JPH1092728A - 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 - Google Patents
基板保持装置およびこれを用いた露光装置Info
- Publication number
- JPH1092728A JPH1092728A JP8262496A JP26249696A JPH1092728A JP H1092728 A JPH1092728 A JP H1092728A JP 8262496 A JP8262496 A JP 8262496A JP 26249696 A JP26249696 A JP 26249696A JP H1092728 A JPH1092728 A JP H1092728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding
- wafer
- recess
- substrate
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光中のウエハの熱歪を防ぐ。
【解決手段】 ウエハチャックＥ1 の吸着面１ａには、
複数の吸着溝１ｂが設けられている。最外周部の吸着溝
１ｂを真空ポンプ４に接続する配管３ａは、残りの吸着
溝１ｂを真空ポンプ４に接続する配管３ｂより低い配管
抵抗を有する。最外周部の吸着溝１ｂをより強く真空引
きすることでウエハＷ1 全面の吸着力を均一にする。こ
れによって、ウエハＷ1 が均一に冷却される。
複数の吸着溝１ｂが設けられている。最外周部の吸着溝
１ｂを真空ポンプ４に接続する配管３ａは、残りの吸着
溝１ｂを真空ポンプ４に接続する配管３ｂより低い配管
抵抗を有する。最外周部の吸着溝１ｂをより強く真空引
きすることでウエハＷ1 全面の吸着力を均一にする。こ
れによって、ウエハＷ1 が均一に冷却される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク等原版のパ
ターンをウエハ等基板に転写、焼き付けするための露光
装置に用いる基板保持装置およびこれを用いた露光装置
に関するものである。
ターンをウエハ等基板に転写、焼き付けするための露光
装置に用いる基板保持装置およびこれを用いた露光装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴って、
２５６メガビットのＤＲＡＭのための最小線幅０．２５
μｍのパターン、あるいは１ギガビットのＤＲＡＭのた
めの最小線幅０．１５μｍのパターンを転写、焼き付け
できる露光装置の開発が望まれている。なかでも荷電粒
子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置は、転写精度と生産性の双方にすぐれており、将来性
が大きく期待されている。
２５６メガビットのＤＲＡＭのための最小線幅０．２５
μｍのパターン、あるいは１ギガビットのＤＲＡＭのた
めの最小線幅０．１５μｍのパターンを転写、焼き付け
できる露光装置の開発が望まれている。なかでも荷電粒
子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置は、転写精度と生産性の双方にすぐれており、将来性
が大きく期待されている。
【０００３】一般的に、マスク等原版とウエハ等基板の
アライメントの誤差は、パターンの線幅の１／４以下で
あることが要求される。従って、最小線幅０．２５μｍ
あるいは０．１５μｍの極めて微細化されたパターンの
転写、焼き付けに許容されるアライメントの誤差は、そ
れぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度までである。そこで、露
光光として、ｉ線やＫｒＦレーザ等を用いる技術が開発
されているが、回折による解像度の劣化を避けるために
は、より短波長の荷電粒子蓄積リング放射光等のＸ線を
用いるのが望ましい。
アライメントの誤差は、パターンの線幅の１／４以下で
あることが要求される。従って、最小線幅０．２５μｍ
あるいは０．１５μｍの極めて微細化されたパターンの
転写、焼き付けに許容されるアライメントの誤差は、そ
れぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度までである。そこで、露
光光として、ｉ線やＫｒＦレーザ等を用いる技術が開発
されているが、回折による解像度の劣化を避けるために
は、より短波長の荷電粒子蓄積リング放射光等のＸ線を
用いるのが望ましい。
【０００４】荷電粒子蓄積リング放射光等の軟Ｘ線は、
大気中で著しく減衰するため、マスクやウエハを搬入し
た露光室をヘリウムの減圧雰囲気に制御して露光を行な
う。荷電粒子蓄積リング放射光は原子番号の大きい元素
に対して吸収性が高いため、Ｎ2 、Ｏ2 等を含む大気を
露光室から排出し、露光室を所定の真空度に真空引きし
たうえで、高純度のヘリウムガスを露光室に充填する。
大気中で著しく減衰するため、マスクやウエハを搬入し
た露光室をヘリウムの減圧雰囲気に制御して露光を行な
う。荷電粒子蓄積リング放射光は原子番号の大きい元素
に対して吸収性が高いため、Ｎ2 、Ｏ2 等を含む大気を
露光室から排出し、露光室を所定の真空度に真空引きし
たうえで、高純度のヘリウムガスを露光室に充填する。
【０００５】このようなＸ線を露光光とする露光装置に
おいては、露光光の高エネルギーを吸収したウエハが昇
温し、著しい熱歪を発生する。そこで、ウエハを吸着保
持するウエハチャックを強制冷却することでウエハの昇
温を防ぐ工夫がなされている。
おいては、露光光の高エネルギーを吸収したウエハが昇
温し、著しい熱歪を発生する。そこで、ウエハを吸着保
