JPH0822951A - 投影光学系のコマ収差を検出する方法 - Google Patents
投影光学系のコマ収差を検出する方法Info
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- JPH0822951A JPH0822951A JP6177558A JP17755894A JPH0822951A JP H0822951 A JPH0822951 A JP H0822951A JP 6177558 A JP6177558 A JP 6177558A JP 17755894 A JP17755894 A JP 17755894A JP H0822951 A JPH0822951 A JP H0822951A
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- G03F7/706—Aberration measurement
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Abstract
(57)【要約】
【目的】 投影光学系のコマ収差を簡単に検出すること
ができる投影光学系のコマ収差を検出する方法を提供す
ること。 【構成】 投影光学系のコマ収差を検出する方法におい
て、前記投影光学系により投影したパターン像を前記投
影光学系の光軸方向の１つ又は複数の位置で受像し、少
なくとも１つのパターン像の前記光軸方向と直交する平
面内の位置を検出することにより前記投影光学系のコマ
収差を検出すること。
ができる投影光学系のコマ収差を検出する方法を提供す
ること。 【構成】 投影光学系のコマ収差を検出する方法におい
て、前記投影光学系により投影したパターン像を前記投
影光学系の光軸方向の１つ又は複数の位置で受像し、少
なくとも１つのパターン像の前記光軸方向と直交する平
面内の位置を検出することにより前記投影光学系のコマ
収差を検出すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影光学系のコマ収差を
検出する方法に関し、例えばＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デ
バイスを製造する際にレチクル面上の電子回路パターン
を投影光学系（投影レンズ）によりウエハ面上に投影す
るとき、該投影光学系の諸収差、例えばコマ収差を計測
し、その影響を少なくし、該ウエハ面上に高解像度の電
子回路パターン像が形成することができるようにしたも
のである。
検出する方法に関し、例えばＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デ
バイスを製造する際にレチクル面上の電子回路パターン
を投影光学系（投影レンズ）によりウエハ面上に投影す
るとき、該投影光学系の諸収差、例えばコマ収差を計測
し、その影響を少なくし、該ウエハ面上に高解像度の電
子回路パターン像が形成することができるようにしたも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子製
造用に高解像力、高スループット化が比較的容易な投影
露光装置（アライナー）が多く用いられている。この投
影露光装置では１回の露光が終了する毎にウエハを移動
しながら他の領域を露光し、このような露光を順次複数
回繰り返すことにより、ウエハ面全体に電子回路パター
ン像を形成していくステップアンドリピート露光方式が
多く用いられている。
造用に高解像力、高スループット化が比較的容易な投影
露光装置（アライナー）が多く用いられている。この投
影露光装置では１回の露光が終了する毎にウエハを移動
しながら他の領域を露光し、このような露光を順次複数
回繰り返すことにより、ウエハ面全体に電子回路パター
ン像を形成していくステップアンドリピート露光方式が
多く用いられている。
【０００３】このとき投影光学系はレチクル面上の電子
回路パターンをウエハ面上に所定の投影倍率、例えば１
／５又は１／１０で縮小投影している。この場合、ウエ
ハ面上に転写される電子回路パターン像の像質（投影解
像度）は投影光学系の性能（収差）に大きく影響され
る。この時の投影光学系の性能を大きく左右する諸収差
の１つにコマ収差がある。従来より、投影光学系のコマ
収差を計測する方法が種々と提案されている。
回路パターンをウエハ面上に所定の投影倍率、例えば１
／５又は１／１０で縮小投影している。この場合、ウエ
ハ面上に転写される電子回路パターン像の像質（投影解
像度）は投影光学系の性能（収差）に大きく影響され
る。この時の投影光学系の性能を大きく左右する諸収差
の１つにコマ収差がある。従来より、投影光学系のコマ
収差を計測する方法が種々と提案されている。
【０００４】例えば （イ）干渉計を用いて波面収差を測定して求める方法
（波面収差測定方法） （ロ）ウエハ面上のレジストにパターン像を焼き付け、
現像処理した後に、該焼き付けたパターン像（レジスト
パターン）の形状（例えば矩形状に形成された投影像の
壁の角度差等）から判定する（焼付方法） 等が多く用いられている。
（波面収差測定方法） （ロ）ウエハ面上のレジストにパターン像を焼き付け、
現像処理した後に、該焼き付けたパターン像（レジスト
パターン）の形状（例えば矩形状に形成された投影像の
壁の角度差等）から判定する（焼付方法） 等が多く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら干渉計を
用いた波面収差測定方法は計測の為の環境条件、例えば
環境温度が一定となるように又空気のゆらぎ等が発生し
ないように整える必要があったり、又計測や処理系も大
がかりとなり、装置全体が非常に複雑なものとなってし
まう傾向があった。
用いた波面収差測定方法は計測の為の環境条件、例えば
環境温度が一定となるように又空気のゆらぎ等が発生し
ないように整える必要があったり、又計測や処理系も大
がかりとなり、装置全体が非常に複雑なものとなってし
まう傾向があった。
【０００６】又測定に際しては被検レンズ（投影光学
