ−、基板支持面、部材の中央部分に向かって下側
に且つ内側に傾斜するプロフィル、一組の少なくとも二
つの滑らかに傾斜した環状帯状部分）はそのエッジ５８
と５９によって画成されており、ブレ−ドの凹み５３の
中心軸上の一点に向かう一本の線に沿って、僅かな角度
（好ましくは１から３度）で傾斜する面を有している
（頂点が中心軸上の集中点にあり、選ばれた一定の角度
で、この場合は１から３度、放射する円錐の表面と合致
している）。
４）の排他的領域内で、底面の中心部分が接触するのを
避けるために、その上面に形成された凹み５３を有する
挿入手段（ロボットブレ−ド）４６が、ウエハ４０をチ
ャンバに出し入れする間、そのウエハを支持する。その
凹みは、その底面のエッジ部分に斜面６０を有する。そ
の斜面６０の底エッジ５９は、その凹み上に中心を有す
る仮想円によって画成されており、ウエハ４０の直径よ
りも小さい直径を有する。斜面６０の上部エッジ５８
は、凹み上に中心を有する仮想円によって画成されてお
り、斜面の底エッジ５９の僅か上にある。斜面６０（代
わりに次のように呼ぶこともある。即ち、傾斜した面、
ウエハエッジ支持トランジション、少なくとも一つのリ
テ−ナ−、基板支持面、部材の中央部分に向かって下側
に且つ内側に傾斜するプロフィル、一組の少なくとも二
つの滑らかに傾斜した環状帯状部分）はそのエッジ５８
と５９によって画成されており、ブレ−ドの凹み５３の
中心軸上の一点に向かう一本の線に沿って、僅かな角度
（好ましくは１から３度）で傾斜する面を有している
（頂点が中心軸上の集中点にあり、選ばれた一定の角度
で、この場合は１から３度、放射する円錐の表面と合致
している）。
【００２９】上述のように形成されたロボットブレ−ド
４６は、ウエハ４０の底側即ち処理すべき面４３に接触
することなく或いは損傷を与えることなくそのウエハを
支持する。ウエハのエッジ４１は一本の線のみで接触し
ている。このようにしてウエハ４０は、処理すべき面４
３を下向きにして、処理すべき面４３が無接触の状態で
ある可能性が非常に高い状態で保管され移送され得る。
４６は、ウエハ４０の底側即ち処理すべき面４３に接触
することなく或いは損傷を与えることなくそのウエハを
支持する。ウエハのエッジ４１は一本の線のみで接触し
ている。このようにしてウエハ４０は、処理すべき面４
３を下向きにして、処理すべき面４３が無接触の状態で
ある可能性が非常に高い状態で保管され移送され得る。
【００３０】処理すべき面４３が下向き位置にあるウエ
ハ４０は、ウエハ処理チャンバ組立体２０の中に移送す
るために、図１に示されるように支持される。処理チャ
ンバ組立体２０は処理チャンバ２１、加熱手段（通常は
一組のヒ−タ−ランプ或いはバンク）２４、トランスフ
ァフィンガ制御機構１３０、及び真空源或いは真空を適
用するための手段に接続されたサセプタ位置制御機構１
８２を含む。真空を適用するための手段は典型的には別
個の真空ポンプ、或いは既存の真空システム１８４への
配管である。
ハ４０は、ウエハ処理チャンバ組立体２０の中に移送す
るために、図１に示されるように支持される。処理チャ
ンバ組立体２０は処理チャンバ２１、加熱手段（通常は
一組のヒ−タ−ランプ或いはバンク）２４、トランスフ
ァフィンガ制御機構１３０、及び真空源或いは真空を適
用するための手段に接続されたサセプタ位置制御機構１
８２を含む。真空を適用するための手段は典型的には別
個の真空ポンプ、或いは既存の真空システム１８４への
配管である。
【００３１】処理チャンバ２１は、幾つかの壁２５によ
って取り囲まれている。その処理チャンバの上面或いは
壁は、透明の窓２３（好ましくは溶融した石英構造から
成る）を含んでおり、加熱ランプ２４がそれを通して照
射しプロセスを加熱することができるようになってい
る。処理チャンバ壁２５はまた、バルブ付きの開口或い
は平面図（図２）に示されるようにチャンバ２１の内側
部分と連通する、アクセスポ−ト２２を含む。アクセス
ポ−ト２２が開いているときは、ウエハを支持している
ロボットブレード４６はウエハをチャンバ２１内で取扱
うために、ウエハトランスファ位置３０（図１８）にウ
エハを搬送することができる。図２は、サセプタ１３８
の負荷的要素及びその搭載要素、及びウエハトランスフ
ァフィンガ７６ａ−ｃ、及びその搭載手段を示してい
る。
って取り囲まれている。その処理チャンバの上面或いは
壁は、透明の窓２３（好ましくは溶融した石英構造から
成る）を含んでおり、加熱ランプ２４がそれを通して照
射しプロセスを加熱することができるようになってい
る。処理チャンバ壁２５はまた、バルブ付きの開口或い
は平面図（図２）に示されるようにチャンバ２１の内側
部分と連通する、アクセスポ−ト２２を含む。アクセス
ポ−ト２２が開いているときは、ウエハを支持している
ロボットブレード４６はウエハをチャンバ２１内で取扱
うために、ウエハトランスファ位置３０（図１８）にウ
エハを搬送することができる。図２は、サセプタ１３８
の負荷的要素及びその搭載要素、及びウエハトランスフ
ァフィンガ７６ａ−ｃ、及びその搭載手段を示してい
る。
【００３２】サセプタの形態は、図６及び７にさらに詳
細に示されている。Ｃ形状のフィンガ支持チャンネル部
材の形態は、図１０及び１１に示されている。
細に示されている。Ｃ形状のフィンガ支持チャンネル部
材の形態は、図１０及び１１に示されている。
【００３３】ウエハ自身は図２の上面図には見られな
い。それはサセプタ１３８の下に置かれており、一般的
には、サセプタ１３８の真下であって、図１８及び２に
一番よく示されているように一組のトランスファフィン
ガ７６（７６ａ、７６ｂ、７６ｃ）の間に中心を有する
ウエハトランスファ位置（第二の位置）３０に示されて
いるサセプタ１３８の外形に非常に近い外形を有するか
らである。
い。それはサセプタ１３８の下に置かれており、一般的
には、サセプタ１３８の真下であって、図１８及び２に
一番よく示されているように一組のトランスファフィン
ガ７６（７６ａ、７６ｂ、７６ｃ）の間に中心を有する
ウエハトランスファ位置（第二の位置）３０に示されて
いるサセプタ１３８の外形に非常に近い外形を有するか
らである。
【００３４】ロボットブレ−ドはチャンバ２１（図２）
の中では、ウエハ４０を位置決めするように形成されて
いる。
の中では、ウエハ４０を位置決めするように形成されて
いる。
【００３５】トランスファフィンガ７６は、それらが上
昇位置／形態７７（図２）にあるとき、ウエハ４０のエ
ッジ４１に延びる。トランスファフィンガ７６の出っ張
った（中間の）（ｐｒｏｔｒｕｄｉｎｇ（ｍｅｄｉａ
ｌ））端部は、傾斜した（ｓｌｏｐｅｄ（ｂｅｖｅｌｅ
ｄ））端部８１を有しており、これはロボットブレド４
６（図４）の傾斜した帯状部分６０に似ていないことは
ない。ロボットブレ−ドの傾斜した保持面６０は、その
上昇面が円錐形状の表面であるとき最もうまく働く。何
故ならば円錐形状の面は、ウエハのエッジ近傍でウエハ
の底の連続した一様な支持を提供するからである。三つ
のトランスファフィンガ７６が、ウエハをロボットブレ
−ド４６から持ち上げるのに使われるとき、そのウエハ
との三つの接触点が一平面を画成し、そのウエハは、そ
の三つのフィンガに支持されるとき、この平面と一致す
る。それ故、フィンガ７６の傾斜した端部８１上の円錐
形状の面は必要とされない。即ち、約１度或いはそれよ
り大きい僅かな傾斜角が与えられている限りは、平面、
凹面、或いは他の形状をした傾斜した面が働く。
昇位置／形態７７（図２）にあるとき、ウエハ４０のエ
ッジ４１に延びる。トランスファフィンガ７６の出っ張
った（中間の）（ｐｒｏｔｒｕｄｉｎｇ（ｍｅｄｉａ
ｌ））端部は、傾斜した（ｓｌｏｐｅｄ（ｂｅｖｅｌｅ
ｄ））端部８１を有しており、これはロボットブレド４
６（図４）の傾斜した帯状部分６０に似ていないことは
ない。ロボットブレ−ドの傾斜した保持面６０は、その
上昇面が円錐形状の表面であるとき最もうまく働く。何
故ならば円錐形状の面は、ウエハのエッジ近傍でウエハ
の底の連続した一様な支持を提供するからである。三つ
のトランスファフィンガ７６が、ウエハをロボットブレ
−ド４６から持ち上げるのに使われるとき、そのウエハ
との三つの接触点が一平面を画成し、そのウエハは、そ
の三つのフィンガに支持されるとき、この平面と一致す
る。それ故、フィンガ７６の傾斜した端部８１上の円錐
形状の面は必要とされない。即ち、約１度或いはそれよ
り大きい僅かな傾斜角が与えられている限りは、平面、
凹面、或いは他の形状をした傾斜した面が働く。
【００３６】ロボットブレ−ド４６は、ウエハ支持の凹
み５３の領域に幅４７（図５）を有するように形成され
ており、その幅は処理されるウエハ４０の直径４２より
も小さい（図５で想像線（ｐｈａｎｔｏｍ）で示されて
いる）。ブレ−ドによって運ばれるウエハの直径を越え
て広がっている、ロボットブレ−ドの先導側端部５０
は、ブレ−ド４６の端部に切欠き５１を含む。その切欠
き５１は、斜面６０によって画成される想像上の滑らか
な連続的環状帯部分を、二つの部分、即ち第一の傾斜部
分６１と第二の傾斜部分６２とに分ける。これらの第一
と第二の部分６１と６２は、ブレ−ド４６の先導側エッ
ジ５０に於ける斜面のエッジを画成している外側エッジ
５５と５６に於いて壁を有する。そのブレ−ドは、先導
側エッジ５０と対照的な根本側端部４９を有する。この
ブレ−ド形態により、図２に示されるトランスファフィ
ンガ７６ａ、７６ｂ、７６ｃが、ウエハ周辺部に届くよ
うになっている。
み５３の領域に幅４７（図５）を有するように形成され
ており、その幅は処理されるウエハ４０の直径４２より
も小さい（図５で想像線（ｐｈａｎｔｏｍ）で示されて
いる）。ブレ−ドによって運ばれるウエハの直径を越え
て広がっている、ロボットブレ−ドの先導側端部５０
は、ブレ−ド４６の端部に切欠き５１を含む。その切欠
き５１は、斜面６０によって画成される想像上の滑らか
な連続的環状帯部分を、二つの部分、即ち第一の傾斜部
分６１と第二の傾斜部分６２とに分ける。これらの第一
と第二の部分６１と６２は、ブレ−ド４６の先導側エッ
ジ５０に於ける斜面のエッジを画成している外側エッジ
５５と５６に於いて壁を有する。そのブレ−ドは、先導
側エッジ５０と対照的な根本側端部４９を有する。この
ブレ−ド形態により、図２に示されるトランスファフィ
ンガ７６ａ、７６ｂ、７６ｃが、ウエハ周辺部に届くよ
うになっている。
【００３７】フィンガ７６は、Ｃ（シックル（ｓｉｃｋ
ｌｅ））形状をしたチャンネル部材１０６（図２）によ
って支持されており、その部材は三つのトランスファフ
ィンガ全てを支持しており、それらをウエハトランスフ
ァフィンガ組立体１３０に従って上下に動かす。その開
口したフ−プ（Ｃ形状）は、サセプタ１３８を支えてい
るサセプタ支持ア−ム１６５との干渉を避けるために必
要である。ここでそのア−ム１６５は、サセプタ位置制
御機構１８２によって支持されており、またそれに従っ
て動かされる。このようにして、サセプタ１３８とＣ形
状チャンネル部材１０６とは、独立して、またお互いに
無関係に上下に動くことができる。図３及び図１８から
図２２までは、ウエハ４０が、処理チャンバ２１の中に
持ち込まれ、ウエハ処理（ＣＶＤ或いは他の処理）が行
われる位置まで運搬される際の、ウエハ４０及び種々の
ウエハ操作部分の運動を段階的に示している。
ｌｅ））形状をしたチャンネル部材１０６（図２）によ
って支持されており、その部材は三つのトランスファフ
ィンガ全てを支持しており、それらをウエハトランスフ
ァフィンガ組立体１３０に従って上下に動かす。その開
口したフ−プ（Ｃ形状）は、サセプタ１３８を支えてい
るサセプタ支持ア−ム１６５との干渉を避けるために必
要である。ここでそのア−ム１６５は、サセプタ位置制
御機構１８２によって支持されており、またそれに従っ
て動かされる。このようにして、サセプタ１３８とＣ形
状チャンネル部材１０６とは、独立して、またお互いに
無関係に上下に動くことができる。図３及び図１８から
図２２までは、ウエハ４０が、処理チャンバ２１の中に
持ち込まれ、ウエハ処理（ＣＶＤ或いは他の処理）が行
われる位置まで運搬される際の、ウエハ４０及び種々の
ウエハ操作部分の運動を段階的に示している。
【００３８】図３及び図１８から図２２は、ウエハの運
動の各段階に於ける点一般的には図２に示された処理チ
ャンバ２１の概略側面図である。この図には、サセプタ
位置制御機構１８２は示されているが、トランスファフ
ィンガ制御機構１３０は示されていない。ウエハを持ち
上げるためのトランスファフィンガ７６は、実際には１
２０度ずつ離れた方向を向いているが、これらの図に於
いては、判りやすいように、二つのフィンガ７６がお互
いに正反対の位置にあるように示されている。シャドー
リング組立体１２５は、図２には示されていないが、Ｃ
形状のチャンネル１０６からぶら下がっておりまたそれ
によって支えられており、それと一緒に動く。チャンバ
内でウエハの実際の処理が始まると、Ｃ形状チャンネル
１０６は処理チャンバの底のガス分配板に対する最低位
置３１にまで動かされる。
動の各段階に於ける点一般的には図２に示された処理チ
ャンバ２１の概略側面図である。この図には、サセプタ
位置制御機構１８２は示されているが、トランスファフ
ィンガ制御機構１３０は示されていない。ウエハを持ち
上げるためのトランスファフィンガ７６は、実際には１
２０度ずつ離れた方向を向いているが、これらの図に於
いては、判りやすいように、二つのフィンガ７６がお互
いに正反対の位置にあるように示されている。シャドー
リング組立体１２５は、図２には示されていないが、Ｃ
形状のチャンネル１０６からぶら下がっておりまたそれ
によって支えられており、それと一緒に動く。チャンバ
内でウエハの実際の処理が始まると、Ｃ形状チャンネル
１０６は処理チャンバの底のガス分配板に対する最低位
置３１にまで動かされる。
【００３９】図３は、開口２２を有する処理チャンバ２
１を示す。ロボットブレ−ド４６は、その凹み部分５３
にウエハ４０を下向き位置で支えながら、アクセスポ−
ト２２を通過して、サセプタ前面（サセプタの底面即ち
係合面を有する基板支持体）１３９に対抗する位置にま
で動かされる。サセプタ１３８は、窓２３を通してヒ−
