TWI470362B - 微影裝置和方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種微影裝置及方法。
微影裝置為一種將所要之圖案施加至基板之目標部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情形中，一圖案化器件(或者稱作光罩或主光罩)可用以產生一對應於IC之個別層的電路圖案，且此圖案可成像於具有一輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分)上。一般而言，單一基板將含有被順次曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光於目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
習知地，使用導線來將IC連接至一板，但此方法逐漸由稱作"覆晶凸塊植球"之方法所替換。在覆晶凸塊植球中，一圖案成像於提供於基板上之厚抗蝕劑層(亦即，比用於習知微影術中之抗蝕劑層厚)上。顯影及處理該抗蝕劑，使得在預定位置處形成凹座且接著在該等凹座中電鍍焊料。接著，移除該抗蝕劑，從而留下自基板之最上方表面向上突起之焊料"凸塊"。一般而言，微影裝置的解析度可能較低，此因為焊料凸塊需要藉以定位之精確度通常為約
1微米(此為比由高解析度微影裝置所提供之數十奈米之精確度顯著低的精確度)。
圖案化較厚抗蝕劑層之過程(諸如，覆晶凸塊植球)通常使用較高輻射劑量來產生所要圖案。然而，增加輻射劑量可能導致抗蝕劑、基板及/或基板支撐台之增加的加熱。舉例而言，在經曝光抗蝕劑之鄰近區域內之基板的溫度可能過度上升且導致基板之局部滑移或膨脹。此外，以增加之輻射劑量曝光基板之較大區域(或甚至整個基板)可能使基板之總平均溫度超過可接受限度，且導致基板之整體滑移或膨脹及可能較大且不可校正之圖案覆蓋誤差。
一種經設計以解決基板之不當加熱之方法為在曝光期間將基板浸沒於"冷卻流體"或"調節流體"中，使得在基板中所產生之過度位準之熱可耗散至周圍流體。此方法之問題為其可能需要對習知微影裝置之大量修改，該等修改昂貴且費時。意欲緩解與基板之過度加熱相關聯之問題的另一方法為提供具有整體"冷卻元件"或"調節元件"之基板支撐台，該等元件在曝光期間將基板維持於所要溫度範圍內。以此方式，產生於基板中之過度熱自基板轉移。典型調節元件包含一系列形成於支撐台中之通道，經由該等通道在曝光期間連續傳送冷卻流體(諸如，水)。與此方法相關聯之問題為其再次可能需要對習知微影裝置(特別為基板支撐台)之大量修改，且設計及製造支撐台以具水密性及擁有所需要的平坦度係複雜及昂貴的。
舉例而言，期望提供消除或減輕無論是在本文還是在別
處所識別之先前技術之問題中之一或多者的微影裝置及方法。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包括一經建構及經配置以調節一輻射光束之照明系統，及一經建構及經配置以支撐一圖案化器件的支撐結構。該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案。該裝置亦包括一經建構及經配置以固持一基板之基板台。該基板台包括一與一熱調節板熱接觸之基板支撐板。該裝置進一步包括一經建構及經配置以將該經圖案化之輻射光束投影至該基板之一目標部分上的投影系統。
根據本發明之另一態樣，提供一種包括一與一熱調節板熱接觸之基板支撐板的微影基板支撐台。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影方法，其包括將一輻射光束投影至一基板之一目標部分上，及將該基板支撐於一包含一基板支撐板之基板支撐台上。該基板支撐板與一熱調節板熱接觸。
現將參看隨附示意圖僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中對應參考符號指示對應部分。
儘管在此本文中可特定參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，積體光學系統之製造、用於磁域記憶體之引導及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等。熟習此項技
術者將瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用的術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光前或後，在(例如)一軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影所曝光之抗蝕劑之工具)或一度量工具或一檢視工具中處理本文所提及的基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於該等及其他基板處理工具。另外，可對基板進行一次以上的處理，(例如)以形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已含有多個經處理層之基板。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有436 nm、405 nm、365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5－20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