持するウエハチャックを強制冷却することでウエハの昇
温を防ぐ工夫がなされている。
【０００６】図７は一従来例によるウエハチャックＥ0
を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に載
置された円盤状の本体１０１と、その内部に配設された
温調用の内部配管１０２に冷却水等の温調流体を供給す
る流体供給源１０３と、本体１０１の表面すなわち吸着
面１０１ａに形成された吸着溝１０１ｂに吸着力を発生
させるための真空排気ライン１０４を有し、該真空排気
ライン１０４は、本体１０１の吸着溝１０１ｂに連通す
る排気管１０４ａと、これに接続された真空ポンプ１０
４ｂからなる。
を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に載
置された円盤状の本体１０１と、その内部に配設された
温調用の内部配管１０２に冷却水等の温調流体を供給す
る流体供給源１０３と、本体１０１の表面すなわち吸着
面１０１ａに形成された吸着溝１０１ｂに吸着力を発生
させるための真空排気ライン１０４を有し、該真空排気
ライン１０４は、本体１０１の吸着溝１０１ｂに連通す
る排気管１０４ａと、これに接続された真空ポンプ１０
４ｂからなる。
【０００７】図示しない光源から発生された露光光Ｌ0
は、マスクＭ0 を経てウエハチャックＥ0 上のウエハＷ
0 に照射され、マスクＭ0 のパターンをウエハＷ0 に転
写、焼き付けする。
は、マスクＭ0 を経てウエハチャックＥ0 上のウエハＷ
0 に照射され、マスクＭ0 のパターンをウエハＷ0 に転
写、焼き付けする。
【０００８】露光中はマスクＭ0 やウエハＷ0 が露光光
のエネルギーを吸収するが、マスクＭ0 の熱は周囲の雰
囲気中に放出され、ウエハＷ0 は、温調流体によって冷
却されたウエハチャックに接触することで放熱する。
のエネルギーを吸収するが、マスクＭ0 の熱は周囲の雰
囲気中に放出され、ウエハＷ0 は、温調流体によって冷
却されたウエハチャックに接触することで放熱する。
【０００９】このようにしてマスクＭ0 やウエハＷ0 の
昇温を防ぎ、両者の熱変形に起因する重ね合わせ精度等
の劣化を回避するように工夫されている。
昇温を防ぎ、両者の熱変形に起因する重ね合わせ精度等
の劣化を回避するように工夫されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、ウエハとウエハチャックの吸着面の接
触圧力がウエハの外周部において局部的に低下し、この
ためにウエハを均一に冷却することができずに転写精度
が低下するという未解決の課題がある。
の技術によれば、ウエハとウエハチャックの吸着面の接
触圧力がウエハの外周部において局部的に低下し、この
ためにウエハを均一に冷却することができずに転写精度
が低下するという未解決の課題がある。
【００１１】詳しく説明すると、図８に示すように、ウ
エハＷ0 とウエハチャック１０１の吸着面１０１ａの接
触圧力は、ウエハＷ0 の外周部Ａにおいて中心部Ｂより
低くなり、このために発生する接触熱抵抗の差によって
ウエハＷ0 の温度が不均一となり、ウエハＷ0 の表面に
著しい熱歪を生じる。
エハＷ0 とウエハチャック１０１の吸着面１０１ａの接
触圧力は、ウエハＷ0 の外周部Ａにおいて中心部Ｂより
低くなり、このために発生する接触熱抵抗の差によって
ウエハＷ0 の温度が不均一となり、ウエハＷ0 の表面に
著しい熱歪を生じる。
【００１２】ウエハＷ0 の外周部Ａにおいて接触圧力が
局部的に低下する理由は、ウエハＷ 0 の周囲のヘリウム
等の雰囲気ガスがウエハＷ0 の外周縁からウエハＷ0 と
ウエハチャック１０１の間に侵入して、この部分の吸着
力を低下させるためであると推察される。
局部的に低下する理由は、ウエハＷ 0 の周囲のヘリウム
等の雰囲気ガスがウエハＷ0 の外周縁からウエハＷ0 と
ウエハチャック１０１の間に侵入して、この部分の吸着
力を低下させるためであると推察される。
【００１３】実験によれば、以下の表１に示すように、
ウエハＷ0 の外周部Ａと中心部Ｂにおいてウエハチャッ
ク１０１の吸着面１０１ａの圧力がそれぞれ１００Ｔｏ
ｒｒ、０Ｔｏｒｒであるとき、Ｓｉを材料とするウエハ
Ｗ0 の線膨張係数２ｅ-6を用いて３０ｍｍ四方の露光画
角の接触熱抵抗を算出すると２ｅ-5（ｋｍ2 ／Ｗ）、２
ｅ-3（ｋｍ2 ／Ｗ）となる。
ウエハＷ0 の外周部Ａと中心部Ｂにおいてウエハチャッ
ク１０１の吸着面１０１ａの圧力がそれぞれ１００Ｔｏ
ｒｒ、０Ｔｏｒｒであるとき、Ｓｉを材料とするウエハ
Ｗ0 の線膨張係数２ｅ-6を用いて３０ｍｍ四方の露光画
角の接触熱抵抗を算出すると２ｅ-5（ｋｍ2 ／Ｗ）、２
ｅ-3（ｋｍ2 ／Ｗ）となる。
【００１４】これらのデータに基づいて、熱流密度１ｋ
Ｗ／ｍ2 であるときのウエハＷ0 の外周部Ａと中心部Ｂ
の温度上昇を算出すると、それぞれ２0 ｋ，０．０２0
ｋとなり、露光画角の伸びはそれぞれ１００ｎｍ、１ｎ
ｍである。
Ｗ／ｍ2 であるときのウエハＷ0 の外周部Ａと中心部Ｂ
の温度上昇を算出すると、それぞれ２0 ｋ，０．０２0
ｋとなり、露光画角の伸びはそれぞれ１００ｎｍ、１ｎ
ｍである。
【００１５】
【表１】 ウエハの外周部と中心部の熱歪にこのような大きな差が
あると、マスクのパターンを均一に転写することができ
ず、回路パターンの重ね合わせ精度等が著しく劣化す
る。
あると、マスクのパターンを均一に転写することができ
ず、回路パターンの重ね合わせ精度等が著しく劣化す
る。
【００１６】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、露光中のウエハ等基
