JPH06117831A - 収差計測方法 - Google Patents

収差計測方法

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JPH06117831A
JPH06117831A JP26466092A JP26466092A JPH06117831A JP H06117831 A JPH06117831 A JP H06117831A JP 26466092 A JP26466092 A JP 26466092A JP 26466092 A JP26466092 A JP 26466092A JP H06117831 A JPH06117831 A JP H06117831A
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茂 蛭川
Shinjiro Kondo
信二郎 近藤
Kyoichi Suwa
恭一 諏訪
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 投影露光装置の投影光学系の非対称収差を短
時間に自己計測する。 【構成】 ウエハ11上のショット領域34−1,34
−2にフォーカス位置を固定して、主尺マーク像28X
P,30XPを露光した後に、ショット領域34−1,
34−2でそれぞれフォーカス位置を変えて副尺マーク
像32XPを露光する。主尺マーク像28XP,30X
Pと副尺マーク像32XPとの位置ずれ量Δx1をフォ
ーカス位置Fの関数で近似し、この関数中のフォーカス
位置Fについて対称な成分の係数を求める。予め算出し
てあった係数とコマ収差量との関係より、コマ収差量を
求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、液
晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で
製造する際に使用される投影露光装置において、投影光
学系のコマ収差等の非対称収差を求める場合に適用して
好適な収差計測方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体素子、液晶表示素子又は薄
膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称す
る)のパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に
結像する投影露光装置が使用されている。斯かる投影露
光装置において、レチクルのパターンの像を高精度に感
光基板上に結像して露光するためには、投影光学系の諸
収差をできるだけ抑制する必要がある。
【0003】そのような投影光学系の諸収差の内で、コ
マ収差等の非対称収差の検査を行う場合、従来は実際に
例えばレジストが塗布されたウエハ上にライン・アンド
・スペースパターン等の検査用のパターンを焼き付けて
いた。そして、そのウエハの現像処理により形成される
検査用のパターンのレジスト像の非対称量を走査型電子
顕微鏡(SEM)等を用いて計測し、この計測結果より
投影光学系のコマ収差量等を算出していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の計
測方法においては、実際にウエハ上に検査用のパターン
を露光して現像処理を施すことにより、ウエハ上にレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンの形状を
投影露光装置とは別の高精度な計測装置で計測してい
た。しかしながら、このようにレジストパターンを別の
高精度な計測装置で計測するのでは、全体の計測システ
ムが複雑且つ高価になると共に、収差の計測に時間がか
かり過ぎるという不都合があった。
【0005】また、投影光学系の非対称収差の特性を計
測するためには、投影光学系の露光フィールド内での計
測点の個数をできるだけ多くするのが望ましいが、従来
のように計測に長い時間がかかるのでは、計測点を多く
するのが困難であった。本発明は斯かる点に鑑み、投影
露光装置の投影光学系の非対称収差を投影露光装置自体
で短時間に計測できる収差計測方法を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の収差
計測方法は、例えば図1〜図3に示すように、マスクパ
ターン(8)を照明する照明光学系(1,3,6)と、
マスクパターン(8)の像を感光基板(11)上に投影
する投影光学系(9)と、感光基板(11)を保持して
感光基板(11)を投影光学系(9)の光軸に垂直な面
内及び投影光学系(9)の光軸方向で位置決めするステ
ージ(10)とを有する投影露光装置の投影光学系(1
0)の非対称収差の計測方法において、感光基板(1
1)の投影光学系(9)の光軸方向の位置であるフォー