本文所使用之術語"圖案化器件"應廣義解釋為指代可用以在一輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以在基板之目標部分中形成一圖案的器件。應注意：被賦予至輻射光束之圖案可能不會精確對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於器件(諸如，積體電路)中正在目標部分中形成之一特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中已為熟知，且包括(諸如)二元交變相移及衰減相
移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面的矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別傾斜，以在不同方向上反射入射輻射光束，以此方式，圖案化經反射之光束。
支撐結構固持圖案化器件。該支撐結構以視圖案化器件之方位、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。該支撐件可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如，在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為框架或台，例如，其可視需要為固定或可移動的，且其可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置處。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"投影系統"應廣義解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統，只要其適合於(例如)所使用之曝光輻射，或適合於(諸如)浸液之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
照明系統亦可涵蓋各種類型之光學組件，包括用於引導、成形或控制輻射光束之折射、反射及反射折射光學組件，且該等組件以下亦可共同或單個稱作"透鏡"。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)的類型。在該等"多平台"機器
中，可並行使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板浸沒於具有相對較高折射率之液體(例如，水)中，以填充投影系統之最終元件與基板間的空間。亦可將浸液施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之第一元件間。浸沒技術在用於增加投影系統之數值孔徑之技術中已為熟知。
圖1示意性描繪根據本發明之一特定實施例的微影裝置。該裝置包含：一照明系統(照明器)IL，其用以調節一輻射光束PB(例如，UV輻射)；一支撐結構(例如，支撐結構)MT，其用以支撐一圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器件PM，該第一定位器件PM用以相對於零件PL精確定位該圖案化器件；一夾盤，其併入有一鏡面區塊1)用於固持一基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W的晶圓台/基板支撐台WT，及ii)連接至用於相對於零件PL精確定位基板之第二定位器件PW的鏡面區塊；及一投影系統(例如，折射投影透鏡)PL，其經組態以將一藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束PB之圖案成像於基板W的一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如在此所描繪地，該裝置為透射類型(例如，使用一透射光罩)。或者，該裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)。
照明器IL自一輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當該輻射源為準分子雷射時，該輻射源與微影裝置可為分離實
體。在該等情形中，不認為該輻射源形成微影裝置之部分，且該輻射光束藉助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統BD自輻射源SO傳送至照明器IL。在其他情形中，例如，當該輻射源為一水銀燈時，該輻射源可為該裝置之組成部分。輻射源SO及照明器IL(視需要，連同光束傳遞系統BD)可稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整光束之角強度分布的調整構件AM。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ－外(σ－outer)及σ－內(σ－inner))。此外，照明器IL一般包含各種其他組件(諸如，積光器IN及聚光器CO)。照明器提供經調節之輻射光束PB，其橫截面中具有所要之均一性及強度分布。
