JP4756101B2 - 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 - Google Patents

Description

[0001] 本発明はリソグラフィ処理用、特に液浸リソグラフィ処理用における、物品を支持するように構成された物品支持体に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に付与する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 最近の開発では、特に液浸リソグラフィという新しい分野で、像の解像度に対する要件が益々過酷になっているので、パターン付きビームで標的にされる基板またはレチクルのような熱的に安定した物品を提供するという問題が増大している。ここでは、液浸液が、蒸気相への遷移によって熱的冷却を引き起こすことがあるので、熱安定化は困難である。したがって、安定化する必要がある物品内で、甚だしい局所的熱勾配が生じることがある。追加的または代替的に、物品のフォトリソグラフィ処理中に、物品はその後のターゲット部分の照明のせいで、不均一に暖められる傾向がある。この不均一性は熱勾配を引き起こし、これは物品の局所的変形を引き起こす。ナノメートルの投影精度では、これは焦点および／またはオーバレイのエラーをもたらす問題を引き起こすことがある。つまり、熱変形のせいで、基板および／またはレチクルの表面は曲がって理想的な投影平面から離れ、その結果、像平面の焦点喪失または少なくとも有効な横向きの移動があり、したがってオーバレイの問題が生じることがある。

[0004] 例えば、これらの熱問題の１つまたは複数を扱い、物品の改善された熱安定化を提供するフォトリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0005] 本発明の態様によれば、リソグラフィ処理用の物品を支持するように構成された物品支持体が提供され、物品支持体は、物品支持体内の熱安定化媒体を導いて、物品に熱安定化を提供するように構成されたチャネル構成を備え、チャネル構成は、入力チャネル構造および出力チャネル構造を備え、入力および出力チャネル構造は、入れ子状構成に配置され、物品支持体の表面に、または表面付近に備えられた微細グリッド構造によって相互に接続される。

[0006] 本発明の態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、これは、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを使用してパターン化されたままの放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
パターニングデバイス、基板、またはその両方を支持するように構成された物品支持体とを備え、物品支持体は、物品支持体内の熱安定化媒体を導いて、パターニングデバイス、基板、またはその両方に熱安定化を提供するように構成されたチャネル構成を備え、チャネル構造は、入力チャネル構造および出力チャネル構造を備え、入力および出力チャネル構造は、入れ子状構成に配置され、物品支持体の表面に、または表面付近に備えられた微細グリッド構造によって相互に接続される。

[0007] 本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置が提供され、これは、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを使用してパターン化されたままの放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムとの間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
パターニングデバイス、基板、またはその両方を支持するように構成された物品支持体とを備え、物品支持体は、物品支持体内の熱安定化媒体を導いて、パターニングデバイス、基板、またはその両方に熱安定化を提供するように構成されたチャネル構成を備え、チャネル構造は、入力チャネル構造および出力チャネル構造を備え、入力および出力チャネル構造は、入れ子状構成に配置され、物品支持体の表面に、または表面付近に備えられた微細グリッド構造によって相互に接続される。

[0008] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。

[0009] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。 [0010] 物品を熱安定化するチャネル構造の第１構成を示した図である。 [0011] 物品を熱安定化するチャネル構造の代替構成を提供した図である。 [0012] 本発明の実施形態による基板テーブルの第１チャネル構成を示した図である。 [0013] 本発明の実施形態による基板テーブルの第２チャネル構成を示した図である。 [0014] 特に図４のチャネル構造の例示的略断面図である。 [0014] 特に図５のチャネル構造の例示的略断面図である。

[0015] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、

[0016] 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、

[0017] パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、

[0018] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、

[0019] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0020] 照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0021] 支持構造体は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。

[0022] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

[0023] パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフトマスク、Attenuated位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0024] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなされる。

[0025] ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0026] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。

[0027] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0028] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0029] 放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、基板支持体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0030] 図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0031] １．ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0032] ２．スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。

[0033] ３．別のモードでは、支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。

[0034] 上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。

[0035] 図２および図３は、基板支持体２のチャネル構造１の実施形態を示す。図から明白であるように、基板支持体２は、（上記で検討したように）基板６のターゲット位置を照明するためにパターン化した放射ビーム５を提供する投影システム４（図１のＰＳに関して上記で説明）の下で、チャック３によって移動する。この機構では、通常は「ウェーハテーブル」として識別される支持構造体２は剛性構造であり、通常はガラスタイプまたはセラミックの材料で作成され、平坦な支持平面を基板６に提供し、それと直接接触する。通常、支持構造体２は複数の突起（図示せず）を備え、これは接触面積を制限して、支持構造２または基板６の理想的平坦面の歪みを引き起こす汚染の可能性を低下させる。図２では、支持構造体２には、図４および図５に関してさらに図示されるようなチャネル構造１が設けられる。代替的に、または場合によっては追加的に、図３に示すようにチャネル構造１は、基板支持体２の下部分に設けることができ、これは図２に示すように支持構造体２を介して基板６に間接的に熱結合される。このような下部分を、一般に「チャック」３または第２位置決め装置ＰＷ、特に図１に関して説明したようにその微動ストロークモジュールと呼ぶ。

