CN104281019B - 光刻的迭对值校准方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种光刻的迭对值校准方法，包括：提供测量晶圆，所述测量晶圆具有一个测量非补偿迭对区和至少一个的测量补偿迭对区，所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有与所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量；测量每个所述测量补偿迭对区的沉积偏移量；提供待校准晶圆，所述待校准晶圆具有一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区；根据每个所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。采用本发明的光刻的迭对值校准方法，能够解决现有技术中晶圆边缘部分的迭对校准无法控制的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光刻的迭对值校准方法。
背景技术
在具有迭对结构的半导体器件的制造中，迭对(Overlay)是表明形成于前一工艺中的层和形成于目前的工艺中的层的对准状态的指标。当开发高集成度的半导体器件时迭对是非常重要的。为了探测和校准形成于前一工艺中的层和形成于目前的工艺中的层的对准状态，一般，层之间的迭对通过在划线区中形成迭对对准图案来测量。迭对对准图案与形成于器件形成区的图案同时形成。
以半导体制造工艺中的铝连线(Alpad)制程为例，铝连线的光刻(photo)图案一般是对准钝化层(Passivationlayer)。铝连线与钝化层之间的overlay的测量也遵循传统的测量方法，按照图1所示的版图制备真实的图形(pattern)，在图1中，第一凹槽111’为下层标记(钝化层迭对标记，passivationoverlaymark)，第二凹槽131’为上层标记(铝连线标记)。在钝化层110的光刻工艺和钝化层的刻蚀工艺过程中，预先在所述钝化层110中形成第一凹槽111，如图2所示，其中，所述第一凹槽111为凹槽图形。在所述钝化层110表面沉积铝外延层120之后，在所述第一凹槽111之上形成第二凹槽121，即将钝化层迭对标记的第一凹槽111传递到所述铝外延层120。随后，进行所述铝外延层120的光刻工艺，通过显影在光阻130形成光阻凹槽(overlaymark)131。
测量所述光阻凹槽131与所述第二凹槽121的距离，得到偏移距离d1和偏移距离d2。一般认为所述第一凹槽111与所述第二凹槽121的位置相同，所以，所述偏移距离d1和偏移距离d2即为铝连线的光刻与钝化层的光刻之间校准的偏移程度，一般用迭对测量数据表示铝连线的光刻与钝化层的光刻之间校准的偏移程度，其中，迭对测量数据=(d1-d2)/2。
但在实际应用过程中，由于铝的沉积会从晶圆(wafer)中心喷射源材料，所以，沉积后的所述铝外延层120以晶圆的中心为基点，存在一定的倾角，故晶圆中心a和边缘b的铝沉积存在差异性，即，在晶圆边缘b处，远离晶圆中心a的一侧沉积的铝会较厚，如图3所示，导致Overlay量测机台对所述第二凹槽121的中心点的判断，相对于所述第一凹槽111本来的中心点，存在一些偏移W1，该偏移即为沉积偏移量。该偏移W1将直接影响了对晶圆边缘部分的迭对校准的控制。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有的晶圆边缘部分的迭对校准无法控制的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻的迭对值校准方法，包括：
步骤一：提供测量晶圆，所述测量晶圆具有一个测量非补偿迭对区和至少一个的测量补偿迭对区，所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有与所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量；
步骤二：分别测量每个所述测量补偿迭对区的沉积偏移量；
步骤三：提供待校准晶圆，所述待校准晶圆具有一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，所述待校准非补偿迭对区与所述测量非补偿迭对区相对应，所述待校准补偿迭对区与所述测量补偿迭对区相对应；
步骤四：分别根据每个所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。
进一步的，所述测量非补偿迭对区为圆形，并位于所述测量晶圆的中心，所述测量补偿迭对区为与所述测量非补偿迭对区同心的圆环形。
进一步的，所述补偿迭对测量数据=所述迭对测量数据+所述沉积偏移量。
进一步的，所述步骤一包括：
提供所述测量晶圆，所述测量补偿迭对区上具有所述第一凹槽；
在所述测量晶圆上和所述第一凹槽内沉积形成所述外延层，所述外延层具有所述第一凹槽相对应的所述第二凹槽；以及
通过光刻工艺在所述外延层上形成光阻凸起，所述光阻凸起暴露出所述第二凹槽。
进一步的，所述步骤二包括：
测量所述光阻凸起与所述第二凹槽距离，得到第一距离；
以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层，得到外延层凸起；
测量所述第一凹槽与所述外延层凸起的距离，得到第二距离；以及
将所述第一距离与第二距离做差，得到所述沉积偏移量。
进一步的，所述在所述外延层上制备光阻凸起的步骤包括：
在所述外延层上沉积光阻层；
选择性对所述光阻层进行曝光显影，以形成所述光阻凸起。
进一步的，所述光阻凸起为柱形。
进一步的，所述外延层为铝外延层。
进一步的，所述测量晶圆表面具有一钝化层，所述第一凹槽位于所述钝化层上。
进一步的，所述第一距离和第二距离均由光学方法测量得到。
