JPH09270457A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH09270457A JPH09270457A JP10374896A JP10374896A JPH09270457A JP H09270457 A JPH09270457 A JP H09270457A JP 10374896 A JP10374896 A JP 10374896A JP 10374896 A JP10374896 A JP 10374896A JP H09270457 A JPH09270457 A JP H09270457A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- wafer
- cooling
- wafer chuck
- chuck
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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-
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ上に高精度のパターンを形成し得る露
光装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板に回路パターンを形成する露
光装置であって、半導体基板１０を静電吸着により固定
保持するための半導体基板吸着部の上層部を誘電層９と
すると共に下層部４をセラミック製とした半導体基板吸
着手段２と、半導体基板吸着手段２に温度調整用冷却媒
体を流すための媒体流路１２を具備し、この媒体流路１
２に流した温度調整用冷却媒体が半導体基板１０に直接
接触して、半導体基板１０を冷却するようにした冷却手
段３，１２と、を有している。温度調整用冷却媒体がヘ
リウムガスである。露光中の半導体基板１０の温度上昇
を抑え、レジストの感度変動や半導体基板１０の熱膨張
をなくすことができる。
光装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板に回路パターンを形成する露
光装置であって、半導体基板１０を静電吸着により固定
保持するための半導体基板吸着部の上層部を誘電層９と
すると共に下層部４をセラミック製とした半導体基板吸
着手段２と、半導体基板吸着手段２に温度調整用冷却媒
体を流すための媒体流路１２を具備し、この媒体流路１
２に流した温度調整用冷却媒体が半導体基板１０に直接
接触して、半導体基板１０を冷却するようにした冷却手
段３，１２と、を有している。温度調整用冷却媒体がヘ
リウムガスである。露光中の半導体基板１０の温度上昇
を抑え、レジストの感度変動や半導体基板１０の熱膨張
をなくすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、ホトレジストを塗布した半導体ウェハに回路パタ
ーンを露光する露光装置、特にウェハ等の基板を保持す
るための基板保持装置に関するものである。
係り、ホトレジストを塗布した半導体ウェハに回路パタ
ーンを露光する露光装置、特にウェハ等の基板を保持す
るための基板保持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体リソグラフィ工程においては、露
光装置によりマスクを介してウェハを露光し、そのウェ
ハ上にパターンを転写形成している。高精度のパターン
を形成するためにはウェハの温度を一定に維持し、熱に
よるウェハの変形を極力防止する必要がある。
光装置によりマスクを介してウェハを露光し、そのウェ
ハ上にパターンを転写形成している。高精度のパターン
を形成するためにはウェハの温度を一定に維持し、熱に
よるウェハの変形を極力防止する必要がある。
【０００３】このため例えば特開平４−８５９１８号公
報に開示されている方法によれば、ウェハを吸着するウ
ェハチャック内部に温度制御用の冷却媒体を流してウェ
ハチャックを冷却し、ウェハチャック上のウェハ温度を
一定に保っている。また、特開平１−２０５４１９号公
報に開示されている方法では、露光時に発生する熱を抑
えるため、ウェハチャックを搭載したステージを冷却す
ることにより間接的にウェハを冷却している。なお、従
来の露光装置においては、ウェハを保持する方法として
真空チャックを主に用いていた。
報に開示されている方法によれば、ウェハを吸着するウ
ェハチャック内部に温度制御用の冷却媒体を流してウェ
ハチャックを冷却し、ウェハチャック上のウェハ温度を
一定に保っている。また、特開平１−２０５４１９号公
報に開示されている方法では、露光時に発生する熱を抑
えるため、ウェハチャックを搭載したステージを冷却す
ることにより間接的にウェハを冷却している。なお、従
