TWI424288B - 微影裝置及器件製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下,圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部分(例如,包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言,單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括:所謂的步進器,其中藉由同時將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影裝置中,基板將定位於投影系統下方以用於將圖案化器件之影像投影於基板之目標部分上。為了將圖案化器件之影像投影於基板之不同目標部分上且為了掃描投影系統下方之基板,移動基板。因此,鏡面區塊可藉由定位系統而移動。鏡面區塊經由基板台(亦被稱作晶圓台)而將其移動轉移至基板。基板台係經由瘤節而藉由真空被夾持至鏡面區塊(亦被稱作編碼器區塊)。微影投影裝置之更高產出率可藉由投影系統下方之基板的更快移動而達成。更快移動將係藉由更高加速度而達成,此可導致介於鏡面區塊與基板台之間的(局域)滑動。介於鏡面區塊與基板台之間的滑動可導致基板處於不同於先前判定之位置的位置且因此導致錯誤曝光之基板。
需要避免介於鏡面區塊與基板台之間的(局域)滑動。
根據本發明之一實施例,提供一種微影裝置,微影裝置包括:照明系統,照明系統經組態以調節輻射光束;支撐件,支撐件經建構以支撐圖案化器件,圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束;鏡面區塊,鏡面區塊具備經建構以固持基板之基板台;及投影系統,投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上,其中鏡面區塊經建構及配置以減少介於鏡面區塊與基板台之間的滑動。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例,在該等圖式中,對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括:照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光束B(例如,UV輻射或任何其他適當輻射);圖案化器件支撐件或支撐結構(例如,光罩台)MT,其經建構以支撐圖案化器件(例如,光罩)MA,且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位圖案化器件之第一定位器件PM。裝置亦包括鏡面區塊MB(亦被稱作編碼器區塊),其具備經建構以固持基板(例如,塗覆抗蝕劑之晶圓)W之基板台(亦被稱作晶圓台)WT。基板台WT係以真空而被夾持於鏡面區塊上。瘤節提供於鏡面區塊與基板台WT之間。鏡面區塊連接至經組態以根據某些參數而精確地定位基板之第二定位器件PW。裝置進一步包括投影系統(例如,折射投影透鏡系統)PS,其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如,包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件,諸如,折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件,或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如,圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台,其可根據需要而係固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意,例如,若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵,則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常,被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如,積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可係透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列,及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的,且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型,以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統,包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合,其適合於所使用之曝光輻射,或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪,裝置為透射類型(例如,使用透射光罩)。