輻射光束PB入射於固持於支撐結構MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上。在橫穿圖案化器件MA後，光束PB穿過透鏡PL，該透鏡PL將光束聚焦於基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件)，基板台WT可精確地移動，(例如)以將不同目標部分C定位在光束PB之路徑中。類似地，(例如)在自光罩庫機械擷取後或在掃描期間，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確描繪)可用以相對於光束PB之路徑來精確定位圖案化器件MA。一般而言，將藉助於形成定位器件PM及PW之部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現載物台MT及WT之移動。然而，
在步進器(與掃描器相對)之情形中，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
所描繪之裝置可用於以下較佳模式中：1.在步進模式中，當將一被賦予至光束PB之整個圖案一次性投影至一目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制了在單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，當將一被賦予至光束PB之圖案投影至一目標部分C上時，同步掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT的速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定了目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，當將一被賦予至光束PB之圖案投影至一目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止以固持一可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，一般使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每次移動後或在掃描期間的連續輻射脈衝間視需要更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖
案化器件(諸如，為以上所提及之類型之可程式化鏡面陣列)的無光罩微影術。
亦可使用以上所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同的使用模式。
圖2示意性表示形成圖1中所描繪之微影裝置之部分之晶圓台WT的較佳非限制性實施例。圖2中所描繪之夾盤包含一鏡面區塊1，該鏡面區塊1藉由插入鏡面區塊1與基板支撐板2間之熱調節板3來支撐基板支撐板2。提供熱調節板3以將基板支撐板2之溫度維持於用於特定操作之機器溫度設定點(通常，該設定點為約21.5℃至22.0℃)之約0℃至1.5℃的預定溫度範圍內，且藉此限制支撐於板2上之基板(例如，圖1之基板W，圖2中未展示)之溫度的不當增加。該溫度上升可能(例如)由曝光於在圖案化較厚抗蝕劑層之過程(諸如，覆晶凸塊植球)中所使用之較高輻射劑量下所導致。熱調節板3包含一通道(未圖示)形式之熱調節元件，在使用中經由該熱調節元件傳送調節流體(諸如，冷卻水)。較佳地將水保持於與機器之設定點溫度約相同的溫度下約0.5l/min至3.0l/min之水流動速率為較佳的。
儘管併入有一調節元件之習知夾盤由一鏡面區塊及一併入有一整體調節元件之基板支撐台所組成，但本發明之夾盤併入有一額外組件：熱調節板3，其中提供該調節元件。藉由以此方式提供兩個熱接觸之分離板，基板支撐板2不必經修改以併入有該調節元件。該調節元件可以便宜得多及容易得多之方式代替地提供於調節板3中，其可由
比習知用於基板支撐台之該等類型之材料更便於用以提供對調節元件之處理的材料所形成。此外，用以形成基板支撐板2之材料之結構整體性不受用以併入有該調節元件之處理的危害。此外，在調節元件中出現問題(諸如，洩漏或裂縫)時，將僅需要修理或替換熱調節板3，且不需要修理或替換基板支撐板2。此外，藉由在鏡面區塊1與基板支撐板2間提供熱調節板3，使用鏡面區塊1來直接支撐熱調節板3、干涉計鏡面及成像感測器(但非基板支撐板2)。因此，鏡面區塊1無需具備用以支撐基板支撐板2之該精確設計的平坦表面，且因此可降低製造鏡面區塊1之成本及複雜度。