カス位置を一定にして、マスクパターン(8)としての
第1の計測パターン(26−1)の像を感光基板(1
1)上の複数のショット領域(34−1,34−2)に
投影する第1工程を有する。
【0007】更に、本発明は、感光基板(11)の投影
光学系(9)の光軸方向の位置であるフォーカス位置を
変えて、マスクパターン(8)としての第2の計測パタ
ーン(27−1)の像を感光基板(11)上の複数のシ
ョット領域(34−1,34−2)に投影する第2工程
と、第1の計測パターン(26−1)の像とそれら各フ
ォーカス位置で投影された第2の計測パターン(27−
1)の像との位置ずれ量を求める第3工程と、この位置
ずれ量を、そのフォーカス位置の関数で近似する第4工
程とを有し、この関数のそのフォーカス位置に関して対
称な成分から、投影光学系(9)の第1の計測パターン
(26−1)及び第2の計測パターン(27−1)が投
影された位置での非対称収差を求めるものである。
【0008】また、本発明の第2の収差計測方法は、例
えば図1及び図6に示すように、マスク(7)上のパタ
ーンを露光光で照明する照明光学系(1,3,6)と、
そのパターンの像を感光基板(11)上に投影する投影
光学系(9)と、感光基板(11)を保持して感光基板
(11)を投影光学系(9)の光軸に垂直な面内及び投
影光学系(9)の光軸方向で位置決めするステージ(1
0)とを有する投影露光装置の投影光学系(9)の非対
称収差の計測方法において、マスク(7)として計測マ
ーク(37−1)が形成されたマスク(7B)を使用
し、ステージ(10)上に計測マーク(37−1)とほ
ぼ共役な形状の基準マーク(19X,19Y)が形成さ
れると共に底部からその露光光と同じ波長の照明光で照
明される基準マーク板(18)を配置した状態で、基準
マーク板(18)の投影光学系(9)の光軸方向の位置
であるフォーカス位置を一定にして、基準マーク板(1
8)を投影光学系(9)の光軸に垂直な面内で走査し
て、計測マーク(37−1)の基準マーク板(18)上
での共役像の位置を検出する第1工程を有する。
【0009】更に、本発明は、この第1工程でのフォー
カス位置とはそれぞれ異なる複数のフォーカス位置にお
いて、基準マーク板(18)を投影光学系(9)の光軸
に垂直な面内で走査して、計測マーク(37−1)の基
準マーク板(18)上での共役像の位置を検出する第2
工程と、それら第1工程及び第2工程において検出され
た計測マーク(37−1)の共役像の位置をそれぞれそ
のフォーカス位置の関数で近似する第3工程とを有し、
この関数のそのフォーカス位置に関して対称な成分か
ら、投影光学系(9)の計測マーク(37−1)が投影
された位置での非対称収差を求めるものである。
【0010】
【作用】斯かる本発明の収差計測方法の原理につき説明
する。先ず例えば感光基板(11)側のテレセントリッ
ク性が正しくない場合、ステージ(10)を駆動して感
光基板(11)の投影光学系(9)の光軸方向の位置で
あるフォーカス位置を変えて、感光基板(11)上にマ
スクパターンの像を露光すると、そのフォーカス位置に
比例してそのマスクパターン像の位置は変化する。
【0011】これに対して、投影光学系(9)による投
影像が、例えば図3(b)に示すようなX方向に所定ピ
ッチの格子状のパターン像(32XP)であるとして、
投影光学系(9)にX方向のコマ収差等の非対称収差が
存在すると、そのパターン像(32XP)の位置は、感
光基板(11)がベストフォーカス位置から遠ざかるに
つれて、デフォーカス方向に関係なく、非対称収差の方
向とは逆の側に移動していくことが分かっている。そこ
で、そのパターン像(32XP)の位置をTxとして、
一例としてその位置Txをフォーカス位置Fの2次関数
T1(F)で表すと、係数a,b,cを用いて次のよう
になる。 Tx=T1(F)=aF2 +bF+c
【0012】その他に、例えばベストフォーカス位置を
中心とした所定範囲の領域内で、その位置Txをフォー
カス位置Fの余弦関数を含んだ関数T2(F)で表す
と、係数α,β,γ,δを用いて次のようになる。 Tx=T2(F)=αcos(βF)+γF+δ この他にも、その位置Txはフォーカス位置Fの種々の
形の関数として表すことができる。そして、例えば関数
T1(F)の中でフォーカス位置Fに関して対称な成分
を示す係数a又は関数T2(F)の中でフォーカス位置
Fに関して対称な成分を示す係数αが、それぞれ非対称
収差の量を表すことになる。従って、投影光学系(9)
による投影されるパターン像(32XP)の位置Txを
フォーカス位置の関数として表し、予めフォーカス位置
Fに関して対称な成分を示す係数a又は係数α等と、非
対称収差の量との関係を求めておくことにより、逆にそ
れら係数a又は係数α等の値から非対称収差の量を求め
ることができる。
【0013】そのような関数T1(F)又はT2(F)
等を求めるには、フォーカス位置を変えて投影光学系
