JPS58112330A - 投影型露光装置 - Google Patents
投影型露光装置Info
- Publication number
- JPS58112330A JPS58112330A JP56214795A JP21479581A JPS58112330A JP S58112330 A JPS58112330 A JP S58112330A JP 56214795 A JP56214795 A JP 56214795A JP 21479581 A JP21479581 A JP 21479581A JP S58112330 A JPS58112330 A JP S58112330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reticle
- alignment
- wafer
- fresnel zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製造に用いられる投影ｍｇ光装置、
特にそのアライメント装置に関する。
特にそのアライメント装置に関する。
一般にＩＣ，ＬＳＩ等の集積回路の製作工程は、レジス
ト塗布→アライメント→露光→現像→エツチングの複数
回の繰り返しが基本になっている。そして、ここでのア
ライメントとは各回の露光の際に前回の露光で形成され
たパター／に対して所定の位置関係を正確に維持するた
めの確認作業であり、回路の集積度が高すほど露光パタ
ー／が微細になりより正確なアライメントが必要とされ
る。
ト塗布→アライメント→露光→現像→エツチングの複数
回の繰り返しが基本になっている。そして、ここでのア
ライメントとは各回の露光の際に前回の露光で形成され
たパター／に対して所定の位置関係を正確に維持するた
めの確認作業であり、回路の集積度が高すほど露光パタ
ー／が微細になりより正確なアライメントが必要とされ
る。
従来、投影対物レンズによる露光光と同一波長の光によ
り、投影対物レンズを通してレティクル上とウェハ上と
Ｋそれぞれ形成され九アライメントマークを重複観察す
るアライメント方法、いわゆるＴＴＬアライメントが知
られ【いる。しかしこのアライメントではアライメント
時にウエノ１−上のレジストを露光してしまうという欠
点があるため、アライメント時にアライメントマークの
みの露光ですむよう絞りなどで露光域を制約しなければ
ならなかった。またアライメントマークが露光されてし
まうと、ポジ型レジストの場合現偉でアライメントマー
クが消滅してしまい、毎回アライメントマークを未露光
域に移す必要がある等種々の問題があった。
り、投影対物レンズを通してレティクル上とウェハ上と
Ｋそれぞれ形成され九アライメントマークを重複観察す
るアライメント方法、いわゆるＴＴＬアライメントが知
られ【いる。しかしこのアライメントではアライメント
時にウエノ１−上のレジストを露光してしまうという欠
点があるため、アライメント時にアライメントマークの
みの露光ですむよう絞りなどで露光域を制約しなければ
ならなかった。またアライメントマークが露光されてし
まうと、ポジ型レジストの場合現偉でアライメントマー
クが消滅してしまい、毎回アライメントマークを未露光
域に移す必要がある等種々の問題があった。
他方、露光波長と異なる波長光でアライメントを行なう
装置も提案されており、この場合にはアライメント光は
フォトレジストに感光せず前述のごとき問題を生ずるこ
とがない。しかしながら、投影対物レンズを露光波長と
アライメント光の波長との両波長に対して完全に収差補
正することは極めて困離なため、いわゆる色収差によっ
てアライメントの精度を高く維持することは難しく、ま
た装置も複雑になり末だ十分満足できるものではなかっ
た。
装置も提案されており、この場合にはアライメント光は
フォトレジストに感光せず前述のごとき問題を生ずるこ
とがない。しかしながら、投影対物レンズを露光波長と
アライメント光の波長との両波長に対して完全に収差補
正することは極めて困離なため、いわゆる色収差によっ
てアライメントの精度を高く維持することは難しく、ま
た装置も複雑になり末だ十分満足できるものではなかっ
た。
本発明の目的は、露光波長と真なる波長光でアライメン
トを行表う投影型露光装置において、投影対物レンズの
色収差にもかかわらず簡単な構成で優れたアライメント