タ−ランプ２４にさらされる裏側１５５を有する。その
ランプ２４は窓を通してサセプタ１３８を照らし、それ
によってサセプタ１３８を加熱する。サセプタ１３８
は、ア−ム１６５を通して、サセプタ位置制御機構１８
２によって第一の上部位置に位置決めされる。Ｃ形状の
チャンネル１０６は、その低い位置に位置決めされる。
ロボットブレ−ド４６は、ウエハ４０を、アクセスポ−
ト２２に対抗する位置であって、トランスファフィンガ
７６の位置の上方でサセプタ１３８の面１３９の下方の
チャンバ内に、ウエハ４０を挿入する。これらの部品の
いずれも、ブレ−ドが運動している間お互いに接触する
ことはない。このとき、チャンバの内側とチャンバの外
側との間の圧力（しばしばロ−ドロックチャンバも真空
圧力になる−図示せず）は、アクセスポ−ト２２を通し
て均圧化される。
１を示す。ロボットブレ−ド４６は、その凹み部分５３
にウエハ４０を下向き位置で支えながら、アクセスポ−
ト２２を通過して、サセプタ前面（サセプタの底面即ち
係合面を有する基板支持体）１３９に対抗する位置にま
で動かされる。サセプタ１３８は、窓２３を通してヒ−
タ−ランプ２４にさらされる裏側１５５を有する。その
ランプ２４は窓を通してサセプタ１３８を照らし、それ
によってサセプタ１３８を加熱する。サセプタ１３８
は、ア−ム１６５を通して、サセプタ位置制御機構１８
２によって第一の上部位置に位置決めされる。Ｃ形状の
チャンネル１０６は、その低い位置に位置決めされる。
ロボットブレ−ド４６は、ウエハ４０を、アクセスポ−
ト２２に対抗する位置であって、トランスファフィンガ
７６の位置の上方でサセプタ１３８の面１３９の下方の
チャンバ内に、ウエハ４０を挿入する。これらの部品の
いずれも、ブレ−ドが運動している間お互いに接触する
ことはない。このとき、チャンバの内側とチャンバの外
側との間の圧力（しばしばロ−ドロックチャンバも真空
圧力になる−図示せず）は、アクセスポ−ト２２を通し
て均圧化される。
【００４０】図１８は、ロボットブレ−ド４６がウエハ
トランスファ位置３０にあり、ウエハがサセプタ中の中
央位置にあり、フィンガ７６によってブレ−ドからまさ
に持ち上げられる状態になっているところを示す。破線
３２は、ウエハトランスファ位置２９（図１９）上のサ
セプタ位置から、それに続く下のウエハ処理位置３１
（図２２）までの、サセプタとウエハの組合せ（それら
が一体になった後）の進路（ｐａｔｈ）の、横方向の限
界を示している。ウエハ処理位置に於いて、ウエハはシ
ャドーリング組立体１２５の補足的ウエハサセプタ組立
体を受容するフランジ付き中央開口部に接触する。
トランスファ位置３０にあり、ウエハがサセプタ中の中
央位置にあり、フィンガ７６によってブレ−ドからまさ
に持ち上げられる状態になっているところを示す。破線
３２は、ウエハトランスファ位置２９（図１９）上のサ
セプタ位置から、それに続く下のウエハ処理位置３１
（図２２）までの、サセプタとウエハの組合せ（それら
が一体になった後）の進路（ｐａｔｈ）の、横方向の限
界を示している。ウエハ処理位置に於いて、ウエハはシ
ャドーリング組立体１２５の補足的ウエハサセプタ組立
体を受容するフランジ付き中央開口部に接触する。
【００４１】図１９は、トランスファフィンガ７６が完
全に伸延したウエハ持ち上げ位置７７にあり、ウエハ４
０をロボットブレ−ド４６からサセプタ面１３９に隣接
する位置まで持ち上げたところを示している。そしてそ
れはウエハがもち上がった位置（ウエハ受容／解放位置
或いは第一の位置）２９に対応する。
全に伸延したウエハ持ち上げ位置７７にあり、ウエハ４
０をロボットブレ−ド４６からサセプタ面１３９に隣接
する位置まで持ち上げたところを示している。そしてそ
れはウエハがもち上がった位置（ウエハ受容／解放位置
或いは第一の位置）２９に対応する。
【００４２】サセプタそれ自身がロボットブレ−ド４６
から直接ウエハ４０を確実に持ち上げることは難しい。
真空の密封を行うために、ウエハとサセプタ面との間に
緊密なクリアランスを要するからである。薄い断面のブ
レ−ドは、その先端部に於いて許容出来ないほど垂れ下
がり、それ故サセプタが何度も完全な拾い上げ（ｃｌｅ
ａｎ ｐｉｃｋｕｐ）を繰り返すのを妨げる。更に、サ
セプタを補助する為に、それがウエハを拾い上げるのに
直接使用されるならば、ウエハを横切って大きな当初差
圧を与えるのがよい。ロボットブレ−ド４６が処理チャ
ンバ開口部を通して片持ち梁状に支えられているとき
は、処理チャンバ２１内の圧力は、そのチャンバの外側
であってロ−ドロックチャンバの中の圧力から、大きく
異なることはできない。それ故、サセプタ面に隣接した
ウエハを、図１９に示される位置まで確実に動かす為に
は、リフトフィンガ７６または他の同様な装置を使用す
るのが好ましい。
から直接ウエハ４０を確実に持ち上げることは難しい。
真空の密封を行うために、ウエハとサセプタ面との間に
緊密なクリアランスを要するからである。薄い断面のブ
レ−ドは、その先端部に於いて許容出来ないほど垂れ下
がり、それ故サセプタが何度も完全な拾い上げ（ｃｌｅ
ａｎ ｐｉｃｋｕｐ）を繰り返すのを妨げる。更に、サ
セプタを補助する為に、それがウエハを拾い上げるのに
直接使用されるならば、ウエハを横切って大きな当初差
圧を与えるのがよい。ロボットブレ−ド４６が処理チャ
ンバ開口部を通して片持ち梁状に支えられているとき
は、処理チャンバ２１内の圧力は、そのチャンバの外側
であってロ−ドロックチャンバの中の圧力から、大きく
異なることはできない。それ故、サセプタ面に隣接した
ウエハを、図１９に示される位置まで確実に動かす為に
は、リフトフィンガ７６または他の同様な装置を使用す
るのが好ましい。
【００４３】図２０は、ロボットブレ−ド４６が取り出
され、アクセスポ−ト２２が閉じられて処理チャンバ２
１をその周囲環境から孤立させた状態を示している。こ
のようにして、処理チャンバ内のガス圧力は、望みのよ
うに調整することができる。このシステムを運転する為
には、単独の低圧真空システムを使うことができる。過
剰ガスを処理チャンバ内に導入しその圧力を上げること
ができる一方、処理チャンバと真空システムとの間の処
理チャンバ絞り弁を使うことによって、より高い圧力を
維持することもできる。サセプタ面１３９は、サセプタ
の面の大きな部分を横切って、外部真空配管システムか
ら直接真空圧力を分岐するための、凹み（ｒｅｃｅｓ
ｓ）を含む。サセプタ面１３９に隣接して置かれたウエ
ハ４０は、真空が、サセプタ１３８を通して、サセプタ
支持ア−ム１６５を通して、垂直位置調整ベロ−ズを通
して、及び処理チャンバの外にある真空システムへの接
続を通して、真空が引かれる際、ウエハを横切る差圧を
体験する。本発明によるこの形態では、ウエハを横切っ
たガスの差圧が所定の値まで増えて、結果としての差圧
力がウエハの重量と等しくなりまたそれを超えるように
なると（完全なシ−ルは与えられずウエハの背後にガス
の漏れが幾らかはあるので、１５０ｍｍのウエハに対し
ては約１０８ト−ル（ｔｏｒｒ）であり、これはウエハ
の重量に打ち勝つのに必要な理論的な値を越えてに圧力
を高めることを考慮している）、ウエハ４０は他の支え
がなくてもサセプタ面１３９と緊密な接触を保つ。
され、アクセスポ−ト２２が閉じられて処理チャンバ２
１をその周囲環境から孤立させた状態を示している。こ
のようにして、処理チャンバ内のガス圧力は、望みのよ
うに調整することができる。このシステムを運転する為
には、単独の低圧真空システムを使うことができる。過
剰ガスを処理チャンバ内に導入しその圧力を上げること
ができる一方、処理チャンバと真空システムとの間の処
理チャンバ絞り弁を使うことによって、より高い圧力を
維持することもできる。サセプタ面１３９は、サセプタ
の面の大きな部分を横切って、外部真空配管システムか
ら直接真空圧力を分岐するための、凹み（ｒｅｃｅｓ
ｓ）を含む。サセプタ面１３９に隣接して置かれたウエ
ハ４０は、真空が、サセプタ１３８を通して、サセプタ
支持ア−ム１６５を通して、垂直位置調整ベロ−ズを通
して、及び処理チャンバの外にある真空システムへの接
続を通して、真空が引かれる際、ウエハを横切る差圧を
体験する。本発明によるこの形態では、ウエハを横切っ
たガスの差圧が所定の値まで増えて、結果としての差圧
力がウエハの重量と等しくなりまたそれを超えるように
なると（完全なシ−ルは与えられずウエハの背後にガス
の漏れが幾らかはあるので、１５０ｍｍのウエハに対し
ては約１０８ト−ル（ｔｏｒｒ）であり、これはウエハ
の重量に打ち勝つのに必要な理論的な値を越えてに圧力
を高めることを考慮している）、ウエハ４０は他の支え
がなくてもサセプタ面１３９と緊密な接触を保つ。
【００４４】図２１は、トランスファフィンガ７６（Ｃ
形状のチャンネルと一緒に）がサセプタ面１３９から離
れて落ちた状態を示している。トランスファフィンガ７
６はまた、サセプタの移動する進路３２の外に、回転し
てはずれているところを示している。Ｃ形状のチャンネ
ルは、その最低位置に落ち込んでおり、シャドーリング
組立体１２５を、ウエハ４０を処理する為の位置に置い
ている。
形状のチャンネルと一緒に）がサセプタ面１３９から離
れて落ちた状態を示している。トランスファフィンガ７
６はまた、サセプタの移動する進路３２の外に、回転し
てはずれているところを示している。Ｃ形状のチャンネ
ルは、その最低位置に落ち込んでおり、シャドーリング
組立体１２５を、ウエハ４０を処理する為の位置に置い
ている。
【００４５】図２２は、サセプタとウエハの組立体が、
処理位置にあるガス分配板及びマニホ−ルド２６に対抗
するウエハ処理位置（第三の位置）３１まで降下した状
態を示している。
処理位置にあるガス分配板及びマニホ−ルド２６に対抗
するウエハ処理位置（第三の位置）３１まで降下した状
態を示している。
【００４６】図６は、サセプタリフト組立体１７７とサ
セプタ１３８の分解図を示している。後者はサセプタデ
ィスク１３８ａを含んでおり、そのディスクは、一連の
スイスチ−ズ様形態の貫通穴を画成するセラミックの熱
調整ディスク１６０に向かった、裏面１５５を有する、
ほぼ平坦な板である。そのセラミックディスクの穴は、
加熱ランプからの光りがディスク１６０を選択的に通過
し、サセプタ１３８の裏側１５５を加熱できるようにな
っている。ディスク１６０内の特定の穴パタ−ンは、サ
セプタの直径を横切る特定の温度分布を提供する。この
ようにして、ここに示されている穴パタ−ンは、与えら
れた状況で用いられる穴パタ−ンに対して代表的なもの
ではあるが、必ずしも同一ではない。穴パタ−ンを変更
すると、サセプタを横切って観察される温度分布が変
る。サセプタ温度分布は、一様であるのが望ましい。何
故ならば、これは一般的に、サセプタ面上に乗ったウエ
ハの温度分布に直接的に相関関係を有するからである。
この処理装置内で行われるＣＶＤ処理は、一般的に温度
に敏感であり、それ故ウエハ上の異なった位置に於ける
ウエハ面に渡る温度差は、温度が異なる位置に於いて異
なった蒸着率を与える結果となる。処理状態の間ウエハ
の温度安定性を維持する為には、ウエハがサセプタとぴ
ったりと接触した状態に保たれることが重要である。硬
い陽極酸化された（ａｎｏｄｉｚｅｄ）アルミであり、
高い熱伝導率を有するサセプタ１３８は、温度の違いを
均一化する為の熱バッファ−として働く。
セプタ１３８の分解図を示している。後者はサセプタデ
ィスク１３８ａを含んでおり、そのディスクは、一連の
スイスチ−ズ様形態の貫通穴を画成するセラミックの熱
調整ディスク１６０に向かった、裏面１５５を有する、
ほぼ平坦な板である。そのセラミックディスクの穴は、
加熱ランプからの光りがディスク１６０を選択的に通過
し、サセプタ１３８の裏側１５５を加熱できるようにな
っている。ディスク１６０内の特定の穴パタ−ンは、サ
セプタの直径を横切る特定の温度分布を提供する。この
ようにして、ここに示されている穴パタ−ンは、与えら
れた状況で用いられる穴パタ−ンに対して代表的なもの
ではあるが、必ずしも同一ではない。穴パタ−ンを変更
すると、サセプタを横切って観察される温度分布が変
る。サセプタ温度分布は、一様であるのが望ましい。何
故ならば、これは一般的に、サセプタ面上に乗ったウエ
ハの温度分布に直接的に相関関係を有するからである。
この処理装置内で行われるＣＶＤ処理は、一般的に温度
に敏感であり、それ故ウエハ上の異なった位置に於ける
ウエハ面に渡る温度差は、温度が異なる位置に於いて異
なった蒸着率を与える結果となる。処理状態の間ウエハ
の温度安定性を維持する為には、ウエハがサセプタとぴ
ったりと接触した状態に保たれることが重要である。硬
い陽極酸化された（ａｎｏｄｉｚｅｄ）アルミであり、
高い熱伝導率を有するサセプタ１３８は、温度の違いを
均一化する為の熱バッファ−として働く。
【００４７】本発明に従ったこの形態では、ウエハは差
圧によってサセプタ面にぴったりと保持されている。図
８から判るように、一般的にサセプタの面１３９に中心
を有する凹み１４３は、マニホ−ルドとして働き、凹み
１４３に対抗するウエハ上に一様に差圧が加えられるよ
うにしている。サセプタ面１３９は、図８に示されるよ
うな断面プロフィルを有している。サセプタ面は、破線
で示されるウエハ４０によってカバ−されている。仮想
平面１５２は、一般的に、平坦なウエハ４０の裏面に対
応している。平坦なウエハ周辺面部分（基板支持面、ウ
エハの周辺エッジ）１５０は、ウエハ４０とサセプタ面
１３９の間の境界面及びシ−ル面として作用する。周辺
面部分１５０の内側の空間は、サセプタ面１５２の理論
的平面から凹んだ更に多くの環状帯を含む。一連のウエ
ハ支持点１４４は、凹みの底から立ち上がっており、凹
み１４３に掛っているウエハ４０を支持している。その
ウエハ支持点は、凹みのベ−ス部分から小さな山のよう
に立ち上がっている。各支持点１４４は、ウエハの面と
相関関係を有する仮想平面１５２と一致して平坦なピ−
クを有する。各支持点のピ−クに於ける台地（ｐｌａｔ
ｅａｕ）は約０．５ｍｍ2 （縦横が０．０６インチと
０．０１５インチ）の面積を有する。この接触面の面積
は、ウエハ４０と接触したとき、無視できるほどの熱伝