(9)によるパターン像(32XP)の位置を計測すれ
ばよいが、その計測方法には以下の2通りの方法があ
る。即ち、本発明の第1の収差計測方法では、先ずフォ
ーカス位置を一定にして第1の計測パターン(26−
1)の像を感光基板(11)上に露光し、次にフォーカ
ス位置を変えながら第2の計測パターン(27−1)の
像を露光する。そして、第1の計測パターン(26−
1)の像の位置を基準として、第2の計測パターン(2
7−1)の像の位置を計測することにより、投影光学系
(9)により投影されるパターン像の位置をフォーカス
位置の関数として求めることができる。この場合、その
第1の計測パターン(26−1)の像の位置を基準とし
て第2の計測パターン(27−1)の像の位置を計測す
ることは、特に高精度な走査型電子顕微鏡等を使用する
ことなく、投影露光装置に備えられているアライメント
系等を用いて実行することができる。
【0014】また、本発明の第2の収差計測方法では、
それぞれ異なる種々のフォーカス位置において、基準マ
ーク板(18)を投影光学系(9)の光軸に垂直な面内
で走査して、計測マーク(37−1)の基準マーク板
(18)上での共役像の位置を検出することにより、投
影光学系(9)により投影されるパターン像の位置がフ
ォーカス位置の関数として求められる。従って、感光基
板(11)に対する露光を行うことなく、且つ別の高精
度な計測装置を用いることなく、迅速にそのパターン像
の位置をフォーカス位置の関数として求めることができ
る。
【0015】
【実施例】以下、本発明による収差計測方法の一実施例
につき図1〜図5を参照して説明する。本実施例は、投
影露光装置において投影光学系のコマ収差を計測する場
合に本発明を適用したものである。
【0016】図1は本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図1において、1は露光光用の光源である。光源1と
しては、高圧水銀灯又はエキシマレーザー光源等が使用
できる。光源1から射出された露光光はミラー2で反射
された後に、図示省略されたインプットレンズを経てフ
ライアイレンズ3に入射する。フライアイレンズ3の後
側(レチクル側)焦点面には多数の2次光源が形成さ
れ、これら2次光源から射出された露光光は、ビームス
プリッター4、ミラー5及びコンデンサーレンズ6を経
てレチクル7を均一な照度で照明する。図示省略する
も、フライアイレンズ3とコンデンサーレンズ6との間
にはリレー光学系及びレチクル7と共役な投影式レチク
ルブラインドが配置され、この投影式レチクルブライン
ドによりレチクル7上の照明領域が設定される。
【0017】露光光のもとで、レチクル7のパターン形
成面に形成されたパターン8の像が、投影光学系9を介
してウエハステージ10上に載置されたウエハ11の露
光面上に1/5倍に縮小して転写される。ウエハ11の
露光面にはレジストが塗布されている。また、照明光学
系中のフライアイレンズ3の後側焦点面は投影光学系9
の瞳面とほぼ共役である。ウエハステージ10は、投影
光学系9の光軸に垂直な面内の任意の位置にウエハ11
を位置決めするXYステージ及び投影光学系9の光軸に
平行な方向でウエハ11の露光面の位置、即ちフォーカ
ス位置を設定するZステージ等より構成されている。ま
た、投影光学系9の光軸に垂直な平面の直交座標をX軸
及びY軸で表し、ウエハステージ10上にX方向及びY
方向に垂直な反射面を有する移動鏡12を設け、この移
動鏡12にレーザ干渉計13から直交する2本のレーザ
ビームを照射することにより、レーザ干渉計13でウエ
ハステージ10のX座標及びY座標を常時計測する。
【0018】また、本実施例ではウエハ21の露光面の
フォーカス位置又は後述の基準マーク板18の表面のフ
ォーカス位置を検出するためのオートフォーカス系が設
けられている。オートフォーカス系は、ウエハ11の露
光面に例えばスリット状の検出パターンの像を、投影光
学系9の光軸に対して斜めに投影する送光系14aと、
その露光面からの反射光を受光してその検出パターンの
像を再結像する受光系14bとより構成されている。ウ
エハ11の露光面のフォーカス位置が変化すると、その
再結像される検出パターンの像の位置が変化することか
ら、フォーカス位置の変化を検出することができる。受
光系14bには、その再結像された検出パターンの位置
に応じて変化するフォーカス信号を生成する光電検出器
が組み込まれ、そのフォーカス信号が所定のレベルに維
持されるようにウエハステージ10中のZステージを駆
動することにより、ウエハ11の露光面又は基準マーク
板18のマーク形成面のフォーカス位置を所定の位置に
維持することができる。
【0019】15はオフ・アクシス方式のウエハアライ
メント系を示し、このウエハアライメント系15はウエ
ハ11の各ショット領域の近傍に形成されたアライメン
トマークを検出する。この場合、ウエハアライメント系