进一步的，测量所述光阻凸起中心与所述第二凹槽中心的距离，得到所述第一距离；测量所述第一凹槽中心与所述外延层凸起中心的距离，得到所述第二距离。
进一步的，所述待校准晶圆具有2个～10个所述待校准补偿迭对区。
与现有技术相比，本发明提供的光刻的迭对值校准方法具有以下优点：
1、本发明的光刻的迭对值校准方法，将所述待校准晶圆分为一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，并分别根据所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，与现有技术相比，通过对所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，可以对晶圆上不同区域的沉积偏移量进行补偿，从而避免沉积偏移量对晶圆不同区域的迭对校准的影响，以精确地对整个晶圆进行迭对校准。
2、本发明的光刻的迭对值校准方法，在所述外延层上制备光阻凸起，待校准非补偿迭对区，测量所述光阻凸起与所述第二凹槽的距离，得到第一距离，并测量所述第一凹槽与所述外延层凸起的距离，得到第二距离，以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层，得到外延层凸起，将所述第一距离与第二距离做差，得到沉积偏移量，与现有技术相比，所述光阻凸起为凸起图形，当以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层时，可以露出所述第一凹槽，从而可以测量所述第二距离，可以精确地测量沉积偏移量。
附图说明
图1为现有技术中迭对校准的版图；
图2为现有技术中的迭对值校准方法；
图3为现有技术中的沉积偏移的示意图；
图4为本发明一实施例的光刻的迭对值校准方法的流程图；
图5a-图5f为本发明一实施例的光刻的迭对值校准方法各步骤中的示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的光刻的迭对值校准方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种光刻的迭对值校准方法，将所述待校准晶圆分为一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，并分别根据所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，可以对晶圆上不同区域的沉积偏移量进行补偿，以精确地对整个晶圆进行迭对校准。
请参考图4和图5a-图5f具体说明本发明的光刻的迭对值校准方法，其中，图4为本发明一实施例的光刻的迭对值校准方法的流程图，图5a-图5f为本发明一实施例的光刻的迭对值校准方法的示意图。
首先，进行步骤S11，提供测量晶圆200，所述测量晶圆200具有一个测量非补偿迭对区201和至少一个的测量补偿迭对区，在本实施例中，所述测量晶圆200具有两个测量补偿迭对区：测量补偿迭对区202以及测量补偿迭对区203，如图5a所示。其中，所述测量非补偿迭对区201为圆形，并位于所述测量晶圆200的中心，所述测量补偿迭对区202和测量补偿迭对区203为与所述测量非补偿迭对区201同心的圆环形，并且所述测量补偿迭对区202和测量补偿迭对区203亦同心。
所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆200和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量。由于所述测量晶圆200为圆形，并且，一般的沉积工艺会从所述测量晶圆200中心喷射源材料，所以，沉积后所述测量晶圆200的中心为基点，随着离所述测量晶圆200的中心距离变大，沉积的差异性增加。即，在所述测量晶圆200的中心区域，几乎不存在沉积偏移量，而越靠近所述测量晶圆200的边缘区域，沉积偏移量越大。在本实施例中，所述测量非补偿迭对区201位于所述测量晶圆200的中心，所以，所述测量非补偿迭对区201的沉积偏移量可以忽略不计；所述测量补偿迭对区202位于所述测量非补偿迭对区201的外侧，所以，所述测量补偿迭对区202的沉积偏移量相比所述测量非补偿迭对区201有所增大；所述测量补偿迭对区203位于所述测量晶圆200的最边缘区域，所述测量补偿迭对区203的沉积偏移量最大。
在本实施例中，步骤S11包括：
进行步骤S111，提供所述测量晶圆200，所述测量晶圆200的所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽211，如图5b所示。在本实施例中，所述测量晶圆200表面为一钝化层，所述第一凹槽211位于所述钝化层上。其中，所述第一凹槽211的数量和排列不做具体地限制，具体由版图设计决定。所述测量晶圆200还可以具有一些必要的结构，如在本实施例中，所述测量晶圆200还可以包括金属互连等结构，在图5b中不具体示出；
进行步骤S112，在所述测量晶圆200上和所述第一凹槽211内沉积外延层220，所述外延层220具有所述第一凹槽211经沉积后形成的第二凹槽221，如图5c所示。在本实施例中，所述外延层220为铝外延层，但所述外延层220并不限于为铝外延层，如铜外延层等，亦在本发明的思想范围之内；
进行步骤S113，在所述外延层220上制备光阻凸起231，所述光阻凸起231暴露出所述第二凹槽221，如图5d所示。其中，所述光阻凸起231的数量和排列不做具体地限制，具体由版图设计决定。较佳的，所述光阻凸起231为柱形，可以在步骤S121中方便地测量第一距离。较佳的，所述在所述外延层220上制备光阻凸起231的步骤包括：首先，在所述外延层220上沉积一层光阻层；然后，选择性对所述光阻层进行曝光显影，已形成所述光阻凸起231。
然后，进行步骤S12，分别测量所述测量补偿迭对区202和测量补偿迭对区203的沉积偏移量。
在本实施例中，步骤S12包括：