系）を装置内に高精度にセッティングする必要があり、
長い作業時間を必要としてしまう。又波面収差測定方法
は普及器ではないので投影露光装置のメーカーでは所有
してしても投影露光装置のユーザーでは所有していない
のが一般的であり、この為ユーザー先での計測が大変困
難であるという問題点があった。
系）を装置内に高精度にセッティングする必要があり、
長い作業時間を必要としてしまう。又波面収差測定方法
は普及器ではないので投影露光装置のメーカーでは所有
してしても投影露光装置のユーザーでは所有していない
のが一般的であり、この為ユーザー先での計測が大変困
難であるという問題点があった。
【０００７】一方、レジストパターンの形状から投影光
学系のコマ収差を計測する焼付方法は一般にＳＥＭ（走
査電子顕微鏡、例えば商品名Ｓ６２．８０（株式会社日
立製作所社製））を用いて例えば断面写真を撮り、その
両壁の角度差から判定している。しかしながらこの方法
は測定時間が長く、精度が悪いこと等の問題点があっ
た。
学系のコマ収差を計測する焼付方法は一般にＳＥＭ（走
査電子顕微鏡、例えば商品名Ｓ６２．８０（株式会社日
立製作所社製））を用いて例えば断面写真を撮り、その
両壁の角度差から判定している。しかしながらこの方法
は測定時間が長く、精度が悪いこと等の問題点があっ
た。
【０００８】本発明の目的は投影光学系のコマ収差を簡
単に検出できるコマ収差検出方法を提供することにあ
る。
単に検出できるコマ収差検出方法を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の別の目的は投影光学系のコマ収差
を簡単に補正できるコマ収差補正方法を提供することに
ある。
を簡単に補正できるコマ収差補正方法を提供することに
ある。
【００１０】本発明の更に別の目的はコマ収差による解
像力の劣化を軽減できる投影露光装置とデバイス製造方
法とを提供することにある。
像力の劣化を軽減できる投影露光装置とデバイス製造方
法とを提供することにある。
【００１１】この他本発明は、レチクル面上の電子回路
パターンを投影光学系を介してウエハ面上に投影露光
し、半導体デバイスを製造する露光装置等に用いられる
投影光学系の諸収差、特にコマ収差を簡易な方法で計測
し、該コマ収差が電子回路パターン像に与える悪影響を
少なくし、高解像度の電子回路パターン像が容易に得ら
れる投影光学系のコマ収差を検出する方法の提供を目的
とする。
パターンを投影光学系を介してウエハ面上に投影露光
し、半導体デバイスを製造する露光装置等に用いられる
投影光学系の諸収差、特にコマ収差を簡易な方法で計測
し、該コマ収差が電子回路パターン像に与える悪影響を
少なくし、高解像度の電子回路パターン像が容易に得ら
れる投影光学系のコマ収差を検出する方法の提供を目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のコマ収差検出方
法の第１の形態は、投影光学系のコマ収差を検出する方
法において、前記投影光学系により投影したパターン像
を前記投影光学系の光軸方向の１つ又は複数の位置で受
像し、少なくとも１つのパターン像の前記光軸方向と直
交する平面内の位置を検出することにより前記投影光学
系のコマ収差を検出することを特徴とする。
法の第１の形態は、投影光学系のコマ収差を検出する方
法において、前記投影光学系により投影したパターン像
を前記投影光学系の光軸方向の１つ又は複数の位置で受
像し、少なくとも１つのパターン像の前記光軸方向と直
交する平面内の位置を検出することにより前記投影光学
系のコマ収差を検出することを特徴とする。
【００１３】本発明のコマ収差検出方法の第２の形態は
投影光学系のコマ収差を検出する方法において、前記投
影光学系の光軸方向の複数の位置にパターンを設け、前
記投影光学系により投影した前記各パターン像を受像し
各パターン像の前記光軸方向と直交する平面内の位置を
検出することにより前記投影光学系のコマ収差を検出す
ることを特徴とする。
投影光学系のコマ収差を検出する方法において、前記投
影光学系の光軸方向の複数の位置にパターンを設け、前
記投影光学系により投影した前記各パターン像を受像し
各パターン像の前記光軸方向と直交する平面内の位置を
検出することにより前記投影光学系のコマ収差を検出す
ることを特徴とする。
【００１４】本発明の第１の形態は前記投影光学系によ
りレチクル上に形成した単一のパターン像を投影し、前
記単一パターン像を前記投影光学系の光軸方向の複数の
位置で順次受像する形態を含む。
りレチクル上に形成した単一のパターン像を投影し、前
記単一パターン像を前記投影光学系の光軸方向の複数の
位置で順次受像する形態を含む。
【００１５】本発明の第２の形態は、前記投影光学系に
よりレチクルの表面の段差の上下の各面に形成した各パ
ターンの像を投影し、受像する形態を含む。
よりレチクルの表面の段差の上下の各面に形成した各パ
ターンの像を投影し、受像する形態を含む。
【００１６】本発明の第１，第２の形態は前記投影光学
系により前記レチクル上に形成した基準パターンを投影
し、前記基準パターン像を前記投影光学系の像平面でレ
ジストが塗布された基板上の相異なる位置にて受像して
記録し、前記各パターン像を前記基板上の前記基準パタ
ーン像の受像位置の近傍で受像して記録し、前記各パタ
ーン像の対応する基準パターン像に対する位置を検出す
る形態を含む。
系により前記レチクル上に形成した基準パターンを投影
し、前記基準パターン像を前記投影光学系の像平面でレ
ジストが塗布された基板上の相異なる位置にて受像して
記録し、前記各パターン像を前記基板上の前記基準パタ
ーン像の受像位置の近傍で受像して記録し、前記各パタ
ーン像の対応する基準パターン像に対する位置を検出す
る形態を含む。
【００１７】本発明の第１，第２の形態は、前記投影光
学系により前記レチクル上に形成した基準パターンを投
影し、前記基準パターン像を前記投影光学系の像平面で
光電変換装置にて受像してその位置を記憶し、前記各パ
ターン像を前記光電変換装置にて前記基準パターン像の