15の検出中心とレチクル7の中心の共役像との間の間
隔、即ち所謂ベースライン量を求めておくことにより、
ウエハアライメント系15で計測したアライメントマー
クの位置に基づいてウエハ11の各ショット領域のアラ
イメントを正確に行うことができる。更に、ウエハアラ
イメント系15は、例えばウエハ11の現像により形成
される凹凸のレジストパターン等の種々のマークの検出
をも行うことができる。
【0020】16はレーザステップアライメント(以
下、「LSA」という)方式のアライメント系を示し、
アライメント系16から射出されたレーザビームがミラ
ー17及び投影光学系9を経てウエハ11上に照射さ
れ、ウエハ11上に例えばスリット状のビームスポット
が形成される。このビームスポットからの反射光が、投
影光学系9及びミラー17を経てアライメント系16に
戻る。そして、アライメント系16からのビームスポッ
トがウエハ11上に照射されている状態で、ウエハステ
ージ10を駆動してウエハ11とそのビームスポットと
を相対的に走査すると、そのビームスポットとウエハ1
1上の所定の計測用のパターンとが合致したときに所定
の方向に強い回折光等の反射光が生ずる。この反射光を
アライメント系16で検出することにより、ウエハ11
上のその所定の計測用のパターンの座標を検出すること
ができる。
【0021】また、ウエハステージ10上のウエハ11
の近くには所定の基準マーク19が形成された基準マー
ク板18を取り付ける。更に、フライアイレンズ3の後
側のビームスプリッター4で投影光学系9からの光を反
射した方向で、且つ投影光学系9の瞳面と共役な位置に
光電変換素子20を配置する。そして、基準マーク板1
8が投影光学系9の露光フィールド内にある状態で、光
源1からの露光光をミラー21及び集光レンズ22を介
してライトガイド23の一端に集束し、ライトガイド2
3の他端から射出される露光光を、集光レンズ24及び
ミラー25を介して基準マーク板18の底部に導く。
【0022】基準マーク板18の基準マーク19は、そ
の露光光により照明され、基準マーク19を透過した露
光光は投影光学系9、レチクル7のパターン8、コンデ
ンサーレンズ6、ミラー5及びビームスプリッター4を
経て光電変換素子20の受光面に入射する。光電変換素
子20からは、レチクル7のパターン8の共役像と基準
マーク19との重なりの状態に応じた検出信号が出力さ
れる。この検出信号でレーザ干渉形13の計測値を保持
することにより、基準マーク19とレチクル7上の所定
の計測マーク等の共役像とが合致するときのウエハステ
ージ10の座標を求めることができる。なお、図1の基
準マーク板18は本実施例では使用しない。
【0023】次に、本実施例で投影光学系9のコマ収差
を求める場合の動作の一例につき説明する。図2(a)
は本例で使用されるレチクル7Aのパターンを示し、こ
の図2(a)において、レチクル7Aのパターン形成面
の9箇所の計測位置に同一の主尺マーク26−1,26
−2,‥‥,26−9を形成し、各主尺マークの中心か
らX方向にdx及びY方向にdyずれた位置にそれぞれ
中心が位置するように同一の副尺マーク27−1,27
−2,‥‥,27−9を形成する。主尺マーク26−1
は、図2(b)に示すように、遮光部29Xを挟んで、
それぞれX方向に6μm幅の遮光部と透過部とを交互に
並べてなるライン・アンド・スペースパターン(以下、
「L/Sパターン」という)28X及び30Xを配置し
たX方向用のマークと、遮光部29Yを挟んで、それぞ
れY方向に6μm幅の遮光部と透過部とを交互に並べて
なるL/Sパターン28Y及び30Yを配置したY方向
用のマークとから構成する。
【0024】また、副尺マーク27−1は、X方向に6
μm幅のL/Sパターン32Xを挟んで遮光部31X及
び33Xを配置したX方向用のマークと、Y方向に6μ
m幅のL/Sパターン32Yを挟んで遮光部31Y及び
33Yを配置したY方向用のマークとから構成する。こ
の場合、主尺マーク26−1をX方向にdx且つY方向
にdyだけずらしたときに、遮光部29X及び29Yが
それぞれ副尺マーク27−1のL/Sパターン32X及
び32Yに重なると共に、L/Sパターン28X,30
X,28Y及び30Yがそれぞれ副尺マーク27−1の
遮光部31X,33X,31Y及び33Yに重なるよう
にする。
【0025】次に、図2(a)のレチクル7Aを図1の
レチクル7として装着し、以下の工程により投影光学系
9の非対称収差の計測を行う。 [第1工程]ウエハ11の露光面の投影光学系9の光軸
方向の位置、即ちフォーカス位置を投影光学系9のベス
トフォーカス面の位置(ベストフォーカス位置)又はそ
の近傍の位置に設定する。この状態でウエハステージ1
0を駆動して、ウエハ11の露光面の多数のショット領
域に、それぞれ図2(a)のレチクル7Aの主尺マーク
26−1〜26−9の像を露光する。これにより、図3