进行步骤S121，测量所述光阻凸起231与所述第二凹槽221的距离，得到第一距离D1（以图5d中的距离为例具体说明，也可以测量多个第一距离）；
进行步骤S122，以所述光阻凸起231为掩膜刻蚀所述外延层220，得到外延层凸起222，如图5e所示；
进行步骤S123，测量所述第一凹槽211与所述外延层凸起222的距离，得到第二距离D2（以图5d中的距离为例具体说明，也可以测量多个第二距离，但需与第一距离的位置相对应）。在本实施例中，所述第一距离D1和第二距离D2均由光学方法测量。其中，在本实施例中，所述第一距离D1为所述光阻凸起231中心与所述第二凹槽221中心的距离，所述第二距离D2为所述第一凹槽211中心与所述外延层凸起222中心的距离，但所述第一距离D1并不限于为所述光阻凸起231中心与所述第二凹槽221中心的距离，所述第二距离D2并不限于为所述第一凹槽211中心与所述外延层凸起222中心的距离，例如，所述第一距离D1还可以为所述光阻凸起231边缘与所述第二凹槽221中心的距离，所述第二距离D2还可以为所述第一凹槽211中心与所述外延层凸起222边缘的距离；
进行步骤S124，将所述第一距离D1与第二距离D2做差，得到沉积偏移量W。所述光阻凸起231为凸起图形，当以所述光阻凸起231为掩膜刻蚀所述外延层220时，可以露出所述第一凹槽211，从而可以测量所述第二距离D2，使得可以精确地测量沉积偏移量W，其中，沉积偏移量W的正负代表沉积偏移的方向。
在本实施例中，测量所述测量补偿迭对区202和测量补偿迭对区203的沉积偏移量的方法并不限于上述步骤，只要可以测量所述测量补偿迭对区202和测量补偿迭对区203的沉积偏移量，亦在本发明的思想范围之内。
接着，进行步骤S13，提供待校准晶圆200’，所述待校准晶圆200’具有与所述测量晶圆200相对应的一个待校准非补偿迭对区201’和至少一个的待校准补偿迭对区，即待校准补偿迭对区202’以及待校准补偿迭对区203’，如图5f所示。
最后，进行步骤S14，分别根据每个所述沉积偏移量W对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。所述补偿迭对测量数据=所述迭对测量数据+所述沉积偏移量。通过对所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，可以对待校准晶圆上不同区域的沉积偏移量进行补偿，从而避免沉积偏移量对晶圆不同区域的迭对校准的影响，以精确地对整个待校准晶圆进行迭对校准。
在本实施例中，所述测量补偿迭对区202’的所述沉积偏移量W202’为如需要的迭对测量数据为则所述补偿迭对测量数据为即在版图设计时，直接将所述迭对测量数据设置为所述补偿迭对测量数据从而避免沉积偏移量W202’的影响；补偿迭对区203的所述沉积偏移量W203’为如需要的迭对测量数据为则所述补偿迭对测量数据为即在版图设计时，直接将所述迭对测量数据设置为所述补偿迭对测量数据从而避免沉积偏移量W203’的影响。
在本实施例中，所述待校准补偿迭对区的数量并不限于为两个，具体根据所述待校准晶圆的尺寸决定，可选的，所述待校准晶圆具有2个～10个所述迭对区。
综上所述，本发明提供一种光刻的迭对值校准方法，将所述待校准晶圆分为一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，并分别根据所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，可以对晶圆上不同区域的沉积偏移量进行补偿，以精确地对整个晶圆进行迭对校准。
本发明所述光刻的迭对值校准方法，与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明的光刻的迭对值校准方法，将所述待校准晶圆分为一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，并分别根据所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，与现有技术相比，通过对所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，可以对晶圆上不同区域的沉积偏移量进行补偿，从而避免沉积偏移量对晶圆不同区域的迭对校准的影响，以精确地对整个晶圆进行迭对校准。
2、本发明的光刻的迭对值校准方法，在所述外延层上制备光阻凸起，待校准非补偿迭对区，测量所述光阻凸起与所述第二凹槽的距离，得到第一距离，并测量所述第一凹槽与所述外延层凸起的距离，得到第二距离，以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层，得到外延层凸起，将所述第一距离与第二距离做差，得到沉积偏移量，与现有技术相比，所述光阻凸起为凸起图形，当以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层时，可以露出所述第一凹槽，从而可以测量所述第二距离，可以精确地测量沉积偏移量。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种光刻的迭对值校准方法，包括：
步骤一：提供测量晶圆，所述测量晶圆具有一个测量非补偿迭对区和至少一个的测量补偿迭对区，所述测量补偿迭对区上具有第一凹槽，所述测量晶圆和第一凹槽内沉积形成有外延层，所述外延层具有与所述第一凹槽相对应的第二凹槽，所述第一凹槽与第二凹槽之间具有沉积偏移量，在所述外延层上形成光阻凸起，所述光阻凸起暴露出所述第二凹槽；
步骤二：分别测量每个所述测量补偿迭对区的沉积偏移量，其中，测量所述光阻凸起与所述第二凹槽距离，得到第一距离，以所述光阻凸起为掩膜刻蚀所述外延层，得到外延层凸起，测量所述第一凹槽与所述外延层凸起的距离，得到第二距离，将所述第一距离与第二距离做差，得到所述沉积偏移量；
