JP2010153867A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】アライメントマーカを照明するために照明源が大面積のビームを供給しなければならないということに起因する問題を緩和する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持部と、基板を保持する基板テーブルと、を含む。投影系は、基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影する。パターニングデバイスは、1つまたは複数のアライメントパターンを含み、リソグラフィ装置は、前記放射ビームとは別の放射によりアライメントパターンの各々を照明する副照明系を含み、投影系は、各アライメントパターンの像を基板テーブルに投影する。基板テーブルは、アライメントパターンの投影像を検出する1つまたは複数のセンサを含む。
【選択図】図4

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に転写する機械である。通常は基板の目標部分に転写する。リソグラフィ装置は例えば集積回路(IC)の製造に用いられる。この場合、ICの各層に対応した回路パターンを形成するためにパターニングデバイスが使用される。パターニングデバイスはマスクまたはレチクルなどと呼ばれることもある。このパターンは、基板(例えばシリコンウェーハ)の(例えば1つまたは複数のダイ、またはダイの一部からなる)目標部分に転写される。パターンの転写は通常、基板上に形成された放射感応性材料(レジスト)層への結像による。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向(スキャン方向)に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、基板にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
基板の目標部分に所望のパターンを得るためには、基板に対してマスクを位置合わせする必要がある。この位置合わせは、(1)基板を運ぶ基板ステージに対して基板を位置合わせし、(2)次いで基板ステージにマスクを位置合わせすることにより実現可能であることが知られている。
これら2つの動作の結果として基板に対しマスクが位置合わせされる。ステージが1つのリソグラフィ装置の場合には、これら2つの動作は基板の露光直前に実行することができる。しかしステージが2つのリソグラフィ装置においては、露光位置から離れた位置で最初の動作が実行され、基板が位置決めされた基板ステージが露光位置へと移動して2番目の動作が実行される。
公知の方法においては、ウェーハ上のマーカの相対位置はフィデューシャルという基準に対して測定される。フィデューシャルは、ウェーハテーブルにおいてウェーハの外側領域に固定されている。フィデューシャルは、アライメントマーカに対応するパターンがエッチングされている不透明コーティングを有するプレートとして形成されている。このプレートの下方には電子センサがある。フィデューシャルの位置はアライメントセンサを使用して測定可能である。このアライメントセンサはウェーハ上のアライメントマーカに対し使用されるものと同一である。これにより、ウェーハ及びフィデューシャルのアライメントマーカの相対位置を測定することができる。
基板ステージに対しマスクを位置合わせする第2段階においては、透過イメージセンサ(TIS)として知られるイメージセンサを使用することが公知である。本明細書に全文を援用する米国特許第7333175号には、TIS測定技術を使用して基板の目標部分にマスクを位置合わせする方法及びシステムが記載されている。TIS測定法は、リソグラフィ装置の投影系を通じて、マスク上に形成されている第1アライメントパターンを基板ステージに形成されている第2アライメントパターン上に結像させることにより実行される。基板ステージの内部においては第2アライメントパターンの後方に光感知センサが設けられている。光感知センサは、第1アライメントパターンの像の光強度を測定する。第1アライメントパターンの投影像が第2アライメントパターンにちょうど一致したときにセンサが最大強度を測定するようになっている。向きが異なる複数のアライメントパターンを使用し、これらのTISパターンを3次元でスキャンすることにより、最良焦点面へと位置決めし、さらにマスクのXY位置も合わせることができる。
スキャナではなくステッパを使用する場合には、基板全体が一度に照明される。この構成の問題は、マスク上のアライメントマーカがアクティブイメージアリア(すなわち、ウェーハ上に要求される構造を生成するための領域)の外側にふつう位置していることにある。つまり、アライメントマーカを照明するために、照明源は大面積のビームを供給しなければならないということである。この大面積ビームは、その大面積にわたって均一なエネルギ分布を有するべきであるから、照射強度が小さくなる。そうすると、照明源の生成するビーム面積が小さい場合に比べて、露光時間が長くなりスループットが低下する。
本発明の1つの目的は、この問題が少なくとも緩和されるリソグラフィ装置を提供することである。
特開2007−299909号公報には、マスク上のパターンをウェーハに投影するために2つ以上の異なる波長のLEDを使用してマスクを基板に位置合わせする位置決めデバイスが記載されている。
本発明の第1の態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、
放射ビームの断面に付与されパターン付き放射ビームを形成するためのパターンを含むパターニングデバイスを支持する支持部と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影する投影系と、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記パターニングデバイスは、放射ビームに付与される1つまたは複数のアライメントパターンを含み、
前記リソグラフィ装置は、前記放射ビームとは別の放射により前記アライメントパターンの各々を照明する副照明系を含み、
