JPS5990929A - 投影露光装置のピント合わせ方法 - Google Patents
投影露光装置のピント合わせ方法Info
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- JPS5990929A JPS5990929A JP57202477A JP20247782A JPS5990929A JP S5990929 A JPS5990929 A JP S5990929A JP 57202477 A JP57202477 A JP 57202477A JP 20247782 A JP20247782 A JP 20247782A JP S5990929 A JPS5990929 A JP S5990929A
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- JP
- Japan
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- optical system
- wavelength
- alignment
- projection optical
- line
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明状、半導体焼付用投影露光装置のアライメント時
と露光時のピント合わせ方法に関する０ 半導体素子、 ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等のパターン
の微細化と高集積化の進歩はめざましく、パターン紗幅
は、１〜１．５μｍの時代へ進みつつある。
と露光時のピント合わせ方法に関する０ 半導体素子、 ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等のパターン
の微細化と高集積化の進歩はめざましく、パターン紗幅
は、１〜１．５μｍの時代へ進みつつある。
パターンの微細化と高集積化を進めるに当って必要とさ
れるのｔｒｉ、ｌ−１，５Ｐの微細パターンの焼料を可
能とする焼付性能と、複数工程に渡る各パターンを焼付
線幅の数分の１の精度で正確にアライメントするアライ
メント性能を持ち、かつウェハーに欠陥を発生させるこ
との少ない側光装置の提供にある。
れるのｔｒｉ、ｌ−１，５Ｐの微細パターンの焼料を可
能とする焼付性能と、複数工程に渡る各パターンを焼付
線幅の数分の１の精度で正確にアライメントするアライ
メント性能を持ち、かつウェハーに欠陥を発生させるこ
との少ない側光装置の提供にある。
これらの要求に答えるべく、各種方式の縮小投影露光装
置（ステッパー）が開発されている。
置（ステッパー）が開発されている。
ステッパーは、主性能の１つである焼付パターン線幅の
数分の１のアライメント精度を達成する為のアライメン
ト方式の違いによシ、大きく以下の２方式に分類されて
いる。
数分の１のアライメント精度を達成する為のアライメン
ト方式の違いによシ、大きく以下の２方式に分類されて
いる。
１、 ０ＦＦ−ＡＸＩＳアライメント方式ステッパー２
． ＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアライメント方式ステッ
パー〇ＦＦ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式は、投影光
学系を介さずに、投影光学系の外部に固定されたアライ
メント光学系に対して、ウエノ・−パターンをアライメ
ントした後、ウェハーを正確に投影光学系の下に移動さ
せる事で、間接的にフォトマスクパターンとウェハーパ
ターンとをアライメントする方式であし、ＴＴＬ −Ｏ
Ｎ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式は、投影光学系を介
してフォトマスクパターンとウェハーパターンを同時に
観察１〜、直接両者をアライメントする方式である。
． ＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアライメント方式ステッ
パー〇ＦＦ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式は、投影光
学系を介さずに、投影光学系の外部に固定されたアライ
メント光学系に対して、ウエノ・−パターンをアライメ
ントした後、ウェハーを正確に投影光学系の下に移動さ
せる事で、間接的にフォトマスクパターンとウェハーパ
ターンとをアライメントする方式であし、ＴＴＬ −Ｏ
Ｎ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式は、投影光学系を介
してフォトマスクパターンとウェハーパターンを同時に