板の熱歪を回避して転写精度を大幅に向上できる基板保
持装置およびこれを用いた露光装置を提供することを目
的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、露光中のウエハ等基
板の熱歪を回避して転写精度を大幅に向上できる基板保
持装置およびこれを用いた露光装置を提供することを目
的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板保持装置は、基板を保持する保持面
の外周部に配設された第１の凹所とその内側に配設され
た第２の凹所を有する保持盤と、該保持盤の温度を調節
する温度調節手段と、前記第１の凹所を排気するための
第１の配管と、前記第２の凹所を排気するための第２の
配管を備えており、前記第１の配管が、前記第２の配管
より低い配管抵抗を有することを特徴とする。
めに、本発明の基板保持装置は、基板を保持する保持面
の外周部に配設された第１の凹所とその内側に配設され
た第２の凹所を有する保持盤と、該保持盤の温度を調節
する温度調節手段と、前記第１の凹所を排気するための
第１の配管と、前記第２の凹所を排気するための第２の
配管を備えており、前記第１の配管が、前記第２の配管
より低い配管抵抗を有することを特徴とする。
【００１８】基板を保持する保持面の外周部に配設され
た第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有す
る保持盤と、前記第１のおよび前記第２の凹所をそれぞ
れ排気するための排気手段と、前記第１の凹所の真空度
を検出する第１の圧力検知手段と、前記第２の凹所の真
空度を検出する第２の圧力検知手段と、前記第１および
前記第２の圧力検知手段の出力に基づいて前記排気手段
を制御する制御手段を有することを特徴とするものでも
よい。
た第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有す
る保持盤と、前記第１のおよび前記第２の凹所をそれぞ
れ排気するための排気手段と、前記第１の凹所の真空度
を検出する第１の圧力検知手段と、前記第２の凹所の真
空度を検出する第２の圧力検知手段と、前記第１および
前記第２の圧力検知手段の出力に基づいて前記排気手段
を制御する制御手段を有することを特徴とするものでも
よい。
【００１９】また、基板を保持する保持面に配設された
複数の第１の凹所とこれらの間に配設された第２の凹所
を有する保持盤と、前記第１の凹所を排気するための排
気手段と、前記第２の凹所を前記保持盤の周囲の雰囲気
に開放するための開口手段を有することを特徴とするも
のでもよい。
複数の第１の凹所とこれらの間に配設された第２の凹所
を有する保持盤と、前記第１の凹所を排気するための排
気手段と、前記第２の凹所を前記保持盤の周囲の雰囲気
に開放するための開口手段を有することを特徴とするも
のでもよい。
【００２０】
【作用】保持面の外周部に配設された第１の凹所に発生
する吸着力は、保持面の外周縁から基板との間に侵入す
る雰囲気ガスのために、第２の凹所に発生する吸着力よ
り低くなる傾向がある。そこで、第１の凹所を排気する
第１の配管の配管抵抗が、第２の凹所を排気する第２の
配管の配管抵抗より低くなるように構成し、第１の凹所
をより強く真空引きすることで、第１、第２の凹所に発
生する吸着力を均一にする。これによって、保持面全体
の吸着力が均一となる。
する吸着力は、保持面の外周縁から基板との間に侵入す
る雰囲気ガスのために、第２の凹所に発生する吸着力よ
り低くなる傾向がある。そこで、第１の凹所を排気する
第１の配管の配管抵抗が、第２の凹所を排気する第２の
配管の配管抵抗より低くなるように構成し、第１の凹所
をより強く真空引きすることで、第１、第２の凹所に発
生する吸着力を均一にする。これによって、保持面全体
の吸着力が均一となる。
【００２１】このように保持面全体の吸着力を均一にす
ることで、基板と保持盤の接触圧力が基板の外周部で局
部的に低下するのを防ぎ、保持盤との接触による基板の
冷却を均一に行なって、露光光による基板の熱歪等を回
避する。その結果、露光装置の転写精度を大幅に向上で
きる。
ることで、基板と保持盤の接触圧力が基板の外周部で局
部的に低下するのを防ぎ、保持盤との接触による基板の
冷却を均一に行なって、露光光による基板の熱歪等を回
避する。その結果、露光装置の転写精度を大幅に向上で
きる。
【００２２】基板を保持する保持面の外周部に配設され
た第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有す
る保持盤と、前記第１および前記第２の凹所をそれぞれ
排気するための排気手段と、前記第１の凹所の真空度を
検出する第１の圧力検知手段と、前記第２の凹所の真空
度を検出する第２の圧力検知手段と、前記第１および前
記第２の圧力検知手段の出力に基づいて前記排気手段を
制御する制御手段を有することを特徴とするものであれ
ば、第１、第２の凹所に発生する吸着力を高精度で制御
して、基板の温度むらを確実に回避できる。
た第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有す
る保持盤と、前記第１および前記第２の凹所をそれぞれ
排気するための排気手段と、前記第１の凹所の真空度を
検出する第１の圧力検知手段と、前記第２の凹所の真空
度を検出する第２の圧力検知手段と、前記第１および前
記第２の圧力検知手段の出力に基づいて前記排気手段を
制御する制御手段を有することを特徴とするものであれ
ば、第１、第２の凹所に発生する吸着力を高精度で制御
して、基板の温度むらを確実に回避できる。
【００２３】また、基板を保持する保持面に配設された