[0036] 図４および図５によれば、媒体フロー入力部７および媒体フロー出力部８を備える基板支持体２の実施形態が図示され、フロー入力部７は入力チャネル構造９（ライトシャドウ構造）に接続され、出力部８は出力チャネル構造１０（ダークシャドウ構造）に接続される。入力および出力チャネル構造９および１０は入れ子状構成で提供され、基板支持体２の表面１２付近に設けられた接続用の微細グリッド構造１１によって相互に接続され、それぞれ入力および出力チャネル構造９および１０と接続する。特に、図４は、入れ子状櫛構成を有する基板支持体２を示す。このような構成では、入力および出力チャネル９および１０は基板支持体の周囲に設けられ、ペリフェラルチャネル１３はそれぞれ、入れ子状櫛歯として配置された入力および出力チャネル１４を枝分かれさせ、「歯」１４はペリフェラルチャネル１３に対して横方向に配置される。理解しやすさの理由のみで、制限された数のチャネル１４が図示されている。接続用微細グリッド構造１１は、櫛歯１４に対して横方向に向けられた実質的に平行な微細チャネル１５によって形成される。微細チャネルという用語は、間隔が最大数ｍｍで、チャネル幅が１ｍｍ未満のチャネル構造を指す。ある実施形態では、断面が３００ｍｍの基板の基板支持体の場合は、１０００を超える、幾つかの実施形態では１００００さえ超える微細チャネルが存在してよい。

[0037] 単純な計算では、直径Ｄの円筒形チャネルの熱流の熱伝達Ｈは、下式によって与えられる。
Ｈ＝λ＊Ｎｕ／Ｄ
ここで、λは媒体の熱伝達率（水の場合は０．６Ｗ／ｍ／Ｋ）であり、Ｎｕはヌッセルト数であり、これはフローのタイプに応じて（それぞれ層流−乱流）約４と約２０の間である。

[0038] 乱流の方が熱伝達率が高いが、その下側は圧力低下が比較的大きく、これは熱安定化媒体の流速を制限する。したがって、大きい圧力低下が許されない限り、熱伝達の効果が低くなることがある。通常、圧力低下は、ステージの力学にとって好ましくない振動を誘発する。したがって、ある実施形態では、層流を使用し、チャネルの幅（例えば直径）を減少させることによって有効熱伝達を向上させることができる。したがって、圧力低下を制限するために、接続用チャネルの距離（その後の入力チャネルと出力チャネルの間隔）も制限される。例示的なターゲット流量として、接続用チャネルから出力チャネル内へと０．２秒以内で熱が運ばれる。

[0039] 図５は、代替入れ子状チャネル構造１を示す。この実施形態では、基板支持体２に入れ子構造の半径方向に向いた入力チャネル９（ライトシャドウ構造）および半径方向に向いた出力チャネル１０（ダークシャドウ構造）を設ける。半径方向の入力および出力チャネル９および１０はそれぞれ、交互に配置された同心の入力および出力チャネル１６に枝分かれする。接続用マイクロチャネル構造は、それぞれ同心の入力および出力チャネル９および１０に対して横方向に向いた半径方向のチャネル１７を備える。

[0040] 図４および図５に示したチャネル構造は、２つの実施形態について以下の例示的寸法に従って構成することができる。
基板支持体のチャネル数：１２００、あるいは１５０００
接続用チャネルの長さ：７５ｍｍ、あるいは６ｍｍ
接続用チャネルの断面寸法：０．３×０．３ｍｍ、あるいは０．２×０．０５ｍｍ
媒体（水）の流速：０．４ｍ／ｓ
熱伝達：８０００Ｗ／ｍ²Ｋ
圧力低下：０．１２バール、あるいは０．１４バール

[0041] 図６および図７は、チャネル構造、特に図４および図５に示した構造の略断面図を示す。図６に示した実施形態を参照すると、チャネル構造１は、相互に結合された層状構造１８を設けることによって支持構造体２に一体化することができる。結合した層１９または２１の一方または両方に、チャネルのレイアウトを設けて、結合された構成にダクトを形成することができる。図示の断面には、基板支持体２内に交互に入力および出力フローチャネル９および１０が設けられる。フローチャネル９および１０は微細グリッド構造１１によって接続される。任意選択で、図６に示すようにＳｉＳｉCまたはＳｉCなどの熱伝導材料の実施形態ではカバー層１９が存在する。図７では、カバー層は存在せず、熱安定化媒体の上限は、照射すべき基板２０の下側によって提供される。図６に参照すると、ある実施形態ではカバー層１９に微細グリッド構造１１が設けられ、したがって構造１１を通って流れる熱安定化媒体に最善の熱伝達を提供することができる。