受像位置の近傍で受像してその位置を記憶し、前記各パ
ターン像の対応する基準パターン像に対する位置を検出
する形態を含む。
学系により前記レチクル上に形成した基準パターンを投
影し、前記基準パターン像を前記投影光学系の像平面で
光電変換装置にて受像してその位置を記憶し、前記各パ
ターン像を前記光電変換装置にて前記基準パターン像の
受像位置の近傍で受像してその位置を記憶し、前記各パ
ターン像の対応する基準パターン像に対する位置を検出
する形態を含む。
【００１８】本発明のコマ収差補正方法の第１の形態
は、何れかの方法により検出されたコマ収差を減少せし
めるよう前記投影光学系の少なくとも一部のレンズを光
軸に対して傾けることを特徴とする。
は、何れかの方法により検出されたコマ収差を減少せし
めるよう前記投影光学系の少なくとも一部のレンズを光
軸に対して傾けることを特徴とする。
【００１９】本発明のコマ収差補正方法の第２の形態は
前記の何れかの方法により検出されたコマ収差を減少せ
しめるよう前記投影光学系の少なくとも一部のレンズの
光軸を前記投影光学系の光軸から偏心せしめることを特
徴とする。
前記の何れかの方法により検出されたコマ収差を減少せ
しめるよう前記投影光学系の少なくとも一部のレンズの
光軸を前記投影光学系の光軸から偏心せしめることを特
徴とする。
【００２０】本発明のコマ収差補正方法の第３の形態
は、前記何れかの方法により検出されたコマ収差を減少
せしめるよう前記投影光学系の光路中に設けた平行平面
板を傾けることを特徴とするコマ収差補正方法。
は、前記何れかの方法により検出されたコマ収差を減少
せしめるよう前記投影光学系の光路中に設けた平行平面
板を傾けることを特徴とするコマ収差補正方法。
【００２１】本発明のコマ収差補正方法の第４の形態
は、前記第１乃至第３の形態のコマ収差補正方法の任意
の組み合わせである。
は、前記第１乃至第３の形態のコマ収差補正方法の任意
の組み合わせである。
【００２２】本発明のコマ収差補正方法は、前記平行平
面板が前記投影光学系の残りの部材をシールする為のシ
ートガラスである。
面板が前記投影光学系の残りの部材をシールする為のシ
ートガラスである。
【００２３】本発明のコマ収差補正方法は、前記平行平
面板が前記投影光学系の最も像側に配される形態を含
む。
面板が前記投影光学系の最も像側に配される形態を含
む。
【００２４】本発明のコマ収差補正方法は、前記平行平
面板が前記投影光学系の最も物体側に配される形態を含
む。
面板が前記投影光学系の最も物体側に配される形態を含
む。
【００２５】本発明の投影露光装置のある形態は、前記
のコマ収差補正方法の何れかの方法によりコマ収差が補
正された投影光学系を用いてマスクのパターンを基板上
に投影することを特徴とする。
のコマ収差補正方法の何れかの方法によりコマ収差が補
正された投影光学系を用いてマスクのパターンを基板上
に投影することを特徴とする。
【００２６】本発明の投影露光装置の別の形態は、投影
光学系によりマスクのパターン像を基板上に投影する投
影露光装置において、前記投影光学系のコマ収差が減少
するようコマ収差を変えるコマ収差変更手段を有するこ
とを特徴とする。
光学系によりマスクのパターン像を基板上に投影する投
影露光装置において、前記投影光学系のコマ収差が減少
するようコマ収差を変えるコマ収差変更手段を有するこ
とを特徴とする。
【００２７】この投影露光装置の好ましい形態は前記投
影光学系のコマ収差を検出する手段を備える。又この投
影露光装置の好ましい形態は前記コマ収差変更手段は傾
けることと平行移動の少なくとも一方が可能なレンズと
傾けることが可能な平行平面板の少なくとも一方を備え
る。
影光学系のコマ収差を検出する手段を備える。又この投
影露光装置の好ましい形態は前記コマ収差変更手段は傾
けることと平行移動の少なくとも一方が可能なレンズと
傾けることが可能な平行平面板の少なくとも一方を備え
る。
【００２８】本発明の投影露光装置の更に別の形態は投
影光学系によりマスクのパターンの像を基板上に投影す
る投影露光装置において、前記投影光学系のコマ収差を
検出する手段を有することを特徴とする投影露光装置。
影光学系によりマスクのパターンの像を基板上に投影す
る投影露光装置において、前記投影光学系のコマ収差を
検出する手段を有することを特徴とする投影露光装置。
【００２９】本発明のデバイス製造方法は、前記各投影
露光装置の何れかを用いてデバイスパターンを加工片上
に転写する段階を含むことを特徴とする。
露光装置の何れかを用いてデバイスパターンを加工片上
に転写する段階を含むことを特徴とする。
【００３０】
【実施例】本発明は投影光学系でレチクル面上のコマ収
差検出用のパターンをウエハ面上のレジストに縮小投影
する際、該投影光学系のＦｏｃｕｓ方向（投影光学系の
光軸方向）の異なる複数の位置においてパターン像（レ
ジストパターン）を形成し、このときのレジストパター
ンの光軸と直交する平面における位置情報を計測し、該
レジストパターンの位置情報より該投影光学系のコマ収
差を求めている。
差検出用のパターンをウエハ面上のレジストに縮小投影
する際、該投影光学系のＦｏｃｕｓ方向（投影光学系の
光軸方向）の異なる複数の位置においてパターン像（レ
ジストパターン）を形成し、このときのレジストパター
ンの光軸と直交する平面における位置情報を計測し、該
レジストパターンの位置情報より該投影光学系のコマ収
差を求めている。
【００３１】そこでまず、投影光学系のＦｏｃｕｓ方向
の各位置におけるレジストパターンの位置情報よりコマ
収差量を求めるときに必要となるパターン像のシフト量
とコマ収差量との関係について説明する。
の各位置におけるレジストパターンの位置情報よりコマ
収差量を求めるときに必要となるパターン像のシフト量
とコマ収差量との関係について説明する。
【００３２】図２は投影光学系（ＮＡ＝０．５２）の像
面（結像位置）に対するウエハ面の位置をＦｏｃｕｓ方
向に種々と変化させた時のレジストパターンの位置情報
である像シフト量Δｄ（ｎｍ）がコマ収差量によってど
のように変化するかを示したものである。