達率しか生じず、それはウエハの表面に渡る温度分布の
一様性を高める。
圧によってサセプタ面にぴったりと保持されている。図
８から判るように、一般的にサセプタの面１３９に中心
を有する凹み１４３は、マニホ−ルドとして働き、凹み
１４３に対抗するウエハ上に一様に差圧が加えられるよ
うにしている。サセプタ面１３９は、図８に示されるよ
うな断面プロフィルを有している。サセプタ面は、破線
で示されるウエハ４０によってカバ−されている。仮想
平面１５２は、一般的に、平坦なウエハ４０の裏面に対
応している。平坦なウエハ周辺面部分（基板支持面、ウ
エハの周辺エッジ）１５０は、ウエハ４０とサセプタ面
１３９の間の境界面及びシ−ル面として作用する。周辺
面部分１５０の内側の空間は、サセプタ面１５２の理論
的平面から凹んだ更に多くの環状帯を含む。一連のウエ
ハ支持点１４４は、凹みの底から立ち上がっており、凹
み１４３に掛っているウエハ４０を支持している。その
ウエハ支持点は、凹みのベ−ス部分から小さな山のよう
に立ち上がっている。各支持点１４４は、ウエハの面と
相関関係を有する仮想平面１５２と一致して平坦なピ−
クを有する。各支持点のピ−クに於ける台地（ｐｌａｔ
ｅａｕ）は約０．５ｍｍ2 （縦横が０．０６インチと
０．０１５インチ）の面積を有する。この接触面の面積
は、ウエハ４０と接触したとき、無視できるほどの熱伝
達率しか生じず、それはウエハの表面に渡る温度分布の
一様性を高める。
【００４８】差圧がウエハを横切って存在すると（例え
ウエハがしっかりとサセプタに保持されているように見
えたとしても）、サセプタの周辺面部分１５０と相互関
係のあるウエハとの表面との間の密封領域を横切って、
僅かなガスの漏れ或いは移動が存在する。このガスの漏
洩は、ガスが凹みを通して中央の真空通路１４１まで分
岐され通過する際、ガスの加熱及び／或いは冷却の為に
熱伝達を生じるという有利な効果を提供する。加熱ラン
プは、そのプロセスの為の熱源である。
ウエハがしっかりとサセプタに保持されているように見
えたとしても）、サセプタの周辺面部分１５０と相互関
係のあるウエハとの表面との間の密封領域を横切って、
僅かなガスの漏れ或いは移動が存在する。このガスの漏
洩は、ガスが凹みを通して中央の真空通路１４１まで分
岐され通過する際、ガスの加熱及び／或いは冷却の為に
熱伝達を生じるという有利な効果を提供する。加熱ラン
プは、そのプロセスの為の熱源である。
【００４９】サセプタの面に渡る温度分布は、ウエハに
渡る温度分布に影響する。サセプタやウエハのようなデ
ィスクの幾何学的形状により、その周辺部に於いて、よ
り急速に温度が失われる。ウエハの表面に渡って温度の
一様性を高める為には、その中央部よりも周辺部をより
多く加熱しなければならない。図８及び９に示されるよ
うなサセプタの形態は、平坦な面を有するサセプタに対
して、或いは全体に渡って一様な深さの凹みを有するサ
セプタに対してさえも、非常に改善された温度分布を与
える。図８に示された深さ寸法は非常に誇張されている
が、一連の環状帯１４５が、サセプタの中心から周辺面
部分１５０の内側の直径まで与えられている。この形態
に於いては、中央の凹み／帯の深さはおよそ０．０１０
インチであり、次の環状帯（ｂａｎｄ）１４６の深さは
およそ０．０２０インチであり、その０．０２０の深さ
の帯に隣接する一様な深さの環状帯１４７の深さは０．
０１０インチであり、前述のトランジション（ｔｒａｎ
ｓｉｔｉｏｎ）形態の帯１４８は、およそ０．０１０イ
ンチの第一の所定の深さの環状帯エッジから外側の所定
の深さの形態（この例では周辺面部分１５０と融合し深
さがゼロになっている）までの傾斜したトランジション
を提供する。ウエハの面上の温度分布は、温度を低下さ
せたい領域に於いては環状帯の深さを増加させることに
よって、また温度を上昇させたい領域に於いては環状帯
の深さを減少することによって調整することができる。
セラミック板の裏側のスイスチ−ズ様穴パタ−ンを変更
すれば、より大きな調整を試みる必要があるときの、融
通性を付加することができる。この形態に於いては、ウ
エハ支持点はお互いに４５度の角度で配置されており、
中央の凹みは１．２５インチの直径を有する。第一の帯
は２．４８インチの直径を有し、第三の帯は４．３イン
チの直径（しかしこの帯は３．５１インチの直径の所に
中間のウエハ支持点を有する）の直径を有し、そしてト
ランジション帯は４．８５インチ（１５０ｍｍ直径のウ
エハに対して）の直径に於いて終わっており、また周辺
面部分がその直径で始まっている。
渡る温度分布に影響する。サセプタやウエハのようなデ
ィスクの幾何学的形状により、その周辺部に於いて、よ
り急速に温度が失われる。ウエハの表面に渡って温度の
一様性を高める為には、その中央部よりも周辺部をより
多く加熱しなければならない。図８及び９に示されるよ
うなサセプタの形態は、平坦な面を有するサセプタに対
して、或いは全体に渡って一様な深さの凹みを有するサ
セプタに対してさえも、非常に改善された温度分布を与
える。図８に示された深さ寸法は非常に誇張されている
が、一連の環状帯１４５が、サセプタの中心から周辺面
部分１５０の内側の直径まで与えられている。この形態
に於いては、中央の凹み／帯の深さはおよそ０．０１０
インチであり、次の環状帯（ｂａｎｄ）１４６の深さは
およそ０．０２０インチであり、その０．０２０の深さ
の帯に隣接する一様な深さの環状帯１４７の深さは０．
０１０インチであり、前述のトランジション（ｔｒａｎ
ｓｉｔｉｏｎ）形態の帯１４８は、およそ０．０１０イ
ンチの第一の所定の深さの環状帯エッジから外側の所定
の深さの形態（この例では周辺面部分１５０と融合し深
さがゼロになっている）までの傾斜したトランジション
を提供する。ウエハの面上の温度分布は、温度を低下さ
せたい領域に於いては環状帯の深さを増加させることに
よって、また温度を上昇させたい領域に於いては環状帯
の深さを減少することによって調整することができる。
セラミック板の裏側のスイスチ−ズ様穴パタ−ンを変更
すれば、より大きな調整を試みる必要があるときの、融
通性を付加することができる。この形態に於いては、ウ
エハ支持点はお互いに４５度の角度で配置されており、
中央の凹みは１．２５インチの直径を有する。第一の帯
は２．４８インチの直径を有し、第三の帯は４．３イン
チの直径（しかしこの帯は３．５１インチの直径の所に
中間のウエハ支持点を有する）の直径を有し、そしてト
ランジション帯は４．８５インチ（１５０ｍｍ直径のウ
エハに対して）の直径に於いて終わっており、また周辺
面部分がその直径で始まっている。
【００５０】サセプタは（図６に示されるように）ハブ
１５６を有しており、それはそのハブによって四つのネ
ジ穴から支えられている。熱電対穴（ｔｈｅｒｍｏｃｏ
ｕｐｌｅ ｗｅｌｌ）がハブ１５６の中心に開けられて
おり、熱電対１５８を受容している（図７）。
１５６を有しており、それはそのハブによって四つのネ
ジ穴から支えられている。熱電対穴（ｔｈｅｒｍｏｃｏ
ｕｐｌｅ ｗｅｌｌ）がハブ１５６の中心に開けられて
おり、熱電対１５８を受容している（図７）。
【００５１】サセプタは、中空のセラミック（アルミ
ナ）製のサセプタ支持ア−ム１６５によって支持されて
いる。ア−ム１６５は真空チュ−ブ（サセプタ真空吸い
込みライン、真空通路）１７０を含んでおり、それは好
ましくはアルミニウムである。真空チュ−ブ１７０は穴
の中にスリップ嵌合（ｓｌｉｐ ｆｉｔ）しており、ア
ルミニウム製の真空チュ−ブをサセプタ１３８の裏側に
接続している。接地ストラップ／ワイヤ（接地ケ−ブル
−アルミニウム）１７４がまた真空チュ−ブのサセプタ
側端部に接続されている。四本の組立ネジ１７２が、真
空チュ−ブ１７０の端部と接地ケ−ブル１７４を、中空
のサセプタ支持ア−ム１６５の端部とサセプタハブ１５
６とに接続し、クランプしている。真空チュ−ブのもう
一方の端が、フランジ１７１付きのアルミ製の中空カッ
プに接続されている。フランジ付きの中空カップは、ア
−ム１６５の駆動側端部にある円形穴の中に嵌合してい
る。このカップ１７１の底部は、ハイネス（Ｈａｙｎｅ
ｓ）２４２でできた円形の平板によってカバ−されてい
る。その組立体の温度がおよそ４８５℃の処理温度に近
づくにつれて、セラミックハウジングの中に収容されて
いるアルニウムミ製の部品は膨張しようとするが、しか
しセラミックハウジングによって拘束される。その膨張
の差によって、アルミニウム製のチュ−ブはその隣接す
る部品に対して滑り、処理チャンバの圧力と真空システ
ムの圧力との間の差圧を保持している。
ナ）製のサセプタ支持ア−ム１６５によって支持されて
いる。ア−ム１６５は真空チュ−ブ（サセプタ真空吸い
込みライン、真空通路）１７０を含んでおり、それは好
ましくはアルミニウムである。真空チュ−ブ１７０は穴
の中にスリップ嵌合（ｓｌｉｐ ｆｉｔ）しており、ア
ルミニウム製の真空チュ−ブをサセプタ１３８の裏側に
接続している。接地ストラップ／ワイヤ（接地ケ−ブル
−アルミニウム）１７４がまた真空チュ−ブのサセプタ
側端部に接続されている。四本の組立ネジ１７２が、真
空チュ−ブ１７０の端部と接地ケ−ブル１７４を、中空
のサセプタ支持ア−ム１６５の端部とサセプタハブ１５
６とに接続し、クランプしている。真空チュ−ブのもう
一方の端が、フランジ１７１付きのアルミ製の中空カッ
プに接続されている。フランジ付きの中空カップは、ア
−ム１６５の駆動側端部にある円形穴の中に嵌合してい
る。このカップ１７１の底部は、ハイネス（Ｈａｙｎｅ
ｓ）２４２でできた円形の平板によってカバ−されてい
る。その組立体の温度がおよそ４８５℃の処理温度に近
づくにつれて、セラミックハウジングの中に収容されて
いるアルニウムミ製の部品は膨張しようとするが、しか
しセラミックハウジングによって拘束される。その膨張
の差によって、アルミニウム製のチュ−ブはその隣接す
る部品に対して滑り、処理チャンバの圧力と真空システ
ムの圧力との間の差圧を保持している。
【００５２】そのぴったりした嵌合はまた、このプロセ
スに於いて互いに押し付けられている部品間を電気的に
接続してもいる。接地ストラップ１７４の使用により、
サセプタの為の連続的な電気的接地接続（接地するこ
と）が確実になる。
スに於いて互いに押し付けられている部品間を電気的に
接続してもいる。接地ストラップ１７４の使用により、
サセプタの為の連続的な電気的接地接続（接地するこ
と）が確実になる。
【００５３】熱伝対１５８と熱電対の配線は、真空チュ
−ブ１７０を貫通するル−トを通り、サセプタ１３８の
中央にある熱電対穴に挿入される。熱伝対穴は、サセプ
タの真空通路中に位置する（図７）。その熱電対の配線
は、真空通路を通って戻り、熱電対配線シ−ル部に於い
て真空通路を出て、熱電対配線端部１５９を熱電対読み
取り計器に接続する。
−ブ１７０を貫通するル−トを通り、サセプタ１３８の
中央にある熱電対穴に挿入される。熱伝対穴は、サセプ
タの真空通路中に位置する（図７）。その熱電対の配線
は、真空通路を通って戻り、熱電対配線シ−ル部に於い
て真空通路を出て、熱電対配線端部１５９を熱電対読み
取り計器に接続する。
【００５４】サセプタ支持ア−ム１６５はカバ−１６６
を有しており、内容物を過剰な温度（サセプタの裏側及
びサセプタア−ムを直接照射している処理熱ランプへの
露出）から保護しており、また同時に処理チャンバ内の
各種の処理段階に於いて存在しうる厳しい化学的環境か
ら内容物を隔離している。接地ケ−ブル１７４は、中空
ア−ムから引き出され、通常はアルミニウムのような導
体材料でできた処理チャンバの壁に接地されている。プ
ラズマ高進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）が用いられるときは、
接地ケ−ブルはサセプタ１３８を積極的に（ｐｏｓｉｔ
ｉｖｅｌｙ）接地することを要する。接地ワイヤ１７４
の端部は、サセプタが上下に自由に動けなければならな
いので、緩く配線されなければならい。処理中にウエハ
を移送し、支持するのに、必要だからである。
を有しており、内容物を過剰な温度（サセプタの裏側及
びサセプタア−ムを直接照射している処理熱ランプへの
露出）から保護しており、また同時に処理チャンバ内の
各種の処理段階に於いて存在しうる厳しい化学的環境か
ら内容物を隔離している。接地ケ−ブル１７４は、中空
ア−ムから引き出され、通常はアルミニウムのような導
体材料でできた処理チャンバの壁に接地されている。プ
ラズマ高進ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）が用いられるときは、
接地ケ−ブルはサセプタ１３８を積極的に（ｐｏｓｉｔ
ｉｖｅｌｙ）接地することを要する。接地ワイヤ１７４
の端部は、サセプタが上下に自由に動けなければならな
いので、緩く配線されなければならい。処理中にウエハ
を移送し、支持するのに、必要だからである。
【００５５】真空チュ−ブの端部キャップ１７１は、リ
フティングシャフト１７８の底部フランジ１７８ａ（図
１７）に接続されており、それらは二つともサセプタの
垂直調整ベロ−ズ１７９の底部フランジに取り付けられ
ている。ベロ−ズ１７９の内部は、大気圧力に維持され
ている。そのベロ−ズは、チャンバの真空を大気圧力か
ら切り離している。上昇シャフト１７８（図１７）はリ
フト及び案内機構（図示せず）によって案内されてお
り、その機構は、サセプタア−ムを首尾一貫（ｃｏｖｓ
ｉｓｔｅｎｔｌｙ）してまた振動することがないように
保持し動かす。
フティングシャフト１７８の底部フランジ１７８ａ（図
１７）に接続されており、それらは二つともサセプタの
垂直調整ベロ−ズ１７９の底部フランジに取り付けられ
ている。ベロ−ズ１７９の内部は、大気圧力に維持され
ている。そのベロ−ズは、チャンバの真空を大気圧力か
ら切り離している。上昇シャフト１７８（図１７）はリ
フト及び案内機構（図示せず）によって案内されてお
り、その機構は、サセプタア−ムを首尾一貫（ｃｏｖｓ
ｉｓｔｅｎｔｌｙ）してまた振動することがないように
保持し動かす。
【００５６】上昇シャフトへの真空シ−ルは、熱電対ワ
イヤを詰めた（ｐｏｔｔｅｄ）密封スリ−ブ１７８ｂに
よって圧縮されたＯリング１７８ｇを用いることによっ