精度を維持する装置を提供することＫある。
トを行表う投影型露光装置において、投影対物レンズの
色収差にもかかわらず簡単な構成で優れたアライメント
精度を維持する装置を提供することＫある。
本発明は投影対物レンズにより所定の第１波長光でレテ
ィクル上のパターンをウェハ上に投影し、該第１波長光
と異なる第２波長光によって前記投影対物レンズを通し
てレティクルとウェハとの位置合せを行なう投影型露光
装置において、ウェハ上にフレネルゾーンパターンを、
そのフレネルゾーンパターンによる前記第２波長光のフ
ォーカス儂と該ウェハとの距離が前記投影対物レンズに
おける前記第１波長光に対する第２波長光の縦の色収差
量に一致するよう形成するとともに、咳ウェハ上の７レ
ネルゾーンパターンに向けて前記第２波長光を前記投影
対物レンズを通して供給する照明光学系と、前記第２波
長光により前記投影対物レンズによって前記レティクル
上に投影される前記フレネルゾーンパターンのフォーカ
ス偉と該レティクル上の所定のアライメントマークとを
観察する観察光学系とを設けたものである。
ィクル上のパターンをウェハ上に投影し、該第１波長光
と異なる第２波長光によって前記投影対物レンズを通し
てレティクルとウェハとの位置合せを行なう投影型露光
装置において、ウェハ上にフレネルゾーンパターンを、
そのフレネルゾーンパターンによる前記第２波長光のフ
ォーカス儂と該ウェハとの距離が前記投影対物レンズに
おける前記第１波長光に対する第２波長光の縦の色収差
量に一致するよう形成するとともに、咳ウェハ上の７レ
ネルゾーンパターンに向けて前記第２波長光を前記投影
対物レンズを通して供給する照明光学系と、前記第２波
長光により前記投影対物レンズによって前記レティクル
上に投影される前記フレネルゾーンパターンのフォーカ
ス偉と該レティクル上の所定のアライメントマークとを
観察する観察光学系とを設けたものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明による装置のアライメント光学系の概略
光路図である。露光パターンの原版としてのレティクル
（１）は図示なき露光照明光学系により供給される短波
長光、例えばり纏（λ１＝４３５．８ｍｎ）で均一に照
明され、レティクル（１）上のパターンが投影対物レン
ズｏＩＪＫよってクエハー（２）上に投影される。これ
によりてウェハ（２）に塗布されたレジストが感光しこ
のレティクル（１）上のパターンの焼付露光が行なわれ
、前述したプロセスの繰り返しごとにレティクルを取り
換えて焼付露光かがされる。
光路図である。露光パターンの原版としてのレティクル
（１）は図示なき露光照明光学系により供給される短波
長光、例えばり纏（λ１＝４３５．８ｍｎ）で均一に照
明され、レティクル（１）上のパターンが投影対物レン
ズｏＩＪＫよってクエハー（２）上に投影される。これ
によりてウェハ（２）に塗布されたレジストが感光しこ
のレティクル（１）上のパターンの焼付露光が行なわれ
、前述したプロセスの繰り返しごとにレティクルを取り
換えて焼付露光かがされる。
そして、ウェハ（２）上には１回目の焼付露光により第
２図の平面図に示すごとき同心円状のプレネルゾーンパ
ターン■が形成されており、このフレネルゾーンパター
ン（Ｐ） Ｋ向けてレジストに感光域を持たない波長域
の光、例えばＨｅ−Ｎｅレーザー（λ鵞＝ ６３Ｌ ８
ｎｍ ）等の光源員から比較的長波長の光が投影対物
レンズ（７）を通して供給される。すなわち、光源（２
）からの光束は偏向プリズム（ハ）によりシフトしてコ
ンデンサーレンズ四により集光されハーフミラ−（至）
を透過して、第１対物レンズ−、ミラー（２）を介し【
レティクル（１）を透過し投影対物レンズ（至）の波長
λ鵞に対する入射瞳に集光され、ウェハ（２）上の７レ
ネルゾーンパターン（Ｐｌをテレセントリックに照明す
る。ここで偏向プリズム（２）は光源員をコンデンサー
レンズ四の光軸上に配置するための屯のであり、不可欠
のものではな論。投影対物レンズ（至）Ｋ供給される光
源■からの光λ冨は投影対物レンズａＱ中の第ルンズ群
（１１の収斂作用によシ波長λ３に対する仮想絞り（２
）の位置に集光され、第２レンズ群（２）によりテレセ
ントリックな平行光束となってウェハ（２）へ向かって
射出する。フレネルゾーンパターン（Ｐ）は後記すると
と〈ウェハ（２）から距離Δだけ離れた位置にフォーカ