(a)に示すように、ショット領域34−1の計測領域
35−1〜35−9、ショット領域34−2の計測領域
36−1〜36−9及び他のショット領域の各計測領域
にそれぞれ主尺マーク26−1〜26−9の像が露光さ
れる。計測領域35−1〜35−9のショット領域内で
の相対位置と、計測領域36−1〜36−9のショット
領域内での相対位置とはそれぞれ同一である。
【0026】[第2工程]図3(a)のウエハ11上の
ショット領域34−1,34−2及び他のショット領域
に、それぞれフォーカス位置を変えながら図2(a)の
副尺マーク27−1〜27−9の像を露光する。フォー
カス位置は、ベストフォーカス位置を中心として−3μ
mから+3μmまでの間で、0.5μm間隔で変化させ
る。また、各ショット領域への露光を行う際に、ウエハ
11の位置をX方向にdx/5、Y方向にdy/5だけ
ずらして露光を行う。これにより、図3(a)のウエハ
11上のショット領域34−1の計測領域35−1〜3
5−9、ショット領域34−2の計測領域36−1〜3
6−9及び他のショット領域の各計測領域に、それぞれ
図2(a)の副尺マーク27−1〜27−9の像が重ね
て露光される。
【0027】図3(b)は、図3(a)の計測領域35
−1に2重露光により投影された像を示し、この図3
(b)において、図2(b)の主尺パターン26−1の
L/Sパターン28Xの像28XPとL/Sパターン3
0Xの像30XPとの間に、副尺パターン27−1のL
/Sパターン32Xの像32XPが露光されている。同
様に、主尺パターン26−1のL/Sパターン28Yの
像28YPとL/Sパターン30Yの像30YPとの間
に、副尺パターン27−1のL/Sパターン32Yの像
32YPが露光されている。この場合、投影光学系9の
コマ収差及びテレセントリック性の崩れ等により、副尺
パターンのL/Sパターン像32XPのX方向の中心位
置は、主尺パターンのL/Sパターン像28XP及び3
0XPのX方向の中心位置からΔx1だけずれている。
また、副尺パターンのL/Sパターン像32YPのY方
向の中心位置は、主尺パターンのL/Sパターン像28
YP及び30YPのY方向の中心位置からΔy1だけず
れている。
【0028】また、図3(a)の他の計測領域35−2
〜35−9においても、副尺パターンの像は主尺パター
ンの像に対してX方向及びY方向にずれている。同様
に、隣のショット領域34−2の計測領域36−1〜3
6−9及び他のショット領域の計測領域においても、投
影光学系9のコマ収差及びテレセントリック性の崩れ等
に応じて、副尺パターンの像はそれぞれ主尺パターンの
像に対してX方向及びY方向にずれている。
【0029】[第3工程]2重露光されたウエハ11を
現像し、ウエハ11上に形成されたレジストパターンの
位置を図1のウエハアライメント系15で計測する。例
えば図3(a)のショット領域34−1の第1の計測領
域35−1、ショット領域34−2の第1の計測領域3
6−1及び他のショット領域の第1の計測領域におい
て、それぞれ副尺パターンの像の主尺パターンの像から
のX方向のずれ量である相対位置差Pxを計測する。ま
た、第1の計測領域35−1、第1の計測領域36−1
及び他のショット領域の第1の計測領域において、それ
ぞれ副尺パターンの像の主尺パターンの像からのY方向
のずれ量である相対位置差Pyを計測する。同様に、他
の計測領域においても、各フォーカス位置での副尺パタ
ーンの像と主尺パターンの像とのX方向の相対位置差P
x及びY方向の相対位置差Pyを計測する。
【0030】[第4工程]例えば第1の計測領域35−
1、第1の計測領域36−1及び他のショット領域の第
1の計測領域において計測されたX方向の相対位置差P
xを、フォーカス位置Fに対してプロットすると、図4
に示すような2次曲線的な曲線が得られる。そこで、係
数a,b,cで表されるフォーカス位置Fの2次関数P
1(F)を想定して、例えば最小自乗法により、次のよ
うにその相対位置差Pxを最も良く近似するときの係数
a,b及びcを求める。
【数1】Px=P1(F)=aF2 +bF+c
【0031】この場合、予め計算により、その2次関数
P1(F)の自乗項の係数aと、計測領域35−1にお
ける投影光学系9のX方向のコマ収差量との関係を求め
ておく。その関係は例えば図5のようになる。従って、
この関係にその近似により得られた係数aを当てはめる
ことにより、計測領域35−1における投影光学系9の
X方向のコマ収差量を求めることができる。また、計測
領域35−1,36−1,‥‥において計測されたY方
向の相対位置差Pyを、フォーカス位置Fの2次関数で
近似した場合の自乗項の係数と、予め求めておいたコマ
収差量との関係より、その計測領域35−1における投
影光学系9のY方向のコマ収差量を求めることができ
る。同様に、相対位置差と予め求めておいた関係とよ