来の露光装置においては、ウェハを保持する方法として
真空チャックを主に用いていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の露光装
置では、ウェハを保持する方法として真空チャックを行
うため、異物等によるウェハチャック上の凹凸の影響を
さけるためにウェハとウェハチャックの接触面積を小さ
くしている。そのためウェハの冷却効率は悪く、ウェハ
の温度が上昇して温度に敏感なレジストの感度が変わっ
てしまい、均一な精度でパターンが形成できないという
問題があった。
置では、ウェハを保持する方法として真空チャックを行
うため、異物等によるウェハチャック上の凹凸の影響を
さけるためにウェハとウェハチャックの接触面積を小さ
くしている。そのためウェハの冷却効率は悪く、ウェハ
の温度が上昇して温度に敏感なレジストの感度が変わっ
てしまい、均一な精度でパターンが形成できないという
問題があった。
【０００５】またウェハチャックを搭載したステージを
冷却する方法では、間接的にウェハを冷却しているの
で、冷却効率が悪く、露光による温度上昇によって半導
体基板が熱膨張し、その露光位置のズレが大きくなると
いう問題があった。
冷却する方法では、間接的にウェハを冷却しているの
で、冷却効率が悪く、露光による温度上昇によって半導
体基板が熱膨張し、その露光位置のズレが大きくなると
いう問題があった。
【０００６】そこで本発明の目的はかかる実情に鑑み、
ウェハ上に高精度のパターンを形成し得る露光装置を提
供することにある。
ウェハ上に高精度のパターンを形成し得る露光装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の露光装置は、半導体基板に回路パターンを形
成する露光装置であって、半導体基板を静電吸着により
固定保持するための半導体基板吸着部の上層部を誘電層
とすると共に下層部をセラミック製とした半導体基板吸
着手段と、前記半導体基板吸着手段に温度調整用冷却媒
体を流すための媒体流路を具備し、この媒体流路に流し
た前記温度調整用冷却媒体が前記半導体基板に直接接触
して、前記半導体基板を冷却するようにした冷却手段
と、を有している。
に本発明の露光装置は、半導体基板に回路パターンを形
成する露光装置であって、半導体基板を静電吸着により
固定保持するための半導体基板吸着部の上層部を誘電層
とすると共に下層部をセラミック製とした半導体基板吸
着手段と、前記半導体基板吸着手段に温度調整用冷却媒
体を流すための媒体流路を具備し、この媒体流路に流し
た前記温度調整用冷却媒体が前記半導体基板に直接接触
して、前記半導体基板を冷却するようにした冷却手段
と、を有している。
【０００８】また、本発明の露光装置において、前記温
度調整用冷却媒体がヘリウムガスであることを特徴とす
る。
度調整用冷却媒体がヘリウムガスであることを特徴とす
る。
【０００９】本発明によれば、露光装置の半導体基板吸
着手段における上層部分を誘電層、また下層部分を熱伝
動率の高いセラミック製にし、静電吸着によって半導体
基板を吸着する。更に半導体基板を直接冷却媒体によっ
て冷却する機構を備えることで半導体基板に対する冷却
効率を格段に高めることができる。これにより露光中の
半導体基板の温度上昇を抑えることができる。
着手段における上層部分を誘電層、また下層部分を熱伝
動率の高いセラミック製にし、静電吸着によって半導体
基板を吸着する。更に半導体基板を直接冷却媒体によっ
て冷却する機構を備えることで半導体基板に対する冷却
効率を格段に高めることができる。これにより露光中の
半導体基板の温度上昇を抑えることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明によ
る露光装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。図１
は、本発明の実施形態における概念的に示す斜視図であ
る。この投影露光装置は、パターン転写を直接行う光学
系１と、パターン転写されるシリコン等の半導体ウェハ
１０を支持するウェハステージ（図示せず）上に搭載さ
れたウェハチャック２と、冷却用パイプ３とにより構成
されている。
る露光装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。図１
は、本発明の実施形態における概念的に示す斜視図であ
る。この投影露光装置は、パターン転写を直接行う光学
系１と、パターン転写されるシリコン等の半導体ウェハ
１０を支持するウェハステージ（図示せず）上に搭載さ
れたウェハチャック２と、冷却用パイプ３とにより構成
されている。
【００１１】光学系１は、水銀ランプ等から成る光源１
０１、コンデンサレンズ１０２及び結像レンズ１０３等