観察１〜、直接両者をアライメントする方式である。
ステッパーには、０．１〜０．２ＰＬ程度のアライメン
ト精度が必要とされるが、０ＦＦ−ＡＸＩＳアライメン
ト方式は、間接的にウニ／・−パターンとフォトマスク
パターンをアライメントすることに起因する誤差要因が
多く、ウエノ・−のインプレーンディストーションにも
対処できない為、アライメント精度向上の目的で直接ア
ライメントするｒＴＬ ＯＮ ＡＸＩＳアライメン
ト方式ステッパーの開発が強く要望されている。
ト精度が必要とされるが、０ＦＦ−ＡＸＩＳアライメン
ト方式は、間接的にウニ／・−パターンとフォトマスク
パターンをアライメントすることに起因する誤差要因が
多く、ウエノ・−のインプレーンディストーションにも
対処できない為、アライメント精度向上の目的で直接ア
ライメントするｒＴＬ ＯＮ ＡＸＩＳアライメン
ト方式ステッパーの開発が強く要望されている。
ステッパーの投影光学系は、レンズ光学系で構成されて
おシ、光源として超晶圧水銀灯のｇ線、ｈ線、ｉ線等が
使用されている。ステッパー用の微細パターン焼付用の
投影レンズ光学系の収差補正は、２波長又は、単波長に
ついてしか補正できない。１〜１．５μｍの高解像力を
達成する為にはｓｇ線−ｈ 純−ｉ線等のスペクトルの
広がりが解像力の低下の原因となるという問題が有る為
、第１図に示す様に色収差補正曲線の使用波長での勾配
−αも小さな値にしなければならない。この為、現在実
用となっているステッパー用の投影光学系の露光特使用
波長は、ｇ線単波長、ｈ線単波長ｓ ｉＭ単波長（３
６５ｎｍ ）ｂ １７線とｈＩＩＭ２波長等となってい
る。
おシ、光源として超晶圧水銀灯のｇ線、ｈ線、ｉ線等が
使用されている。ステッパー用の微細パターン焼付用の
投影レンズ光学系の収差補正は、２波長又は、単波長に
ついてしか補正できない。１〜１．５μｍの高解像力を
達成する為にはｓｇ線−ｈ 純−ｉ線等のスペクトルの
広がりが解像力の低下の原因となるという問題が有る為
、第１図に示す様に色収差補正曲線の使用波長での勾配
−αも小さな値にしなければならない。この為、現在実
用となっているステッパー用の投影光学系の露光特使用
波長は、ｇ線単波長、ｈ線単波長ｓ ｉＭ単波長（３
６５ｎｍ ）ｂ １７線とｈＩＩＭ２波長等となってい
る。
以上述べた様に、ステッパーは主性能の一つである、微
細パターン焼１・」の目的から投影光学系の露光特使用
波長が制限されてお、？、ＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸ Ｉ Ｓ
アライメント方式は、投影光学系を介してアライメント
する為、同様にアライメント時使用波長が制限されるこ
とになる。現在開発されているステッパーｔよ、この制
限の中で、焼付波長で７２イメントを行うか、又は焼付
波長以外の例えば、ｅ線等でアライメントする為に、側
光学系を投影光学系に付加すること等で、ＴＴＬ−ＯＮ
−ＡＸＩＳアライメントを実現している。しかしながら
、現ＴＴＬ −ＯＮ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式ス
テッパーには、以下の問題点が有る。
細パターン焼１・」の目的から投影光学系の露光特使用
波長が制限されてお、？、ＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸ Ｉ Ｓ
アライメント方式は、投影光学系を介してアライメント
する為、同様にアライメント時使用波長が制限されるこ
とになる。現在開発されているステッパーｔよ、この制
限の中で、焼付波長で７２イメントを行うか、又は焼付
波長以外の例えば、ｅ線等でアライメントする為に、側
光学系を投影光学系に付加すること等で、ＴＴＬ−ＯＮ
−ＡＸＩＳアライメントを実現している。しかしながら
、現ＴＴＬ −ＯＮ −ＡＸＩ Ｓアライメント方式ス
テッパーには、以下の問題点が有る。
１、焼付波長と同一波長でアライメントする場合には、
超高圧水釧灯の光強度が弱い為、十分な検出出力が得に
くい。
超高圧水釧灯の光強度が弱い為、十分な検出出力が得に
くい。
２、投影光学系の焼付波長の制限を受けない、０ＦＦ−
ＡＸＩ Ｓアライメント方式で実施している、強力な各
種レーザー光を使用した現在実用化されているレーザー
ビームスギャン・アライメント方式等が適用できない。
ＡＸＩ Ｓアライメント方式で実施している、強力な各
種レーザー光を使用した現在実用化されているレーザー
ビームスギャン・アライメント方式等が適用できない。
３、側光学系を投影光学系に付加する場合には、側光学
系の位置再現誤差がアライメント誤差となる。
系の位置再現誤差がアライメント誤差となる。
これらの問題点から、フォトマスクとウェハーを直接ア