り、図3(a)の他の計測領域35−2〜35−9にお
ける投影光学系9のX方向及びY方向のコマ収差量を求
めることができる。
【0032】このように、本例によれば、ウエハ11上
の主尺パターンの像の位置と副尺パターンの像の位置と
の相対位置差をウエハアライメント系15で計測するこ
とにより、走査型電子顕微鏡(SEM)等の他の高精度
な計測装置を使用することなく、迅速に投影光学系9の
多数の計測領域でのX方向及びY方向のコマ収差量を求
めることができる。従って、図3(a)に示す計測領域
35−1〜35−9の個数を増加させた場合でも、比較
的短時間に投影光学系9の各計測領域でのコマ収差量を
求めることができる。
【0033】また、本例では2次関数P1(F)の自乗
項の係数a、即ちフォーカス位置Fに関して対称な成分
のみから、コマ収差量を求めているため、2次関数P1
(F)の定数項の係数cの値にはコマ収差量の計測結果
は影響されない。従って、図2(a)の主尺パターン2
6−1〜26−9の露光時に、ウエハ11の露光面がベ
ストフォーカス位置から例えば0.5μm程度ずれるこ
とにより係数cの値が変化しても、コマ収差の方向や大
きさの計測結果にはほとんど影響がない。
【0034】なお、上述実施例では、ウエハ11上のレ
ジストに2重露光した後に現像処理を施しているが、潜
像の段階でも像の位置が検出できる感光材(例えば熱可
塑性樹脂等)を使用することにより、その現像処理工程
を省くことができる。また、レチクル7A上に形成され
る計測用マークは、図2(b)の主尺マーク26−1及
び副尺マーク27−1に限定されるものではなく、要は
主尺マークの像と副尺マークの像との相対的な位置関係
が求められるものであればよい。更に、例えば図2
(a)の1組の主尺マーク26−1及び副尺マーク27
−1の形成領域に主尺マーク及び副尺マークを多数組形
成し、各組において計測した副尺マークの像と主尺マー
クの像との相対位置差を平均した結果を、その計測領域
での相対位置差とすることにより、2重露光時のウエハ
ステージ10のステッピング誤差の影響を小さくするこ
とができる。
【0035】次に、本発明の他の実施例につき図1及び
図6〜図8を参照して説明する。本実施例も図1の投影
露光装置に適用されるものである。図6(a)は本例で
使用されるレチクル7Bのパターンを示し、この図6
(a)において、レチクル7Bのパターン形成面の9箇
所の計測位置に同一のX方向用計測マーク37−1,3
7−2,‥‥,37−9を形成し、各X方向用計測マー
クの近傍に同一のY方向用計測マーク38−1,38−
2,‥‥,38−9を形成する。X方向用計測マーク3
7−1は、X方向に5μm幅の遮光部と透過部とを交互
に並べてなるL/Sパターンより形成し、Y方向用計測
マーク38−1は、Y方向に5μm幅の遮光部と透過部
とを交互に並べてなるL/Sパターンより形成する。
【0036】図6(b)は図1の基準マーク板18上に
形成されたパターンを示し、この図6(b)において、
基準マーク板18上には、X方向に1μm幅のL/Sパ
ターンよりなるX方向用基準マーク19X及びY方向に
1μm幅のL/SパターンよりなるY方向用基準マーク
19Yを形成する。従って、レチクル7B上のX方向用
計測マーク37−1〜37−9とX方向用基準マーク1
9Xとは投影光学系9に関して共役であり、レチクル7
B上のY方向用計測マーク38−1〜38−9とY方向
用基準マーク19Yとは投影光学系9に関して共役であ
る。
【0037】次に、本実施例で投影光学系9のコマ収差
を求める場合の動作の一例につき説明する。この場合、
図6(a)のレチクル7Bを図1のレチクル7として装
着し、以下の工程により投影光学系9のコマ収差の計測
を行う。 [第1工程]図1の基準マーク板18のマーク形成面の
投影光学系9の光軸方向の位置であるフォーカス位置
を、ベストフォーカス位置から−1.5μmの位置に設
定する。基準マーク板18のフォーカス位置は、オート
フォーカス系の送光系14a及び受光系14bにより検
出することができる。その後、図1のライトガイド23
を介して基準マーク板18の底部側から基準マーク19
X及び19Yを露光光で照明した状態で、基準マーク板
18を投影光学系9の露光フィールド内でX方向及びY
方向に走査する。
【0038】この場合、基準マーク板18のX方向用基
準マーク19Xが、レチクル7BのX方向用計測マーク
37−1〜37−9の共役像とX方向に合致すると光電
変換素子20の検出信号が最大になることから、その検
出信号のピークでレーザ干渉計13の計測座標をサンプ
ルすることにより、X方向用計測マーク37−1〜37
−9の共役像のX方向の位置を検出する。同様に、基準
マーク板18のY方向用基準マーク19Yが、レチクル
7BのX方向用計測マーク38−1〜38−9の共役像
とY方向に合致すると光電変換素子20の検出信号が最
大になることから、Y方向用計測マーク38−1〜38