[0042] 図面では詳細に図示されていないが、微細グリッド構造１１の幾つかの実施形態、特に図４および図５に詳しく描かれたマイクロチャネル構造が可能である。例えば、多孔質構造を設けることができる。例えば入力チャネル構造９から出力チャネル構造１０へと設けた漏出部がある粗面である。微細グリッド構造１１は、内部節構造によって提供することができる。このような構造は、複数の離間ピンまたは節を特徴とし、これは基板支持体の低い方の壁と高い方の壁を離間する。高い方の壁は、基板支持体２の表面部分１２を形成することができ、低い方の壁は、入力および出力チャネル構造９および１０それぞれに接続することができる。

[0043] 図６に示すように、ある実施形態では入力および出力チャネル構造９および１０が、微細グリッド構造１１よりも表面１２からさらに離れて設けられる。また、チャネルは、入力および出力チャネル構造９および１０の熱伝達が接続用構造１１の熱伝達に対して相対的に最小になるように寸法決定される。これは、入力および出力チャネル構造９および１０が、当業者に知られている材料であるＺｅｒｏｄｕｒ、ＵＬＥまたはコーディエライトのような断熱層２１内に設けられている場合に、さらにそうなる。

[0044] 図６は、材料の深い場所に埋められ、追加の（垂直）マイクロチャネル構造２２を通して接続された入力および出力チャネルのチャネル構造を図示しているが、この追加的構造は、図７に示すように、なくてもよい。図示の実施形態は、パターン化したビームでターゲットとされる基板を支持するために使用される基板支持体について言及しているが、構造は、レチクル支持体または熱安定化を必要とする任意の他の支持体にも十分適用することができる。

[0045] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0046] 以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合わせにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

[0047] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0048] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組合わせを指す。

[0049] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

[0050] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (11)

1. リソグラフィ処理用の物品を支持する物品支持体であって、
   前記物品支持体は、複数の突起と、前記物品支持体内の熱安定化媒体を導いて前記物品に熱安定化を提供するチャネル構成と、を備え、
   前記チャネル構成は、入力チャネル構造および出力チャネル構造を備え、
   前記入力および出力チャネル構造は、入れ子状構成に配置され、前記物品支持体の表面に、または表面付近に備えられた微細グリッド構造によって相互に接続され、
   前記微細グリッド構造は、前記入力および出力チャネル構造それぞれに接続する低い方の壁と前記物品支持体の表面部分を形成する高い方の壁とを離間する複数の節を備える内部節構造、前記低い方の壁と前記高い方の壁とを離間する複数の離間ピンを備えるピン構造、又は多孔質構造によって提供され、
   前記入力および出力チャネル構造が、前記微細グリッド構造よりもさらに前記物品から離れて設けられる、物品支持体。
2. 前記チャネル構成は、前記物品支持体の下部分に設けられる、請求項１に記載の物品支持体。
3. 前記物品支持体は、層状構造を有する、請求項１または２に記載の物品支持体。
4. 前記入力および出力チャネル構造が、断熱材料内に設けられ、前記微細グリッド構造が熱伝導材料内に設けられる、請求項１ないし３のいずれかに記載の物品支持体。
5. 前記入力チャネル構造、前記出力チャネル構造、またはその両方のチャネル幅が、前記微細グリッド構造のチャネル幅より大きい、請求項１ないし４のいずれかに記載の物品支持体。
6. 前記入れ子状構成が、ペリフェラル入力フローチャネルとペリフェラル出力フローチャネルからなる入れ子状櫛構造を備え、前記ペリフェラル入力および出力フローチャネルが、入れ子状の櫛歯として構成された入力および出力フローチャネルを枝分かれさせる、請求項１ないし５のいずれかに記載の物品支持体。
7. 前記微細グリッド構造が、前記櫛歯に対して横方向に向いた実質的に平行なチャネルを備える、請求項６に記載の物品支持体。
8. 前記入れ子状構成が、半径方向に向いた入力フローチャネルおよび半径方向に向いた出力フローチャネルを備え、前記半径方向の入力および出力フローチャネルが、交互に配置された同心の入力および出力フロー路を枝分かれさせる、請求項１ないし５のいずれかに記載の物品支持体。
9. 前記微細グリッド構造が、前記同心の入力および出力フロー路に対して横方向に向いた半径方向のチャネルを備える、請求項８に記載の物品支持体。
10. パターニングデバイスを使用してパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    請求項１ないし９のいずれかに記載の物品支持体と、を備える、リソグラフィ装置。
11. パターニングデバイスを使用してパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    前記基板と前記投影システムとの間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
    請求項１ないし９のいずれかに記載の物品支持体と、を備える、液浸リソグラフィ装置。