ライメントする為に、原理的にアライメント精度が良い
とされるＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアライメント方式ステ
ッパーも、なかなかその特徴を生かし切れないのが実状
である。
ライメントする為に、原理的にアライメント精度が良い
とされるＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアライメント方式ステ
ッパーも、なかなかその特徴を生かし切れないのが実状
である。
′本発明は、 ＴＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアライメント方
式ステッパーのかかる欠点を除去し、投影光学系の焼付
波長以外の波長の光で’Ｉ’ＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアラ
イメントを可能とし、同時にアライメント精度を向上さ
せる手段を提供することを目的とするものである。
式ステッパーのかかる欠点を除去し、投影光学系の焼付
波長以外の波長の光で’Ｉ’ＴＬ−ＯＮ−ＡＸＩＳアラ
イメントを可能とし、同時にアライメント精度を向上さ
せる手段を提供することを目的とするものである。
以下本発明の具体的実施例について説明する。
第１図は、投影光学系の色収差補正曲線である。横軸は
波長（ｎｍ）、縦軸は焦点位置ずれΔＸを示す。なおｅ
、Ｕは各々ｅ＃Ｉ！９ｇ線のスペクトル分布を表わして
いる。破線は、焼付光ｇ線とアライメント光ｅ線の２波
長に収差補正された投影光学系、実線は５ｒｔｙＪ単波
長に収差補正された投影光学系についての色収差補正曲
線である。
波長（ｎｍ）、縦軸は焦点位置ずれΔＸを示す。なおｅ
、Ｕは各々ｅ＃Ｉ！９ｇ線のスペクトル分布を表わして
いる。破線は、焼付光ｇ線とアライメント光ｅ線の２波
長に収差補正された投影光学系、実線は５ｒｔｙＪ単波
長に収差補正された投影光学系についての色収差補正曲
線である。
ｇ′ｗ、ｅ１１！ｉ！の２波長補正の場合には、ｇ線で
の曲線の傾き一〇が太きくｓ ｙ線スペクトルの広が）
によるピントずれが大きく、像コントラストが低下する
為、ステッパー用の１−１．５μｍの投影光学系には、
適用できない。
の曲線の傾き一〇が太きくｓ ｙ線スペクトルの広が）
によるピントずれが大きく、像コントラストが低下する
為、ステッパー用の１−１．５μｍの投影光学系には、
適用できない。
ｇ線単波長の場合には、−〇が最も小さく、現在開発さ
れているステツパーの主流は、ｇ線単波長の投影光学系
を搭載している。
れているステツパーの主流は、ｇ線単波長の投影光学系
を搭載している。
第２図は、ｇ線、ｈ線２波長補正のもので、ｇ線とｈ線
の波長が近い為勧αは十分小さく、２波長焼付によシ焼
付時のフォトレジスト中の定在波の影響が低減される為
、ウェハ一段差部での焼料性能が良く、ｇ線、ｈ線２波
長補正の投影光学系の方が微細パターンの焼付性能がよ
シ優れている。なお図中ｇｔｈはｇＷ ｔ ｈ線のスペ
クトル分布を表わしている。
の波長が近い為勧αは十分小さく、２波長焼付によシ焼
付時のフォトレジスト中の定在波の影響が低減される為
、ウェハ一段差部での焼料性能が良く、ｇ線、ｈ線２波
長補正の投影光学系の方が微細パターンの焼付性能がよ
シ優れている。なお図中ｇｔｈはｇＷ ｔ ｈ線のスペ
クトル分布を表わしている。
第３図は、本発明を用いた投影露光装置の一実施例であ
る。本体ベース１の上にＸＹステージ２が搭載され、そ
の上にウエノ１−チャック３がオートフォーカス駆動用
のピエゾ４を介して取付けられている。投影光学系５は
、サドル６に支持されて取付けられておシ、上部にフォ
トマスクステージ７を介して、フォトマスク８がセット
されている。実施例では、投影光学系５は、第２図に示
されるｇ線、ｈ線２波長で収差補正がされておシ、アラ
イメント光学系９のアライメント光源としてｇ線に波長
が近いＩ（ｅ−Ｃｄレーザー（波長４４１ ｎｍ ）が
使用されている。第２図に示す様にｒｉ 線、ｈ線２波
長補正投影光学系に４４１ ｎｍの光を通すと約１０μ
ｍ程度のピントずれを生ずる。実施例では、このピント
ずれ量△ｔをまず厳密に実測しておき、又は光学設計上
、予め知っておいてコントロー、ｙ−１０に、ｔフセッ
ト値として記憶させておく。まずアライメントを行う場
合、ウェハー位置検出用のエアーノズル１１でウェハー
１２の位置検出を行い、４４１ｒｕｎでのピント位置に
ウェハー１２をピエゾ４により位置決めし、アライメン
ト光学系９によシ、フォトマスクパターンとウェハーパ
ターンを検出し、ＴＴＬ−ＯＮ〜ＡＸＩＳでアライメン
トする。アライメント終了後、照明光学系１３にょる露
光に先立ってケーブル１４を介してコントローラー１０