前記投影系は、前記基板に対し測定可能である位置に各アライメントパターンの像を生成するよう各アライメントパターンを投影し、
前記リソグラフィ装置は、前記アライメントパターンの投影像を検出する1つまたは複数のセンサを含む。
本発明の第2の態様によれば、リソグラフィ方法が提供される。この方法は、
放射ビームの断面に付与されパターン付き放射ビームを形成するためのパターンを含むパターニングデバイスを支持し、
基板テーブルに基板を保持し、
基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影し、
前記パターニングデバイスは、放射ビームに付与される1つまたは複数のアライメントパターンを含み、
前記放射ビームとは別の放射により前記アライメントパターンの各々を照明し、
前記基板に対し測定可能である位置に各アライメントパターンの像を生成するよう各アライメントパターンを投影し、
各アライメントパターンの投影像を検出することを含む。
以下では本発明の実施形態を下記の図面を参照して例示的に説明する。各図面において同じ符号が付されているものは同じ部分を示す。
本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ装置において使用される透過イメージセンサを模式的に示す図である。 本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置において使用されるマスクの平面図である。 本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置において使用される図3のマスクの側面図である。 本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置において使用される図3のマスクの別の側面図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームB(例えばUV放射)を調整するよう構成されている照明系(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、パラメタに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストを塗布されたウエーハ)Wを保持するよう構成され、パラメタに従って基板を正確に位置決めする第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウエーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つ以上のダイからなる)目標部分Cに投影するよう構成されている投影系(例えば屈折投影レンズ系)PSと、を備える。
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
支持構造は、パターニングデバイスを支持する(すなわちパターニングデバイスの荷重を支える)。また、支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、例えば投影系に対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語は、より一般化された用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなしてもよい。
本明細書において「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスであると広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分に望まれるパターンに厳密に一致していなくてもよい。例えば、位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャがパターンに含まれていてもよい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応する。
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能LCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
本明細書において「投影系」なる用語は、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの組合せを含む何らかの投影系であると広義に解釈される。投影系は、使用される露光光に応じて、あるいは液浸液または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影系であってもよい。本明細書において「投影レンズ」という用語は、より一般化された用語である「投影系」と同義であるとみなしてもよい。
図示されるように、リソグラフィ装置は(例えば透過型マスクを有する)透過型である。あるいは、装置は(例えば上述のプログラム可能ミラーアレイ、または反射型マスクを有する)反射型の装置であってもよい。
リソグラフィ装置は2つ以上(2つの場合にはデュアルステージと呼ばれる)の基板テーブル(及び/または2つ以上のマスクテーブル)を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に1以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆われるものであってもよい。この液体は、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸液は、例えばマスクと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源SOがエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからビーム搬送系を介してイルミネータILへと到達する。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用ミラー及び/またはビームエキスパンダを含む。あるいは例えば光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称されることがある。
イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタADを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び/または内径の値(通常それぞれ「σouter」、「σinner」と呼ばれる)が調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータILはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
放射ビームBは、支持構造(例えばマスクテーブルMT)に保持されているパターニングデバイス(例えばマスクMA)に入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクMAを経た放射ビームは投影系PSを通過する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに合焦させる。第2位置決め装置PWと位置センサIF(例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど)により基板テーブルWTは正確に移動される。例えば放射ビームBの経路に異なる複数の目標部分Cをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に第1位置決め装置PMと別の位置センサ(図1には明示されていない)により放射ビームBの経路に対してマスクMAは、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、正確に位置決めされてもよい。一般に、マスクテーブルMTの移動は、ロングストロークモジュール(粗い位置決め用)及びショートストロークモジュール(精細な位置決め用)により実現される。これらモジュールは、第1位置決め装置PMの一部を構成する。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパの場合にはスキャナとは異なり、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、マスクテーブルMTは固定されていてもよい。マスクMAと基板Wとは、マスクアライメントマークM1、M2、及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせされる。図示される基板アライメントマークは専用の目標部分を占有しているが、基板アライメントマークは目標部分間の領域に配置されていてもよい(スクライブラインアライメントマークとして公知である)。同様に、マスクMAに複数のダイがある場合には、マスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。
以下に説明する本発明の一実施形態においては、図示の装置はステップモードで使用される。ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射で1つの目標部分Cに投影される間、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる(すなわち1回の静的な露光)。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、1回の静的露光で結像される目標部分Cの寸法が制限されることになる。
スキャナは高精度の結像に使用されるが、ステッパはパターン全体が1回の結像で露光可能であるので、要求精度の低い半導体層の結像を高スループットで行うのに有利である。ステッパにおいてはマスクステージの位置が固定されているから、マスクの位置変更によってアクティブイメージエリア外部のアライメントマーカを放射ビームBの照明領域内に入れることはできない。アライメントマーカを放射ビームで照明するのであれば、照明領域は拡大される。それに応じて像強度は低下し、露光時間の増加とスループットの減少を招く。
図2及び図3に示されるのは、TISの動作原理である。特に図3は、多数のTISアライメントマーカが設けられているマスクMAを示す。図2及び図3に示すマスクは2つのアライメントマーカT1、T2のみを有する。しかし、これとは異なる数のマーカを用いる他のマーカ構成も可能である。例えば4つのマーカを2組のマーカとしてマスクMAの2つの対向する端部に設けてもよい。マスクMAの中心部は、ウェーハテーブルWT上のウェーハWの目標部分Cに投影されるパターン32(非常に模式的に示す)を有する。この実施例では、マスクMAの中心部はクロム境界31に包囲されている。クロム境界31は投影パターン32を孤立させる役割を持つ。アライメントマーカの位置は実際の適用分野に依存するものと理解されたい。適用分野には例えば、ステッパであるかスキャナであるかがある。また製造業者によってリソグラフィ装置に使用するマスクが異なるということもある。特に、アライメントマーカはパターン32の中心に向かって設けられていてもよい。またクロム境界は設けられていなくてもよい。
アライメントマーカT1、T2はラインパターンとして図示されているが、一実施例においては各TISマーカは次の3つの部分に分けられる。
1.粗い測定用の方形比マーカ。方形比マーカの中心部は小さい十字を含む。この十字はメトロロジツールによる光学品質検査の基準として使用することができる。
2.垂直格子を含むXアライメントマーカ。
3.水平格子を含むYアライメントマーカ。
適用分野に応じてその他の構成をとることも可能であると理解されたい。
放射ビームBを使用してマスクが照明され、投影系PSを通じて投影される。そうしてアライメントマーカの像が対応するフィデューシャルに投影される。各フィデューシャルは、アライメントマーカT1、T2に対応するパターン23、24がエッチングされている不透明コーティングを有するプレート21、22を備える。各プレート21、22の下方には電子センサ25、26(例えばCCD)が設けられている。各センサ25、26の出力は、ウェーハテーブルWTに形成されているパターン23、24とマスクMAの各アライメントマーカT1、T2の像とのアライメントの指標を与える。