鏡面區塊1支撐於三個鏡面區塊支撐區塊4上。每一支撐區塊4界定一中空圓柱形突出物5，其用於定位於由鏡面區塊1所界定之補充圓柱形凹座6中。基板支撐板2、熱調節板3及鏡面區塊1藉由一系列銷(未圖示)彼此連接。每一支撐區塊4上之中空圓柱形突出物5界定一用於容納銷的中心孔7。每一銷自孔7經由界定於熱調節板3中之孔8穿延至由可撓性安裝鉸鏈10所界定之孔9，該可撓性安裝鉸鏈10自身容納於由基板支撐板2所界定的補充凹座11中。穿過由鏡面區塊1及兩個板2、3所界定之孔的銷經配置以具有距離基板之目標部分之足夠距離，以允許在藉由輻射光束之輻照期間於目標部分之鄰近區域內之基板發生無限制局部變形。以此方式，基板支撐板2及熱調節板3經可撓性連接以"自由膨脹"，亦即，由輻射光束之加熱效應所導致之藉
由支撐板2之膨脹及/或收縮造成的任何局部化移動及/或變形不受將鏡面區塊1及板2、3固持在一起之銷的限制。允許在板2、3間發生有限程度之相對移動在某些應用中可為有利的，諸如，覆晶凸塊植球，此因為其容忍在基板中具有由較高輻射劑量之增加之加熱效應所導致的微小結構變形。將瞭解基板中之該等微小結構變形在(諸如)覆晶凸塊植球之應用中並非問題，此因為此等應用中所需要的圖案化解析度低於在許多其他微影過程中所需要之圖案化解析度。
圖2中所描繪之本發明之例示性實施例進一步說明分別由基板支撐板2、熱調節板3及鏡面區塊1所界定之三組孔12、13、14。孔12、13、14經組態用於容納用以在曝光後有助於晶圓W之起離的E銷(未圖示)。
基板支撐板2及熱調節板3配置於圖2中所描繪之實施例中，使得其由一氣隙所分離，其中基板支撐板2及熱調節板3之接觸表面間的平均間距為約0.05 mm。在此實施例中，基板支撐板2與熱調節板3間之熱傳導率將為約0.025 W/mK。
在圖2中所描繪之裝置之替代實施例中，可使用任何適當數目及配置之銷及/或支撐區塊以適合特定應用。板2、3可以任何適當距離所分離且可包括或可不包括一氣隙。分離板2、3之接觸表面之距離較佳在約0 mm至2 mm的範圍內。在一較佳實施例中，板2、3由0.1 mm之氣隙所分離，其在板2、3間提供約0.07 W/mK之熱傳導率。在另一
替代實施例中，基板支撐板2藉由一(諸如)熱膠或優良熱傳導可撓性膠之適當黏著劑層連接至熱調節板3。該黏著劑可經選擇以在支撐板2與調節板3間提供所需要之熱傳導率，及/或在板2、3間提供所要程度之可撓性。在使用熱膠時，板2、3之間距可(但未必)比由一氣隙所分離之板2、3時高。舉例而言，由適當熱膠所連接之一對板2、3可分離開高達約1 mm，其可提供約0.5 W/mK之熱傳導率。所展示之精確熱傳導率將視許多不同因素而定，包括板2、3之間距及插入板2、3間之介質。板2、3間之熱傳導率較佳為高達約2.5 W/mK。
基板支撐板2進一步包含一基板支撐表面15，其界定經配置以接觸及支撐定位於支撐板2上之基板(未圖示)的複數個表面變形，較佳地為瘤節(未圖示)。在圖2中所示之裝置之較佳實施例中，該等表面變形經配置以接觸該基板之一接觸該基板支撐表面之表面的高達約20%的面積。較佳地，該接觸面積等於或大於約10%之基板面積。在另一較佳替代實施例中，表面變形與基板表面間之接觸面積為約5%至20%(且更佳地為10%至20%)之基板表面面積。一般較佳為使用比在先前技術系統中之接觸面積大之接觸面積，以確保當需要時來自基板之足夠高的熱轉移速率。
圖2中所描繪之基板支撐板2當相較於許多習知支撐台時相對較厚。此係為支撐板2提供相對較大之熱質量來防止不當較高之整體溫度上升，此溫度上升可能另外在基板曝光於輻射期間導致產生較大的整體熱漂移。圖2中所描繪
之支撐板2具有約5mm之厚度。在另外的較佳實施例中，支撐台2具有大於約5mm之厚度。較佳地，支撐台2具有在約5mm至20mm之範圍內(更佳地在約5mm至10mm之範圍內)的厚度。
基板支撐板2包含一具有高熱傳導率之材料。較佳地，該材料具有等於或大於約50W/mK之熱傳導率，更佳地在約50W/mK至250W/mK之範圍內的熱傳導率，及最佳地在約50W/mK至150W/mK之範圍內之熱傳導率。此為所期望的，因為其將有助於將熱自基板(未圖示)有效耗散至熱調節板3。圖2之基板支撐板2包含矽化碳化矽(SiSiC)。在替代較佳實施例中，可使用其他材料，諸如，碳化矽(SiC)或其類似物。
圖2中示意性展示之熱調節板3包含一不鏽鋼。在其他較佳實施例中，熱調節板可分離地或以任何期望組合、混合物或合金來包含一或多種金屬(例如，鋼、鈦、鋁或其類似物)、非金屬及/或陶瓷材料。
將瞭解併入有調節元件之調節板3之重要功能為在典型處理條件下將夾盤及藉此將基板/晶圓W維持於可接受的溫度範圍內。此外，將理解使用較佳高於標準之基板/晶圓W接觸面積及/或較佳厚於標準之基板支撐板2的重要原因為在曝光期間將基板/晶圓W維持於可接受之溫度範圍內。
儘管以上描述了本發明之特定實施例，但將瞭解可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。該描述並不
意欲限制本發明。本發明由以下申請專利範圍所界定。
1‧‧‧鏡面區塊
2‧‧‧基板支撐板
3‧‧‧熱調節板
4‧‧‧鏡面區塊支撐區塊
5‧‧‧中空圓柱形突出物
6‧‧‧補充圓柱形凹座
7‧‧‧中心孔
8‧‧‧孔
9‧‧‧孔
10‧‧‧可撓性安裝鉸鏈
11‧‧‧補充凹座
12‧‧‧孔
13‧‧‧孔
14‧‧‧孔
15‧‧‧基板支撐表面
AM‧‧‧調整構件