を備え、レチクルやフォトマスク１１０のパターンをウ
ェハチャック２上のウェハ１０表面に所望の縮小率、例
えば１／５の縮小率で投影するようになっている。
０１、コンデンサレンズ１０２及び結像レンズ１０３等
を備え、レチクルやフォトマスク１１０のパターンをウ
ェハチャック２上のウェハ１０表面に所望の縮小率、例
えば１／５の縮小率で投影するようになっている。
【００１２】図２は、ウェハチャック２の模式図であ
る。ウェハチャック２におけるウェハ１０と直接接触す
る上層部分は、ウェハ冷却用の冷却通路１２が設けられ
た誘電層９により構成される。また、ウェハチャック２
は、所謂ＸＹステージ（図示せず）上に搭載されてお
り、ＸＹ直交２軸に沿って移動可能とする。
る。ウェハチャック２におけるウェハ１０と直接接触す
る上層部分は、ウェハ冷却用の冷却通路１２が設けられ
た誘電層９により構成される。また、ウェハチャック２
は、所謂ＸＹステージ（図示せず）上に搭載されてお
り、ＸＹ直交２軸に沿って移動可能とする。
【００１３】図３は、図２のＡ−Ａ′線に沿った断面構
造を示している。ウェハチャック２の上層部分は上記の
ように誘電層９で成り、また下層部分４の材料にはセラ
ミックスが用いられ、静電吸着によってウェハ１０をウ
ェハチャック２の表面上に吸着固定することができる。
ウェハチャック２の下層部分４の上面に内部電極５が形
成されると共に、下層部分４に形成した孔６を介して外
部に外部電極７を引き出し、この外部電極７を電源８に
接続する。内部電極５は絶縁性誘電層９にて覆われ、こ
の誘電層９上に導電性試料、例えばウェハ１０が載置さ
れる。このウェハ１０に対して、電源８に接続する電極
１１を接触させ、その結果発生する静電力によってウェ
ハ１０がウェハチャック２に吸着されるようになってい
る。
造を示している。ウェハチャック２の上層部分は上記の
ように誘電層９で成り、また下層部分４の材料にはセラ
ミックスが用いられ、静電吸着によってウェハ１０をウ
ェハチャック２の表面上に吸着固定することができる。
ウェハチャック２の下層部分４の上面に内部電極５が形
成されると共に、下層部分４に形成した孔６を介して外
部に外部電極７を引き出し、この外部電極７を電源８に
接続する。内部電極５は絶縁性誘電層９にて覆われ、こ
の誘電層９上に導電性試料、例えばウェハ１０が載置さ
れる。このウェハ１０に対して、電源８に接続する電極
１１を接触させ、その結果発生する静電力によってウェ
ハ１０がウェハチャック２に吸着されるようになってい
る。
【００１４】上記の場合、ウェハ１０の交換時にはウェ
ハ１０から電極１１を離し、このように静電力を切って
からウェハチャック２に組み込まれたピン（図示せず）
によってウェハ１０を持ち上げて行うことができる。
ハ１０から電極１１を離し、このように静電力を切って
からウェハチャック２に組み込まれたピン（図示せず）
によってウェハ１０を持ち上げて行うことができる。
【００１５】ウェハチャック２の表面には、冷却ガスを
通すための冷却通路１２が形成されている（図２及び図
３）。この実施形態において冷却ガスとして主にＨｅガ
スが用いられ、予め２３℃前後の温度となるようにコン
トロールされて冷却通路１２に送られる。冷却ガスは冷
却通路１２を通り、ウェハチャック２上のウェハ１０裏
面を直接冷却する。冷却ガスの出口側の配管の径が絞っ
てあり、ガスの圧力を高めてから、ゴミ等の発生源とな
らないようにウェハチャック２の横から冷却ガスを放出
するようになっている。更に、ウェハチャック２の下層
部分４内には冷却水用配管１３が配置され、ウェハチャ
ック２本体を冷却して間接的にウェハを冷却している。
通すための冷却通路１２が形成されている（図２及び図
３）。この実施形態において冷却ガスとして主にＨｅガ
スが用いられ、予め２３℃前後の温度となるようにコン
トロールされて冷却通路１２に送られる。冷却ガスは冷
却通路１２を通り、ウェハチャック２上のウェハ１０裏
面を直接冷却する。冷却ガスの出口側の配管の径が絞っ
てあり、ガスの圧力を高めてから、ゴミ等の発生源とな
らないようにウェハチャック２の横から冷却ガスを放出
するようになっている。更に、ウェハチャック２の下層
部分４内には冷却水用配管１３が配置され、ウェハチャ
ック２本体を冷却して間接的にウェハを冷却している。
【００１６】ここで、ウェハチャック２の下層部分４は
前述のようにセラミックス材料から成り、具体的にはＡ
ｌ2 Ｏ3 等の酸化物、Ｓｉ3 Ｎ4 又はＡｌＮ等の窒化
物、或いはＳｉＣ等の炭化物を用いる。そして、特に熱
伝動率が高く絶縁性に優れた窒化物または炭化物を用い
れば、冷却水用配管１３を設けた場合に誘電層９上面の
冷却効率の向上及び熱分布の均一化を図ることができ
る。
前述のようにセラミックス材料から成り、具体的にはＡ
ｌ2 Ｏ3 等の酸化物、Ｓｉ3 Ｎ4 又はＡｌＮ等の窒化