によシ、△ｔのオフセット値だけエアーノズル１１の検
出位置指令を補正し、積層構成のピエゾ４に加電するこ
とによシ、ウェハー１２を露光用のｇ線、ｈ線のピント
位置に位置決めし、露光を行う。この時、ウエノ・−１
２の上下動に伴うＸ、Ｙ、θ方向の位置ずれが有っては
ならないが、△ｔは微小量である為、例えばΔｔ＝１０
μｍの上下動に対してその１００分の１に相当する０、
１μ？）Ｌ以下の位置ずれを保証するのは、機械的にも
容易であるし、又、上下動に伴う位置ずれを不図示の電
気センサー等でサーボ補正することも容易である。
る。本体ベース１の上にＸＹステージ２が搭載され、そ
の上にウエノ１−チャック３がオートフォーカス駆動用
のピエゾ４を介して取付けられている。投影光学系５は
、サドル６に支持されて取付けられておシ、上部にフォ
トマスクステージ７を介して、フォトマスク８がセット
されている。実施例では、投影光学系５は、第２図に示
されるｇ線、ｈ線２波長で収差補正がされておシ、アラ
イメント光学系９のアライメント光源としてｇ線に波長
が近いＩ（ｅ−Ｃｄレーザー（波長４４１ ｎｍ ）が
使用されている。第２図に示す様にｒｉ 線、ｈ線２波
長補正投影光学系に４４１ ｎｍの光を通すと約１０μ
ｍ程度のピントずれを生ずる。実施例では、このピント
ずれ量△ｔをまず厳密に実測しておき、又は光学設計上
、予め知っておいてコントロー、ｙ−１０に、ｔフセッ
ト値として記憶させておく。まずアライメントを行う場
合、ウェハー位置検出用のエアーノズル１１でウェハー
１２の位置検出を行い、４４１ｒｕｎでのピント位置に
ウェハー１２をピエゾ４により位置決めし、アライメン
ト光学系９によシ、フォトマスクパターンとウェハーパ
ターンを検出し、ＴＴＬ−ＯＮ〜ＡＸＩＳでアライメン
トする。アライメント終了後、照明光学系１３にょる露
光に先立ってケーブル１４を介してコントローラー１０
によシ、△ｔのオフセット値だけエアーノズル１１の検
出位置指令を補正し、積層構成のピエゾ４に加電するこ
とによシ、ウェハー１２を露光用のｇ線、ｈ線のピント
位置に位置決めし、露光を行う。この時、ウエノ・−１
２の上下動に伴うＸ、Ｙ、θ方向の位置ずれが有っては
ならないが、△ｔは微小量である為、例えばΔｔ＝１０
μｍの上下動に対してその１００分の１に相当する０、
１μ？）Ｌ以下の位置ずれを保証するのは、機械的にも
容易であるし、又、上下動に伴う位置ずれを不図示の電
気センサー等でサーボ補正することも容易である。
同様に現在開発されているステツノ（−は、ステップ精
度を保証する為に、レーザー干渉計によシ投影光学系と
ウエノ・−取付部との相互位置を実測しているのが主流
であるが、この場合には、ウェハーの上下動に伴う位置
ずれ測定がすでに可能になっている。
度を保証する為に、レーザー干渉計によシ投影光学系と
ウエノ・−取付部との相互位置を実測しているのが主流
であるが、この場合には、ウェハーの上下動に伴う位置
ずれ測定がすでに可能になっている。
前記実施例では、ｇ線、ｈ線に収差補正され九投影光学
系について説明したが、ｇ線単波長。
系について説明したが、ｇ線単波長。
ｈ線単波長、ｉ線単波長等で収差補正された投影光学系
についても実施可能である０又、アライメント光源とし
又は、フォトレジストに感度のないｅ線、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザー等の適用も可能であるＯ なお実施例では、ウェハーを上下動させてピント合わせ
を行っているが投影光学系、フォトマスクを上下動させ
てピント合わせを行って′も良い０ 以上本発明によれは、 １、焼付波長以外の各種レーザー光等でＴＴ、［、−０
Ｎ−ＡＸＩＳアライメントが可能となシ、高出力のパタ
ーン検出ができ、又すでにコンタクトアライナ−、ミラ
ーグロジエクションアライナーで確立されている、レー
ザービームスキャンオートアライメント方式等の適用も
可能となる。
についても実施可能である０又、アライメント光源とし
又は、フォトレジストに感度のないｅ線、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザー等の適用も可能であるＯ なお実施例では、ウェハーを上下動させてピント合わせ
を行っているが投影光学系、フォトマスクを上下動させ
てピント合わせを行って′も良い０ 以上本発明によれは、 １、焼付波長以外の各種レーザー光等でＴＴ、［、−０
Ｎ−ＡＸＩＳアライメントが可能となシ、高出力のパタ
ーン検出ができ、又すでにコンタクトアライナ−、ミラ
ーグロジエクションアライナーで確立されている、レー
ザービームスキャンオートアライメント方式等の適用も
可能となる。
２、側光学系を付加する必要がなく、高精度のアライメ
ントが可能である。
ントが可能である。
等の効果が有る。