複数の第１の凹所とこれらの間に配設された第２の凹所
を有する保持盤と、前記第１の凹所を排気するための排
気手段と、前記第２の凹所を前記保持盤の周囲の雰囲気
に開放するための開口手段を有することを特徴とするも
のであれば、複数の第１の凹所のすべてに雰囲気ガスが
侵入することによって保持面全体の吸着力が均一とな
り、基板と保持盤との間の接触圧力の不均一に起因する
温度むらを回避できる。
複数の第１の凹所とこれらの間に配設された第２の凹所
を有する保持盤と、前記第１の凹所を排気するための排
気手段と、前記第２の凹所を前記保持盤の周囲の雰囲気
に開放するための開口手段を有することを特徴とするも
のであれば、複数の第１の凹所のすべてに雰囲気ガスが
侵入することによって保持面全体の吸着力が均一とな
り、基板と保持盤との間の接触圧力の不均一に起因する
温度むらを回避できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２５】図１は第１実施例による基板保持装置であ
るウエハチャックＥ1 を示すもので、これは、図示しな
いＸＹステージ上に載置された保持盤である円盤状の本
体１と、その内部に配設された温度調節手段である温調
用の内部配管２を有し、本体１の表面すなわち保持面で
ある吸着面１ａには複数の凹所である環状の吸着溝１ｂ
が形成され、これらは真空排気ライン３によって排気手
段である真空ポンプ４に接続されている。
るウエハチャックＥ1 を示すもので、これは、図示しな
いＸＹステージ上に載置された保持盤である円盤状の本
体１と、その内部に配設された温度調節手段である温調
用の内部配管２を有し、本体１の表面すなわち保持面で
ある吸着面１ａには複数の凹所である環状の吸着溝１ｂ
が形成され、これらは真空排気ライン３によって排気手
段である真空ポンプ４に接続されている。
【００２６】基板であるウエハＷ1 （破線で示す）は真
空ポンプ４によって各吸着溝１ｂに発生する吸着力によ
って吸着面１ａに吸着保持される。露光手段である図示
しない光源から発生された露光光は、マスクを経てウエ
ハチャックＥ1 上のウエハＷ1 に照射され、マスクの転
写パターンをウエハＷ1 に転写、焼き付けする。
空ポンプ４によって各吸着溝１ｂに発生する吸着力によ
って吸着面１ａに吸着保持される。露光手段である図示
しない光源から発生された露光光は、マスクを経てウエ
ハチャックＥ1 上のウエハＷ1 に照射され、マスクの転
写パターンをウエハＷ1 に転写、焼き付けする。
【００２７】露光中は、露光光のエネルギーをウエハＷ
1 が吸収して昇温するおそれがある。そこで、温調用の
内部配管２に冷媒を循環させてウエハチャックＥ1 の本
体１を冷却し、吸着面１ａからの伝熱によってウエハＷ
1 を冷却する。
1 が吸収して昇温するおそれがある。そこで、温調用の
内部配管２に冷媒を循環させてウエハチャックＥ1 の本
体１を冷却し、吸着面１ａからの伝熱によってウエハＷ
1 を冷却する。
【００２８】真空排気ライン３は、各吸着溝１ｂを真空
ポンプ４に接続する配管３ａ，３ｂを有し、これらのう
ちで、第１の凹所である最外周部に位置する吸着溝１ｂ
を真空ポンプ４に接続する第１の配管３ａは、残りの第
２の配管３ｂより大径であり、その結果、第１の配管３
ａの配管抵抗が第２の配管３ｂより低くなるように構成
されている。
ポンプ４に接続する配管３ａ，３ｂを有し、これらのう
ちで、第１の凹所である最外周部に位置する吸着溝１ｂ
を真空ポンプ４に接続する第１の配管３ａは、残りの第
２の配管３ｂより大径であり、その結果、第１の配管３
ａの配管抵抗が第２の配管３ｂより低くなるように構成
されている。
【００２９】各吸着溝１ｂを真空ポンプ４によって真空
引きすると、最外周部の吸着溝１ｂは残りの吸着溝１ｂ
より配管抵抗が小さいためにより強く真空引きされる結
果となる。
引きすると、最外周部の吸着溝１ｂは残りの吸着溝１ｂ
より配管抵抗が小さいためにより強く真空引きされる結
果となる。
【００３０】ウエハＷ1 の外周部においては、周囲のヘ
リウム等の雰囲気ガスが侵入して吸着面１ａの吸着力が
低下する傾向があるが、上記のように、最外周部の吸着
溝１ｂを残りの吸着溝１ｂより強く真空引きすることに
よって、吸着面１ａ全体の吸着力すなわちウエハＷ1 の
接触圧力を均一にすることができる。その結果、ウエハ
Ｗ1 全体の接触熱抵抗が均一となり、従来例のような熱
歪を発生するおそれはない。
リウム等の雰囲気ガスが侵入して吸着面１ａの吸着力が
低下する傾向があるが、上記のように、最外周部の吸着
溝１ｂを残りの吸着溝１ｂより強く真空引きすることに
よって、吸着面１ａ全体の吸着力すなわちウエハＷ1 の
接触圧力を均一にすることができる。その結果、ウエハ
Ｗ1 全体の接触熱抵抗が均一となり、従来例のような熱
歪を発生するおそれはない。
【００３１】最外周部に位置する吸着溝の配管を大径に
してその配管抵抗を残りの配管の配管抵抗より小さくす
る替わりに、図２の（ａ）に示すように、最外周部の吸
着溝１ｂの配管１３ａと残りの吸着溝１ｂの配管１３ｂ
にそれぞれ制御手段である可変絞り１５ａ，１５ｂを配
設し、配管１３ａ，１３ｂの背圧をそれぞれ検出する第
１、第２の圧力検知手段である圧力センサ１６ａ，１６
ｂの出力に基づいて可変絞り１５ａ，１５ｂの開度を調
節することで、真空ポンプ１４による真空引きの強さ
が、最外周部の吸着溝１ｂにおいて残りのものより大き
くなるように制御してもよい。これによって吸着面１ａ
全体の吸着力をより均一に、しかも安定して制御するこ
とができる。
してその配管抵抗を残りの配管の配管抵抗より小さくす
る替わりに、図２の（ａ）に示すように、最外周部の吸
着溝１ｂの配管１３ａと残りの吸着溝１ｂの配管１３ｂ