てなされ、その密封スリ−ブは、Ｏリング１７８ｇを、
上昇シャフト１７８の上部１７８ｄの内径内で縮む方向
に押し付ける（図１７）。Ｏリング１７８ｇが上部１７
８ｄの狭まった形状部分に押し付けられると、オフセッ
ト穴１７８ｅの外側のフランジ面に乗った密封スリ−ブ
１７８ｂは、Ｏリングを、詰め込まれた（ｐｏｔｔｅ
ｄ）スリ−ブ１７８ｃ（熱電対ワイヤ１６８が通過し固
定される、エポキシを充填したチュ−ブ）及び上昇シャ
フト１７８の上部１７８ｄの内面の両方に、密封接触を
するように、押し付ける。図６を注意深く見ると、穴１
７８ｅは上昇シャフトの底部フランジの中心からオフセ
ットしていることが判る。熱電対ワイヤ１６８は、底部
フランジの中心線に沿って通過しており、密封スリ−ブ
１７８ｂの中心を通っている。オフセットした穴１７８
ｅは、ネジを切った熱電対の先端と詰め込みスリ−ブ１
７８ｃが通過し（特に組立分解の為に）、Ｏリング１７
８ｇを密封の為に圧縮できるようになっており、一方密
封スリ−ブ１７８ｂが乗ることのできる支持面を提供し
ている。Ｏリング１７８ｇは、上昇シャフトフランジ１
７８ｆが組立られると、圧縮される（図６に示されるよ
うに、平坦な座金及び／又はバネ座金がＯリング１７８
ｇのクリアランス及び圧縮量を調整する）。その二つの
フランジ面もまた、Ｏリング或いは他の同様な密封手段
によって密封される。柔軟性のある真空チュ−ブが、真
空チュ−ブ接続１７５に接続されている。
イヤを詰めた（ｐｏｔｔｅｄ）密封スリ−ブ１７８ｂに
よって圧縮されたＯリング１７８ｇを用いることによっ
てなされ、その密封スリ−ブは、Ｏリング１７８ｇを、
上昇シャフト１７８の上部１７８ｄの内径内で縮む方向
に押し付ける（図１７）。Ｏリング１７８ｇが上部１７
８ｄの狭まった形状部分に押し付けられると、オフセッ
ト穴１７８ｅの外側のフランジ面に乗った密封スリ−ブ
１７８ｂは、Ｏリングを、詰め込まれた（ｐｏｔｔｅ
ｄ）スリ−ブ１７８ｃ（熱電対ワイヤ１６８が通過し固
定される、エポキシを充填したチュ−ブ）及び上昇シャ
フト１７８の上部１７８ｄの内面の両方に、密封接触を
するように、押し付ける。図６を注意深く見ると、穴１
７８ｅは上昇シャフトの底部フランジの中心からオフセ
ットしていることが判る。熱電対ワイヤ１６８は、底部
フランジの中心線に沿って通過しており、密封スリ−ブ
１７８ｂの中心を通っている。オフセットした穴１７８
ｅは、ネジを切った熱電対の先端と詰め込みスリ−ブ１
７８ｃが通過し（特に組立分解の為に）、Ｏリング１７
８ｇを密封の為に圧縮できるようになっており、一方密
封スリ−ブ１７８ｂが乗ることのできる支持面を提供し
ている。Ｏリング１７８ｇは、上昇シャフトフランジ１
７８ｆが組立られると、圧縮される（図６に示されるよ
うに、平坦な座金及び／又はバネ座金がＯリング１７８
ｇのクリアランス及び圧縮量を調整する）。その二つの
フランジ面もまた、Ｏリング或いは他の同様な密封手段
によって密封される。柔軟性のある真空チュ−ブが、真
空チュ−ブ接続１７５に接続されている。
【００５７】概略上に述べたようなサセプタ組立組立体
１７７と、真空接続１７５に真空を供給する真空源と
が、取扱手段を構成する。
１７７と、真空接続１７５に真空を供給する真空源と
が、取扱手段を構成する。
【００５８】図１０は、シャドーリング１２６、１２
７、１２８を支持し、またトランスファフィンガ制御機
構１３０の回転組立体１１１に従ってトランスファフィ
ンガ７６ａ、７６ｂ、７６ｃを支持し操作する、トラン
スファフィンガ支持組立体１１２の分解図を示す。上に
述べたようなトランスファフィンガ７６ａ、７６ｂ、７
６ｃの動きは、フィンガ軸８６、８７、８８を回転する
ことによって操作される（図１０及び１１）。フィンガ
軸８７（ハイネス（Ｈａｙｎｅｓ）２４２（登録商標）
で作るのが望ましい）は、中心回転軸７９を有する。フ
ィンガ軸はまた、その先端部に端部フランジ８４及び中
間フランジ８５を有する。
７、１２８を支持し、またトランスファフィンガ制御機
構１３０の回転組立体１１１に従ってトランスファフィ
ンガ７６ａ、７６ｂ、７６ｃを支持し操作する、トラン
スファフィンガ支持組立体１１２の分解図を示す。上に
述べたようなトランスファフィンガ７６ａ、７６ｂ、７
６ｃの動きは、フィンガ軸８６、８７、８８を回転する
ことによって操作される（図１０及び１１）。フィンガ
軸８７（ハイネス（Ｈａｙｎｅｓ）２４２（登録商標）
で作るのが望ましい）は、中心回転軸７９を有する。フ
ィンガ軸はまた、その先端部に端部フランジ８４及び中
間フランジ８５を有する。
【００５９】フィンガシャフトの下端部は、Ｃ形状チャ
ンネルの底部にある穴を貫通している。Ｃ形状チャンネ
ル１０６の底部は、厚い断面１１７を有する（図１０、
１１、１３）。しかしながら、Ｃ形状チャンネルのフィ
ンガ軸位置には、そのチャンネルはフィンガ軸軸受空洞
１１３を有し、一組のフィンガ軸軸受ハウジング８９を
受容し位置決めするようになっている。軸受ハウジング
８９の断面は図１１に示されている。フィンガ軸８７は
軸受ボ−ル（好ましくはセラミック）が置かれる軸受溝
を含む。軸受ボ−ルは、軸受けハウジングの内側の滑ら
かな内壁によって取り込まれている。ブッシュ８９ａ
は、軸受ボ−ルの下でフィンガ軸を取り囲んでおり、そ
れは一組の平坦な座金８９ｂで支えられ、ハイネス２４
２製のフィンガ軸８７の為のスラスト軸受及び垂直方向
の止め具として働く。逆さにしたとき軸受ボ−ルがこぼ
れ落ちないようにする為に、ロックワイヤ８９ｃが軸受
ハウジング８９を貫通しており、これはフィンガ軸が軸
受ハウジング８９から外に動いて出ようとするときにの
み接触されるようになっている。
ンネルの底部にある穴を貫通している。Ｃ形状チャンネ
ル１０６の底部は、厚い断面１１７を有する（図１０、
１１、１３）。しかしながら、Ｃ形状チャンネルのフィ
ンガ軸位置には、そのチャンネルはフィンガ軸軸受空洞
１１３を有し、一組のフィンガ軸軸受ハウジング８９を
受容し位置決めするようになっている。軸受ハウジング
８９の断面は図１１に示されている。フィンガ軸８７は
軸受ボ−ル（好ましくはセラミック）が置かれる軸受溝
を含む。軸受ボ−ルは、軸受けハウジングの内側の滑ら
かな内壁によって取り込まれている。ブッシュ８９ａ
は、軸受ボ−ルの下でフィンガ軸を取り囲んでおり、そ
れは一組の平坦な座金８９ｂで支えられ、ハイネス２４
２製のフィンガ軸８７の為のスラスト軸受及び垂直方向
の止め具として働く。逆さにしたとき軸受ボ−ルがこぼ
れ落ちないようにする為に、ロックワイヤ８９ｃが軸受
ハウジング８９を貫通しており、これはフィンガ軸が軸
受ハウジング８９から外に動いて出ようとするときにの
み接触されるようになっている。
【００６０】フィンガ軸８７の端部フランジ８４及び中
間フランジ８５は、クランクア−ム（レバ−ア−ム）の
一部として働き、端部フランジ８４及び中間フランジ８
５の両方にある整列した穴を貫通する一以上のピン９３
が動かされると、フィンガシャフトをクランクする（回
転する）。そのクランクア−ム穴は、フィンガ軸８７の
中心回転軸７９にほぼ平行であり、またその中心回転軸
からレバ−ア−ムの距離９１だけ外れている。部材１０
８、１０９を接続する三日月形状のクランクア−ムが、
部材１０８、１０９の端部にある穴にピンを貫通させる
ことによってクランクア−ムピンに接続されると、接続
部材１０８、１０９が動くにつれて、クランクア−ム８
７が回転する。クランクア−ム９３が図１２に示される
ように配設され、また両クランクア−ムが隣接するフィ
ンガ軸の間で軸の外側に置かれていると、接続部材１０
８がＣ形状チャンネルのカ−ブした軸に沿って第一の方
向１１８に動くことによって、第二の接続部材１０９に
同様な運動が引き起こされる。この第一の方向１１８へ
の動きによって、フィンガ軸８６、８７、８８はそれら
のトランスファフィンガ７６ａ、７６ｂ、及び７６ｃと
一緒にウエハ上昇一／形態７７まで回転される。クラン
クア−ム接続部材が第二の方向１１９に動かされると、
フィンガ軸とトランスファフィンガはそれらの引っ込ん
だ（ｒｅｔｒａｃｔｅｄ／ｓｔｏｗｅｄ）位置／形態７
８まで回転する。
間フランジ８５は、クランクア−ム（レバ−ア−ム）の
一部として働き、端部フランジ８４及び中間フランジ８
５の両方にある整列した穴を貫通する一以上のピン９３
が動かされると、フィンガシャフトをクランクする（回
転する）。そのクランクア−ム穴は、フィンガ軸８７の
中心回転軸７９にほぼ平行であり、またその中心回転軸
からレバ−ア−ムの距離９１だけ外れている。部材１０
８、１０９を接続する三日月形状のクランクア−ムが、
部材１０８、１０９の端部にある穴にピンを貫通させる
ことによってクランクア−ムピンに接続されると、接続
部材１０８、１０９が動くにつれて、クランクア−ム８
７が回転する。クランクア−ム９３が図１２に示される
ように配設され、また両クランクア−ムが隣接するフィ
ンガ軸の間で軸の外側に置かれていると、接続部材１０
８がＣ形状チャンネルのカ−ブした軸に沿って第一の方
向１１８に動くことによって、第二の接続部材１０９に
同様な運動が引き起こされる。この第一の方向１１８へ
の動きによって、フィンガ軸８６、８７、８８はそれら
のトランスファフィンガ７６ａ、７６ｂ、及び７６ｃと
一緒にウエハ上昇一／形態７７まで回転される。クラン
クア−ム接続部材が第二の方向１１９に動かされると、
フィンガ軸とトランスファフィンガはそれらの引っ込ん
だ（ｒｅｔｒａｃｔｅｄ／ｓｔｏｗｅｄ）位置／形態７
８まで回転する。
【００６１】ここで述べた形態に於いては、部品間の小
さなクリアランスがクランクア−ムの位置を決める為に
可能な選択の幅を制限していた。現在の形態のようなフ
ィンガ軸の端部及び中間フランジ８４、８５の間にある
空間は、一つのクランクア−ムピンに接続できるクラン
クア−ム接続部材の数を制限する。図１２に示されるよ
うな形態では、二本のクランクア−ムピンが中間フィン
ガ軸８７に使用される。フィンガ軸は全て同一の方向に
回転する。更に大きな空間とクリアランスを持った別の
形態では、交互の（ａｌｔｅｒｎａｔｅ）フィンガ軸
が、反対方向に回転するように方向付けられることがで
きる。この形態は、同一方向に回転するが二つの別々の
クランクア−ム９３に接続されたフィンガ軸を示す。
さなクリアランスがクランクア−ムの位置を決める為に
可能な選択の幅を制限していた。現在の形態のようなフ
ィンガ軸の端部及び中間フランジ８４、８５の間にある
空間は、一つのクランクア−ムピンに接続できるクラン
クア−ム接続部材の数を制限する。図１２に示されるよ
うな形態では、二本のクランクア−ムピンが中間フィン
ガ軸８７に使用される。フィンガ軸は全て同一の方向に
回転する。更に大きな空間とクリアランスを持った別の
形態では、交互の（ａｌｔｅｒｎａｔｅ）フィンガ軸
が、反対方向に回転するように方向付けられることがで
きる。この形態は、同一方向に回転するが二つの別々の
クランクア−ム９３に接続されたフィンガ軸を示す。
【００６２】クランクア−ム接続部材１０８、１０９
は、三日月形状（両端部で狭く中央で広い）をしてお
り、十分な構造的安定性を与え、また移行力（ｔｒａｎ
ｓｌａｔｉｏｎａｌ ｆｏｒｃｅ）が適用された際の坐
屈（ｂｕｃｋｌｉｎｇ）を防止する。もしクランクア−
ム接続部材がそのピン止めされた端部でのみ支持されて
いるならば、その中間部分は垂れ下がりＣ形状チャンネ
ルの内側で摩擦し、クランクア−ムピン接続までの接続
部材を固着させてしまい、トランスファフィンガの調整
（運動）を困難にする。クランクア−ム接続部材１０
８、１０９の垂直方向の整列を維持する為に（図１
３）、Ｃ形状チャンネル１０６の厚い断面１１７内に底
がほぼ平坦な円形引っ込み部（ｉｎｄｅｎｔｉｏｎ）１
１５が、制限された（壁で囲まれた）空洞を提供し、そ
の空洞の中に軸受ボ−ル１１４（耐熱性／耐久性の為に
アルミナのようなセラミック材料で作るのが好ましい）
が転がることができる。クランクア−ム接続部材（１０
８、１０９）の底面はボ−ル１１４の上面に乗ってお
り、その接続部材が操作され、フィンガ軸とトランスフ
ァフィンガを回転させる際、そのボ−ルは引っ込み部１
１５の中で転がる。上カバ−１０７ａがＣ形状チャンネ
ルの上部を被い、プロセスサイクル中の極端な温度への
内部部品の露出や化学的露出の厳しさを低減している。
は、三日月形状（両端部で狭く中央で広い）をしてお
り、十分な構造的安定性を与え、また移行力（ｔｒａｎ
ｓｌａｔｉｏｎａｌ ｆｏｒｃｅ）が適用された際の坐
屈（ｂｕｃｋｌｉｎｇ）を防止する。もしクランクア−
ム接続部材がそのピン止めされた端部でのみ支持されて
いるならば、その中間部分は垂れ下がりＣ形状チャンネ
ルの内側で摩擦し、クランクア−ムピン接続までの接続
部材を固着させてしまい、トランスファフィンガの調整
（運動）を困難にする。クランクア−ム接続部材１０
８、１０９の垂直方向の整列を維持する為に（図１
３）、Ｃ形状チャンネル１０６の厚い断面１１７内に底
がほぼ平坦な円形引っ込み部（ｉｎｄｅｎｔｉｏｎ）１
１５が、制限された（壁で囲まれた）空洞を提供し、そ
の空洞の中に軸受ボ−ル１１４（耐熱性／耐久性の為に
アルミナのようなセラミック材料で作るのが好ましい）
が転がることができる。クランクア−ム接続部材（１０
８、１０９）の底面はボ−ル１１４の上面に乗ってお
り、その接続部材が操作され、フィンガ軸とトランスフ
ァフィンガを回転させる際、そのボ−ルは引っ込み部１
１５の中で転がる。上カバ−１０７ａがＣ形状チャンネ
ルの上部を被い、プロセスサイクル中の極端な温度への
内部部品の露出や化学的露出の厳しさを低減している。
【００６３】クランクア−ム接続部材１０８は、剛性の
ある接続（三角形の）ピ−ス１１０に取付けられ操作さ
れる。このピ−ス１１０は、端部穴１１０ａを含んでお
り、その穴はトランスファフィンガ制御機構１３０の回
転制御軸７２の端部にあるオフセットピン７５と係合し
ている。制御軸７２が、固定された駆動リンク１１０の
端部穴１１０ａに係合したオフセットピン７５を回転す
ると、固定された駆動リンク１１０の端部を動かす（ｔ
ｒａｎｓｌａｔｅｓ（ｍｏｖｅｓ））。固定駆動リンク