面（結像位置）に対するウエハ面の位置をＦｏｃｕｓ方
向に種々と変化させた時のレジストパターンの位置情報
である像シフト量Δｄ（ｎｍ）がコマ収差量によってど
のように変化するかを示したものである。
【００３３】同図ではコマ収差量が０，０．１λ，０．
２λ，０．５λ（λは露光波長）の４つの場合について
シミュレーションしたときを示している。
２λ，０．５λ（λは露光波長）の４つの場合について
シミュレーションしたときを示している。
【００３４】本実施例では図２に示すシミュレーション
をコマ収差量が種々ある場合について予め求めグラフを
作成している。
をコマ収差量が種々ある場合について予め求めグラフを
作成している。
【００３５】そしてウエハ面の位置をＦｏｃｕｓ方向に
種々と変化させたときのレジストパターンの像シフト量
Δｄの曲線を求めている。そしてこの時得られた曲線と
図２に示すグラフとを対応させてこれより投影光学系の
コマ収差量がどの程度あるか求めている。
種々と変化させたときのレジストパターンの像シフト量
Δｄの曲線を求めている。そしてこの時得られた曲線と
図２に示すグラフとを対応させてこれより投影光学系の
コマ収差量がどの程度あるか求めている。
【００３６】図１は本発明の投影光学系のコマ収差を検
出する方法を半導体デバイス製造用の投影露光装置に適
用したときの実施例１の要部概略図である。
出する方法を半導体デバイス製造用の投影露光装置に適
用したときの実施例１の要部概略図である。
【００３７】本実施例では図１に示す投影露光装置を利
用してそれに用いられている投影光学系６のコマ収差量
を図２に示すグラフを利用して求めている。
用してそれに用いられている投影光学系６のコマ収差量
を図２に示すグラフを利用して求めている。
【００３８】次に図１の各要素について説明する。同図
において照明系９を発した光はレチクルステージ８に載
置した第１の物体としてレチクル７を照射し、そのレチ
クル７に形成した電子回路パターンを投影光学系６によ
って第２の物体としてのウエハ３上に投影転写する。ウ
エハ３面上には感光体としてレジストが塗布されてお
り、定盤１上に配置された可動ステージ（ＸＹＺステー
ジ）２の上に固定されている。可動ステージ２は不図示
の駆動系によってＸ，Ｙ及びＺ方向（投影光学系６の光
軸方向）に移動できるようになっており、その移動量は
それぞれＸ，Ｙ及びＺ各方向用のミラー４とレーザ測長
器５でモニターされている。図１はおいてはＸ方向用の
レーザー測長器５を示しており、Ｙ方向，Ｚ方向用のレ
ーザー測長器は現れていない。
において照明系９を発した光はレチクルステージ８に載
置した第１の物体としてレチクル７を照射し、そのレチ
クル７に形成した電子回路パターンを投影光学系６によ
って第２の物体としてのウエハ３上に投影転写する。ウ
エハ３面上には感光体としてレジストが塗布されてお
り、定盤１上に配置された可動ステージ（ＸＹＺステー
ジ）２の上に固定されている。可動ステージ２は不図示
の駆動系によってＸ，Ｙ及びＺ方向（投影光学系６の光
軸方向）に移動できるようになっており、その移動量は
それぞれＸ，Ｙ及びＺ各方向用のミラー４とレーザ測長
器５でモニターされている。図１はおいてはＸ方向用の
レーザー測長器５を示しており、Ｙ方向，Ｚ方向用のレ
ーザー測長器は現れていない。
【００３９】このレーザー測長器５の光軸の高さはアッ
ベの誤差の排除の為、ウエハ３の面と同じ高さになって
いる。１３は投光手段でウエハ３面上に光束を投射して
いる。１４は受光手段であり、ウエハ３面上からの反射
光束の入射位置情報を検出している。投光手段１３と受
光手段１４はウエハ３の表面の高さを計測する高さ計測
手段の一要素を構成している。
ベの誤差の排除の為、ウエハ３の面と同じ高さになって
いる。１３は投光手段でウエハ３面上に光束を投射して
いる。１４は受光手段であり、ウエハ３面上からの反射
光束の入射位置情報を検出している。投光手段１３と受
光手段１４はウエハ３の表面の高さを計測する高さ計測
手段の一要素を構成している。
【００４０】同図において半導体デバイスを製造すると
きはレチクル７とウエハ３を所定の関係となるように位
置決めした後、シャッター手段（不図示）を開閉し、レ
チクル７面上の電子回路パターンをウエハ３面上に投影
露光している。その後、ウエハ３をウエハステージ２に
より所定量Ｘ，Ｙ平面内に駆動させて、レチクル７とウ
エハ３とを位置決めし、ウエハ３の他の領域を順次同じ
ように投影露光するようにした所謂ステップアンドリピ
ート方式を採用している。そしてウエハ３面上の全てを
露光した後は公知の現像処理工程を経て、これより半導
体デバイスを製造している。
きはレチクル７とウエハ３を所定の関係となるように位
置決めした後、シャッター手段（不図示）を開閉し、レ
チクル７面上の電子回路パターンをウエハ３面上に投影
露光している。その後、ウエハ３をウエハステージ２に
より所定量Ｘ，Ｙ平面内に駆動させて、レチクル７とウ
エハ３とを位置決めし、ウエハ３の他の領域を順次同じ
ように投影露光するようにした所謂ステップアンドリピ
ート方式を採用している。そしてウエハ３面上の全てを
露光した後は公知の現像処理工程を経て、これより半導
体デバイスを製造している。
【００４１】次に図１の投影露光装置で用いている投影
光学系６のコマ収差の計測方法について説明する。
光学系６のコマ収差の計測方法について説明する。
【００４２】図３（Ａ）はレチクル７に設けたパターン
１（基準パターン）１とパターン２より成るレチクルマ
ーク７ａの説明図、図３（Ｂ）は投影光学系６によりウ
エハ３面上に形成されたレチクルマーク７ａのパターン
像（レジストパターン）の説明図である。
１（基準パターン）１とパターン２より成るレチクルマ
ーク７ａの説明図、図３（Ｂ）は投影光学系６によりウ
エハ３面上に形成されたレチクルマーク７ａのパターン
像（レジストパターン）の説明図である。
【００４３】図３（Ｂ）では便宜上、図３（Ａ）のパタ
ーン１の外枠３１の像３１ａとパターン２の内枠３３の
像３３ａのみを示している。
ーン１の外枠３１の像３１ａとパターン２の内枠３３の
像３３ａのみを示している。