ス＊（ｆｉを形成し、このフォーカス偉（Ｐ）は投影対
物レンズｏＯＫよってレティクル（１）上に投影される
。レティクル（１）上には所定のアライメントマークが
設けられており、第１対物レンズ−、ハーフミラ−（至
）、ミラー（２）、第２対物レンズ＠によりＩＴＶ等の
撮儂装置（至）の撮儂面にフォーカス儂（鱒の像とレテ
ィクル（１）上のアライメントマークとが形成される。
２図の平面図に示すごとき同心円状のプレネルゾーンパ
ターン■が形成されており、このフレネルゾーンパター
ン（Ｐ） Ｋ向けてレジストに感光域を持たない波長域
の光、例えばＨｅ−Ｎｅレーザー（λ鵞＝ ６３Ｌ ８
ｎｍ ）等の光源員から比較的長波長の光が投影対物
レンズ（７）を通して供給される。すなわち、光源（２
）からの光束は偏向プリズム（ハ）によりシフトしてコ
ンデンサーレンズ四により集光されハーフミラ−（至）
を透過して、第１対物レンズ−、ミラー（２）を介し【
レティクル（１）を透過し投影対物レンズ（至）の波長
λ鵞に対する入射瞳に集光され、ウェハ（２）上の７レ
ネルゾーンパターン（Ｐｌをテレセントリックに照明す
る。ここで偏向プリズム（２）は光源員をコンデンサー
レンズ四の光軸上に配置するための屯のであり、不可欠
のものではな論。投影対物レンズ（至）Ｋ供給される光
源■からの光λ冨は投影対物レンズａＱ中の第ルンズ群
（１１の収斂作用によシ波長λ３に対する仮想絞り（２
）の位置に集光され、第２レンズ群（２）によりテレセ
ントリックな平行光束となってウェハ（２）へ向かって
射出する。フレネルゾーンパターン（Ｐ）は後記すると
と〈ウェハ（２）から距離Δだけ離れた位置にフォーカ
ス＊（ｆｉを形成し、このフォーカス偉（Ｐ）は投影対
物レンズｏＯＫよってレティクル（１）上に投影される
。レティクル（１）上には所定のアライメントマークが
設けられており、第１対物レンズ−、ハーフミラ−（至
）、ミラー（２）、第２対物レンズ＠によりＩＴＶ等の
撮儂装置（至）の撮儂面にフォーカス儂（鱒の像とレテ
ィクル（１）上のアライメントマークとが形成される。
第１図中にはアライメントに用いられる波長（λ雪）の
照明光が点線で、観察光が実線でそれぞれ示されている
。
照明光が点線で、観察光が実線でそれぞれ示されている
。
第２図の平面図に示したフレネルゾーンパターン（Ｐ）
は＃１！３図の断面図に示すごとく半径式、鳥。
は＃１！３図の断面図に示すごとく半径式、鳥。
−・・・の同心円で形成された輪帯状凸部と凹部が交互
に設けられたものである。このフレネルゾーンパターン
はフレネルゾーンプレートとして知られているように、
回折現象によりレンズと同等の作用を有し、波長λの光
に対する焦点距離をｆとするとき各同心円の半径Ｒｎ
（ｎ ＝ １．λ３．・・・）は賜＝６１− で決定されている０本実施例ではフレネルゾーンパター
ン（Ｐ）を平行光束で照明するため、フォーカス＊（−
とウェハ（２）との距離Δは焦点距離ｆに一致している
。フレネルシー／パターンに照射される光束は平行光束
ではなく収斂性又は発散性の光束であっても通常のレン
ズと同等に扱うことができ照射される光束の状態に応じ
てフォーカス像の位置が変わる。以下では平行光束の照
明光を照射するものとして説明する。尚、フレネルゾー
ンパターンによるフォーカス像は＋１次と一１次との回
折光により２ケ所に形成されること本知られている。そ
して、フレネルゾーンパターンとしては上記の凹凸に限
らず明暗のパターンにより同様の効果を得ることができ
ることはいうまでもない。
に設けられたものである。このフレネルゾーンパターン
はフレネルゾーンプレートとして知られているように、
回折現象によりレンズと同等の作用を有し、波長λの光
に対する焦点距離をｆとするとき各同心円の半径Ｒｎ
（ｎ ＝ １．λ３．・・・）は賜＝６１− で決定されている０本実施例ではフレネルゾーンパター
ン（Ｐ）を平行光束で照明するため、フォーカス＊（−
とウェハ（２）との距離Δは焦点距離ｆに一致している
。フレネルシー／パターンに照射される光束は平行光束
ではなく収斂性又は発散性の光束であっても通常のレン
ズと同等に扱うことができ照射される光束の状態に応じ
てフォーカス像の位置が変わる。以下では平行光束の照
明光を照射するものとして説明する。尚、フレネルゾー
ンパターンによるフォーカス像は＋１次と一１次との回
折光により２ケ所に形成されること本知られている。そ