或者,裝置可為反射類型(例如,使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上鏡面區塊(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在該等「多平台」機器中,可並行地使用額外台或支撐件,或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟,同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型:其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之液體(例如,水)覆蓋,以便填充介於投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間,例如,介於圖案化器件(例如,光罩)與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中,而是僅意謂液體在曝光期間位於介於投影系統與基板之間。
參看圖1,照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言,當輻射源為準分子雷射時,輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下,不認為輻射源形成微影裝置之一部分,且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下,例如,當輻射源為汞燈時,輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常,可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外,照明器IL可包括各種其他組件,諸如,積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT上之圖案化器件(例如,光罩)MA上,且係藉由圖案化器件而圖案化。在橫穿圖案化器件(例如,光罩)MA後,輻射光束B傳遞通過投影系統PS,投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如,干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器),鏡面區塊MB可精確地移動,例如,以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地,第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件(例如,光罩)MA。一般而言,可藉助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT之移動。類似地,可使用形成第二定位器件PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現鏡面區塊MB之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下,圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器,或可係固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如,光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分,但其可位於目標部分之間的空間中
(此等被稱為切割道對準標記)。類似地,在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如,光罩)MA上之情形中,光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中:
1.在步進模式中,在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時,使圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT及鏡面區塊MB或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接著,使鏡面區塊MB或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位,使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中,曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時,同步地掃描圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT及鏡面區塊MB或「基板支撐件」(亦即,單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定鏡面區塊MB或「基板支撐件」相對於圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中,曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中,在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時,使圖案化器件支撐件(例如,光罩台)MT保持基本上靜止,從而固持可程式化圖案化器件,且移動或掃描鏡面區塊MB或「基板支撐件」。在此模式中,通常