【００４４】本実施例においてはまず最初に図３（Ａ）
に示したレチクルパターン７ａを照明し、レジストの塗
布されたウエハ３上に投影露光する（以下「１ｓｔ焼
き」という）。この時ウエハ３上のレジスト面は投影光
学系６の最良像面位置に設定し、ステージ２をあるステ
ップでＸ，Ｙ面内で移動して複数個のレチクルパターン
７ａの１ｓｔ焼きを行う。
に示したレチクルパターン７ａを照明し、レジストの塗
布されたウエハ３上に投影露光する（以下「１ｓｔ焼
き」という）。この時ウエハ３上のレジスト面は投影光
学系６の最良像面位置に設定し、ステージ２をあるステ
ップでＸ，Ｙ面内で移動して複数個のレチクルパターン
７ａの１ｓｔ焼きを行う。
【００４５】図４（Ａ）は１ｓｔ焼き後に現像したとき
のウエハ上のレジストパターンの様子を示している（図
３（Ａ）のうちパターン（基準パターン）１についての
み示している。）。
のウエハ上のレジストパターンの様子を示している（図
３（Ａ）のうちパターン（基準パターン）１についての
み示している。）。
【００４６】次にウエハ３上に形成されたパターン１の
レジストパターン３１ａに図３（Ａ）のうちのパターン
２の中心３４が重なるように１ｓｔ焼きに対して距離Ｓ
に相当する量だけステージ２をシフトさせた状態でレチ
クルパターン７ａをウエハ３上に投影露光する（以下
「２ｎｄ焼き」という）。この２ｎｄ露光の時にはＺス
テージを駆動させて最良像面（Ｄｅｆｏｃｕｓ＝０）位
置からＦｏｃｕｓ方向に何段階か変化させながら焼く。
レジストパターン３１ａに図３（Ａ）のうちのパターン
２の中心３４が重なるように１ｓｔ焼きに対して距離Ｓ
に相当する量だけステージ２をシフトさせた状態でレチ
クルパターン７ａをウエハ３上に投影露光する（以下
「２ｎｄ焼き」という）。この２ｎｄ露光の時にはＺス
テージを駆動させて最良像面（Ｄｅｆｏｃｕｓ＝０）位
置からＦｏｃｕｓ方向に何段階か変化させながら焼く。
【００４７】図４（Ｂ）はこのときのＦｏｃｕｓ方向に
種々と変化させ、１ｓｔ露光、現像、２ｎｄ露光、現像
が終了したときにウエハ３上に形成されているレチクル
パターン７ａの様子を示している。
種々と変化させ、１ｓｔ露光、現像、２ｎｄ露光、現像
が終了したときにウエハ３上に形成されているレチクル
パターン７ａの様子を示している。
【００４８】次に図４（Ｂ）に示したレジストパターン
３１ａ，３３ａの位置情報を市販のレジストレーション
測定器（例えば商品名ＫＬＡ−５０１１（ＫＬＡ社
製），商品名ＬＡ−３０００（日立電子エンジニアリン
グ社製），商品名ＭＥＴＲＡ２１００（ＯＳＩ社製）等
が使用可能である。）を使って１ｓｔ焼きで形成された
外側のエッジ（外枠）３１ａから求めた中心位置と、２
ｎｄ焼きで形成された内側のエッジ（内枠）３３ａから
求めた中心位置との像シフト量であるずれ量Δｄを計測
する。
３１ａ，３３ａの位置情報を市販のレジストレーション
測定器（例えば商品名ＫＬＡ−５０１１（ＫＬＡ社
製），商品名ＬＡ−３０００（日立電子エンジニアリン
グ社製），商品名ＭＥＴＲＡ２１００（ＯＳＩ社製）等
が使用可能である。）を使って１ｓｔ焼きで形成された
外側のエッジ（外枠）３１ａから求めた中心位置と、２
ｎｄ焼きで形成された内側のエッジ（内枠）３３ａから
求めた中心位置との像シフト量であるずれ量Δｄを計測
する。
【００４９】本実施例ではここで求めたずれ量Δｄから
図２と同様のグラフを作成している。そしてこのとき作
成したグラフより投影光学系６の持っているコマ収差に
対応した結果を得て、これと同時に図２のグラフを用い
て投影光学系６のコマ収差量を判定（計測）している。
図２と同様のグラフを作成している。そしてこのとき作
成したグラフより投影光学系６の持っているコマ収差に
対応した結果を得て、これと同時に図２のグラフを用い
て投影光学系６のコマ収差量を判定（計測）している。
【００５０】図５は本実施例においてレジストパターン
３１ａ，３３ａに関してレジストレーション測定器にて
検出された投影波形とこの投影波形から外側３１ａと内
側３３ａのそれぞれのパターン像中心を求める様子を示
した説明図である。ここでは投影波形をある強度でスラ
イスし、スライスしたそれぞれの中点の位置からそれぞ
れのパターン像の中心を求めるようにした例を示してい
る。
３１ａ，３３ａに関してレジストレーション測定器にて
検出された投影波形とこの投影波形から外側３１ａと内
側３３ａのそれぞれのパターン像中心を求める様子を示
した説明図である。ここでは投影波形をある強度でスラ
イスし、スライスしたそれぞれの中点の位置からそれぞ
れのパターン像の中心を求めるようにした例を示してい
る。
【００５１】尚本実施例では所定の波形をマッチングさ
せるテンプレートマッチングによる方法や、対称性を評
価値として測定する方法等の計測方法が適用可能であ
る。又Ｘ，Ｙ両方向の計測結果をベクトル合成すればど
の方向にどれだけのコマ収差量が発生しているかの判定
ができる。
せるテンプレートマッチングによる方法や、対称性を評
価値として測定する方法等の計測方法が適用可能であ
る。又Ｘ，Ｙ両方向の計測結果をベクトル合成すればど
の方向にどれだけのコマ収差量が発生しているかの判定
ができる。
【００５２】図６は本発明の投影光学系のコマ収差を検
出する方法を半導体デバイス製造用の投影露光装置に適
用したときの実施例２の要部概略図である。本実施例は
図１の実施例１に比べてステージ２上にスリット１０と
光電センサ１１を設けていること、図７（Ａ）に示すよ
うにレチクル７上にスリット開口７ｂより成るレチクル
マーク（単一パターン）７ａを用いていること、（この
ときレチクルマーク７ａのスリット開口７ｂが投影光学
系６によりスリット１０のスリット開口１０ｂと同じ大
きさに投影されるように各要素を設定している。）そし
てレチクルマーク７ａを投影光学系６によりスリット１
０面上に投影していることが異なっており、その他の構
成は同じである。
出する方法を半導体デバイス製造用の投影露光装置に適
用したときの実施例２の要部概略図である。本実施例は
図１の実施例１に比べてステージ２上にスリット１０と