步骤三：提供待校准晶圆，所述待校准晶圆具有一个待校准非补偿迭对区和至少一个的待校准补偿迭对区，所述待校准非补偿迭对区与所述测量非补偿迭对区相对应，所述待校准补偿迭对区与所述测量补偿迭对区相对应；
步骤四：分别根据每个所述沉积偏移量对相应的所述待校准补偿迭对区的迭对测量数据进行补偿，得到补偿迭对测量数据。
2.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述测量非补偿迭对区为圆形，并位于所述测量晶圆的中心，所述测量补偿迭对区为与所述测量非补偿迭对区同心的圆环形。
3.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述补偿迭对测量数据＝所述迭对测量数据+所述沉积偏移量。
4.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述在所述外延层上制备光阻凸起的步骤包括：
在所述外延层上沉积光阻层；
选择性对所述光阻层进行曝光显影，以形成所述光阻凸起。
5.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述光阻凸起为柱形。
6.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述外延层为铝外延层。
7.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述测量晶圆的表面具有一钝化层，所述第一凹槽位于所述钝化层上。
8.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述第一距离和第二距离均由光学方法测量得到。
9.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，测量所述光阻凸起的中心与所述第二凹槽的中心的距离，得到所述第一距离；测量所述第一凹槽的中心与所述外延层凸起的中心的距离，得到所述第二距离。
10.如权利要求1所述的光刻的迭对值校准方法，其特征在于，所述待校准晶圆具有2个～10个所述待校准补偿迭对区。
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107578986B (zh) * | 2016-07-04 | 2019-11-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法 |
| CN116072601B (zh) * | 2023-03-06 | 2023-06-20 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1461973A (zh) * | 2002-05-27 | 2003-12-17 | 尼康株式会社 | 照明光学装置、曝光装置及曝光方法 |
| CN1530755A (zh) * | 2003-02-11 | 2004-09-22 | Asml | 光刻装置和使用光刻模拟技术优化照明光源的方法 |
| CN1808281A (zh) * | 1996-11-28 | 2006-07-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
| CN101266412A (zh) * | 2007-03-12 | 2008-09-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08306621A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-11-22 | Hitachi Ltd | 露光方法、露光装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2009094265A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Canon Inc | マーク位置検出方法および装置 |
| DE102009037112B4 (de) * | 2009-07-31 | 2012-10-25 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optisches System zum Erzeugen eines Lichtstrahls zur Behandlung eines Substrats |
| NL2007615A (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a patterning device and lithographic apparatus. |
| JP6061524B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
-
2013
- 2013-07-08 CN CN201310284581.1A patent/CN104281019B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1808281A (zh) * | 1996-11-28 | 2006-07-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
| CN1461973A (zh) * | 2002-05-27 | 2003-12-17 | 尼康株式会社 | 照明光学装置、曝光装置及曝光方法 |
| CN1530755A (zh) * | 2003-02-11 | 2004-09-22 | Asml | 光刻装置和使用光刻模拟技术优化照明光源的方法 |
| CN101266412A (zh) * | 2007-03-12 | 2008-09-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |