JPH1092738A - 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 - Google Patents
基板保持装置およびこれを用いた露光装置Info
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- JPH1092738A JPH1092738A JP26791396A JP26791396A JPH1092738A JP H1092738 A JPH1092738 A JP H1092738A JP 26791396 A JP26791396 A JP 26791396A JP 26791396 A JP26791396 A JP 26791396A JP H1092738 A JPH1092738 A JP H1092738A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピンチャック型のウエハチャック等におい
て、ウエハとウエハチャックの伝熱を強化する。 【解決手段】 ピンチャック型のウエハチャックＥ1
は、本体１の凹所１ａに多数の突起１ｃを有し、これら
と外周リブ１ｂの上端にウエハＷ1 を吸着する。凹所１
ａは、真空排気ライン４によって真空排気され、貫通孔
５ａから導入されたヘリウムガスによって減圧雰囲気に
制御される。凹所１ａのヘリウムガスは、ウエハＷ1 の
放熱を促進するとともに、ウエハチャックＥ1 のまわり
の雰囲気圧力との圧力差によってウエハＷ1 の吸着力を
確保する。
て、ウエハとウエハチャックの伝熱を強化する。 【解決手段】 ピンチャック型のウエハチャックＥ1
は、本体１の凹所１ａに多数の突起１ｃを有し、これら
と外周リブ１ｂの上端にウエハＷ1 を吸着する。凹所１
ａは、真空排気ライン４によって真空排気され、貫通孔
５ａから導入されたヘリウムガスによって減圧雰囲気に
制御される。凹所１ａのヘリウムガスは、ウエハＷ1 の
放熱を促進するとともに、ウエハチャックＥ1 のまわり
の雰囲気圧力との圧力差によってウエハＷ1 の吸着力を
確保する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク等原版のパ
ターンをウエハ等基板に転写、焼き付けするための露光
装置に用いられる基板保持装置およびこれを用いた露光
装置に関するものである。
ターンをウエハ等基板に転写、焼き付けするための露光
装置に用いられる基板保持装置およびこれを用いた露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴って、
２５６メガビットのＤＲＡＭのための最小線幅０．２５
μｍのパターン、あるいは１ギガビットのＤＲＡＭのた
めの最小線幅０．１５μｍのパターンを転写、焼き付け
できる露光装置の開発が望まれている。なかでも荷電粒
子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置は、転写精度と生産性の双方にすぐれており、将来性
が大きく期待されている。
２５６メガビットのＤＲＡＭのための最小線幅０．２５
μｍのパターン、あるいは１ギガビットのＤＲＡＭのた
めの最小線幅０．１５μｍのパターンを転写、焼き付け
できる露光装置の開発が望まれている。なかでも荷電粒
子蓄積リング放射光等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置は、転写精度と生産性の双方にすぐれており、将来性
が大きく期待されている。
【０００３】一般的に、マスク等原版とウエハ等基板の
アライメントの誤差は、パターンの線幅の１／４以下で
あることが要求される。従って、最小線幅０．２５μ
ｍ、あるいは０．１５μｍの極めて微細化されたパター
ンの転写、焼き付けに許容されるアライメントの誤差
は、それぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度までである。そこ
で、露光光として、ｉ線やＫｒＦレーザ等を用いる技術
が開発されているが、回折による解像度の劣化を避ける
ためには、より短波長の荷電粒子蓄積リング放射光等の
Ｘ線を用いるのが望ましい。
アライメントの誤差は、パターンの線幅の１／４以下で
あることが要求される。従って、最小線幅０．２５μ
ｍ、あるいは０．１５μｍの極めて微細化されたパター
ンの転写、焼き付けに許容されるアライメントの誤差
は、それぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度までである。そこ
で、露光光として、ｉ線やＫｒＦレーザ等を用いる技術
が開発されているが、回折による解像度の劣化を避ける
ためには、より短波長の荷電粒子蓄積リング放射光等の
Ｘ線を用いるのが望ましい。
【０００４】荷電粒子蓄積リング放射光等の軟Ｘ線は、
大気中で著しく減衰するため、マスクやウエハを搬入し
た露光室をヘリウムガスの減圧雰囲気に制御して露光を
行なう。すなわち、荷電粒子蓄積リング放射光は原子番
号の大きい元素に対して吸収性が高いため、Ｎ2 、Ｏ2
等を含む大気を露光室から排出し、露光室を所定の真空
度に真空引きしたうえで、高純度のヘリウムガスを露光
室に充填する。
大気中で著しく減衰するため、マスクやウエハを搬入し
た露光室をヘリウムガスの減圧雰囲気に制御して露光を
行なう。すなわち、荷電粒子蓄積リング放射光は原子番
号の大きい元素に対して吸収性が高いため、Ｎ2 、Ｏ2
等を含む大気を露光室から排出し、露光室を所定の真空
度に真空引きしたうえで、高純度のヘリウムガスを露光
室に充填する。
【０００５】このようなＸ線を露光光とする露光装置に
おいては、露光光の高エネルギーを吸収したウエハが昇
温し、著しい熱歪を発生する。そこで、ウエハを吸着保
持するウエハチャックを強制冷却することでウエハの昇
温を防ぐ工夫がなされている。
おいては、露光光の高エネルギーを吸収したウエハが昇
温し、著しい熱歪を発生する。そこで、ウエハを吸着保
持するウエハチャックを強制冷却することでウエハの昇
温を防ぐ工夫がなされている。
【０００６】図７は一従来例によるウエハチャックＥ0
を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に載
置された円盤状の本体１０１と、その内部に配設された
温調用の内部配管１０２に冷却水等の温調流体を供給す
る流体供給源１０３と、本体１０１の表面すなわち吸着
面１０１ａに形成された吸着溝１０１ｂに吸着力を発生
させるための真空排気ライン１０４を有し、該真空排気
ライン１０４は、本体１０１の吸着溝１０１ｂに連通す
る排気管１０４ａと、これに接続された真空ポンプ１０
４ｂからなる。
を示すもので、これは、図示しないＸＹステージ上に載
置された円盤状の本体１０１と、その内部に配設された
温調用の内部配管１０２に冷却水等の温調流体を供給す
る流体供給源１０３と、本体１０１の表面すなわち吸着
面１０１ａに形成された吸着溝１０１ｂに吸着力を発生
させるための真空排気ライン１０４を有し、該真空排気
ライン１０４は、本体１０１の吸着溝１０１ｂに連通す
る排気管１０４ａと、これに接続された真空ポンプ１０
４ｂからなる。
【０００７】図示しない光源から発生された露光光Ｌ0
は、マスクＭ0 を経てウエハチャックＥ0 上のウエハＷ
0 に照射され、マスクＭ0 のパターンをウエハＷ0 に転
写、焼き付けする。
は、マスクＭ0 を経てウエハチャックＥ0 上のウエハＷ
0 に照射され、マスクＭ0 のパターンをウエハＷ0 に転
写、焼き付けする。
【０００８】露光中はマスクＭ0 やウエハＷ0 が露光光
のエネルギーを吸収するが、マスクＭ0 の熱は周囲の雰
囲気中に放出され、ウエハＷ0 は、温調流体によって冷
却されたウエハチャックに接触することで放熱する。
のエネルギーを吸収するが、マスクＭ0 の熱は周囲の雰
囲気中に放出され、ウエハＷ0 は、温調流体によって冷
却されたウエハチャックに接触することで放熱する。
【０００９】このようにしてマスクＭ0 やウエハＷ0 の
昇温を防ぎ、両者の熱変形に起因する重ね合わせ精度等
の劣化を回避するように工夫されている。
昇温を防ぎ、両者の熱変形に起因する重ね合わせ精度等
の劣化を回避するように工夫されている。
【００１０】ところが、ウエハチャックＥ0 の吸着面１
０１ａにウエハＷ0 を密着させるように構成されている
ため、両者の間にゴミ等の異物が挟まれるとこのために
ウエハＷ0 の平坦度が損われて、著しい転写ずれを発生
する結果となる。例えば、図８に示すように、ウエハチ
ャック１０１に吸着する前には破線で示すように平坦で
あったウエハＷ0 が、ウエハチャック１０１とウエハＷ
0 の間に介在するゴミＸのために湾曲する。これによっ
て、ウエハＷ0 の周縁部位の表面が角度θだけ傾いたと
き、ウエハＷ0 に転写、焼き付けされるパターンの位置
ずれ、すなわち転写ずれ△Ｄは以下の式によって算出さ
れる。
０１ａにウエハＷ0 を密着させるように構成されている
ため、両者の間にゴミ等の異物が挟まれるとこのために
ウエハＷ0 の平坦度が損われて、著しい転写ずれを発生
する結果となる。例えば、図８に示すように、ウエハチ
ャック１０１に吸着する前には破線で示すように平坦で
あったウエハＷ0 が、ウエハチャック１０１とウエハＷ
0 の間に介在するゴミＸのために湾曲する。これによっ
て、ウエハＷ0 の周縁部位の表面が角度θだけ傾いたと
き、ウエハＷ0 に転写、焼き付けされるパターンの位置
ずれ、すなわち転写ずれ△Ｄは以下の式によって算出さ
れる。
【００１１】 △Ｄ＝Ｄ2 −Ｄ1 ＝ｔ0 ・θ／２・・・・・（１） ここで、Ｄ1 ：ウエハチャック１０１に吸着される前の
ウエハＷ0 の周縁部位Ａの半径位置 Ｄ2 ：ウエハチャック１０１に吸着されてゴミＸのため
に湾曲したウエハＷ0 の周縁部位Ａの半径位置 ｔ0 ：ウエハＷ0 の厚さ 例えば、ゴミＸの厚さが３μｍであるとき、式（１）に
よって算出される転写ずれ△Ｄは１００ｎｍにも達す
る。
ウエハＷ0 の周縁部位Ａの半径位置 Ｄ2 ：ウエハチャック１０１に吸着されてゴミＸのため
に湾曲したウエハＷ0 の周縁部位Ａの半径位置 ｔ0 ：ウエハＷ0 の厚さ 例えば、ゴミＸの厚さが３μｍであるとき、式（１）に
よって算出される転写ずれ△Ｄは１００ｎｍにも達す
る。
【００１２】ウエハとウエハチャックの間に挟まれるゴ
ミ等の異物に起因するトラブルを回避するために、図９
に示すように、円盤状の本体２０１に円形の凹所２０１
ａを設け、該凹所２０１ａを真空ポンプによって真空排
気するとともに、外周リブ２０１ｂと、凹所２０１ａに
立設された多数の円筒ピン２０２によってウエハＵ0の
裏面を支持するように構成したいわゆるピンチャック型
のウエハチャックが開発されている。これは、ウエハチ
ャックとウエハの接触面積を小さくしてゴミ等が挟まれ
る確率を低減したものである。
ミ等の異物に起因するトラブルを回避するために、図９
に示すように、円盤状の本体２０１に円形の凹所２０１
ａを設け、該凹所２０１ａを真空ポンプによって真空排
気するとともに、外周リブ２０１ｂと、凹所２０１ａに
立設された多数の円筒ピン２０２によってウエハＵ0の
裏面を支持するように構成したいわゆるピンチャック型
のウエハチャックが開発されている。これは、ウエハチ
ャックとウエハの接触面積を小さくしてゴミ等が挟まれ
る確率を低減したものである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、ピンチャック型のウエハチャックにお
いてはゴミ等の異物によるトラブルは効果的に回避でき
るものの、ウエハチャックとウエハの接触面積が小さい
ために両者の伝熱を利用してウエハを冷却するのが困難
であり、露光光によるウエハの昇温を回避できない。
の技術によれば、ピンチャック型のウエハチャックにお
いてはゴミ等の異物によるトラブルは効果的に回避でき
るものの、ウエハチャックとウエハの接触面積が小さい
ために両者の伝熱を利用してウエハを冷却するのが困難
であり、露光光によるウエハの昇温を回避できない。
【００１４】すなわち、ウエハチャックとウエハの間に
ゴミ等が挟まれて転写ずれを生じるのを防ぐためにウエ
ハチャックとウエハの接触面積を小さくすると、ウエハ
の放熱が不充分となり、ウエハの熱歪のために転写ずれ
を発生する。他方、ウエハの昇温を回避するためにウエ
ハとウエハチャックの接触面積を増大させると、両者の
間にゴミ等の異物が挟まれてウエハが変形し、このため
に転写ずれを生じる。結局、いずれを採用しても転写精
度を充分に改善できないという未解決の課題がある。
ゴミ等が挟まれて転写ずれを生じるのを防ぐためにウエ
ハチャックとウエハの接触面積を小さくすると、ウエハ
の放熱が不充分となり、ウエハの熱歪のために転写ずれ
を発生する。他方、ウエハの昇温を回避するためにウエ
ハとウエハチャックの接触面積を増大させると、両者の
間にゴミ等の異物が挟まれてウエハが変形し、このため
に転写ずれを生じる。結局、いずれを採用しても転写精
度を充分に改善できないという未解決の課題がある。
【００１５】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、ウエハチャック等保
持盤からの伝熱によってウエハ等基板を充分に冷却でき
るうえに、両者の間にゴミ等の異物が挟まれる等のトラ
ブルも回避できる基板保持装置およびこれを用いた露光
装置を提供することを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、ウエハチャック等保
持盤からの伝熱によってウエハ等基板を充分に冷却でき
るうえに、両者の間にゴミ等の異物が挟まれる等のトラ
ブルも回避できる基板保持装置およびこれを用いた露光
装置を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板保持装置は、基板を保持する保持面
に凹所を有する保持盤と、該保持盤の前記凹所を所定の
ガスの減圧雰囲気に制御することで前記基板を前記保持
面に吸着する吸着力を発生させる吸着制御手段を有する
ことを特徴とする。
めに、本発明の基板保持装置は、基板を保持する保持面
に凹所を有する保持盤と、該保持盤の前記凹所を所定の
ガスの減圧雰囲気に制御することで前記基板を前記保持
面に吸着する吸着力を発生させる吸着制御手段を有する
ことを特徴とする。
【００１７】吸着制御手段が、保持面の凹所を真空排気
する真空排気手段と、前記保持盤のまわりのガスを前記
凹所に導入するガス導入手段を備えているとよい。
する真空排気手段と、前記保持盤のまわりのガスを前記
凹所に導入するガス導入手段を備えているとよい。
【００１８】吸着制御手段が、保持面の凹所を真空排気
する真空排気手段と、ガス供給源から供給されたガスを
前記凹所に導入するガス導入手段を備えていても良い。
する真空排気手段と、ガス供給源から供給されたガスを
前記凹所に導入するガス導入手段を備えていても良い。
【００１９】また、基板を保持する保持面に複数の溝を
有する保持盤と、該保持盤の前記複数の溝の一部分にガ
スを導入し残りの溝を真空排気することで前記基板を前
記保持面に吸着する吸着力を発生させる吸着制御手段を
有するものでもよい。
有する保持盤と、該保持盤の前記複数の溝の一部分にガ
スを導入し残りの溝を真空排気することで前記基板を前
記保持面に吸着する吸着力を発生させる吸着制御手段を
有するものでもよい。
【００２０】吸着制御手段が、互に隣接する溝内のガス
を逆向きに流動させるように構成されているとよい。
を逆向きに流動させるように構成されているとよい。
【００２１】
【作用】保持盤のまわりのガス等を保持面の凹所に導入
するとともにこれを真空ポンプ等によって減圧し、保持
盤のまわりの雰囲気圧力より低い圧力の減圧状態に制御
する。雰囲気圧力と保持盤の凹所の圧力の差によって発
生する吸着力によって基板を保持盤の保持面に吸着保持
する。
するとともにこれを真空ポンプ等によって減圧し、保持
盤のまわりの雰囲気圧力より低い圧力の減圧状態に制御
する。雰囲気圧力と保持盤の凹所の圧力の差によって発
生する吸着力によって基板を保持盤の保持面に吸着保持
する。
【００２２】例えば、ピンチャック型のウエハチャック
のように、基板に接触する保持面の面積の小さい基板保
持装置においては、保持盤と基板の間にゴミ等の異物が
挟まれる等のトラブルを防ぐのに効果的であるが、凹所
を真空にすると保持盤からの伝熱が不充分となって基板
が昇温するおそれがある。そこで、伝熱媒体となるガス
を凹所に導入して、基板の放熱を促進する。
のように、基板に接触する保持面の面積の小さい基板保
持装置においては、保持盤と基板の間にゴミ等の異物が
挟まれる等のトラブルを防ぐのに効果的であるが、凹所
を真空にすると保持盤からの伝熱が不充分となって基板
が昇温するおそれがある。そこで、伝熱媒体となるガス
を凹所に導入して、基板の放熱を促進する。
【００２３】ゴミ等の異物によるトラブルや基板の熱歪
等による転写精度の劣化を回避して、極めて高性能な露
光装置を実現できる。
等による転写精度の劣化を回避して、極めて高性能な露
光装置を実現できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２５】図１は第１実施例による基板保持装置であ
るウエハチャックＥ1 を示すものでこれは、図示しない
ＸＹステージ上に載置された保持盤である円盤状の本体
１と、その内部に配設された温調用の内部配管２に冷却
水等の温調流体を供給する温調流体供給源３を有し、本
体１の保持面である吸着面側には凹所１ａが形成されて
おり、凹所１ａを囲む外周リブ１ｂと凹所１ａの底面に
立設された複数の円柱状の突起１ｃが基板であるウエハ
Ｗ1 の裏面に当接されるいわゆるピンチャック型のウエ
ハチャックである。真空排気手段である真空排気ライン
４によってウエハチャックＥ1 の凹所１ａを減圧するこ
とによってウエハＷ1 を各突起１ｃ等の上端に吸着し、
これによって、ウエハＷ1 の平坦度を矯正する。このよ
うにしてウエハチャックＥ1 に吸着されたウエハＷ1
は、露光手段である図示しない光源からマスクＭ1 を経
て照射される露光光Ｌ1 によってマスクＭ1 のパターン
を転写、焼き付けされる。
るウエハチャックＥ1 を示すものでこれは、図示しない
ＸＹステージ上に載置された保持盤である円盤状の本体
１と、その内部に配設された温調用の内部配管２に冷却
水等の温調流体を供給する温調流体供給源３を有し、本
体１の保持面である吸着面側には凹所１ａが形成されて
おり、凹所１ａを囲む外周リブ１ｂと凹所１ａの底面に
立設された複数の円柱状の突起１ｃが基板であるウエハ
Ｗ1 の裏面に当接されるいわゆるピンチャック型のウエ
ハチャックである。真空排気手段である真空排気ライン
４によってウエハチャックＥ1 の凹所１ａを減圧するこ
とによってウエハＷ1 を各突起１ｃ等の上端に吸着し、
これによって、ウエハＷ1 の平坦度を矯正する。このよ
うにしてウエハチャックＥ1 に吸着されたウエハＷ1
は、露光手段である図示しない光源からマスクＭ1 を経
て照射される露光光Ｌ1 によってマスクＭ1 のパターン
を転写、焼き付けされる。
【００２６】真空排気ライン４は、本体１の中央に配設
された第１の貫通孔４ａと、これに接続された真空ポン
プ４ｂと、その真空圧を調節するための絞り４ｃを備え
ている。
された第１の貫通孔４ａと、これに接続された真空ポン
プ４ｂと、その真空圧を調節するための絞り４ｃを備え
ている。
【００２７】本体１の外周部には、本体１を貫通して凹
所１ａに開口するガス導入手段である第２の貫通孔５ａ
が設けられており、その開口端にはフィルタ５ｂが取り
付けられている。
所１ａに開口するガス導入手段である第２の貫通孔５ａ
が設けられており、その開口端にはフィルタ５ｂが取り
付けられている。
【００２８】真空ポンプ４ｂによって本体１の凹所１ａ
が真空引きされると、ウエハチャックＥ1 のまわりのガ
スが、フィルタ５ｂと第２の貫通孔５ａを経て凹所１ａ
に流入する。凹所１ａ内のガスの圧力は圧力センサ６に
よって検出され、真空排気ライン４の可変絞り４ｃのコ
ントローラ７に導入される。吸着制御手段であるコント
ローラ７は、圧力センサ６の出力に基づいて真空排気ラ
イン４の可変絞り４ｃを制御し、凹所１ａ内を所定の減
圧雰囲気に制御する。この圧力は、周囲の雰囲気圧力と
の差によって、本体１の外周リブ１ｂと各突起１ｃにウ
エハＷ1 を安定して吸着保持できる程度に低く、しか
も、内部配管２内を流動する温調流体によって冷却され
る本体１とウエハＷ1 の間に充分な熱伝導率を確保し
て、露光光Ｌ1 によるウエハＷ1 の昇温を回避できる値
に設定される。
が真空引きされると、ウエハチャックＥ1 のまわりのガ
スが、フィルタ５ｂと第２の貫通孔５ａを経て凹所１ａ
に流入する。凹所１ａ内のガスの圧力は圧力センサ６に
よって検出され、真空排気ライン４の可変絞り４ｃのコ
ントローラ７に導入される。吸着制御手段であるコント
ローラ７は、圧力センサ６の出力に基づいて真空排気ラ
イン４の可変絞り４ｃを制御し、凹所１ａ内を所定の減
圧雰囲気に制御する。この圧力は、周囲の雰囲気圧力と
の差によって、本体１の外周リブ１ｂと各突起１ｃにウ
エハＷ1 を安定して吸着保持できる程度に低く、しか
も、内部配管２内を流動する温調流体によって冷却され
る本体１とウエハＷ1 の間に充分な熱伝導率を確保し
て、露光光Ｌ1 によるウエハＷ1 の昇温を回避できる値
に設定される。
【００２９】例えば、露光光Ｌ1 が荷電粒子蓄積リング
放射光（Ｘ線）であり、ウエハチャックＥ1 が１５０Ｔ
ｏｒｒのヘリウムを充填した露光室内に配設されている
とき、ウエハチャックＥ1 の凹所１ａには第２の貫通孔
５ａからウエハチャックＥ1のまわりのヘリウムガスが
吸引される。このように凹所１ａ内に充填されるヘリウ
ムガスの圧力を８０Ｔｏｒｒ程度に制御すれば、ウエハ
チャックＥ1 が安定してウエハＷ1 を吸着保持し、しか
も凹所１ａ内の雰囲気ガスの伝熱によってウエハＷ1 を
充分に冷却して昇温を回避できる状況を作り出すことが
できる。
放射光（Ｘ線）であり、ウエハチャックＥ1 が１５０Ｔ
ｏｒｒのヘリウムを充填した露光室内に配設されている
とき、ウエハチャックＥ1 の凹所１ａには第２の貫通孔
５ａからウエハチャックＥ1のまわりのヘリウムガスが
吸引される。このように凹所１ａ内に充填されるヘリウ
ムガスの圧力を８０Ｔｏｒｒ程度に制御すれば、ウエハ
チャックＥ1 が安定してウエハＷ1 を吸着保持し、しか
も凹所１ａ内の雰囲気ガスの伝熱によってウエハＷ1 を
充分に冷却して昇温を回避できる状況を作り出すことが
できる。
【００３０】ウエハチャックＥ1 の凹所１ａの深さｈが
２０μｍであれば、ウエハＷ1 からウエハチャックＥ1
に放熱される熱流束密度Ｑ１０００Ｗ／ｍ2 、圧力８０
Ｔｏｒｒのヘリウムガスの熱伝導率λは１５×１０-2Ｗ
／（ｍ・ｋ）であるから、以下の式によって算出される
ウエハＷ1 とウエハチャックＥ1 の温度差△Ｔは０．１
３℃となる。
２０μｍであれば、ウエハＷ1 からウエハチャックＥ1
に放熱される熱流束密度Ｑ１０００Ｗ／ｍ2 、圧力８０
Ｔｏｒｒのヘリウムガスの熱伝導率λは１５×１０-2Ｗ
／（ｍ・ｋ）であるから、以下の式によって算出される
ウエハＷ1 とウエハチャックＥ1 の温度差△Ｔは０．１
３℃となる。
【００３１】△Ｔ＝Ｑ×ｈ／λ・・・・・・・（２） 他方、ウエハＷ1 の各露光画角が３５ｍｍ四方の方形で
あれば、一般的にウエハＷ1 の熱歪の許容値は０．０１
２５μｍに設定され、これに基づいて算出されるウエハ
Ｗ1 とウエハチャックＥ1 の温度差の許容値は０．１６
℃であるから、上記のようにウエハチャックＥ1 の凹所
１ａに８０Ｔｏｒｒのヘリウムガスを充填すればウエハ
Ｗ1 の熱歪による転写ずれを回避するのに充分である。
あれば、一般的にウエハＷ1 の熱歪の許容値は０．０１
２５μｍに設定され、これに基づいて算出されるウエハ
Ｗ1 とウエハチャックＥ1 の温度差の許容値は０．１６
℃であるから、上記のようにウエハチャックＥ1 の凹所
１ａに８０Ｔｏｒｒのヘリウムガスを充填すればウエハ
Ｗ1 の熱歪による転写ずれを回避するのに充分である。
【００３２】また、凹所１ａの深さｈが１０μｍであれ
ば、両者の温度差△Ｔを式（２）によって算出すると、
０．０７℃となり、３５ｍｍ四方の露光画角の熱歪は
０．００７μｍに低減できる。
ば、両者の温度差△Ｔを式（２）によって算出すると、
０．０７℃となり、３５ｍｍ四方の露光画角の熱歪は
０．００７μｍに低減できる。
【００３３】そこで、各突起１ｃの高さを１０μｍ、幅
ａを０．２ｍｍ、隣接する２つの突起１ｃの間の距離ｂ
を１ｍｍとすれば、ウエハＷ1 の熱歪を許容値に比べて
大幅に低減し、かつ、ウエハＷ1 とウエハチャックＥ1
の接触面積をウエハＷ1 の全面積の３％以下に縮少し
て、ゴミ等が挟まれる確率を充分に低くすることができ
る。Ｘ線を露光光とする露光装置の露光室内のゴミ等の
寸法は、最大でも６μｍ以下であることから、突起１ｃ
の高さが１０μｍあれば凹所１ｃに落ち込んだゴミ等に
よってウエハＷ1 が変形するおそれはない。
ａを０．２ｍｍ、隣接する２つの突起１ｃの間の距離ｂ
を１ｍｍとすれば、ウエハＷ1 の熱歪を許容値に比べて
大幅に低減し、かつ、ウエハＷ1 とウエハチャックＥ1
の接触面積をウエハＷ1 の全面積の３％以下に縮少し
て、ゴミ等が挟まれる確率を充分に低くすることができ
る。Ｘ線を露光光とする露光装置の露光室内のゴミ等の
寸法は、最大でも６μｍ以下であることから、突起１ｃ
の高さが１０μｍあれば凹所１ｃに落ち込んだゴミ等に
よってウエハＷ1 が変形するおそれはない。
【００３４】なお、ウエハチャックＥ1 の内部配管２を
流動する温調流体の温度は２３±０．０１℃に制御し、
また、流速は、層流にならない範囲で最低流速に制御す
るのが望ましい。これは、ウエハチャックＥ1 の吸着面
の温度が不均一になるのを回避するとともに、温調流体
の流動によってウエハＷ1 やウエハチャックＥ1 が振動
するのを防ぐためである。
流動する温調流体の温度は２３±０．０１℃に制御し、
また、流速は、層流にならない範囲で最低流速に制御す
るのが望ましい。これは、ウエハチャックＥ1 の吸着面
の温度が不均一になるのを回避するとともに、温調流体
の流動によってウエハＷ1 やウエハチャックＥ1 が振動
するのを防ぐためである。
【００３５】ウエハチャックＥ1 の本体１は、温度が均
一でしかも熱歪が小さいことが要求される。そこで、本
体１の材質には熱伝導率が高く線膨張係数の小さいＳｉ
Ｃを用いるのが望ましい。また、表面欠陥のない吸着面
を得るために、ウエハチャック１の表面層をＣＶＤ法
（化学的気相成長法）によって成膜するとよい。ウエハ
チャックＥ1 の本体１全体をＣＶＤ法によって製作する
のは製造コストの高騰を招くおそれがある。そこで、本
体１の表面層のみをＣＶＤ法によって形成し、残りは焼
結ＳｉＣを用いる。
一でしかも熱歪が小さいことが要求される。そこで、本
体１の材質には熱伝導率が高く線膨張係数の小さいＳｉ
Ｃを用いるのが望ましい。また、表面欠陥のない吸着面
を得るために、ウエハチャック１の表面層をＣＶＤ法
（化学的気相成長法）によって成膜するとよい。ウエハ
チャックＥ1 の本体１全体をＣＶＤ法によって製作する
のは製造コストの高騰を招くおそれがある。そこで、本
体１の表面層のみをＣＶＤ法によって形成し、残りは焼
結ＳｉＣを用いる。
【００３６】本体１の凹所１ａは、焼結ＳｉＣの上に所
定の厚さの表面層をＣＶＤ法によって成膜したうえで、
外周リブ１ｂと各突起１ｃを除く残りをエッチングによ
って除去することによって形成される。このように、エ
ッチングによる溝加工法を採用することで、突起１ｃの
高さすなわち凹所１ａの深さを高精度で均一にすること
ができる。
定の厚さの表面層をＣＶＤ法によって成膜したうえで、
外周リブ１ｂと各突起１ｃを除く残りをエッチングによ
って除去することによって形成される。このように、エ
ッチングによる溝加工法を採用することで、突起１ｃの
高さすなわち凹所１ａの深さを高精度で均一にすること
ができる。
【００３７】ウエハチャックＥ1 のまわりのヘリウムガ
スを凹所１ａに導入する替わりに、図２の（ａ）に示す
ように、本体１の第２の貫通孔５ａを、圧力８０Ｔｏｒ