−9の共役像のY方向の位置を検出する。
【0039】[第2工程]基準マーク板18のフォーカ
ス位置を、ベストフォーカス位置から−1.5μmの位
置から、0.5μm間隔で次第にベストフォーカス位置
から+1.5μmの位置まで変化させる。そして、各フ
ォーカス位置で上記の第1工程を繰り返して、それぞれ
レチクル7BのX方向用計測マーク37−1〜37−9
の共役像のX方向の位置、及びY方向用計測マーク38
−1〜38−9の共役像のY方向の位置を検出する。
【0040】[第3工程]例えば図6(a)のX方向用
計測マーク37−1の投影光学系9による共役像の計測
されたX方向の位置と、その共役像の投影光学系9に収
差が無い場合の設計上のX方向の位置との差を相対位置
差Qxとして、この相対位置差Qxを、フォーカス位置
Fに対してプロットすると、図7に示すような2次曲線
的な曲線が得られる。そこで、係数d,e,fで表され
るフォーカス位置Fの2次関数Q1(F)を想定して、
例えば最小自乗法により、次のようにその相対位置差Q
xを最も良く近似するときの係数d,e及びfを求め
る。
【数2】Qx=Q1(F)=dF2 +eF+f
【0041】この場合、予め計算により、その2次関数
Q1(F)の自乗項の係数dと、X方向用計測マーク3
7−1の投影領域における投影光学系9のX方向のコマ
収差量との関係を求めておく。その関係は例えば図8の
ようになる。従って、この関係にその係数dを当てはめ
ることにより、その投影領域における投影光学系9のX
方向のコマ収差量を求めることができる。また、Y方向
用基準マーク38−1の共役像のY方向の相対位置差Q
yを、フォーカス位置Fの2次関数で近似した場合の自
乗項の係数と、予め求めておいたコマ収差量との関係よ
り、そのY方向用計測マーク38−1の投影領域におけ
る投影光学系9のY方向のコマ収差量を求めることがで
きる。同様に、相対位置差と予め求めておいた関係とよ
り、図6(a)の他のX方向用計測マーク37−2〜3
7−9及びY方向用計測マーク38−1〜38−9のそ
れぞれの投影領域における投影光学系9のX方向及びY
方向のコマ収差量を求めることができる。
【0042】このように、本例によれば、ウエハ11に
対する露光を行うことなく、基準マーク板18を投影光
学系9の露光フィールド内でX方向及びY方向に走査す
るだけで、極めて迅速に投影光学系9の多数の計測領域
でのX方向及びY方向のコマ収差量を求めることができ
る。また、現像プロセスの影響を受けないために、計測
再現性が向上している。
【0043】なお、基準マーク板18上に形成する基準
マーク19X,19Y及びレチクル7B上に形成する計
測マーク37−1,38−1はそれぞれL/Sパターン
に限定されるものではない。例えば計測マーク37−
1,38−1を1個の十字型のマークで代用した場合に
は、基準マーク19X,19Yも1個の十字型のマーク
で代用することができる。
【0044】また、上述の2個の実施例においては、相
対位置差Px又はQxをそれぞれフォーカス位置Fの2
次関数で近似していたが、例えばそれら相対位置差Px
又はQxをそれぞれフォーカス位置Fの余弦であるα・
cos(βF)(α、βは係数)を含む関数で近似して
もよい。これを一般化すると、フォーカス位置Fをベス
トフォーカス位置を原点として表した場合、f(F)=
f(−F)となるようなフォーカス位置Fに関して対称
な任意の関数fを含む形でそれら相対位置差Px又はQ
xを近似する。そして、その関数fの係数を求め、予め
求めてあるその関数fの係数とコマ収差量との関係にそ
の近似により得られた係数を当てはめることにより、迅
速にコマ収差量を求めることができる。
【0045】また、本発明の収差計測方法は、投影光学
系のコマ収差の計測時のみならず、一般的に投影像の位
置を計測する手段を備えた装置の光学系の非対称収差を
計測する場合に適用することができる。このように、本
発明は上述実施例に限定されず本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々の構成を取り得る。
【0046】
【発明の効果】本発明の第1の収差計測方法によれば、
第1の計測パターンの像と各フォーカス位置で投影され
た第2の計測パターンの像との位置ずれ量を求めるだけ
で投影光学系の非対称収差を計測することができるた
め、投影露光装置の投影光学系の非対称収差を投影露光
装置自体で短時間に計測できる利点がある。
【0047】また、第2の収差計測方法によれば、基準
マーク板を投影光学系の光軸に垂直な面内で走査して、
計測マークのその基準マーク板上での共役像の位置を検
出することにより、投影光学系の非対称収差を計測でき
るので、投影光学系の非対称収差を高速に自己計測でき
る利点がある。また、感光基板に対する露光を行う必要
がないため、計測結果の再現性が向上している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による収差計測方法の実施例が適用され