物、或いはＳｉＣ等の炭化物を用いる。そして、特に熱
伝動率が高く絶縁性に優れた窒化物または炭化物を用い
れば、冷却水用配管１３を設けた場合に誘電層９上面の
冷却効率の向上及び熱分布の均一化を図ることができ
る。
【００１７】また、ウェハチャック２の冷却通路１２を
通る冷却ガスは直接ウェハ１０に接触するため、従来の
真空チャック方式のウェハチャックに比べ、冷却効果、
均熱化及びコンパクト化等の点で格段に有利である。
通る冷却ガスは直接ウェハ１０に接触するため、従来の
真空チャック方式のウェハチャックに比べ、冷却効果、
均熱化及びコンパクト化等の点で格段に有利である。
【００１８】次に、本発明による露光装置の第２の実施
の形態を説明する。図４は、この実施形態におけるウェ
ハチャック２の縦断面図である。ウェハチャック２の下
層部分４の表面に内部電極５を形成する場合、スクリー
ン印刷法或いはエッチング法等の厚膜形成技術によれば
パターン化することができる。第２の実施形態ではかか
る厚膜形成技術を利用してウェハチャック２の下層部分
４上に複数の内部電極５を形成し、これらの内部電極５
を誘電層９によって覆い、ウェハ１０に電極を接触させ
ずに静電力で吸着し得るようにしたものである。
の形態を説明する。図４は、この実施形態におけるウェ
ハチャック２の縦断面図である。ウェハチャック２の下
層部分４の表面に内部電極５を形成する場合、スクリー
ン印刷法或いはエッチング法等の厚膜形成技術によれば
パターン化することができる。第２の実施形態ではかか
る厚膜形成技術を利用してウェハチャック２の下層部分
４上に複数の内部電極５を形成し、これらの内部電極５
を誘電層９によって覆い、ウェハ１０に電極を接触させ
ずに静電力で吸着し得るようにしたものである。
【００１９】また、静電力（Ｆ）は一般に次式で表され
る。 Ｆ＝（１／２）ε0 ・εS ・Ｓ（Ｖ／ｄ）2 ここに、ε0 ＝真空誘電率、εS ＝比誘電率、Ｓ＝誘電
面積、ｄ＝誘電層の厚さである。
る。 Ｆ＝（１／２）ε0 ・εS ・Ｓ（Ｖ／ｄ）2 ここに、ε0 ＝真空誘電率、εS ＝比誘電率、Ｓ＝誘電
面積、ｄ＝誘電層の厚さである。
【００２０】ε0 、εS 及びＳはそれぞれ材質或いは構
造で決まる。電圧（Ｖ）を高くすることなく静電力
（Ｆ）を高めるには誘電層の厚さ（ｄ）を薄くすれば良
いのであるが、前述したスクリーン印刷或いは溶射では
薄膜化に一定の限度がある。そこで、ＣＶＤ法（Chemic
al Vapor Deposition ）又はＰＶＤ法（Physical Vapor
Deposition）法等の薄膜形成法により、内部電極５及び
誘電層９を形成しても良い。
造で決まる。電圧（Ｖ）を高くすることなく静電力
（Ｆ）を高めるには誘電層の厚さ（ｄ）を薄くすれば良
いのであるが、前述したスクリーン印刷或いは溶射では
薄膜化に一定の限度がある。そこで、ＣＶＤ法（Chemic
al Vapor Deposition ）又はＰＶＤ法（Physical Vapor
Deposition）法等の薄膜形成法により、内部電極５及び
誘電層９を形成しても良い。
【００２１】具体的には上記ＣＶＤ法又はＰＶＤ法によ
ってウェハチャック２の下層部分４上にＴｉＣ、ＴｉＮ
等を０．５μｍ以下に形成し、これを内部電極５とす
る。この内部電極５上にＡｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等の緻
密な絶縁性薄膜１０〜２０μｍ形成し、これを誘電層９
とすれば静電力を大幅に高めることが可能となる。
ってウェハチャック２の下層部分４上にＴｉＣ、ＴｉＮ
等を０．５μｍ以下に形成し、これを内部電極５とす
る。この内部電極５上にＡｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等の緻
密な絶縁性薄膜１０〜２０μｍ形成し、これを誘電層９
とすれば静電力を大幅に高めることが可能となる。
【００２２】また、ウェハ１０の交換時には電源８を切
り、静電力を切ってからウェハ１０をステージに組み込
まれたピン（図示せず）で持ち上げて行う。なお、その
他冷却機構は前述の第１の実施形態の場合と同様である
ため、ここでは説明を省略するものとする。
り、静電力を切ってからウェハ１０をステージに組み込
まれたピン（図示せず）で持ち上げて行う。なお、その
他冷却機構は前述の第１の実施形態の場合と同様である
ため、ここでは説明を省略するものとする。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、投
影露光装置のウェハチャックの上層部分を誘電層、また
下層部分を熱伝動率の高いセラミック製にし、静電吸着
によってウェハを吸着し、更にウェハを直接ガス冷却す
る機構を備えることでウェハの冷却効率を格段に高める