使用脈衝式輻射源,且在鏡面區塊MB或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如,如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
應注意,如以上所敍述之鏡面區塊MB包含基板台WT。然而,當關於鏡面區塊之主要部分(鏡面區塊之主要部分為無基板台之鏡面區塊)來論述基板台時且當不存在混淆危險時,則使用術語鏡面區塊以僅指代主要部分。
在本發明之一實施例中,為了減少介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動,可在介於鏡面區塊MB與基板台之間提供具有增加之可撓性的瘤節。滑動可由歸因於藉由第二定位器件在鏡面區塊MB上所施加之加速力的鏡面區塊MB相對於基板台之局域變形導致。第二定位器件連接至基板台的鏡面區塊MB之區域可遭受由第二定位器件所導致之最大變形。增加之可撓性使瘤節有可能吸收變形之一部分而無滑動,此在減少介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動方面提供顯著益處及優良性質。圖2a揭示習知旋轉對稱瘤節2且具備與表面9及接觸區域1連接之連接區域3的橫截面。若旋轉對稱瘤節2係以其連接區域3而連接至鏡面區塊MB,則將以旋轉對稱瘤節2之接觸區域或表面1來支撐基板台;且若旋轉對稱瘤節2係以其連接區域3而與基板台
WT連接,則鏡面區塊MB將與旋轉對稱瘤節2之接觸表面1接觸。瘤節可具有0.5毫米之直徑及0.15毫米之高度。為了增加可撓性,旋轉對稱瘤節2可具備增加之長度(見圖2b)。增加之長度可大於約0.15毫米,例如,約2.3毫米。此等類型之瘤節提供優於習知瘤節之優良性質及益處。另外,可最小化直徑。然而,當瘤節更長時,可能難以使直徑更小,因為瘤節可能破裂。對於具有約2.3毫米之長度的瘤節,因此選擇約1.5毫米之直徑。若使用更少瘤節,則1.3毫米之直徑亦減少介於瘤節與基板台之間的接觸應力。
圖2c及圖2d揭示具有如下設計之瘤節:該設計藉由具有比瘤節之接觸表面1小的最小連接區域3而向瘤節提供額外可撓性。在圖2c中,瘤節係經由支柱5而連接,支柱具有最小連接區域,最小連接區域遍及支柱之整個長度具有相同尺寸且等於連接區域3。側部分7可在必要時提供對可撓性之限制。圖2d之瘤節的可撓性亦可藉由側部分7及表面9以相同方式進行限制。圖2d中之瘤節的可撓性主要地係藉由小於旋轉對稱瘤節2之連接區域3的最小連接區域11進行判定,而圖2c之瘤節的可撓性係遍及支柱5之整個長度進行判定。具有圖2c及圖2d之相對較大接觸表面1的益處在於:藉由基板台或鏡面區塊MB之表面來減少接觸應力。
在一實施例中,增加瘤節之可撓性的另一方式係藉由具有改良之可撓性的材料來製造瘤節。舉例而言,瘤節可由具有約90GPa之楊氏模數(Young's modulus)的ZerodurTM
製成。材料之可撓性使有可能在瘤節將滑動之前吸收晶圓台
WT之更多變形。
在一實施例中,減少介於鏡面區塊MB與基板台WT之間的滑動的另一方式係減少歸因於藉由第二定位器件在鏡面區塊MB上所施加之加速力的鏡面區塊MB之局域變形。第二定位器件之致動器連接至鏡面區塊MB的鏡面區塊MB之致動器區域AA(見圖3)可遭受由致動器所導致之最大變形。藉由在用於夾持基板台之夾持區域CA與經組態以定位鏡面區塊MB之致動器連接至介於鏡面區塊MB之致動器區域AA之間的鏡面區塊MB中提供狹縫SL,由加速力所導致的鏡面區塊MB之變形將在更小程度上到達夾持區域CA。因為夾持區域CA將更少變形,所以滑動很可能更少發生,因為在介於變形區域中之瘤節上的力與夾持區域CA之其他瘤節上的力之間存在更小差。圖3中之狹縫SL大體上垂直於夾持區域CA之表面,但亦可使其大體上平行於夾持區域CA之表面。若狹縫大體上垂直於夾持區域,則平行於夾持區域之表面的力將不導致夾持區域之變形;且若狹縫大體上平行於夾持區域之表面,則在垂直於夾持區域之方向上的力將不再使夾持區域變形。
在一實施例中,亦可藉由以增加之硬度來建構鏡面區塊MB而減少介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動。可藉由以具有更高硬度之材料來建構鏡面區塊MB而實現增加之硬度。鏡面區塊MB可由具有約140GPa之楊氏模數的堇青石或具有約360GPa之楊氏模數的SiSic製成以增加硬度。另一可能性係改良鏡面區塊MB之某些部分的厚度。舉例
而言,夾持區域CA可由更厚材料製成以向鏡面區塊MB之彼部分提供額外硬度,使得夾持區域CA之變形在加速鏡面區塊MB期間將更小。
圖4a及圖4b描繪針對減少之滑動所建構的鏡面區塊MB。基板台係以真空而被夾持於提供於鏡面區塊MB之夾持區域CA中的瘤節上。藉由具有大於鏡面區塊MB之夾持區域CA的基板台WT,形成無瘤節之減少之夾持區域RA,其中不發生夾持。在圖4a中,減少之夾持區域RA係圍繞夾持區域CA之邊緣,從而減少圍繞夾持區域CA之邊緣的滑動。在圖4b中,減少之夾持區域RA接近於第二定位器件之致動器連接至鏡面區塊MB的鏡面區塊MB之致動器區域AA,從而減少接近於鏡面區塊MB之變形係最大的致動器區域AA之滑動。