して、フレネルゾーンパターンとしては上記の凹凸に限
らず明暗のパターンにより同様の効果を得ることができ
ることはいうまでもない。
さて、このような構成においてフレネルシー７パターン
（Ｐｌによるフォーカス像（ＰＩとウェハ（２）との距
離Δ（＝ｆ）が投影対物レンズ（至）の露光光（λ１）
に対するアライメント照明光（λ雪）の縦の色収差量に
一致して匹るため、第４図に示すごとく、露光光（λＩ
）Ｋよってマスク（１）とウェハ（２）とが共役である
と同時に、マスク（１）と７レネルゾーンパターン（Ｐ
）Ｋよるフォーカス像（−とも共役になっている。
（Ｐｌによるフォーカス像（ＰＩとウェハ（２）との距
離Δ（＝ｆ）が投影対物レンズ（至）の露光光（λ１）
に対するアライメント照明光（λ雪）の縦の色収差量に
一致して匹るため、第４図に示すごとく、露光光（λＩ
）Ｋよってマスク（１）とウェハ（２）とが共役である
と同時に、マスク（１）と７レネルゾーンパターン（Ｐ
）Ｋよるフォーカス像（−とも共役になっている。
従って、露光光（λ１）と異なる波長の光（λ鵞）Ｋよ
って投影対物レンズの色収差にかかわらず高精度のアラ
イメントを行うことができる。
って投影対物レンズの色収差にかかわらず高精度のアラ
イメントを行うことができる。
第５図はレティクル（１）上に設けられて偽るアライメ
ントマーク（３１，３λ３３，３４）とウェハ（２）上
に設けられるフレネルゾーンパターン（Ｐｇ、Ｐ意）と
の位置関係を示すために、レティクルとウェハとの平面
図の概略を重複して表わしている。レティクル（１）の
周辺部にはその中心点■即ち投影対物し／ズの光軸位置
に関して互いに直交する位置に２対の直線状アライメン
トマーク（３１，３２）及び（３３，３４）が設けられ
ており、これらに対応してウェハ（２）上に同じく中心
４０１に関して互いに直交する位置で２つのフレネルゾ
ーンパターン（Ｐｔ−Ｐｓ）が１けられている。レティ
クル（１）上の２対のアライメントマークは中心点員を
通る同一直線上に位置しなければどこでも良いが、互い
に直交する位置に設けることがアライメント誤差を最も
小さくでき望ましい。第４図に示し友ごとく、露光光λ
鳳に対してレティクル（１）とウェハ（２）とが共役で
ある九め、ウェハへのｔ初の露光の際に２つの７レネル
ゾーンパターン（Ｐｇ−Ｐｇ）がウェハ（２）上Ｋ１１
ｌ示なき最初の露光用レティクルに形成されたフレネル
ゾーンパターンの投影によシ形成される。そしてその哉
の露光ごとに波長λ３の照明光により各フレネルゾーン
パルーン（Ｐｔ、Ｐｌ）のフォーカス像トレティクル上
のアライメントマーク（３１〜３４）とにより、アライ
メントが繰り返される。すなわち、第６図に示すとと〈
撮健装置（至）による観察視野にお−てレティクル上ピ
形゛成された１対の直線状アライメントマーク（３１，
３２）の像（３１’、３２’）との中央にプレネルゾー
ンパターン（Ｐｌ）Ｋよるフォーカス像（ｆｉｏ６（ｒ
’）が位置すれば、第５図中横方向の位置合せがなされ
る。同様にレティクル上のアライメントマーク（至）と
−との中央に７レネルゾー７パターン（Ｐｇ）Ｋよるフ
ォーカス像が位置すれば縦方向での位置合せが表され、
これら２ケ所での位置合せによりレティクル（１）とウ
ェハ（２）の露光領域とのアライメントが達成される。
ントマーク（３１，３λ３３，３４）とウェハ（２）上
に設けられるフレネルゾーンパターン（Ｐｇ、Ｐ意）と
の位置関係を示すために、レティクルとウェハとの平面
図の概略を重複して表わしている。レティクル（１）の
周辺部にはその中心点■即ち投影対物し／ズの光軸位置
に関して互いに直交する位置に２対の直線状アライメン
トマーク（３１，３２）及び（３３，３４）が設けられ
ており、これらに対応してウェハ（２）上に同じく中心
４０１に関して互いに直交する位置で２つのフレネルゾ
ーンパターン（Ｐｔ−Ｐｓ）が１けられている。レティ
クル（１）上の２対のアライメントマークは中心点員を
通る同一直線上に位置しなければどこでも良いが、互い
に直交する位置に設けることがアライメント誤差を最も
小さくでき望ましい。第４図に示し友ごとく、露光光λ
鳳に対してレティクル（１）とウェハ（２）とが共役で
ある九め、ウェハへのｔ初の露光の際に２つの７レネル
ゾーンパターン（Ｐｇ−Ｐｇ）がウェハ（２）上Ｋ１１
ｌ示なき最初の露光用レティクルに形成されたフレネル