公知の構成においては図2に示されるように、基板に結像されるパターン32及び各アライメントマーカを照明する1つのビームをアライメント工程において投影するよう投影レンズ系PSは構成されている。ビーム遮断ブレード(図示せず)がEP1431829に開示されており、この文献を本明細書に援用する。ビーム遮断ブレードを使用して、像の露光中におけるウェーハW上のアライメントマーカへの露光を防止してもよい。あるいは、アライメント工程において1つまたは複数のアライメントマーカへの露光を制限するためにビーム遮断ブレードが使用されてもよい。上述のようにこの構成においてはビームBの断面がウェーハWのパターン32とアライメントマーカT1、T2との両方を包含するよう十分に大きくなければならない。
本発明の一実施形態によれば、ビームBを生成する照明系以外の別の光源がアライメントマーカの照明に使用される。この構成により、先行技術の構成に内在する問題を回避することができる。
本発明の一実施形態によれば図4及び図5に示されるように、マスクのアライメントマーカ(例えば図3に示される)のそれぞれについて対応するLED41、42が設けられている。LED41、42は、アライメントマーカT1、T2のそれぞれの位置に対応する位置に設けられている。各LEDは放射ビームBと同一の波長を有する。放射ビームBは例えば365nmの波長を有する。必要に応じて狭帯域光フィルタ(図示せず)がビーム経路上でLED41、42の手前に配置されてもよい。これによりバンド幅を小さくすることができる。
図4に戻る。本発明の一実施形態に係る方法においては、アライメント工程中に各LEDが対応するアライメントマーカT1、T2を照明するよう各LEDは配置されている。その放射を破線のブロックで図示している。この放射は投影レンズ系PSを通過し、図2と同様にTISセンサ25、26で捉えられる。アライメント工程の完了後にLEDはオフに切り換えられ、放射ビームBによりマスクの中心部分が照明される。これは図5に破線のブロックで示されている。ビームBの断面領域はアライメントマーカT1、T2を通過するほどではない。こうしてマスクMAのパターン32の像51がウェーハWに生成される。
LEDはさまざまな位置に設けることができる。図4及び図5においてはLEDはマスクMAの直上かつ放射ビームBの周縁のすぐ外側に配置されている。これに代えて、照明系ILにおいて更に上流の部位にLEDを配置してもよい。マスクから光源が離れている場合には、アライメントマーカを照明する放射をマスクMAの直上の位置まで例えば光ファイバ(図示せず)によりもたらすようにしてもよい。あるいは、別個の光源を遠隔に配置し、マスクMA直上に適当な光学系を設けてもよい。この光学系は例えばフォールディングミラーを含み、更に可能であればレンズ(図示せず)を含んでもよい。
リソグラフィ処理への外乱を最小化するために、LED41、42は通常、アライメント処理中はオンに切り換えられ、リソグラフィ処理中はオフに切り換えられる。本発明によれば、イルミネータILの開口数(NA)を投影レンズ系PSの最大NAよりも小さく選択することができる。このようにして、投影レンズ系PSについての寸法の制約条件からアライメントマーカを除くことができる。
LEDが特に好都合であるものの、LED以外の光源が使用されてもよい。例えば、いわゆる「広帯域ステッパ」には、G線、H線、及びI線のスペクトルを含む水銀ランプ、またはこのスペクトル内の波長を有する固体レーザが使用される。これらが本発明の一実施形態に係るアライメント方法に使用されてもよい。別個のLED光源の波長が放射源の波長と重複していてもよい。この場合、投影系は単一の波長またはある波長帯の投影放射にのみ最適化されていてもよい。ビーム遮断ブレードなどのシャッター部が上述の先行技術と同様に使用されてもよいが、LEDに可能である光源のオンオフ切替のほうが簡単である。上述の実施例では365nmの波長が使用されているが、他の適切ないかなる波長が使用されてもよい。
アライメントマーカの照明におけるビームの強度分布の外径及び/または内径の値(σouter、σinner)が、ウェーハWに投影されるパターンへの照明におけるそれらの値と同じである必要はない。他の照明モードも可能である。NA、及びσouter、σinnerの違いは原理的には測定精度に影響し得るが、ステッパにおいては普通あまり重要ではない。
本発明に係るシステムの1つにおいてはLEDは上述の遮断ブレードよりも高速のオンオフ切り替えが可能であり、移動可能である。これにより、マスクMAの結像用パターンとアライメントマーカとを選択することができる。
上述の装置にはTISアライメントシステムが組み込まれているが、本発明の一実施形態に係る装置及び方法には、放射源により生成されるアライメントパターンを利用する他のアライメントシステムも可能である。例えば、ウェーハに結像されるべきパターンの中心に向かってアライメントマーカが設けられている場合には、アライメントマーカの投影像を検出するセンサは、アライメントパターン像と基板との距離を測定可能である限り、基板テーブル以外の場所に配置されてもよい。
本発明はステッパだけでなくスキャナにも適用可能である。マーカの位置、別の照明源、及び対応する検出器は、直交する2方向におけるビームの拡大に実質的に影響する方式で配設される。
LEDを使用することにより大NAの照明系を使用する場合に比べて安価に目標部分とアライメントマーカの両方を照明することができる。大NAの照明系を使用することにより生じる強度損失がなくなるので、これに伴うスループットの低下も生じない。
本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
ここでは特に光リソグラフィを本発明に係る実施の形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニングデバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニングデバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