亦可藉由以使得鏡面區塊MB與基板台WT之變形匹配的方式來建構鏡面區塊MB及基板台WT而減少介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動。因此,可在鏡面區塊MB之高變形區域中降低基板台WT之硬度。在加速鏡面區塊MB期間,鏡面區塊MB之變形將接著導致基板台之變形。當加速停止時,該變形係可逆的,使得其不導致任何曝光誤差。滑動通常係不可逆的,使得當加速停止時,基板台及鏡面區塊MB將不會相對於彼此處於與在發生滑動之前相同的位置中。因此,滑動導致曝光誤差。另一選擇係在高變形區域中提供具有改良之可撓性的瘤節,以便在加速鏡面區塊MB期間更好地吸收此等區域中之變形。
鏡面區塊MB可經建構及配置以藉由具有更低數目之瘤節來減少介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動。可根據先前技術而在介於鏡面區塊MB與基板台之間提供一萬個瘤節。為了最小化介於鏡面區塊MB與基板台之間的滑動,可將此數目減少至150個,此提供顯著益處。具體而言,瘤節上之摩擦力係藉由每一瘤節之夾持力乘摩擦係數進行判定。夾持力係由作用於基板台之區域上的真空導致。藉由遍及更少瘤節而分布此夾持力,可增加每一瘤節之夾持力及摩擦力。藉此最小化局域滑動之發生。
瘤節亦可在其接觸表面上具備高摩擦力塗層,或可改變接觸粗糙度以增加摩擦力。在更高接觸粗糙度之情況下,滑動很可能更少發生。兩個良好拋光之表面之間的黏附亦可減少滑動。滑動亦可藉由暫時地搖動鏡面區塊MB進行阻止。藉由搖動鏡面區塊MB,改良介於鏡面區塊MB與基板台之間的接觸,此增加摩擦力且降低滑動之可能性。
根據本發明之一實施例,存在鏡面區塊之間的接觸區域之中心中具備相對較高硬度之瘤節,而存在提供於接觸區域之邊緣處的具有相對較低硬度之瘤節(所謂的「可撓性」瘤節)。接觸區域之中心中的硬性瘤節適合於捕獲基板台WT相對於鏡面區塊之慣性,因為在接觸區域之中心中,歸因於鏡面區塊之變形的負載(機械應力)相對較低。在接觸區域之邊緣處,鏡面區塊之變形相對較大,使得具有相對較低硬度之瘤節(「可撓性」瘤節)係適當的,以便確保在此等邊緣處不發生滑動。根據一進階實施例,瘤節之硬度可自中心至邊緣逐漸地自中心中之150%硬度(同此,硬度係關於如用於所有瘤節均具有相同硬度之情形中的習知瘤節)增加至瘤節在邊緣處之50%硬度。
圖5a為示意性地描繪鏡面區塊MB之一半部分及基板台WT的垂直橫截面。同此,基板台WT具備不同硬度之瘤節。此係藉由變化瘤節之高度而達成,變化瘤節之高度可藉由基板台中之孔圍繞瘤節鑽洞而達成。經定位成接近於邊緣之瘤節高於中心接觸區域中之瘤節,同時具有相同直徑,使得中心中之瘤節具有比接近於邊緣之瘤節高的硬度。
圖5b為示意性地描繪鏡面區塊MB之一半部分及基板台WT的垂直橫截面。在此實施例中,基板台WT係在一平面中硬性地耦接至鏡面區塊MB。此耦接確保基板台相對於鏡面區塊MB之慣性力將不會導致基板台相對於鏡面區塊之滑行,以此確保基板之照明的所需精確度。以此方式,硬性基板台WT有可能減少鏡面區塊MB之變形。該耦接可藉由以耦接元件A來填充介於鏡面區塊MB與基板台WT之間的間隙而實現。另一方式係使用以一或多個硬性肋狀物B之形式的一或多個耦接元件。根據圖5b中之實施例,使用元件A及硬性肋狀物B兩者。
在根據本發明之所有實施例中,有可能提供具有非對稱水平橫截面之瘤節,以便達成瘤節在不同水平方向上具有不同硬度之效應。以此方式,可最佳化介於鏡面區塊與基板台之間的匹配,從而導致最小滑動危險。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用,但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用,諸如,製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等等。熟習此項技術者應瞭解,在該等替代應用之情境中,可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時,可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外,可將基板處理一次以上,(例如)以便形成多層IC,使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用,但應瞭解,本發明可用於其他應用(例如,壓印微影術)中,且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中,圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中,在基板上,抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後,將圖案化器件移出抗蝕劑,從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如,具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長);以及粒子束(諸如,離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合,包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言,本發明可採取如下形式:電腦程式,其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列;或資料儲存媒體(例如,半導體記憶體、磁碟或光碟),其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此,對於熟習此項技術者而言將顯而易見,可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1...接觸區域