１１０は、第一のクランクア−ム接続部材１０８に接続
されることによって拘束され、また第一のクランクア−
ム接続部材は隣接するフィンガ軸８６、８７のクランク
ア−ム（ピン）の間に固定されているので、固定駆動リ
ンク１１０の運動によりクランクア−ム接続部材はＣ形
状チャンネルの軸に沿った方向（１１８又は１１９）に
動かされ、フィンガ軸とトランスファフィンガは回転さ
せられる。制御軸７２の反対方向の回転により、トラン
スファフィンガの反対方向の回転が引き起こされる。
ある接続（三角形の）ピ−ス１１０に取付けられ操作さ
れる。このピ−ス１１０は、端部穴１１０ａを含んでお
り、その穴はトランスファフィンガ制御機構１３０の回
転制御軸７２の端部にあるオフセットピン７５と係合し
ている。制御軸７２が、固定された駆動リンク１１０の
端部穴１１０ａに係合したオフセットピン７５を回転す
ると、固定された駆動リンク１１０の端部を動かす（ｔ
ｒａｎｓｌａｔｅｓ（ｍｏｖｅｓ））。固定駆動リンク
１１０は、第一のクランクア−ム接続部材１０８に接続
されることによって拘束され、また第一のクランクア−
ム接続部材は隣接するフィンガ軸８６、８７のクランク
ア−ム（ピン）の間に固定されているので、固定駆動リ
ンク１１０の運動によりクランクア−ム接続部材はＣ形
状チャンネルの軸に沿った方向（１１８又は１１９）に
動かされ、フィンガ軸とトランスファフィンガは回転さ
せられる。制御軸７２の反対方向の回転により、トラン
スファフィンガの反対方向の回転が引き起こされる。
【００６４】Ｃ形状チャンネルからの駆動用の出っ張り
の底部は、カバ−１０７ｂ（ハイネス２４２とするのが
好ましい）によって覆われている。
の底部は、カバ−１０７ｂ（ハイネス２４２とするのが
好ましい）によって覆われている。
【００６５】トランスファフィンガ制御機構１３０は、
上昇軸７４、垂直運動シ−ルベロ−ズ７１及びトランス
ファフィンガ回転機構１１１を含む。トランスファフィ
ンガ回転機構１１１は、制御軸７２にしっかりとボルト
止めされた、クランクア−ム７２ａにピン止めされてい
る。その回転機構は、支持機構１０６と一緒に上下に動
き、上述のようにトランスファフィンガの回転を制御す
る。トランスファフィンガ支持組立体１１２は、プロセ
スの要求に従って上下に動く。支持組立体上昇機構（図
示せず）が上昇軸７４に取付けられており、組立体１１
２の上昇及び降下を正確に制御する。ベロ−ズシ−ル７
６に加えて真空漏洩を防止する為のシ−ルが備えられて
いるが、図示はされていない。
上昇軸７４、垂直運動シ−ルベロ−ズ７１及びトランス
ファフィンガ回転機構１１１を含む。トランスファフィ
ンガ回転機構１１１は、制御軸７２にしっかりとボルト
止めされた、クランクア−ム７２ａにピン止めされてい
る。その回転機構は、支持機構１０６と一緒に上下に動
き、上述のようにトランスファフィンガの回転を制御す
る。トランスファフィンガ支持組立体１１２は、プロセ
スの要求に従って上下に動く。支持組立体上昇機構（図
示せず）が上昇軸７４に取付けられており、組立体１１
２の上昇及び降下を正確に制御する。ベロ−ズシ−ル７
６に加えて真空漏洩を防止する為のシ−ルが備えられて
いるが、図示はされていない。
【００６６】トランスファフィンガ７６は、しっくりと
嵌合した（ｓｎｕｇ ｆｉｔｔｉｎｇ）干渉（ｉｎｔｅ
ｒｆｅｒｉｎｇ）ボ−ルを使用することによってフィン
ガ軸８６、８７、８８に接続されている。フィンガ軸の
底部は、半球形状のくぼみ（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）
９０を含む。きつい（０．００１から０．００２イン
チ）（滑り嵌合）嵌合穴８２がトランスファフィンガの
水平部分の端部近傍にあり、フィンガ軸（８７）の端部
に滑り込んでおり、半球形の凹み９０の上に位置してい
る。このトランスファフィンガ穴８２は、水平なトラン
スファフィンガ部分８０の底部の一つの側にオフセット
した半円のキ−溝（半円筒形の）８３を含み、そのオフ
セットした半円キ−溝８３がフィンガ軸８７の半球形の
くぼみ９０と整列しており、またしっくりと嵌合したボ
−ル９５がフィンガ軸８７の僅かなくぼみ９０に位置
し、またそれから出っ張っているとき、トランスファフ
ィンガの水平部分８０がボ−ル９５の位置まで降下する
ことにより、ボ−ル９５が穴８２のオフセットした半円
形キ−溝８３に取り込まれるようにし、またトランスフ
ァフィンガの水平部材８０が持ち上げられボ−ル９５が
解放されるまで、トランスファフィンガの水平部材８０
を支える。
嵌合した（ｓｎｕｇ ｆｉｔｔｉｎｇ）干渉（ｉｎｔｅ
ｒｆｅｒｉｎｇ）ボ−ルを使用することによってフィン
ガ軸８６、８７、８８に接続されている。フィンガ軸の
底部は、半球形状のくぼみ（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）
９０を含む。きつい（０．００１から０．００２イン
チ）（滑り嵌合）嵌合穴８２がトランスファフィンガの
水平部分の端部近傍にあり、フィンガ軸（８７）の端部
に滑り込んでおり、半球形の凹み９０の上に位置してい
る。このトランスファフィンガ穴８２は、水平なトラン
スファフィンガ部分８０の底部の一つの側にオフセット
した半円のキ−溝（半円筒形の）８３を含み、そのオフ
セットした半円キ−溝８３がフィンガ軸８７の半球形の
くぼみ９０と整列しており、またしっくりと嵌合したボ
−ル９５がフィンガ軸８７の僅かなくぼみ９０に位置
し、またそれから出っ張っているとき、トランスファフ
ィンガの水平部分８０がボ−ル９５の位置まで降下する
ことにより、ボ−ル９５が穴８２のオフセットした半円
形キ−溝８３に取り込まれるようにし、またトランスフ
ァフィンガの水平部材８０が持ち上げられボ−ル９５が
解放されるまで、トランスファフィンガの水平部材８０
を支える。
【００６７】シャドーリング組立体１２５は、内部シャ
ドーリング１２６と中間シャドーリング１２７及び外部
シャドーリング１２８を含む。三つのリングは、図１１
に見ることができるように、フランジを重ね合わせるこ
とによって入れ子（ｎｅｓｔｅｄ）になっている。数個
の（このケ−スでは３）リングが、熱く加熱された中央
リングと比較的低温の周辺リングとの間の熱膨張差の降
下を低減する為に使用される。その距離にかかるリング
が単一であると、そのような単一リングを壊してしまう
ような熱応力を生じる摂氏２００度を超えるような温度
差が存在し得る。その距離に渡って数個のリングを使用
することによって、各リングの温度勾配は非常に低減さ
れ、リング間の動きが、それらのリングを破壊に至らし
めるような過度の熱応力を防止する。この形態では、内
側の二つのリング１２６と１２７はアルミナのようなセ
ラミック材料で作られており、外側のリング１２８はア
ルミニウムである。
ドーリング１２６と中間シャドーリング１２７及び外部
シャドーリング１２８を含む。三つのリングは、図１１
に見ることができるように、フランジを重ね合わせるこ
とによって入れ子（ｎｅｓｔｅｄ）になっている。数個
の（このケ−スでは３）リングが、熱く加熱された中央
リングと比較的低温の周辺リングとの間の熱膨張差の降
下を低減する為に使用される。その距離にかかるリング
が単一であると、そのような単一リングを壊してしまう
ような熱応力を生じる摂氏２００度を超えるような温度
差が存在し得る。その距離に渡って数個のリングを使用
することによって、各リングの温度勾配は非常に低減さ
れ、リング間の動きが、それらのリングを破壊に至らし
めるような過度の熱応力を防止する。この形態では、内
側の二つのリング１２６と１２７はアルミナのようなセ
ラミック材料で作られており、外側のリング１２８はア
ルミニウムである。
【００６８】外側シャドーリング１２８は、調整可能な
ハンガ−ネジ１２９によってＣ形状チャンネル１０６か
ら支えられている。これらのネジ１２９（ハイネス２４
２で作るのが好ましい）は、外側リング１２８の穴にね
じ込まれ、好ましくはハイネス２４２製のロックナット
が取付けられ、リング支持体に対して如何なる調整もで
きるようにしておく。処理されるウエハは、一様な堆積
が行われるように、隣接するガス分布板２６に平行に維
持されることが重要である。これらの調整ネジは、Ｃ形
状チャンネル１０６の両端部が垂れ下がったときでさえ
も、そのような調整ができることを考慮に入れている。
ハンガ−ネジ１２９によってＣ形状チャンネル１０６か
ら支えられている。これらのネジ１２９（ハイネス２４
２で作るのが好ましい）は、外側リング１２８の穴にね
じ込まれ、好ましくはハイネス２４２製のロックナット
が取付けられ、リング支持体に対して如何なる調整もで
きるようにしておく。処理されるウエハは、一様な堆積
が行われるように、隣接するガス分布板２６に平行に維
持されることが重要である。これらの調整ネジは、Ｃ形
状チャンネル１０６の両端部が垂れ下がったときでさえ
も、そのような調整ができることを考慮に入れている。
【００６９】ハンガ−調整ネジ１２９の上端部は、スペ
−サ−板１００とハンガ−調整ネジヘッド保持板１０１
によって取り込まれている。ハンガ−ネジ１２９の頂部
の円形の出っ張り（フランジ、ボ−ル等）は、ネジヘッ
ド保持板１０１中のスロットによって取り込まれてい
る。そのヘッドは、保持板を貫通し、スペ−サ−板１０
０中のネジヘッド空洞の中に入り込んでい入る。そのハ
ンガ−ネジ１２９は、そのヘッドが一定の垂直位置を保
持しながら支えられているときは、自由に回転すること
ができる。
−サ−板１００とハンガ−調整ネジヘッド保持板１０１
によって取り込まれている。ハンガ−ネジ１２９の頂部
の円形の出っ張り（フランジ、ボ−ル等）は、ネジヘッ
ド保持板１０１中のスロットによって取り込まれてい
る。そのヘッドは、保持板を貫通し、スペ−サ−板１０
０中のネジヘッド空洞の中に入り込んでい入る。そのハ
ンガ−ネジ１２９は、そのヘッドが一定の垂直位置を保
持しながら支えられているときは、自由に回転すること
ができる。
【００７０】スペ−サ−１００とネジヘッド保持板１０
１とは、Ｃ形状チャンネルの底部であってフィンガ軸軸
受ハウジング８９の位置の反対側に取り付けられてい
る。好ましくはハイネス２４２でできた締め具（ボル
ト、ネジ）は、軸受ハウジング８９のフランジを通過
し、Ｃ形状チャンネル１０６の底部の穴を貫通し、スペ
−サ−板１００の穴を貫通し、そしてネジヘッド保持板
１０１のネジ穴にしっかりと固定されている。それらの
ネジ、軸受ハウジング８９、スペ−サ−板１００及び保
持板１０１は、全てハイネス２４２で作るのが好まし
い。
１とは、Ｃ形状チャンネルの底部であってフィンガ軸軸
受ハウジング８９の位置の反対側に取り付けられてい
る。好ましくはハイネス２４２でできた締め具（ボル
ト、ネジ）は、軸受ハウジング８９のフランジを通過
し、Ｃ形状チャンネル１０６の底部の穴を貫通し、スペ
−サ−板１００の穴を貫通し、そしてネジヘッド保持板
１０１のネジ穴にしっかりと固定されている。それらの
ネジ、軸受ハウジング８９、スペ−サ−板１００及び保
持板１０１は、全てハイネス２４２で作るのが好まし
い。
【００７１】図１４を参照すると、別の形のウエハ取扱
い装置が示されている。
い装置が示されている。
【００７２】この図では、ウエハ処理チャンバ２０２
は、上側と下側の漏斗形状の石英窓２０４、２０５及び
それぞれ処理ガスをチャンバ２０２内に注入しまたそこ
から排出する為のポ−ト２０６、２０７とを含むように
示されている。チャンバ２０２の内側には、半導体ウエ
ハ２１０が上で述べた取扱い手段（チャック）に関して
説明されたのと同様な方法でウエハ支持チャック（ｃｈ
ｕｃｋ）２１２によって下向きに支持されているのが示
されている。チャンバ２０２内のウエハ２１０とその環
境は両方共、それぞれヒ−タ−ランプ２１４、２１６の
上下のバンクによって加熱することができる。もしウエ
ハが受ける処理が加熱を要しないならば、そのときはラ
ンプは省略することができ、違った設計のウエハ支持体
を利用することができる。またサセプタの加熱はランプ
によって行う必要はなく、より厚い設計のサセプタ内の
加熱コイルを使用することによって行うことができる。
は、上側と下側の漏斗形状の石英窓２０４、２０５及び
それぞれ処理ガスをチャンバ２０２内に注入しまたそこ
から排出する為のポ−ト２０６、２０７とを含むように
示されている。チャンバ２０２の内側には、半導体ウエ
ハ２１０が上で述べた取扱い手段（チャック）に関して
説明されたのと同様な方法でウエハ支持チャック（ｃｈ
ｕｃｋ）２１２によって下向きに支持されているのが示
されている。チャンバ２０２内のウエハ２１０とその環
境は両方共、それぞれヒ−タ−ランプ２１４、２１６の
上下のバンクによって加熱することができる。もしウエ
ハが受ける処理が加熱を要しないならば、そのときはラ
ンプは省略することができ、違った設計のウエハ支持体
を利用することができる。またサセプタの加熱はランプ
によって行う必要はなく、より厚い設計のサセプタ内の
加熱コイルを使用することによって行うことができる。
【００７３】先の図面に図示された実施例にあるよう
に、チャック２１２は、図示されたウエハ処理位置と破
線２１３で示されたウエハ係合位置との間で垂直方向に
動くことができる。これは、チャンバ２０２の外側に搭
載された上昇装置２１０にチャック２１２を接続する上
昇軸２１８の働きのもとで行われる。ウエハをチャンバ
に出し入れする為のロボットア−ムはこの図には示され
ていない。先に図示された実施例にあるように、ウエハ
は、チャック２１２とウエハ２１０の裏側２１１との間
の界面に適用される吸引によって下向きに支えられる。
この吸引は、軸２１８の中心に沿って形成された内径穴
（ｂｏｒｅ）を介して適用される。
に、チャック２１２は、図示されたウエハ処理位置と破
線２１３で示されたウエハ係合位置との間で垂直方向に
動くことができる。これは、チャンバ２０２の外側に搭
載された上昇装置２１０にチャック２１２を接続する上
昇軸２１８の働きのもとで行われる。ウエハをチャンバ
に出し入れする為のロボットア−ムはこの図には示され
ていない。先に図示された実施例にあるように、ウエハ
は、チャック２１２とウエハ２１０の裏側２１１との間