光電センサ１１を設けていること、図７（Ａ）に示すよ
うにレチクル７上にスリット開口７ｂより成るレチクル
マーク（単一パターン）７ａを用いていること、（この
ときレチクルマーク７ａのスリット開口７ｂが投影光学
系６によりスリット１０のスリット開口１０ｂと同じ大
きさに投影されるように各要素を設定している。）そし
てレチクルマーク７ａを投影光学系６によりスリット１
０面上に投影していることが異なっており、その他の構
成は同じである。
【００５３】本実施例ではスリット１０のＦｏｃｕｓ方
向の位置が最良像面位置となるようにステージ２の位置
をＺ方向に設定し、次いでスリット１０がレチクル７上
のレチクルマークの投影像を横切るようにＸＹステージ
を駆動している。
向の位置が最良像面位置となるようにステージ２の位置
をＺ方向に設定し、次いでスリット１０がレチクル７上
のレチクルマークの投影像を横切るようにＸＹステージ
を駆動している。
【００５４】次にＺ方向にステージＺを駆動し、最良像
面からＦｏｃｕｓ方向に種々と変化させた状態で次々と
ステージスキャンを繰り返している。
面からＦｏｃｕｓ方向に種々と変化させた状態で次々と
ステージスキャンを繰り返している。
【００５５】図８はこのとき光電センサ１１で得られた
レチクルマーク７ａのパターン像に関する信号の説明図
である。同図ではステージと光電センサ１１で得られる
光量の関係をＦｏｃｕｓ方向に対するＤｅｆｏｃｕｓ量
を種々と変化させたときを示している。ここで求まった
Ｄｅｆｏｃｕｓ量に対する像シフト量Δｄから投影光学
系のコマ収差量を実施例１と同様の方法により求めてい
る。
レチクルマーク７ａのパターン像に関する信号の説明図
である。同図ではステージと光電センサ１１で得られる
光量の関係をＦｏｃｕｓ方向に対するＤｅｆｏｃｕｓ量
を種々と変化させたときを示している。ここで求まった
Ｄｅｆｏｃｕｓ量に対する像シフト量Δｄから投影光学
系のコマ収差量を実施例１と同様の方法により求めてい
る。
【００５６】図９（Ａ），（Ｂ）は各々本発明の投影光
学系のコマ収差を検出する方法の実施例３に係るレチク
ル面上のパターンの説明図である。
学系のコマ収差を検出する方法の実施例３に係るレチク
ル面上のパターンの説明図である。
【００５７】図９（Ａ）は実施例１で用いた図３（Ａ）
に示すレチクルパターン７ａと同様のレチクルパターン
をレチクル面上に複数個、並べて配置している。上方が
パターン２で下方がパターン１である。このうち複数の
パターン２は各々階段状の段差の上に形成している。こ
のような予めＤｅｆｏｃｕｓしたレチクルパターン（パ
ターン２）を用いることにより図１の実施例１において
ステージ２をＦｏｃｕｓ方向に移動させずに図４
（Ａ），（Ｂ）と同様のレジストパターン（パターン
像）を得ている。尚投影光学系のコマ収差の計測方法は
実施例１と同じである。
に示すレチクルパターン７ａと同様のレチクルパターン
をレチクル面上に複数個、並べて配置している。上方が
パターン２で下方がパターン１である。このうち複数の
パターン２は各々階段状の段差の上に形成している。こ
のような予めＤｅｆｏｃｕｓしたレチクルパターン（パ
ターン２）を用いることにより図１の実施例１において
ステージ２をＦｏｃｕｓ方向に移動させずに図４
（Ａ），（Ｂ）と同様のレジストパターン（パターン
像）を得ている。尚投影光学系のコマ収差の計測方法は
実施例１と同じである。
【００５８】図９（Ｂ）は実施例２で用いた図７（Ａ）
に示すレチクルパターン７ａと同様のレチクルパターン
をレチクル面上に複数個、並べて配置している。図９
（Ｂ）の下方のレクチルパターン７ａ２が基準パターン
である。上方の複数のレチクルパターン７ａ１を階段状
の段差の上に各々形成している。このような予めＤｅｆ
ｏｃｕｓした複数のレチクルパターン７ａ１を用いるこ
とにより図６の実施例２においてステージ２をＦｏｃｕ
ｓ方向に移動させずに図８と同様のレジストパターンに
関する信号を得ている。尚投影光学系のコマ収差の計測
方法は実施例１と同じである。
に示すレチクルパターン７ａと同様のレチクルパターン
をレチクル面上に複数個、並べて配置している。図９
（Ｂ）の下方のレクチルパターン７ａ２が基準パターン
である。上方の複数のレチクルパターン７ａ１を階段状
の段差の上に各々形成している。このような予めＤｅｆ
ｏｃｕｓした複数のレチクルパターン７ａ１を用いるこ
とにより図６の実施例２においてステージ２をＦｏｃｕ
ｓ方向に移動させずに図８と同様のレジストパターンに
関する信号を得ている。尚投影光学系のコマ収差の計測
方法は実施例１と同じである。
【００５９】図１０〜図１２は、本発明において投影光
学系のコマ収差を計測し、該コマ収差を補正する手段を
投影露光装置に適用したときの説明図である。図中、図
６で示した要素と同一要素には同符番を付している。
学系のコマ収差を計測し、該コマ収差を補正する手段を
投影露光装置に適用したときの説明図である。図中、図
６で示した要素と同一要素には同符番を付している。
【００６０】図１０は投影光学系６内の一部のレンズ又
はレンズ群を光軸に対して傾き偏心又は平行偏心させる
ことにより、コマ収差を補正するようにしたものであ
る。図１１は投影光学系６とレチクル（物体面）７との
間に平行平面板１６を設定し、これを光軸に対して傾け
ることにより、コマ収差を補正するようにしたものであ
る。図１３は投影光学系６とウエハ（像面）３との間に
平行平面板１７を設定し、これを光軸に傾けることによ
りコマ収差を補正するようにしたものである。
はレンズ群を光軸に対して傾き偏心又は平行偏心させる
ことにより、コマ収差を補正するようにしたものであ
る。図１１は投影光学系６とレチクル（物体面）７との
間に平行平面板１６を設定し、これを光軸に対して傾け
ることにより、コマ収差を補正するようにしたものであ
る。図１３は投影光学系６とウエハ（像面）３との間に
平行平面板１７を設定し、これを光軸に傾けることによ
りコマ収差を補正するようにしたものである。
【００６１】図１０〜図１２のどの方法においても光軸
からの傾け量又は平行偏心の量と投影光学系にコマ収差