ことができる。これにより露光中の半導体基板（ウェ
ハ）の温度上昇を抑えることができ、レジストの感度変
動や半導体基板（ウェハ）の熱膨張をなくすことができ
る。従って常に所定の縮小率でパターン転写を忠実に実
現でき、特に微細パターンを高精度に転写形成する上で
極めて有効である等の利点を有している。
影露光装置のウェハチャックの上層部分を誘電層、また
下層部分を熱伝動率の高いセラミック製にし、静電吸着
によってウェハを吸着し、更にウェハを直接ガス冷却す
る機構を備えることでウェハの冷却効率を格段に高める
ことができる。これにより露光中の半導体基板（ウェ
ハ）の温度上昇を抑えることができ、レジストの感度変
動や半導体基板（ウェハ）の熱膨張をなくすことができ
る。従って常に所定の縮小率でパターン転写を忠実に実
現でき、特に微細パターンを高精度に転写形成する上で
極めて有効である等の利点を有している。
【図１】本発明の第１の実施形態における概念的な構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る静電吸着式ウェ
ハチャックの模式図である。
ハチャックの模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る静電吸着式ウェ
ハチャックの断面図である。
ハチャックの断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る静電吸着式ウェ
ハチャックの断面図である。
ハチャックの断面図である。
２ ウェハチャック ３ 冷却用パイプ ４ 下層部分（セラミックス） ５ 内部電極 ７ 外部電極 ８ 電源 ９ 上層部分（誘電層） １０ ウェハ １１ 電極 １２ 冷却通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｇ ５１６Ｅ 23/46
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板に回路パターンを形成する露
光装置であって、 半導体基板を静電吸着により固定保持するための半導体
基板吸着部の上層部を誘電層とすると共に下層部をセラ
ミック製とした半導体基板吸着手段と、 前記半導体基板吸着手段に温度調整用冷却媒体を流すた
めの媒体流路を具備し、この媒体流路に流した前記温度
調整用冷却媒体が前記半導体基板に直接接触して、前記
半導体基板を冷却するようにした冷却手段と、を有する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記温度調整用冷却媒体がヘリウムガス
であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374896A JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374896A JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270457A true JPH09270457A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=14362211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10374896A Withdrawn JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270457A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001297971A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Ulvac Japan Ltd | 露光装置 |
| JP2005328051A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| EP1653283A2 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-03 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100886186B1 (ko) * | 2006-05-15 | 2009-02-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP10374896A patent/JPH09270457A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
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