2...旋轉對稱瘤節
3...連接區域
5...支柱
7...側部分
9...表面
11...最小連接區域
A...耦接元件
AA...致動器區域
AD...調整器
B...輻射光束(圖1)/硬性肋狀物(圖5b)
BD...光束傳送系統
C...目標部分
CA...夾持區域
CO...聚光器
IF...位置感測器
IL...照明器
IN...積光器
M1...圖案化器件對準標記
M2...圖案化器件對準標記
MA...圖案化器件
MB...鏡面區塊
MT...圖案化器件支撐件
P1...基板對準標記
P2...基板對準標記
PM...第一定位器件
PS...投影系統
PW...第二定位器件
RA...夾持區域
SL...狹縫
SO...輻射源
W...基板
WT...基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置;
圖2a描繪習知瘤節之橫截面;
圖2b至圖2d描繪根據本發明之瘤節的橫截面;
圖3描繪根據本發明之一實施例的鏡面區塊;
圖4a及圖4b描繪根據本發明之另外實施例的鏡面區塊;及
圖5a及圖5b各自以垂直橫截面描繪具備夾持瘤節之鏡面區塊及基板台。
AD...調整器
B...輻射光束
BD...光束傳送系統
C...目標部分
CO...聚光器
IF...位置感測器
IL...照明器
IN...積光器
M1...圖案化器件對準標記
M2...圖案化器件對準標記
MA...圖案化器件
MB...鏡面區塊
MT...圖案化器件支撐件
P1...基板對準標記
P2...基板對準標記
PM...第一定位器件
PS...投影系統
PW...第二定位器件
SO...輻射源
W...基板
WT...基板台
Claims (18)
- 一種微影裝置,其包含:一支撐件,該支撐件經建構以支撐一圖案化器件,該圖案化器件能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束;一鏡面區塊,該鏡面區塊具備經建構以固持一基板之一基板台;及一投影系統,該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上,其中一狹縫(slot)係提供至介於用於夾持該基板台之一夾持區域與用於將一致動器連接至該鏡面區塊之一致動器區域之間的該鏡面區塊之一表面。
- 如請求項1之裝置,其中該狹縫提供於實質上垂直於該夾持區域之一方向上。
- 如請求項1之裝置,其中該狹縫提供於實質上平行於該夾持區域之一方向上。
- 如請求項1之裝置,其中該鏡面區塊包含具有高於約100GPa之一楊氏模數的一材料。
- 如請求項1之裝置,其中複數個瘤節係遍及用於將該基板台夾持於該鏡面區塊上之一夾持區域而提供於該鏡面區塊與該基板台之間。
- 如請求項5之裝置,其中該夾持區域小於該基板台之一尺寸。
- 如請求項5之裝置,其中該等瘤節具有大於0.15毫米之一 長度。
- 如請求項5之裝置,其中該等瘤節具有大於2毫米之一長度。
- 如請求項5之裝置,其中該等瘤節具有大於一最小連接區域之一接觸表面。
- 如請求項5之裝置,其中沒有瘤節存在於接近於經組態以定位該鏡面區塊之一致動器連接至該鏡面區塊的一致動器區域之一區域中的該夾持區域上。
- 如請求項5之裝置,其中該等瘤節包含一粗糙接觸表面。
- 如請求項5之裝置,其中提供於該夾持區域之中心中的瘤節與提供於該夾持區域之邊緣處的瘤節相比較具有一更高硬度。
- 如請求項5之裝置,其中該鏡面區塊與該基板台係在一水平平面中藉由一連接器元件及/或藉由一硬性肋狀物而以一相對較高硬度進行耦接。
- 如請求項1之裝置,其中該鏡面區塊包含用以接收該基板台之一凹部,其中該狹縫係配置於該凹部之一表面內。
- 如請求項14之裝置,其中該狹縫係配置於該凹部之一底部處。
- 如請求項14之裝置,其中該狹縫係配置於該基板台之外部周圍及該凹部之一橫向表面之間。
- 一種微影裝置,其包含: 一支撐件,該支撐件經建構以支撐一圖案化器件,該圖案化器件能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束;一鏡面區塊,該鏡面區塊具備經建構以固持一基板之一基板台;及一投影系統,該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上,其中在實質上相同方向延伸之複數個瘤節係提供至介於該鏡面區塊及用於夾持該鏡面區塊上之該基板台之一夾持區域上之該基板台之間,且其中該等瘤節包含複數個可撓性瘤節及複數個額外瘤節,該等可撓性瘤節與該等額外瘤節相比較具有一增加之可撓性,其中該等可撓性瘤節存在於接近一致動器區域之一區域中,其中經組態以定位該鏡面區塊之一致動器連接至該鏡面區塊,且該等額外瘤節存在於該夾持區域之其餘部分中。
- 如請求項17之裝置,其中該方向係實質上與該夾持區域垂直。
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