の界面に適用される吸引によって下向きに支えられる。
この吸引は、軸２１８の中心に沿って形成された内径穴
（ｂｏｒｅ）を介して適用される。
【００７４】チャック２１２の詳細は図１５と１６に示
されている。これらの図から判るように、チャック２１
２はその中に形成されたポケット２２２を有し、そのポ
ケットの典型的な深さは０．０２インチである。このポ
ケットは、平坦なウエハ支持面２２４と、吸引力がウエ
ハ２１０の裏側２１１に適用される中心ゾ−ン２２７と
を含む。この図では、中心ゾ−ン２２７は、チャック２
１２を貫通して形成され同心円状に配置された六つの穴
２２９から成る。典型的には、その穴は直径が０．０５
インチであり、直径０．２インチの円上に配置されてい
る。これらの穴２２９を通して、ウエハ２１０と面２２
４との間の界面に於ける真空を引くことができるのであ
る。この界面に於いて引かれる真空は、ウエハの裏側２
１１の殆ど全体に渡って連通し、それによりウエハはポ
ケット２２２内の位置に保持される。
されている。これらの図から判るように、チャック２１
２はその中に形成されたポケット２２２を有し、そのポ
ケットの典型的な深さは０．０２インチである。このポ
ケットは、平坦なウエハ支持面２２４と、吸引力がウエ
ハ２１０の裏側２１１に適用される中心ゾ−ン２２７と
を含む。この図では、中心ゾ−ン２２７は、チャック２
１２を貫通して形成され同心円状に配置された六つの穴
２２９から成る。典型的には、その穴は直径が０．０５
インチであり、直径０．２インチの円上に配置されてい
る。これらの穴２２９を通して、ウエハ２１０と面２２
４との間の界面に於ける真空を引くことができるのであ
る。この界面に於いて引かれる真空は、ウエハの裏側２
１１の殆ど全体に渡って連通し、それによりウエハはポ
ケット２２２内の位置に保持される。
【００７５】この形態は、高温、例えば７５０℃を越え
る温度、に於いてウエハを処理するのに特に適してい
る。平坦なウエハ支持面２２４はウエハを非常にうまく
支え、ウエハの滑りを防止するからである。試験は、１
１００℃の処理温度に於いて、直径６インチのウエハを
横切って３ト−ルの差圧を与えると、結果として１００
％の滑りのない表面が得られるということを示した。
る温度、に於いてウエハを処理するのに特に適してい
る。平坦なウエハ支持面２２４はウエハを非常にうまく
支え、ウエハの滑りを防止するからである。試験は、１
１００℃の処理温度に於いて、直径６インチのウエハを
横切って３ト−ルの差圧を与えると、結果として１００
％の滑りのない表面が得られるということを示した。
【００７６】図１６から、上昇軸２１８はその中に形成
された中心穴（ｂｏｒｅ）２３１を有することが判る。
この中心穴２３１は、吸引を与える為に使用する装置
（図示せず）とチャック２１２の面上の中心ゾ−ン２２
７との間に通路を提供する。本発明にとって本質的なも
のではないが、この図はまた、チャック２１２の剛性を
増すように働く周囲を囲むスカ−ト２３４を示してい
る。このスカ−ト２３４は、チャックが高温の処理温度
にさらされ、そしてこの高温の熱の結果としてその剛性
を幾らかでも失うような場合に重要である。チャック２
１２の本体が（図示された実施例のように）比較的薄い
（典型的には０．１４５インチの厚さ）の場合にこれは
特に重要である。ある応用例に於いては、チャック２１
２は薄くしておくことが必要である。処理チャンバ２０
２内の環境を急速に加熱しまた冷却することができるよ
うに、チャックは比較的低い熱質量を有しなければなら
ないからである。また他の応用例に於いては、チャック
２１２は大きな熱質量を有する厚い断面領域を有するこ
ともあり、その場合にはそれ故に加熱するのにより長時
間を要し、また一旦加熱されると冷却するのにより長時
間を要することとなる。それ故に、本図に示されるよう
な構造が提供される。
された中心穴（ｂｏｒｅ）２３１を有することが判る。
この中心穴２３１は、吸引を与える為に使用する装置
（図示せず）とチャック２１２の面上の中心ゾ−ン２２
７との間に通路を提供する。本発明にとって本質的なも
のではないが、この図はまた、チャック２１２の剛性を
増すように働く周囲を囲むスカ−ト２３４を示してい
る。このスカ−ト２３４は、チャックが高温の処理温度
にさらされ、そしてこの高温の熱の結果としてその剛性
を幾らかでも失うような場合に重要である。チャック２
１２の本体が（図示された実施例のように）比較的薄い
（典型的には０．１４５インチの厚さ）の場合にこれは
特に重要である。ある応用例に於いては、チャック２１
２は薄くしておくことが必要である。処理チャンバ２０
２内の環境を急速に加熱しまた冷却することができるよ
うに、チャックは比較的低い熱質量を有しなければなら
ないからである。また他の応用例に於いては、チャック
２１２は大きな熱質量を有する厚い断面領域を有するこ
ともあり、その場合にはそれ故に加熱するのにより長時
間を要し、また一旦加熱されると冷却するのにより長時
間を要することとなる。それ故に、本図に示されるよう
な構造が提供される。
【００７７】図１６には、ある一つのまた特定の形態の
チャック２１２が示されているが、これは多くの可能な
形態の内の一つであり、多くの他の形態が可能であると
いうことは当業者にとって明らかであろう。
チャック２１２が示されているが、これは多くの可能な
形態の内の一つであり、多くの他の形態が可能であると
いうことは当業者にとって明らかであろう。
【００７８】本発明は特定の実施例に関して説明した
が、その変更や改変は当業者にとって明らかであること
は疑いもない。例えば、処理チャンバ内に於ける処理の
間ウエハを真空で保持するという原理は、どのような基
板処理操作中に於いても、基板を垂直に支持する為に応
用することができ、またどのような他の基板をも支持す
る為に応用することができるということが想像できる。
それ故、本願の特許請求の範囲は、そのような全ての変
更や改変を本発明の真の精神と範囲内に入るようにカバ
−するものと解釈すべきである。
が、その変更や改変は当業者にとって明らかであること
は疑いもない。例えば、処理チャンバ内に於ける処理の
間ウエハを真空で保持するという原理は、どのような基
板処理操作中に於いても、基板を垂直に支持する為に応
用することができ、またどのような他の基板をも支持す
る為に応用することができるということが想像できる。
それ故、本願の特許請求の範囲は、そのような全ての変
更や改変を本発明の真の精神と範囲内に入るようにカバ
−するものと解釈すべきである。
【００７９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ウエ
ハを下向きで支持することができ、ウエハの処理面に傷
を付けることなく、取り扱うことができる。また、処理
の自動化も容易となる。
ハを下向きで支持することができ、ウエハの処理面に傷
を付けることなく、取り扱うことができる。また、処理
の自動化も容易となる。
【００８０】本発明の、以上述べたような或いは他の特
徴及び利点は、実施例の記載を以下の図面と合わせて読
むことによって明らかとなるであろう。
徴及び利点は、実施例の記載を以下の図面と合わせて読
むことによって明らかとなるであろう。
【図１】図１は、本発明によるウエハ処理チャンバとそ
れに関連する外部の特徴を一緒に示した斜視図である。
れに関連する外部の特徴を一緒に示した斜視図である。
【図２】図２は、図１の処理チャンバの上から見た断面
図である。
図である。
【図３】図３は、図１８から図２２と共に、本発明によ
る、図１の処理チャンバの概略断面側面図であり、ウエ
ハが処理チャンバ内に挿入され、下向き処理位置に移動
させられている際のウエハの取扱いを説明する図であ
る。
る、図１の処理チャンバの概略断面側面図であり、ウエ
ハが処理チャンバ内に挿入され、下向き処理位置に移動
させられている際のウエハの取扱いを説明する図であ
る。
【図４】図４は、図５のロボットブレ−ドの部分断面側
面図である。
面図である。
【図５】図５は、本発明によるロボットブレ−ドの上面
図である。
図である。
【図６】図６は、本発明によるサセプタ上昇組立体の分
解図である。
解図である。
【図７】図７は、図６のサセプタ上昇組立体の断面図を
含む、図１の処理チャンバの部分断面図である。
含む、図１の処理チャンバの部分断面図である。
【図８】図８は、図９のサセプタの断面側面図である。
【図９】図９は、本発明によるサセプタの底面の図であ
る。
る。
【図１０】図１０は、本発明によるトランスファフィン
ガ支持組立体の分解図である。
ガ支持組立体の分解図である。
【図１１】図１１は、図１０のトランスファフィンガ支
持組立体機構の部分断面図である。
持組立体機構の部分断面図である。
【図１２】図１２は、本発明によるトランスファフィン
ガ支持組立体のＣ形状チャンネルの上面図であり、Ｃ形
状チャンネルカバ−を取り除いた図である。
ガ支持組立体のＣ形状チャンネルの上面図であり、Ｃ形
状チャンネルカバ−を取り除いた図である。
【図１３】図１３は、１３−１３に於いて切断したＣ形
状チャンネルの典型的な断面図である。
状チャンネルの典型的な断面図である。
【図１４】図１４は、ウエハ処理チャンバの部分断面図
であり、本発明の別の実施例を示す図である。
であり、本発明の別の実施例を示す図である。
【図１５】図１５は、図１４に示されるウエハ支持チャ
ックの平面図である。
ックの平面図である。
【図１６】図１６は、図１５の１６−１６線に沿って切
断した断面図である。
断した断面図である。
【図１７】図１７は、図７のサセプタ上昇組立体のシ−
ル部分の拡大図である。
ル部分の拡大図である。
【図１８】図１８は、本発明による、図１の処理チャン
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
【図１９】図１９は、本発明による、図１の処理チャン
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
【図２０】図２０は、本発明による、図１の処理チャン
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
【図２１】図２１は、本発明による、図１の処理チャン
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
【図２２】図２２は、本発明による、図１の処理チャン
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
バの概略断面側面図であり、ウエハが処理チャンバ内に
挿入され、下向き処理位置に移動させられている際のウ
エハの取扱いを説明する図である。
２１…処理チャンバ、２４…加熱手段、…、４０…ウエ
ハ、４６…ロボットブレード、１３０…トランスファフ
ィンガ制御機構、…、…、１３８…サセプタ、１８２…
サセプタ位置制御機構、１８４…真空システム。
ハ、４６…ロボットブレード、１３０…トランスファフ
ィンガ制御機構、…、…、１３８…サセプタ、１８２…
サセプタ位置制御機構、１８４…真空システム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フィリップ エム． サルツマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95125， サン ノゼ， フェアグレン ドライヴ 2282 (72)発明者 オスカー ユー． ヴァーニィ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94303， パロ アルト， ルイス ロー ド 3842
Claims (60)
- 【請求項１】 制御された内部基板処理環境を有し、真
空源と共に使用するためのチャンバを含む基板処理装置
であって、 基板の裏面に係合するに適した下向き基板搭載面を画成
している、チャンバ内の基板マウントであって、その面
と前記真空源との間に通路を画成しているマウントと、 エッジ近傍で基板を係合し、その基板と搭載面を、上向
きの該基板の裏面に近接するように運ぶための基板トラ
ンスファ装置とを備え、 それにより、前記下向き基板搭載面と基板の裏面とが隣
接しているとき、前記通路が真空下にあり、その基板の
裏側の圧力が、該基板が前記下向き基板搭載面に押しつ
けられている処理チャンバの圧力より充分に低く、処理
すべき面が前記チャンバ環境に完全にさらされており、
その面への接触はエッジ近傍だけであり、その面上への
粒子が回避される、 基板処理装置。 - 【請求項２】 前記基板マウントが、前記基板の前記裏
面に係合するための面を画成する下向きサセプタ組立体
を備え、 前記通路が、前記面に終端を有し、前記真空源に接続す
るに適した導菅を備え、 前記基板トランスファ装置が、基板を、前記サセプタ表
面に合せた位置に及びその位置から、且つ処理すべき基
板を下向き位置に向けて、動かすために、そのエッジの
みにおいて、基板を支持する手段を備えた、 請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記基板トランスファ装置が、前記基板
を前記チャンバの中に、またそこから外に水平に動か
す、水平行動部材を含む、 請求項２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記基板トランスファ装置が、前記基板
の下側の排他的領域内のみで、その基板に接触し、また
その基板を支持している傾斜した一組の面を含む、 請求項３記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記基板トランスファ装置が、前記基板
の裏面に係合させるために、その基板を水平行動部材か
ら前記表面へ持ち上げる垂直行動フィンガー手段をさら
に備える、 請求項３記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記サセプタの裏面上の導菅から真空を
集配するように該基板の裏面に係合させるための前記面
内の凹みをさらに備える、 請求項２記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記基板マウントが垂直に動き、堆積処
理ガスを前記ウエハに向けて上方に注入する、処理チャ
ンバ内のガス分配板マニホールドの向かい側に、前記基
板を動かす、 請求項２記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 制御された内部基板処理環境を有する処
理チャンバ内で基盤を取り扱う方法であって、 基板の裏面に係合するに適した下向き搭載面を画成して
いる、チャンバ内の基板マウントを提供する工程と、 前記搭載面と真空源との間の、前記マウント内の導菅を
提供する工程と、 処理すべき基板を、エッジ近傍で基板トランスファ装置
と係合させる工程と、 処理すべき基板を、前記搭載面に隣接した位置に、また
上向きの基板裏面をもって、移送する工程と、 前記導菅を介して、前記隣接する基板裏面と前記搭載面
との間に真空を適用し、該基板の背中合わせの面に差圧
を生じさせ、該基板が該基板マウントに引き付けられて
該裏面のみによりそれを保持し、処理すべき前面を下向
きに内部チャンバ処理環境に向けながら完全に露出さ
せ、前面への接触と前面への粒子の堆積の可能性を最小
限にする、工程とを備える、 方法。 - 【請求項９】 ウエハ処理チャンバ組立体であって、 ウエハの排他的領域内において、該ウエハのエッジのみ
により、該ウエハを支持し、ウエハを水平にチャンバウ
エハトランスファ位置に移動させるためのウエハトラン
スファブレードであって、前記ウエハトランスファ位置
がウエハ処理位置の上方に直接配設されているウエハト
ランスファブレードと、 トランスファフィンガ制御機構にしたがって、トランス
ファフィンガ組立体の最高位置とトランスファフィンガ
組立体最低位置との間を垂直に移動するように形成され
た、トランスファフィンガ支持組立体であって、ここで
前記トランスファフィンガ組立体が、該ウエハの排他的
領域内で該ウエハのエッジのみをもって接触させなが
ら、前記ウエハを前記ウエハトランスファ位置からウエ
ハ上昇位置まで持ち上げ、またそのウエハを前記ウエハ
上昇位置から前記ウエハトランスファ位置まで引き下げ
るための、トランスファフィンガを有している、トラン
スファフィンガ支持組立体と、 下向きサセプタ組立体であって、前記ウエハ上昇位置に
おいて、ウエハが該サセプタ面にごく隣接し、該サセプ
タ面に密接して置かれた際、該サセプタ面上方に真空
（圧力）を分岐するように形成されており、ここで、該
ウエハ周辺部の一部が前記サセプタ面の対応する部分に
密封的に接触しており、前記サセプタ組立体が、サセプ
タ位置制御機構にしたがって、前記サセプタを上げ下げ
するように形成された、サセプタ組立体とを備え、 ここで、ウエハが前記サセプタの前記面に隣接して置か
れ、サセプタ真空サクションラインの圧力が前記プロセ
スチャンバ内の圧力よりも小さいとき、該ウエハを横切
って差圧が生じ、該ウエハを横切る差圧によるウエハの
底における力が該ウエハの重量に等しいかそれより大き
いとき、該ウエハがチャンバ内のガス圧力によりサセプ
タの底面に保持される、 ウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項１０】 前記トランスファフィンガ支持組立体
から支持されたシャドーリング組立体をさらに備える、
請求項９記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項１１】 前記トランスファフィンガ支持組立体
が、トランスファフィンガ回転機構を含み、その機構
が、そのウエハを載せたサセプタがウエハ受容解放位置
から前記ウエハ処理位置まで移動する際、トランスファ
フィンガ支持制御機構にしたがって、前記トランスファ
フィンガを前記ウエハとサセプタの経路から振り出すた
めの機構である、請求項９記載のウエハ処理チャンバ組
立体。 - 【請求項１２】 前記トランスファフィンガ支持組立体
が、トランスファフィンガ回転機構を含み、その機構
が、そのウエハを載せたサセプタがウエハ受容解放位置
から前記ウエハ処理位置まで移動する際、トランスファ
フィンガ支持制御機構にしたがって、前記トランスファ
フィンガを前記ウエハとサセプタの経路から振り出すた
めの機構である、請求項１０記載のウエハ処理チャンバ
組立体。 - 【請求項１３】 前面を有するほぼ平坦な板であって、
ここでその面がその中にほぼ中心を置く凹みと、その凹
みを取り囲む平坦ウエハ周辺面部分とを有し、ウエハが
前記サセプタの前記面に接触するに到ったとき該ウエハ
の周囲エッジが前記凹みを覆う前記平坦ウエハ周辺面部
分と密封的に接触するようになる、板を備え、 前記凹みがその凹みの底から上昇するウエハ支持点を含
み、該ウエハ支持点の全ての頂部のほぼ平坦で平行な面
が、前記取り囲む周辺面部分の表面と一致する平坦な面
（ｐｌａｎｅ）を形成するようになっている、 下向きサセプタ。 - 【請求項１４】 前記ウエハ支持点から離れて、前記凹
みの内面が、該ウエハ支持点の底面と前記平坦ウエハ周
辺面部分によって形成された仮想平面から所定の深さに
配設された一連の環状バンドを含み、一方前記サセプタ
の中心と前記平坦周辺面部分の内エッジとの間のいかな
る位置におけるいかなるバンドのほぼ一様な凹み深さ
も、指定された移行形態に従って、一つの所定深さから
別の所定深さまで変化する、請求項１３記載の下向きサ
セプタ。 - 【請求項１５】 真空通路が、前記サセプタの後側から
該サセプタの前面まで、該サセプタを貫通して設けられ
ており、前記凹みの内面に開口している、請求項１４記
載の下向きサセプタ。 - 【請求項１６】 各位置における前記所定の凹み深さ
が、前記サセプタからその位置におけるウエハまでの熱
伝達率に比例し、かつそれを定めている、請求項１５記
載の下向きサセプタ。 - 【請求項１７】 前記下向きサセプタの裏に取り付けら
れた中空のサセプタアームによって、前記サセプタが支
持されており、前記サセプタアームの中に配設された真
空チューブが、サセプタ真空システムから前記真空通路
を通して前記サセプタの裏側までの真空圧力のための通
路を提供している、請求項１４記載の下向きサセプタ。 - 【請求項１８】 前記サセプタの裏に配設された熱電対
用配線が、前記真空チューブ内の前記サセプタアームを
通して経路を定められている、請求項１７記載の下向き
サセプタ。 - 【請求項１９】 ロボットブレードであって、 支持されるウエハの幅寸法よりも小さい幅寸法を有する
平坦なバーを備え、該バーが、該バーの端部に近い位置
におけるその頂部表面中において該バー中に形成された
凹みを有し、それによって、支持されるウエハが該凹み
上方に位置しているとき、該バーが前記ウエハを越えて
伸延し、前記凹みが、トランジション（ｔｒａｎｓｉｔ
ｉｏｎ）の底エッジを形成する仮想リングと該頂部を形
成する仮想リングとの間に前記ウエハエッジ支持トラン
ジションを含むようになり、前記トランジションの前記
底部エッジが前記凹み部分の底に、あるいはその上方に
配設されており、また前記トランジションの前記頂部エ
ッジが前記バーの頂部に、あるいはその下にあり、 前記バーが、支持されるウエハの直径よりも小さい直径
を有する前記トランジションの底エッジに内部円形境界
を有し、該ウエハの直径よりも大きい半径を有する前記
トランジションの頂部エッジに外部円形境界を有する、
仮想の連続的な傾斜した環状バンドと調和する（ｍａｔ
ｃｈ）ように形成された、１組の少なくとも２本の滑ら
かに傾斜した環状バンド部分を含み、その少なくとも２
本の滑らかに傾斜した環状バンド部分が、前記部分の第
１の部分が前記バーの端部に近く配設されており、前記
部分の第２の部分が前記第１の部分から所定の距離だけ
離れて配設されており、それによって、前記バンド部分
が前記ウエハを前記少なくとも２本の滑らかに傾斜した
環状バンド部分の間に支持しているように、形成されて
いる、 ロボットブレード。 - 【請求項２０】 前記ウエハトランスファブレードが、
支持されるウエハの幅寸法よりも小さい幅寸法を有する
平坦なバーを備え、該バーが、該バーの端部に近い位置
におけるその頂部表面中において該バー中に形成された
凹みを有し、それによって、支持されるウエハが該凹み
上方に位置しているとき、該バーが前記ウエハを越えて
伸延し、前記凹みが、前記トランジションの底エッジを
形成する仮想リングと該頂部を形成する仮想リングとの
間にウエハエッジ支持トランジションを含むようにな
り、前記トランジションの前記底部エッジが前記凹み部
分の底に、あるいはその上方に配設されており、また前
記トランジションの前記頂部エッジが前記バーの頂部
に、あるいはその下にあり、 前記バーが、支持されるウエハの直径よりも小さい直径
を有する前記トランジションの底エッジに内部円形境界
を有し、該ウエハの直径よりも大きい半径を有する前記
トランジションの頂部エッジに外部円形境界を有する、
仮想の連続的な傾斜した環状バンドと調和するように形
成された、１組の少なくとも２本の滑らかに傾斜した環
状バンド部分を含み、その少なくとも２本の滑らかに傾
斜した環状バンド部分が、前記部分の第１の部分が前記
バーの端部に近く配設されており、前記部分の第２の部
分が前記第１の部分から所定の距離だけ離れて配設され
ており、それによって、前記バンド部分が前記ウエハを
前記少なくとも２本の滑らかに傾斜した環状バンド部分
の間に支持しているように、形成されている、 ウエハ
トランスファブレードである、 請求項９記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２１】 前記トランスファフィンガ支持組立体
が、処理すべきウエハの周辺を部分的に取り囲むように
配設されたＣ形状のチャンネルを含み、そのチャンネル
が、前記トランスファフィンガ制御機構垂直方向運動組
立体に従って、前記Ｃ形状チャンネルを上下に移動させ
るように形成されたチャンネル支持組立体によって支持
されている、 請求項９記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２２】 前記トランスファフィンガが、１組の
フィンガ支持部材であって各々が自分自身の回転軸の回
りで回転可能なフィンガ支持部材に取り付けられた水平
部分を含み、前記フィンガの各々の前記水平部分が、先
端部分（ｔｏｐ ｅｎｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）であってそ
の中間端部に傾斜したコーナを有する先端部分を有し、
ここで、前記フィンガが持ち上げ（ｌｉｆｔｉｎｇ）形
態に配設されているときは、該フィンガに支持されたウ
エハは該フィンガの前記傾斜した部分に沿った位置のみ
において前記ウエハに接触しており、前記フィンガが引
っ込んだ形態に動かされるときは、該フィンガと前記ト
ランスファフィンガ支持組立体は、該ウエハとサセプタ
組立体が該トランスファフィンガ支持組立体のトランス
ファフィンガを通過して移動する際、該ウエハとサセプ
タの通路を避ける（ｃｌｅａｒ ｏｆ）、 請求項９記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２３】 前記トランスファフィンガが、１組の
フィンガ支持部材であって各々が自分自身の回転軸の回
りで回転可能なフィンガ支持部材に取り付けられた水平
部分を含み、前記フィンガの各々の前記水平部分が、先
端部分であってその中間端部に傾斜したコーナを有する
先端部分を有し、ここで、前記フィンガが持ち上げ（ｌ
ｉｆｔｉｎｇ）形態に配設されているときは、該フィン
ガに支持されたウエハは該フィンガの前記傾斜した部分
に沿った位置のみにおいて前記ウエハに接触しており、
前記フィンガが引っ込んだ形態に動かされるときは、該
フィンガと前記トランスファフィンガ支持組立体は、該
ウエハとサセプタ組立体が該トランスファフィンガ支持
組立体のトランスファフィンガを通過して移動する際、
該ウエハとサセプタの通路を避ける、 請求項２１記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２４】 前記１組のフィンガ支持部材の各々の
前記回転軸がほぼ（ｇｅｎｅｒａｌｌｙ）垂直であり、
前記Ｃ形状のチャンネルから降下しそれで支持されてい
るフィンガ軸に沿って集中（ｃｅｎｔｅｒｅｄ）してお
り、各フィンガ軸が前記回転軸の各々からオフセットし
たクランクアームを有し、それにより、１組のクランク
アーム接続部材が隣接するフィンガ軸クランクアームの
間で接続されているとき、前記Ｃ形状部材の中央のカー
ブした軸にほぼ平行な前記クランクアーム接続部材のほ
ぼ軸方向の動きが、前記クランクアーム接続部材のどち
らの端部にある前記クランクアームをも動かし、それに
よってその接続されたフィンガ軸をそれらの垂直軸回り
に回転させる、 請求項２３記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２５】 中間フィンガ軸が２つのフィンガ軸の
間に配設されているとき、その中間フィンガ軸が、お互
いにほぼ反対側に配設された２つのクランクアームを含
んでおり、それによって、第１のクランクアーム接続部
材が前記２つのクランクアームの第１と前記Ｃ形状のチ
ャンネルの前記カーブした軸に沿った第１の方向にある
フィンガ軸のクランクアームとの間に接続され、また第
２のクランクアーム接続部材が前記２つのクランクアー
ムの第２と前記Ｃ形状のチャンネルの前記カーブした軸
に沿った第２の方向にあるフィンガ軸のクランクアーム
との間に接続される、 請求項２４記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２６】 前記Ｃ形状チャンネル内側底面が、前
記クランクアーム接続部材の下にほぼ集中しており、ま
た隣接するフィンガ軸の間のほぼ中央に置かれたほぼ平
底の円形インデンテーション（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）をもって形成され、前記クランクアーム接続部材が
前記円形インデンテーションに向いたほぼ平坦な表面を
有し、 軸受様のボールが前記円形インデンテーションに配設さ