以上本発明は、微細パターンの焼付を主眼に焼付波長に
ついて収差補正された投影光学系を介して、それ以外の
波長でＴＴＬ −ＯＮ −ＡＸＩ Ｓアライメントを可
能ならしめる有効な手段を提供するものである。
ついて収差補正された投影光学系を介して、それ以外の
波長でＴＴＬ −ＯＮ −ＡＸＩ Ｓアライメントを可
能ならしめる有効な手段を提供するものである。
第１図は、ｇ線、ｅ線２波長補正、ｇ線単波長補正の投
影光学系の色収差補正曲線を示す図。 第２図は、σ線、ｈ線２波長補正の投影光学系の色収差
補正曲線を示す図、第３図は、本発明を用いた投影露光
装置の概略図２図中 （ｌ、ｅｃｈは各々ｙｆｔｌ、ｊ
ｔｅ線、ｈ線スペクトル、２はＸＹステージ、３はウェ
ハーチャック、４はピエゾ、５は投影光学系、７はフォ
トマスクステージ、８はフォトマスク、９はアライメン
ト光学系、１０はコントローラー、１１はエアーノズル
、１２はウェハー、１３は照明光学系、である。
影光学系の色収差補正曲線を示す図。 第２図は、σ線、ｈ線２波長補正の投影光学系の色収差
補正曲線を示す図、第３図は、本発明を用いた投影露光
装置の概略図２図中 （ｌ、ｅｃｈは各々ｙｆｔｌ、ｊ
ｔｅ線、ｈ線スペクトル、２はＸＹステージ、３はウェ
ハーチャック、４はピエゾ、５は投影光学系、７はフォ
トマスクステージ、８はフォトマスク、９はアライメン
ト光学系、１０はコントローラー、１１はエアーノズル
、１２はウェハー、１３は照明光学系、である。
Claims (1)
- 情報パターンを有する原板と情報パターンを記録する情
報記録担体と、情報パターンを投影する投影光学系を有
し、前記投影光学系を介して情報パターンと記録担体と
をアライメントして後露光する機能を具備し、投影光学
系を介した情報パターンの像面位置が、アライメント光
の波長と露光光の波長とで異なる像面位置を有する投影
露光装置のピント合わせ方法に於いて１アライメント光
の波長での投影光学系を介した情報パターンの像面位置
に記録担体をピント合わせしてアライメントした後、露
光光の波長での投影光学系を介した情報パターンの像面
位置に記録担体をピント合わせする為に露光に先立って
、原板と投影光学系と情報記録担体の相互位置を合わせ
直すことを特徴とする投影露光装置のピント合わせ方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202477A JPS5990929A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 投影露光装置のピント合わせ方法 |
| US06/710,936 US4561773A (en) | 1982-11-17 | 1985-03-13 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202477A JPS5990929A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 投影露光装置のピント合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990929A true JPS5990929A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16458159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202477A Pending JPS5990929A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | 投影露光装置のピント合わせ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4561773A (ja) |
| JP (1) | JPS5990929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08240919A (ja) * | 1995-11-06 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 光露光方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183928A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPH0722101B2 (ja) * | 1985-08-29 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置用遮風装置 |