にそれぞれ制御手段である可変絞り１５ａ，１５ｂを配
設し、配管１３ａ，１３ｂの背圧をそれぞれ検出する第
１、第２の圧力検知手段である圧力センサ１６ａ，１６
ｂの出力に基づいて可変絞り１５ａ，１５ｂの開度を調
節することで、真空ポンプ１４による真空引きの強さ
が、最外周部の吸着溝１ｂにおいて残りのものより大き
くなるように制御してもよい。これによって吸着面１ａ
全体の吸着力をより均一に、しかも安定して制御するこ
とができる。
【００３２】必要であれば、図２の（ｂ）に示すよう
に、最外周部の吸着溝１ｂの配管２３ａと残りの吸着溝
１ｂの配管２３ｂをそれぞれ個別に可変絞り２５ａ，２
５ｂを介して真空ポンプ２４ａ，２４ｂに接続してもよ
い。
に、最外周部の吸着溝１ｂの配管２３ａと残りの吸着溝
１ｂの配管２３ｂをそれぞれ個別に可変絞り２５ａ，２
５ｂを介して真空ポンプ２４ａ，２４ｂに接続してもよ
い。
【００３３】図３は第２実施例によるウエハチャックＥ
2 を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に
載置された円盤状の本体３１と、その内部に配設された
温調用の内部配管３２を有し、本体３１の表面すなわち
吸着面には複数の凹所である環状溝３１ａ〜３１ｇが形
成されている。該環状溝３１ａ〜３１ｇは、第１の凹所
である最外周部の環状溝３１ａを含めて１つおきに環状
溝３１ｃ，３１ｅ，３１ｇが真空ポンプ３４に接続さ
れ、これらの吸着力によって、ウエハＷ2 がウエハチャ
ックＥ2 の吸着面に吸着される。残りの第２の凹所であ
る環状溝３１ｂ，３１ｄ，３１ｆはそれぞれ本体３１を
貫通する開口手段である貫通孔３５によって周囲のヘリ
ウムガス等の雰囲気に開放されている。
2 を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に
載置された円盤状の本体３１と、その内部に配設された
温調用の内部配管３２を有し、本体３１の表面すなわち
吸着面には複数の凹所である環状溝３１ａ〜３１ｇが形
成されている。該環状溝３１ａ〜３１ｇは、第１の凹所
である最外周部の環状溝３１ａを含めて１つおきに環状
溝３１ｃ，３１ｅ，３１ｇが真空ポンプ３４に接続さ
れ、これらの吸着力によって、ウエハＷ2 がウエハチャ
ックＥ2 の吸着面に吸着される。残りの第２の凹所であ
る環状溝３１ｂ，３１ｄ，３１ｆはそれぞれ本体３１を
貫通する開口手段である貫通孔３５によって周囲のヘリ
ウムガス等の雰囲気に開放されている。
【００３４】このように、ウエハチャックＥ2 の吸着面
の環状溝３１ａ〜３１ｇを１つおきに真空ポンプ３４に
接続し、残りを雰囲気に開放すれば、図３の（ｂ）に示
すように、真空引きされる環状溝３１ａ，３１ｃ，３１
ｅ，３１ｇのそれぞれの近傍からヘリウム等の雰囲気ガ
スが吸着面に侵入する結果となり、最外周部のみの吸着
力が局部的に低くなるのを回避できる。
の環状溝３１ａ〜３１ｇを１つおきに真空ポンプ３４に
接続し、残りを雰囲気に開放すれば、図３の（ｂ）に示
すように、真空引きされる環状溝３１ａ，３１ｃ，３１
ｅ，３１ｇのそれぞれの近傍からヘリウム等の雰囲気ガ
スが吸着面に侵入する結果となり、最外周部のみの吸着
力が局部的に低くなるのを回避できる。
【００３５】すなわち、ウエハチャックＥ2 の吸着面に
対するウエハＷ2 の接触圧力がウエハＷ2 全面で均一と
なり、ウエハＷ2 の全面の熱伝達特性が均一となるた
め、温調用の内部配管３２を流動する冷却水によってウ
エハチャックＥ2 の本体３１が冷却されると、吸着面か
らの伝達によってウエハＷ2 が均一に冷却される。これ
によって、ウエハＷ2 の熱歪による転写ずれを防ぎ、転
写精度を大幅に改善できる。
対するウエハＷ2 の接触圧力がウエハＷ2 全面で均一と
なり、ウエハＷ2 の全面の熱伝達特性が均一となるた
め、温調用の内部配管３２を流動する冷却水によってウ
エハチャックＥ2 の本体３１が冷却されると、吸着面か
らの伝達によってウエハＷ2 が均一に冷却される。これ
によって、ウエハＷ2 の熱歪による転写ずれを防ぎ、転
写精度を大幅に改善できる。
【００３６】環状溝３１ｂ，３１ｄ，３１ｆをウエハチ
ャックＥ2 の周囲の雰囲気に貫通孔３５を介して直接開
放する替わりに、図４に示すように、各貫通孔３５の開
口端にフィルタ３６を設けてもよい。これによって、ウ
エハＷ2 と吸着面の間に雰囲気中のゴミ等が侵入するの
を防ぐことができる。
ャックＥ2 の周囲の雰囲気に貫通孔３５を介して直接開
放する替わりに、図４に示すように、各貫通孔３５の開
口端にフィルタ３６を設けてもよい。これによって、ウ
エハＷ2 と吸着面の間に雰囲気中のゴミ等が侵入するの
を防ぐことができる。
【００３７】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図５は微小デバイ
ス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１０１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ１０２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ１０４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ１０５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
１０６（検査）ではステップ１０５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ１０７）される。
イスの製造方法の実施例を説明する。図５は微小デバイ