れており、該ボールが前記インデンテーションの中で自
由にころがり、その部材がその全行程を通して移動する
際、前記Ｃ形状チャンネルの前記内側底と前記クランク
アーム接続部材の底との間でころがり軸受支持として働
くように、前記ボールの寸法が決められており、また前
記インデンテーションの深さが形成されており、その
間、前記クランクアーム接続部材が移動するとき、前記
クランクアーム接続部材をクランクアームと整列させ、
固着や過度の滑り摩擦を低減する、 請求項２４記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２７】 前記Ｃ形状チャンネル内側底面が、前
記クランクアーム接続部材の下にほぼ集中しており、ま
た隣接するフィンガ軸の間のほぼ中央に置かれたほぼ平
底の円形インデンテーションをもって形成され、前記ク
ランクアーム接続部材が前記円形インデンテーションに
向いたほぼ平坦な表面を有し、 軸受様のボールが前記円形インデンテーションに配設さ
れており、該ボールが前記インデンテーションの中で自
由にころがり、その部材がその全行程を通して移動する
際、前記Ｃ形状チャンネルの前記内側底と前記クランク
アーム接続部材の底との間でころがり軸受支持として働
くように、前記ボールの寸法が決められており、また前
記インデンテーションの深さが形成されており、その
間、前記クランクアーム接続部材が移動するとき、前記
クランクアーム接続部材をクランクアームと整列させ、
固着や過度の滑り摩擦を低減する、 請求項２５記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２８】 前記トランスファフィンガが、１組の
フィンガ支持部材であって各々が自分自身の回転軸の回
りで回転可能なフィンガ支持部材に取り付けられた水平
部分を含み、ここで、前記フィンガが持ち上げ形態に配
設されているときは、該フィンガに支持されたウエハは
該ウエハの一番端のエッジにおける排他的領域のみにお
いて前記ウエハに接触しており、前記フィンガが引っ込
んだ形態に動かされるときは、該フィンガと前記トラン
スファフィンガ支持組立体は、該ウエハとサセプタ組立
体が該トランスファフィンガ支持組立体のトランスファ
フィンガを通過して移動する際、該ウエハとサセプタの
通路を避け、 前記１組のフィンガ支持部材の各々の前記回転軸がほぼ
垂直であり、前記Ｃ形状のチャンネルから降下しそれで
支持されているフィンガ軸に沿って集中しており、各フ
ィンガ軸が前記回転軸の各々からオフセットしたクラン
クアームを有し、それにより、１組のクランクアーム接
続部材が隣接するフィンガ軸クランクアームの間で接続
されているとき、前記Ｃ形状部材の中央のカーブした軸
にほぼ平行な前記クランクアーム接続部材のほぼ軸方向
の動きが、前記クランクアーム接続部材のどちらの端部
にある前記クランクアームをも動かし、それによってそ
の接続されたフィンガ軸をそれらの垂直軸回りに回転さ
せ、 前記Ｃ形状チャンネル内側底面が、前記クランクアーム
接続部材の下にほぼ集中しており、また隣接するフィン
ガ軸の間のほぼ中央に置かれたほぼ平底の円形インデン
テーションをもって形成され、前記クランクアーム接続
部材が前記円形インデンテーションに向いたほぼ平坦な
表面を有し、 軸受様のボールが前記円形インデンテーションに配設さ
れており、該ボールが前記インデンテーションの中で自
由にころがり、その部材がその全行程を通して移動する
際、前記Ｃ形状チャンネルの前記内側底と前記クランク
アーム接続部材の底との間でころがり軸受支持として働
くように、前記ボールの寸法が決められており、また前
記インデンテーションの深さが形成されており、その
間、前記クランクアーム接続部材が移動するとき、前記
クランクアーム接続部材をクランクアームと整列させ、
固着や過度の滑り摩擦を低減する、 請求項２１記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項２９】 前記Ｃ形状チャンネルが、セラミック
材料で構成されている、請求項２１記載のウエハ処理チ
ャンバ組立体。 - 【請求項３０】 前記Ｃ形状チャンネルと前記フィンガ
が、セラミック材料で構成されている、請求項２３記載
のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項３１】 前記Ｃ形状チャンネルと前記フィンガ
が、セラミック材料で構成されており、前記フィンガ軸
が、登録商標ハイネス ２４２（Ｈａｙｎｅｓ ２４
２）である、請求項２４記載のウエハ処理チャンバ組立
体。 - 【請求項３２】 前記Ｃ形状チャンネルと前記ボール
が、セラミック材料で構成されている、請求項２６記載
のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項３３】 前記Ｃ形状チャンネルと前記ボール
が、セラミック材料で構成されている、請求項２７記載
のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項３４】 前記Ｃ形状チャンネルと前記ボール
が、セラミック材料で構成されている、請求項２８記載
のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項３５】 シャドーリング組立体が、前記Ｃ形状
チャンネルから支持されており、またそれと共に動く、
請求項２１記載のウエハ処理チャンバ組立体。 - 【請求項３６】 前記シャドーリング組立体が、少なく
とも２つのリングを含み、内側リングが外側リングによ
って支持されている、請求項３５記載のウエハ処理チャ
ンバ組立体。 - 【請求項３７】 干渉ボールと、 ほぼ垂直な軸を有するウエハトランスファフィンガ組立
体であって、その軸が、前記ボールの全てではなく一部
を僅かに受容するためのインデンテーションを有し、該
ボールの一部が、前記インデンテーションから、前記軸
の表面を越えて所定の距離出っ張った、ウエハトランス
ファフィンガ組立体と、 一端近傍に穴を有するほぼ水平なトランスファフィンガ
であって、その穴は、該フィンガが前記軸上を滑る寸法
になっており、前記ボールが前記軸インデンテーション
に配設されるとき、前記フィンガが該軸に沿って容易に
動くが前記ボールを素通りすることはないようになって
おり、 その水平トランスファフィンガの穴が、片側に、前記フ
ィンガの底面において穴の軸に平行な部分半円キー溝を
含んでおり、前記フィンガが前記部分キー溝上で前記軸
に滑り合さり、前記ボールが前記軸から出っ張って挿入
されるとき、前記キー溝が前記ボールの表面に接触し、
前記キー溝内にそれを捕捉し、該フィンガが該軸から滑
りはずれるのを防ぎ、また該キー溝が水平トランスファ
フィンガの厚さの一部に切られているだけなので、ボー
ルとの接触が保たれている間、該フィンガが該軸とは離
れて回転しないようにしている、トランスファフィンガ
とを備える、 ウエハ処理組立体。 - 【請求項３８】 前記ボールとフィンガがセラミック材
料であり、前記軸が金属である、請求項３７記載のウエ
ハ処理組立体。 - 【請求項３９】 処理ガスにさらすための面と裏側とを
含む基板を処理するための装置であって、 （１） 処理チャンバを画成する壁を有するリアクタ
と、 （２） 該チャンバ内で該基板を取り扱うための取扱手
段とを備え、ここで、該取扱手段は、（ａ） 該基板の
裏側に係合しそれを支持するための係合面を有する基板
支持体と、（ｂ） 該基板支持体と該基板の裏側との間
の界面に吸引を適用する手段であって、それによって、
該基板の後側が該基板支持体と係合し吸引が適用される
とき、該基板が該基板支持体に引き付けられ、それによ
って支持される、手段とを含む、装置。 - 【請求項４０】 前記基板が前記支持面によって係合さ
れるとき、前記基板支持体が、前記基板の裏側の実質的
部分をカバーする、請求項３９記載の基板を処理するた
めの装置。 - 【請求項４１】 （１） 前記処理チャンバの内側と連
通するアクセスポートと、 （２） 前記基板を、前記処理チャンバ内に、前記アク
セスポートによって、挿入するための挿入手段とを、さ
らに備える、請求項４０記載の基板を処理するための装
置。 - 【請求項４２】 前記基板支持体が、第１の位置から、
第２の基板係合位置を通して、該基板が処理される第３
の位置まで、動くことができる、請求項４１記載の基板
を処理するための装置。 - 【請求項４３】 前記基板を加熱するための加熱手段を
さらに備える、請求項４２記載の基板を処理するための
装置。 - 【請求項４４】 吸引を適用するための前記手段が、基
板支持体に形成され前記係合面に出口を有する少なくと
も１つの真空ポートを含み、それによって、前記基板の
裏面と前記係合面との間の界面に吸引が適用できる、請
求項４３記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項４５】 吸引を適用するための前記手段が、 （１） 吸引を提供するための真空源と、 （２） 前記基板支持体に形成された真空ポートに前記
真空源をつなぐ少なくとも１つの導菅とを、さらに含
む、請求項４４記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項４６】 前記加熱手段が、基板支持体を加熱
し、それによって、熱が該基板支持体から該基板に伝達
され、該基板を加熱する、請求項４５記載の基板を処理
するための装置。 - 【請求項４７】 前記基板支持体が、使用時に該基板の
裏側に係合する、リングの形をとる基板支持面を含む、
請求項４６記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項４８】 前記支持面のリングが、ほぼ平坦なラ
ンド（ｌａｎｄ）の形で内側部分に限界を画しており、
該ランドはその上に複数の突起物を有し、それにより、
前記基板が前記基板支持体によって支持されるとき、該
基板の裏側が、支持面のリングと突起物の両方に係合す
る、請求項４７記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項４９】 前記突起物が、実質的に平坦な支持プ
ロフィルを、該基板の裏側に与える、請求項４８記載の
基板を処理するための装置。 - 【請求項５０】 前記挿入手段が、 （１） 該基板を運搬し該チャンバに出し入れするため
のほぼ平坦な手段であって、前端（ｌｅａｄｉｎｇ ｅ
ｎｄ）と後端（ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ ｅｎｄ）とによっ
て側面を形成された（ｆｌａｎｋｅｄ）中間部分を有す
る手段と、 （２） 前記部材の前記前端と後端の各々に形成された
少なくとも１つのリテーナとを含み、各リテーナは、前
記部材の前記中間部分に向けて下方向で内方向に傾斜す
るプロフィルをもった基板支持面を有し、 それによって、該基板が運搬され該チャンバに出し入れ
されるとき、それが該支持面によってその外エッジにお
いて支持され、中間部分から離される、 請求項４９記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項５１】 各リテーナの前記支持面が、前記基板
の前記外エッジに適合する、請求項５０記載の基板を処
理するための装置。 - 【請求項５２】 前記係合面が平坦であり、前記基板の
前記裏側に裏側を与え、それによって、前記基板が前記
基板支持体に引き付けられ、支持されるとき、該ウエハ
が前記係合面に平坦に引き付けられる、請求項４５記載
の基板を処理するための装置。 - 【請求項５３】基板処理リアクタ内に形成された基板処
理チャンバ内で基板を取り扱う方法であって、前記基板
が、処理ガスにさらすための面と裏側とを含み、その方
法が、 （１） 該基板を該処理チャンバ内に置く工程と、 （２） 基板係合面を有する基板取扱手段を提供する工
程と、 （３） 該基板の裏側を該基板係合面に係合させる工程
と、 （４） 該基板係合面と該基板の該裏側との間の界面に
吸引を適用し、それによって、該基板が、該取扱手段に
引き付けられ、支持される、方法。 - 【請求項５４】 前記リアクタが、処理チャンバの内側
と連通するアクセスポートを含み、さらに、前記基板を
前記処理チャンバに前記アクセスポートを通して挿入す
る工程を備える、請求項５３記載の基板を取り扱う方
法。 - 【請求項５５】 前記基板の前記面を横切って反応体で
ある処理ガスを通過させることによって、前記基板を処
理する工程をさらに備える、請求項５４記載の基板を取
り扱う方法。 - 【請求項５６】 前記基板を処理する工程の間、該基板
を加熱する工程をさらに備える、請求項５５記載の基板
を取り扱う方法。 - 【請求項５７】 前記取扱手段を、第１の基板係合位置
から、該基板を処理する第３の位置まで移動する工程を
さらに備える、請求項５６記載の基板を取り扱う方法。 - 【請求項５８】 １組の少なくとも３つのトランスファ
フィンガを支持するＣ形状の部材と、 前記３つのトランスファフィンガを、上昇位置から引っ
込んだ（ｒｅｔｒａｃｔｅｄ）位置まで移動させるため
に、前記部材によって支持されたトランスファフィンガ
回転機構とを備える、 基板を処理するための装置。 - 【請求項５９】 前記Ｃ形状の部材が、前記トランスフ
ァフィンガ回転機構を囲むチャンネルである、請求項５
８記載の基板を処理するための装置。 - 【請求項６０】 処理ガスにさらすための面と裏側とを
含む基板を処理するための装置であって、 前記基板支持体が、セラミック板であってその中に穴を
有する板でカバーされた裏面を含み、それによって、前
記セラミック板の穴の数とサイズの変化が前記基板支持
体温度と温度分布に影響を与える、 請求項３９記載の装置。
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| KR950034504A (ko) | 1995-12-28 |
| EP0669642A3 (en) | 1995-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050307 |