また、本明細書における「放射」及び「ビーム」なる用語は、(例えば365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有する)紫外(UV)放射、(例えば5乃至20nmの範囲に波長を有する)極紫外(EUV)放射、及び、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる電磁放射を含む。
本明細書に記載の実施例において、「レンズ」なる用語は文脈が許す限り、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁的光学素子、及び静電的光学素子のいずれかまたは任意の組合せを示してもよい。
本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な1以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録されたデータ記録媒体(例えば半導体メモリや磁気・光ディスク)の形式をとってもよい。
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の請求項の範囲から逸脱することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (15)

  1. 放射ビームの断面に付与されパターン付き放射ビームを形成するためのパターンを含むパターニングデバイスを支持する支持部と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影する投影系と、を備えるリソグラフィ装置であって、
    前記パターニングデバイスは、1つまたは複数のアライメントパターンを含み、
    前記リソグラフィ装置は、前記放射ビームとは別の放射により前記アライメントパターンの各々を照明する副照明系を含み、
    前記投影系は、前記基板に対し測定可能である位置に各アライメントパターンの像を生成するよう各アライメントパターンを投影し、
    前記リソグラフィ装置は、前記アライメントパターンの投影像を検出する1つまたは複数のセンサを含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記副照明系は、各アライメントパターンに対応するLEDを備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記副照明系は、各アライメントパターンに対応する固体レーザを備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記放射ビームと、前記放射ビームとは別の放射とは、同一の波長を有することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記アライメントパターンは、前記パターニングデバイスにおいて、前記放射ビームに付与されるパターンの境界より外側に位置することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  6. アライメントパターンの像は前記基板テーブルに生成されることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  7. 各センサは透過イメージセンサを備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  8. 放射ビームの断面に付与されパターン付き放射ビームを形成するためのパターンと、1つまたは複数のアライメントパターンと、を含むパターニングデバイスを支持し、
    基板テーブルに基板を保持し、
    基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影し、
    前記放射ビームとは別の放射により前記アライメントパターンの各々を照明し、
    前記基板に対し測定可能である位置に各アライメントパターンの像を生成するよう各アライメントパターンを投影し、
    各アライメントパターンの投影像を検出することを含むことを特徴とするリソグラフィ方法。
  9. 各アライメントパターンに対応するLEDにより別の放射が与えられることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 各アライメントパターンに対応する固体レーザにより別の放射が与えられることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  11. 前記放射ビームと、前記放射ビームとは別の放射とは、同一の波長を有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
  12. 前記アライメントパターンは、前記パターニングデバイスにおいて、前記放射ビームに付与されるパターンの境界より外側に位置することを特徴とする請求項8に記載の方法。
  13. アライメントパターンの像は前記基板テーブルに生成されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 前記検出は透過イメージセンサを使用して実行されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
  15. 放射ビームの断面に付与されパターン付き放射ビームを形成するためのパターンと、1つまたは複数のアライメントパターンと、を含むパターニングデバイスを支持し、
    基板テーブルに基板を保持し、
    基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影し、
    前記放射ビームとは別の放射により前記アライメントパターンの各々を照明し、
    前記基板に対し測定可能である位置に各アライメントパターンの像を生成するよう各アライメントパターンを投影し、
    各アライメントパターンの投影像を検出し、
    前記基板にマイクロ電子デバイスを形成することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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