ゾーンパターンの投影によシ形成される。そしてその哉
の露光ごとに波長λ３の照明光により各フレネルゾーン
パルーン（Ｐｔ、Ｐｌ）のフォーカス像トレティクル上
のアライメントマーク（３１〜３４）とにより、アライ
メントが繰り返される。すなわち、第６図に示すとと〈
撮健装置（至）による観察視野にお−てレティクル上ピ
形゛成された１対の直線状アライメントマーク（３１，
３２）の像（３１’、３２’）との中央にプレネルゾー
ンパターン（Ｐｌ）Ｋよるフォーカス像（ｆｉｏ６（ｒ
’）が位置すれば、第５図中横方向の位置合せがなされ
る。同様にレティクル上のアライメントマーク（至）と
−との中央に７レネルゾー７パターン（Ｐｇ）Ｋよるフ
ォーカス像が位置すれば縦方向での位置合せが表され、
これら２ケ所での位置合せによりレティクル（１）とウ
ェハ（２）の露光領域とのアライメントが達成される。
上記実施例ではウェハ上に設けるフレネルゾーンパター
ン（Ｐ）を第２図に示したごとぐ同心円形状としたが、
これに限らず、第７図の平面図に示すごとく、直線状の
７レネルゾーンパターン（Ｐ′）とすることも可能であ
る。この場合のフォーカス像は１本の直線状Ｋｅす、レ
ティクル上の１対の直線状アライメントマークで挾み込
むことＫよって同様に正確な゛アライメントを行危うこ
とができる。
ン（Ｐ）を第２図に示したごとぐ同心円形状としたが、
これに限らず、第７図の平面図に示すごとく、直線状の
７レネルゾーンパターン（Ｐ′）とすることも可能であ
る。この場合のフォーカス像は１本の直線状Ｋｅす、レ
ティクル上の１対の直線状アライメントマークで挾み込
むことＫよって同様に正確な゛アライメントを行危うこ
とができる。
以上のごとき本発明による装置では、レジストに感光す
る波長域外の光によりアライメントが可能である九め、
焼付露光領域とアライメン）Ｋ用いる領域とを明確に区
別する必要がなく、１＋各回の露光時に際してフレネル
ゾーンパターンを露光しない限り毎回これによるフォー
カス像によってアライメントを行なうことができる。し
かも、投影対物レンズの色収差量だけフレネルゾーンパ
ターンのフォーカス像をウェハから変位させる構成、実
施例では色収差量だけの焦点距離を有する′フレネルゾ
ーンパターンを形成することとしたため、フレネルゾー
ンパターンによるフォーカス像をウェハのアライメント
マークとしてアライメントを行なうことができ、あたか
も露光波長とアライメント光の波長との両者に対して収
差補正され九投影対物レンズを用いているごとく扱うこ
とができる。従って、投影対物レンズを通してのいわゆ
るＴＴＬアライメントを露光波長と同一波長の光線で行
なう場合と実質的に同等の優れた位置合せ精度を得るこ
とができ、特に縮小投影源の露光装置におりて効果が著
しい。さらに、アライメント光としてＨｅ−Ｎｅレーザ
ー等長波長領域の非常に高強度の光源を使用することが
できるため、８Ｎ比の高いアライメント信号を得ること
ができ、オートアライメントにも極めて有効である。
る波長域外の光によりアライメントが可能である九め、
焼付露光領域とアライメン）Ｋ用いる領域とを明確に区
別する必要がなく、１＋各回の露光時に際してフレネル
ゾーンパターンを露光しない限り毎回これによるフォー
カス像によってアライメントを行なうことができる。し
かも、投影対物レンズの色収差量だけフレネルゾーンパ
ターンのフォーカス像をウェハから変位させる構成、実
施例では色収差量だけの焦点距離を有する′フレネルゾ
ーンパターンを形成することとしたため、フレネルゾー
ンパターンによるフォーカス像をウェハのアライメント
マークとしてアライメントを行なうことができ、あたか
も露光波長とアライメント光の波長との両者に対して収
差補正され九投影対物レンズを用いているごとく扱うこ
とができる。従って、投影対物レンズを通してのいわゆ
るＴＴＬアライメントを露光波長と同一波長の光線で行
なう場合と実質的に同等の優れた位置合せ精度を得るこ
とができ、特に縮小投影源の露光装置におりて効果が著
しい。さらに、アライメント光としてＨｅ−Ｎｅレーザ
ー等長波長領域の非常に高強度の光源を使用することが
できるため、８Ｎ比の高いアライメント信号を得ること
ができ、オートアライメントにも極めて有効である。
第１図は本発明による一実施例のアライメント光学系の
概略光路図、第２図はウェハ上に形成されるフレネルゾ