| US4805000A (en) * | 1986-01-17 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US4869999A (en) * | 1986-08-08 | 1989-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
| US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| JP2994968B2 (ja) * | 1994-10-06 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
| JP6552312B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3542469A (en) * | 1967-09-30 | 1970-11-24 | Telefunken Patent | Photographic production of semiconductor microstructures |
| FR2335876A1 (fr) * | 1975-12-19 | 1977-07-15 | Thomson Csf | Traceur de dessins fonctionnant par voie optique |
| JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
| FR2388300A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Dispositif optique de projection de motifs comportant un asservissement de focalisation a grandissement constant |
| FR2450470A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique de projection en photorepetition |
| US4473293A (en) * | 1979-04-03 | 1984-09-25 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system |
| JPS5658235A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Canon Inc | Alignment device |
| US4422755A (en) * | 1980-01-18 | 1983-12-27 | Optimetrix Corporation | Frontal illumination system for semiconductive wafers |
| JPS56110234A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Canon Inc | Projection printing device |
| US4452526A (en) * | 1980-02-29 | 1984-06-05 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system with auxiliary optical unit |
| US4464030A (en) * | 1982-03-26 | 1984-08-07 | Rca Corporation | Dynamic accuracy X-Y positioning table for use in a high precision light-spot writing system |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP57202477A patent/JPS5990929A/ja active Pending
-
1985
- 1985-03-13 US US06/710,936 patent/US4561773A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08240919A (ja) * | 1995-11-06 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 光露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4561773A (en) | 1985-12-31 |
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