ス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１０１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ１０２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ１０４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ１０５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
１０６（検査）ではステップ１０５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ１０７）される。
【００３８】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ１１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップ１１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
を示す。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ１１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップ１１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００４０】露光中のウエハ等基板の熱歪を回避して露
光装置の転写精度を大幅に向上できる。
光装置の転写精度を大幅に向上できる。
【図１】第１実施例によるウエハチャックを示すもの
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は模式断面図である。
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は模式断面図である。
【図２】第１実施例の２つの変形例を示す説明図であ
る。
る。
【図３】第２実施例によるウエハチャックの一部分を示
すもので、（ａ）はその部分断面図、（ｂ）は（ａ）の
一部分を拡大して示す拡大部分断面図である。
すもので、（ａ）はその部分断面図、（ｂ）は（ａ）の
一部分を拡大して示す拡大部分断面図である。
【図４】第２実施例の一変形例の主要部を示す部分断面
図である。
図である。
【図５】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。
トである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す断面図である。
【図８】図７の一部分を拡大して示す拡大部分断面図で
ある。
ある。
１，３１ 本体 １ｂ 吸着溝 ２，３２ 内部配管 ３ 真空排気ライン ４，１４，２４ａ，２４ｂ，３４ 真空ポンプ １５ａ，１５ｂ，２５ａ，２５ｂ 可変絞り １６ａ，１６ｂ 圧力センサ ３１ａ〜３１ｇ 環状溝 ３５ 貫通孔 ３６ フィルタ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を保持する保持面の外周部に配設さ
れた第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有
する保持盤と、該保持盤の温度を調節する温度調節手段
と、前記第１の凹所を排気するための第１の配管と、前
記第２の凹所を排気するための第２の配管を備えてお
り、前記第１の配管が、前記第２の配管より低い配管抵
抗を有することを特徴とする基板保持装置。 - 【請求項２】 基板を保持する保持面の外周部に配設さ
れた第１の凹所とその内側に配設された第２の凹所を有
する保持盤と、前記第１および前記第２の凹所をそれぞ
れ排気するための排気手段と、前記第１の凹所の真空度
を検出する第１の圧力検知手段と、前記第２の凹所の真
空度を検出する第２の圧力検知手段と、前記第１および
前記第２の圧力検知手段の出力に基づいて前記排気手段
を制御する制御手段を有する基板保持装置。 - 【請求項３】 基板を保持する保持面に配設された複数
の第１の凹所とこれらの間に配設された第２の凹所を有
する保持盤と、前記第１の凹所を排気するための排気手
段と、前記第２の凹所を前記保持盤の周囲の雰囲気に開
放するための開口手段を有する基板保持装置。 - 【請求項４】 第１および第２の凹所が互に同心状に配
設された第１および第２の環状溝であることを特徴とす
る請求項１ないし３いずれか１項記載の基板保持装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４いずれか１項記載の基
板保持装置と、これに保持された基板を露光する露光手
段を有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262496A JPH1092728A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262496A JPH1092728A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092728A true JPH1092728A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17376613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8262496A Pending JPH1092728A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092728A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075003A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 低温装置 |
| JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP2006276084A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Orc Mfg Co Ltd | 露光テーブルおよび露光装置 |
| US7542263B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
| JP2012004463A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Canon Inc | インプリント装置、インプリント方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2013232630A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
| US8941810B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9057967B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9081299B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP8262496A patent/JPH1092728A/ja active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003075003A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 低温装置 |
| US10191389B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10261428B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10962891B2 (en) | 2002-11-12 | 2021-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10788755B2 (en) | 2002-11-12 | 2020-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9366972B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9057967B2 (en) | 2002-11-12 | 2015-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9740107B2 (en) | 2002-11-12 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10180629B2 (en) | 2003-06-09 | 2019-01-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9541843B2 (en) | 2003-06-09 | 2017-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a sensor detecting a radiation beam through liquid |
| US9081299B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap |
| US9152058B2 (en) | 2003-06-09 | 2015-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a member and a fluid opening |
| US10678139B2 (en) | 2003-06-09 | 2020-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7379162B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-holding technique |
| JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| US7602476B2 (en) | 2003-12-08 | 2009-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate-holding technique |
| US7542263B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
| US7786607B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-08-31 | Asml Holding N.V. | Overlay correction by reducing wafer slipping after alignment |
| JP2006276084A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Orc Mfg Co Ltd | 露光テーブルおよび露光装置 |
| US9851644B2 (en) | 2005-12-30 | 2017-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10222711B2 (en) | 2005-12-30 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8941810B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US10761433B2 (en) | 2005-12-30 | 2020-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8947631B2 (en) | 2005-12-30 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11669021B2 (en) | 2005-12-30 | 2023-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US11275316B2 (en) | 2005-12-30 | 2022-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9436096B2 (en) | 2005-12-30 | 2016-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2012004463A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Canon Inc | インプリント装置、インプリント方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2013232630A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7733625B2 (en) | Substrate holding system and exposure apparatus using the same | |
| JP4218248B2 (ja) | 真空中にて使用するガス冷却静電ピンチャック | |
| JP4478440B2 (ja) | ロードロック装置および方法 | |
| US8347915B2 (en) | Load-lock technique | |
| US20070127004A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US20080171131A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium | |
| JPH0344913A (ja) | 露光方法 | |
| JP3926890B2 (ja) | 処理システム | |
| JPH1092738A (ja) | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 | |
| JP2002025890A (ja) | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1092728A (ja) | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 | |
| JP3323797B2 (ja) | 疎水化処理装置 | |
| JP2007053405A (ja) | 基板吸着装置 | |
| US20050207089A1 (en) | Substrate holder and exposure apparatus using same | |
| JP2880262B2 (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JPH07142356A (ja) | レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム | |
| US6309212B1 (en) | Substrate conveying system and device manufacturing method using the same | |
| JPH10209036A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JP2002015989A (ja) | 処理システム及びこれを用いた露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001222099A (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 | |
| JP3308967B2 (ja) | 処理システム及びデバイス製造方法 | |
| JP3626284B2 (ja) | マスク基板の熱処理方法とその装置 | |
| JP2001189258A (ja) | 露光装置 | |
| JP3526018B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造装置および方法 | |
| JP2001237305A (ja) | 静電吸着装置、静電吸着方法及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 |