る投影露光装置を示す構成図である。
【図2】(a)は本発明の一実施例で使用されるレチク
ルのパターンを示す平面図、(b)はレチクル上の主尺
マーク及び副尺マークを示す拡大平面図である。
【図3】(a)はウエハ上の複数のショット領域を示す
要部の拡大平面図、(b)は図3(a)の所定の計測領
域に投影された主尺マーク及び副尺マークの像を示す拡
大平面図である。
【図4】その実施例におけるフォーカス位置と相対位置
差との関係を示す図である。
【図5】その実施例における近似式の自乗項の係数aと
コマ収差量との関係を示す図である。
【図6】(a)は本発明の他の実施例で使用されるレチ
クルのパターンを示す平面図、(b)は基準マーク板上
の基準マークを示す拡大平面図である。
【図7】他の実施例におけるフォーカス位置と相対位置
差との関係を示す図である。
【図8】他の実施例における近似式の自乗項の係数dと
コマ収差量との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 光源 3 フライアイレンズ 4 ビームスプリッター 6 コンデンサーレンズ 7,7B,7C レチクル 9 投影光学系 10 ウエハステージ 11 ウエハ 14a オートフォーカス系の送光系 14b オートフォーカス系の受光系 15 ウエハアライメント系 18 基準マーク板 19X X方向用基準マーク 19Y Y方向用基準マーク 20 光電変換素子 23 ライトガイド 26−1〜26−9 主尺マーク 27−1〜27−9 副尺マーク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクパターンを照明する照明光学系
    と、前記マスクパターンの像を感光基板上に投影する投
    影光学系と、前記感光基板を保持して前記感光基板を前
    記投影光学系の光軸に垂直な面内及び前記投影光学系の
    光軸方向で位置決めするステージとを有する投影露光装
    置の前記投影光学系の非対称収差の計測方法において、 前記感光基板の前記投影光学系の光軸方向の位置である
    フォーカス位置を一定にして、前記マスクパターンとし
    ての第1の計測パターンの像を前記感光基板上の複数の
    ショット領域に投影する第1工程と、 前記感光基板の前記投影光学系の光軸方向の位置である
    フォーカス位置を変えて、前記マスクパターンとしての
    第2の計測パターンの像を前記感光基板上の前記複数の
    ショット領域に投影する第2工程と、 前記第1の計測パターンの像と前記各フォーカス位置で
    投影された前記第2の計測パターンの像との位置ずれ量
    を求める第3工程と、 該位置ずれ量を、前記フォーカス位置の関数で近似する
    第4工程とを有し、 該関数の前記フォーカス位置に関して対称な成分から、
    前記投影光学系の前記第1の計測パターン及び第2の計
    測パターンが投影された位置での非対称収差を求める事
    を特徴とする収差計測方法。
  2. 【請求項2】 マスク上のパターンを露光光で照明する
    照明光学系と、前記パターンの像を感光基板上に投影す
    る投影光学系と、前記感光基板を保持して前記感光基板
    を前記投影光学系の光軸に垂直な面内及び前記投影光学
    系の光軸方向で位置決めするステージとを有する投影露
    光装置の前記投影光学系の非対称収差の計測方法におい
    て、 前記マスクとして計測マークが形成されたマスクを使用
    し、前記ステージ上に前記計測マークとほぼ共役な形状
    の基準マークが形成されると共に底部から前記露光光と
    同じ波長の照明光で照明される基準マーク板を配置した
    状態で、前記基準マーク板の前記投影光学系の光軸方向
    の位置であるフォーカス位置を一定にして、前記基準マ
    ーク板を前記投影光学系の光軸に垂直な面内で走査し
    て、前記計測マークの前記基準マーク板上での共役像の
    位置を検出する第1工程と、 該第1工程でのフォーカス位置とはそれぞれ異なる複数
    のフォーカス位置において、前記基準マーク板を前記投
    影光学系の光軸に垂直な面内で走査して、前記計測マー
    クの前記基準マーク板上での共役像の位置を検出する第
    2工程と、 前記第1工程及び第2工程において検出された前記計測
    マークの共役像の位置をそれぞれ前記フォーカス位置の
    関数で近似する第3工程とを有し、 該関数の前記フォーカス位置に関して対称な成分から、
    前記投影光学系の前記計測マークが投影された位置での
    非対称収差を求める事を特徴とする収差計測方法。
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