発生量の関係をシミュレーションや実験により予め求め
ておき、前記投影光学系のコマ収差計測方法で求まった
投影光学系のコマ収差量とその方向に対応して補正する
ようにしている。又図１０〜図１２の装置において実施
例１で示した方法でコマ収差を測定するように構成して
も良い。
からの傾け量又は平行偏心の量と投影光学系にコマ収差
発生量の関係をシミュレーションや実験により予め求め
ておき、前記投影光学系のコマ収差計測方法で求まった
投影光学系のコマ収差量とその方向に対応して補正する
ようにしている。又図１０〜図１２の装置において実施
例１で示した方法でコマ収差を測定するように構成して
も良い。
【００６２】尚、以上の各実施例の中で述べてきた構成
以外にも物体面と像面を逆にする（ウエハ側でのＤｅｆ
ｏｃｕｓをレチクル側に置き替えるなど）ことや、実施
例１における１ｓｔ Ｂｅｓｔ Ｆｏｃｕｓ，２ｎｄ
Ｄｅｆｏｃｕｓを１ｓｔ Ｄｅｆｏｃｕｓ，２ｎｄ Ｂ
ｅｓｔ Ｆｏｃｕｓにすること、実施例２，３でＸ，Ｙ
共計測して投影レンズのコマ収差の方向、大きさを特定
すること、計測マーク（レチクルマーク）をマルチマー
ク化して計測精度を上げることなどが適用可能である。
又複数のＤｅｆｏｃｕｓ位置でコマ収差検出用のパター
ン像を受像しなくても１つのＤｅｆｏｃｕｓ位置でのみ
受像して図２のグラフを用いてコマ収差量を求めても良
い。
以外にも物体面と像面を逆にする（ウエハ側でのＤｅｆ
ｏｃｕｓをレチクル側に置き替えるなど）ことや、実施
例１における１ｓｔ Ｂｅｓｔ Ｆｏｃｕｓ，２ｎｄ
Ｄｅｆｏｃｕｓを１ｓｔ Ｄｅｆｏｃｕｓ，２ｎｄ Ｂ
ｅｓｔ Ｆｏｃｕｓにすること、実施例２，３でＸ，Ｙ
共計測して投影レンズのコマ収差の方向、大きさを特定
すること、計測マーク（レチクルマーク）をマルチマー
ク化して計測精度を上げることなどが適用可能である。
又複数のＤｅｆｏｃｕｓ位置でコマ収差検出用のパター
ン像を受像しなくても１つのＤｅｆｏｃｕｓ位置でのみ
受像して図２のグラフを用いてコマ収差量を求めても良
い。
【００６３】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
イスの製造方法の実施例を説明する。
【００６４】図１３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００６５】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００６６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６７】図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６８】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６９】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、レチクル
面上の電子回路パターンを投影光学系を介してウエハ面
上に投影露光し、半導体デバイスを製造する露光装置等
に用いられる投影光学系の諸収差、特にコマ収差を簡易
な方法で高精度に計測し、該コマ収差が電子回路パター
ン像に与える悪影響を少なくし、高解像度の電子回路パ
ターン像が容易に得られる投影光学系のコマ収差を検出
する方法を達成することができる。
面上の電子回路パターンを投影光学系を介してウエハ面
上に投影露光し、半導体デバイスを製造する露光装置等
に用いられる投影光学系の諸収差、特にコマ収差を簡易
な方法で高精度に計測し、該コマ収差が電子回路パター
ン像に与える悪影響を少なくし、高解像度の電子回路パ
ターン像が容易に得られる投影光学系のコマ収差を検出
する方法を達成することができる。
【００７１】この他、本発明によれば投影光学系のコマ
収差の測定に干渉計を使う必要がない為、投影露光装置
のメーカーでもユーザーでも容易に測定することが可能
となる。また計測時間や計測の為の作業時間が大幅に改
善されると共に計測の自動化が容易に達成される。更に
装置コスト、ランニングコストが低く高精度の測定が可
能という効果がある。
収差の測定に干渉計を使う必要がない為、投影露光装置
のメーカーでもユーザーでも容易に測定することが可能
となる。また計測時間や計測の為の作業時間が大幅に改
善されると共に計測の自動化が容易に達成される。更に
装置コスト、ランニングコストが低く高精度の測定が可
能という効果がある。
【図１】 本発明の投影光学系のコマ収差を検出する方
法を投影露光装置に適用したときの実施例１の要部概略
図
法を投影露光装置に適用したときの実施例１の要部概略
図
【図２】 本発明の投影光学系のコマ収差を検出する方
法の原理を示す説明図
法の原理を示す説明図
【図３】 図１のレチクルマークとその投影像の説明図
【図４】 図１の装置で得られるＤｅｆｏｃｕｓに対応
するレチクルマークの投影像の説明図
するレチクルマークの投影像の説明図
【図５】 図１のレチクルマークの投影像の像シフト量
の説明図
の説明図
【図６】 本発明の投影光学系のコマ収差を検出する方
法を投影露光装置に適用したときの実施例２の要部概略
図
法を投影露光装置に適用したときの実施例２の要部概略
図
【図７】 図６の一部分の説明図
【図８】 図６の装置で得られるＤｅｆｏｃｕｓに対応
するレチクルマークの投影像の像シフト量の説明図
するレチクルマークの投影像の像シフト量の説明図
【図９】 本発明の投影光学系のコマ収差を検出する方
法の実施例３で用いるレチクルマークの説明図
法の実施例３で用いるレチクルマークの説明図
【図１０】 本発明において投影光学系のコマ収差を補
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
【図１１】 本発明において投影光学系のコマ収差を補
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
【図１２】 本発明において投影光学系のコマ収差を補