BD‧‧‧光束傳遞系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；及圖2描繪圖1之該微影裝置之組件的更詳細說明。
AM‧‧‧調整構件
BD‧‧‧光束傳遞系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射光束
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器件
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
Claims (22)
- 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經建構及經配置以調節一輻射光束；一支撐結構，該支撐結構經建構及經配置以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中賦予一圖案；一基板台，該基板台經建構及經配置以固持一基板，該基板台包含一與一熱調節板熱接觸之基板支撐板，該基板支撐板包含一具有一等於或大於約50W/mK之熱傳導率的材料及一界定經配置以接觸及支撐該基板之複數個表面變形的基板支撐表面，其中該等表面變形經配置以接觸該基板之一經配置以接觸該基板支撐表面之一表面高於或等於5%但少於或等於約20%的面積；及一投影系統，該投影系統經建構及經配置以將該經圖案化之輻射光束投影至該基板的一目標部分上。
- 如請求項1之微影裝置，其中該等表面變形經配置以接觸該基板之一經配置以接觸該基板支撐表面之表面的等於或大於約10%的面積。
- 如請求項1之微影裝置，其中該等表面變形為瘤節。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板具有一至少約5mm之厚度。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板包含一選自由碳化矽及矽化碳化矽所組成之群組的材料。
- 如請求項1之微影裝置，其中該熱調節板包含一選自由一金屬、一非金屬、一陶瓷及其合金及混合物所組成之群組的材料。
- 如請求項1之微影裝置，其中該熱調節板包含一經配置以將該基板支撐板之一溫度維持於一預定溫度範圍內的熱調節元件。
- 如請求項7之微影裝置，其中該熱調節元件包含一經配置用於一熱調節流體之傳送的通道。
- 如請求項8之微影裝置，其中該熱調節流體包含水。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板可撓地連接至該熱調節板。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板藉由一黏著劑層連接至該熱調節板。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板藉由一或多個可撓性連接區塊連接至該熱調節板。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板藉由一或多個連接區塊連接至該熱調節板，該一或多個連接區塊經配置以遠離該基板之該目標部分一足夠距離，以在藉由該輻射光束之輻照期間於該目標部分之鄰近區域內允許該基板之無限制局部變形。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板及該熱調節板之接觸表面間之平均間距為約0.05mm。
- 如請求項1之微影裝置，其中該基板支撐板及該熱調節板經配置使得該等板間之熱傳導係數在一約100μm之距 離內為約0.07W/mK。
- 如請求項1之微影裝置，其中該裝置進一步包含一將該熱調節板支撐於其上之鏡面區塊。
- 如請求項16之微影裝置，其中該鏡面區塊藉由至少一個安裝區塊連接至該基板支撐板及該熱調節板中之至少一者。
- 一種包含一與一熱調節板熱接觸之基板支撐板的微影基板支撐台，該基板支撐板包含一具有一等於或大於約50W/mK之熱傳導率的材料及一界定經配置以接觸及支撐一基板之複數個表面變形的基板支撐表面，其中該等表面變形經配置以接觸該基板之一經配置以接觸該基板支撐表面之一表面高於或等於5%但少於或等於約20%的面積。
- 如請求項18之微影基板支撐台，其中該等表面變形經配置以接觸該基板之一經配置以接觸該基板支撐表面之表面的等於或大於約10%的面積。
- 如請求項18之微影基板支撐台，其中該基板支撐板具有一至少約5mm之厚度。
- 一種微影方法，其包含：將一輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及將該基板支撐於一包含一基板支撐板之基板支撐台上，該基板支撐板與一熱調節板熱接觸，該基板支撐板包含一具有一等於或大於約50W/mK之熱傳導率的材料及一界定經配置以接觸及支撐該基板之複數個表面變形 的基板支撐表面，其中該等表面變形經配置以接觸該基板之一經配置以接觸該基板支撐表面之一表面高於或等於5%但少於或等於約20%的面積。
- 如請求項21之微影方法，其中該方法進一步包含圖案化該輻射光束使得在該輻射光束之橫截面中具有一圖案；及將該經圖案化之輻射光束投影至該基板的該目標部分上。
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