ーンパターンの一例を示す平面図、第３図はその断面図
、第４図は投影対物レンズについての共役関係を示す光
路図、第５図はレティクルとウェハとを重複して示した
平面図、−第６図はアライメント光学系により観察され
る儂の例を示す視野図、第７図はフレネルゾーンパター
ンの他の例を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・レティクル、２・・・ウェハ、ｌＯ・・・投影
対物レンズ、 ２０・・・光源、２８・・・撮倫装置、
Ｐ・・・フレネルゾ一ンパターン
概略光路図、第２図はウェハ上に形成されるフレネルゾ
ーンパターンの一例を示す平面図、第３図はその断面図
、第４図は投影対物レンズについての共役関係を示す光
路図、第５図はレティクルとウェハとを重複して示した
平面図、−第６図はアライメント光学系により観察され
る儂の例を示す視野図、第７図はフレネルゾーンパター
ンの他の例を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・レティクル、２・・・ウェハ、ｌＯ・・・投影
対物レンズ、 ２０・・・光源、２８・・・撮倫装置、
Ｐ・・・フレネルゾ一ンパターン
Claims (1)
- 投影対物レンズにより所定の第１波長光でレティクル上
のパターンをウェハ上に投影し、皺第１波長光と異なる
第２波長光によって前記投影対物レンズを通して皺レテ
ィクルとウェハとの位置合せを行なう投影型露光装置に
おいて、該ウェハ上にフレネルゾーンパターンを、酸フ
レネルゾーンパターンによる前記第２波長光のフォーカ
ス儂と骸ウェハとの距離が前記投影対物レンズにおける
前記第１波長光に対する第２波長光の縦の色収差量に一
致するよう形成するとともに、誼ウェハ上のフレネルゾ
ーンパターンに向けて前記第２波長光を前記投影対物レ
ンズを通して供給する照明光学系と、前記第２波長光に
より前記投影対物レンズによって、前記レティクル上に
投影される前記フレネルゾーンパターンのフォーカス儂
ト諌しティクル上の所定のアライメントマークとを観察
する観察光学系とを設けたことを特徴とする投影型露光
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214795A JPS58112330A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 投影型露光装置 |
| US06/451,394 US4498762A (en) | 1981-12-25 | 1982-12-20 | Projection type exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56214795A JPS58112330A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 投影型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112330A true JPS58112330A (ja) | 1983-07-04 |
| JPH0245324B2 JPH0245324B2 (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=16661648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56214795A Granted JPS58112330A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 投影型露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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Also Published As
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| US4498762A (en) | 1985-02-12 |
| JPH0245324B2 (ja) | 1990-10-09 |
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