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
正する手段を用いた投影露光装置の概略図
【図１３】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロ
ーチャート
ーチャート
【図１４】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロ
ーチャート
ーチャート
１ 定盤 ２ ステージ ３ ウエハ（基板） ４ ミラー ５ レーザー測長器 ６ 投影光学系 ７ レチクル ８ レチクルステージ ９ 照明系 １０ スリット １１ 光電変換器 １３ 投光手段 １４ 受光手段
Claims (21)
- 【請求項１】 投影光学系のコマ収差を検出する方法に
おいて、前記投影光学系により投影したパターン像を前
記投影光学系の光軸方向の１つ又は複数の位置で受像
し、少なくとも１つのパターン像の前記光軸方向と直交
する平面内の位置を検出することにより前記投影光学系
のコマ収差を検出することを特徴とする投影光学系のコ
マ収差を検出する方法。 - 【請求項２】 前記投影光学系によりレチクル上に形成
した単一パターンを投影し、前記単一パターン像を前記
投影光学系の光軸方向の複数の位置で順次受像すること
を特徴とする請求項１の投影光学系のコマ収差を検出す
る方法。 - 【請求項３】 投影光学系のコマ収差を検出する方法に
おいて、前記投影光学系の光軸方向の複数の位置にパタ
ーンを設け、前記投影光学系により投影した前記各パタ
ーン像を受像し、各パターンの前記光軸方向と直交する
平面内の位置を検出することにより前記投影光学系のコ
マ収差を検出することを特徴とする投影光学系のコマ収
差を検出する方法。 - 【請求項４】 前記投影光学系によりレチクルの表面の
段差の上下の各面に形成した各パターンを投影し受像す
ることを特徴とする投影光学系のコマ収差を検出する方
法。 - 【請求項５】 前記パターン像をレジストを塗布した基
板上の相異なる位置で受像して記録し、記録した各パタ
ーン像の位置を検出することを特徴とする請求項１，
２，３又は４の投影光学系のコマ収差を検出する方法。 - 【請求項６】 前記投影光学系により前記レチクル上に
形成した基準パターンを投影し、前記基準パターン像を
前記投影光学系の像平面で前記基板上の相異なる位置に
て受像して記録し、前記各パターン像を前記基板上の前
記基準パターン像の受像位置の近傍で受像して記録し、
前記各パターン像の対応する基準パターン像に位置を検
出することを特徴とする請求項５の投影光学系のコマ収
差を検出する方法。 - 【請求項７】 前記各パターン像を光電変換装置により
受像することを特徴とする請求項１，２，３又は４の投
影光学系のコマ収差を検出する方法。 - 【請求項８】 前記投影光学系により前記レチクル上に
形成した基準パターンを投影し、前記基準パターン像を
前記投影光学系の像平面で前記光電変換装置にて受像し
てその位置を記憶し、前記各パターン像を前記光電変換
装置にて前記基準パターン像の受像位置の近傍で受像し
てその位置を記憶し、前記各パターン像の対応する基準
パターン像に対する位置を検出することを特徴とする請
求項７の投影光学系のコマ収差を検出する方法。 - 【請求項９】 請求項１乃至請求項８の何れかの方法に
より検出されたコマ収差を減少せしめるよう前記投影光
学系の少なくとも一部のレンズを光軸に対して傾けるこ
とを特徴とするコマ収差補正方法。 - 【請求項１０】 請求項１乃至請求項８の何れかの方法
により検出されたコマ収差を減少せしめるよう前記投影
光学系の少なくとも一部のレンズの光軸を前記投影光学
系の光軸から偏心せしめることを特徴とするコマ収差補
正方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至請求項８の何れかの方法
により検出されたコマ収差を減少せしめるよう前記投影
光学系の光路中に設けた平行平面板を傾けることを特徴
とするコマ収差補正方法。 - 【請求項１２】 前記平行平面板が前記投影光学系の残
りの部材をシールする為のシートガラスであることを特
徴とする請求項１１のコマ収差補正方法。 - 【請求項１３】 前記平行平面板が前記投影光学系の最
も像側に配されることを特徴とする請求項１１のコマ収
差補正方法。 - 【請求項１４】 前記平行平面板が前記投影光学系の最
も物体側に配されることを特徴とする請求項１１のコマ
収差補正方法。 - 【請求項１５】 請求項９乃至請求項１４の何れかの方
法によりコマ収差が補正された投影光学系を用いてマス
クのパターンを基板上に投影することを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項１６】 請求項９乃至請求項１４の何れかの方
法によりコマ収差が補正された投影光学系を用いてデバ
イスを加工片上に転写する段階を含むことを特徴とする
デバイス製造方法。 - 【請求項１７】 投影光学系によりマスクのパターンを
基板上に投影する投影露光装置において、前記投影光学
系のコマ収差が減少するようコマ収差を変えるコマ収差
変更手段を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１８】 前記投影光学系のコマ収差を検出する
手段を備えることを特徴とする請求項１７の投影露光装
置。 - 【請求項１９】 前記コマ収差変更手段は傾けることと
平行移動の少なくとも一方が可能なレンズと傾けること
が可能な平行平面板の少なくとも一方を備えることを特
徴とする請求項１７又は１８の投影露光装置。 - 【請求項２０】 投影光学系によりマスクのパターンを
基板上に投影する投影露光装置において、前記投影光学
系のコマ収差を検出する手段を有することを特徴とする
投影露光装置。 - 【請求項２１】 請求項１７〜２０の投影露光装置を用
いてデバイスパターンを加工片上に転写する段階を含む
ことを特徴とするデバイス製造方法。
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