ｒのヘリウムガスを貯蔵したガス供給源であるタンク１
７ａと開閉弁１７ｂを有するガス導入手段であるヘリウ
ムガス供給ライン１７に接続してもよい。
スを凹所１ａに導入する替わりに、図２の（ａ）に示す
ように、本体１の第２の貫通孔５ａを、圧力８０Ｔｏｒ
ｒのヘリウムガスを貯蔵したガス供給源であるタンク１
７ａと開閉弁１７ｂを有するガス導入手段であるヘリウ
ムガス供給ライン１７に接続してもよい。
【００３８】タンク１７ａの容量がウエハチャックＥ1
の凹所１ａの容積に比べて充分大きければ、開閉弁１７
ｂを開くだけで凹所１ａ内を直ちに８０Ｔｏｒｒのヘリ
ウムガスで充填することができる。
の凹所１ａの容積に比べて充分大きければ、開閉弁１７
ｂを開くだけで凹所１ａ内を直ちに８０Ｔｏｒｒのヘリ
ウムガスで充填することができる。
【００３９】また、第１の貫通孔４ａを大気開放するだ
けで、短時間のうちに凹所１ａの圧力をウエハチャック
の周囲の雰囲気圧力と等しくすることができる。すなわ
ち、ウエハの吸着解除を速やかに行なうことで、ウエハ
の着脱に費す時間を大幅に短縮できる。加えて、凹所１
ａ内の圧力を検知する圧力センサが不必要であるという
利点もある。
けで、短時間のうちに凹所１ａの圧力をウエハチャック
の周囲の雰囲気圧力と等しくすることができる。すなわ
ち、ウエハの吸着解除を速やかに行なうことで、ウエハ
の着脱に費す時間を大幅に短縮できる。加えて、凹所１
ａ内の圧力を検知する圧力センサが不必要であるという
利点もある。
【００４０】あるいは、図２の（ｂ）に示すように、本
体１の第２の貫通孔５ａを第２の可変絞り２５ｃを介し
てヘリウムガス供給源２５ａに接続し、真空排気ライン
４に配設された第１の可変絞り４ｃとともに、圧力セン
サ６に応答するコントローラ２７によって制御するよう
に構成してもよい。
体１の第２の貫通孔５ａを第２の可変絞り２５ｃを介し
てヘリウムガス供給源２５ａに接続し、真空排気ライン
４に配設された第１の可変絞り４ｃとともに、圧力セン
サ６に応答するコントローラ２７によって制御するよう
に構成してもよい。
【００４１】ウエハチャックのまわりの雰囲気ガスがヘ
リウムガス以外の例えば大気等である場合に、これより
熱伝導率の高いヘリウムガス等を凹所に導入してウエハ
の昇温を効果的に回避できる。
リウムガス以外の例えば大気等である場合に、これより
熱伝導率の高いヘリウムガス等を凹所に導入してウエハ
の昇温を効果的に回避できる。
【００４２】本実施例によれば、ウエハチャックの吸着
面にウエハを安定して吸着保持できるうえに、ウエハチ
ャックとウエハの間にゴミ等の異物が挟まれてウエハが
変形する等のトラブルを防ぎ、しかも、Ｘ線等の高エネ
ルギーの露光光によるウエハの昇温を効果的に回避でき
る。これによって、露光装置の転写精度（重ね合わせ精
度等）を大幅に改善できる。
面にウエハを安定して吸着保持できるうえに、ウエハチ
ャックとウエハの間にゴミ等の異物が挟まれてウエハが
変形する等のトラブルを防ぎ、しかも、Ｘ線等の高エネ
ルギーの露光光によるウエハの昇温を効果的に回避でき
る。これによって、露光装置の転写精度（重ね合わせ精
度等）を大幅に改善できる。
【００４３】図３は第２実施例によるウエハチャックＥ
2 を示す。これは、円盤状の本体３１に凹所３１ａを設
け、これを囲む外周リブ３１ｂの内側に該外周リブ３１
ｂと同軸である複数の環状リブ３１ｃを立設したもので
ある。一番内側の環状リブ３１ｃの内側は中央の貫通孔
３４ａを経て真空引きされる。残りの環状リブ３１ｃの
間に形成された環状溝３１ｄには、それぞれ、一対の貫
通孔３５ａ，３５ｂが開口しており、一方の貫通孔３５
ａは真空引きされ、他方の貫通孔３５ｂからはヘリウム
ガスが供給される。これによって、各環状溝３１ｄ内を
例えば８０Ｔｏｒｒのヘリウムガスが流動し、ウエハチ
ャックＥ2 のまわりの雰囲気圧力との差によって図示し
ないウエハを環状リブ３１ｃ等に吸着するとともに、ウ
エハの放熱を促進して露光光による昇温を防ぐ。
2 を示す。これは、円盤状の本体３１に凹所３１ａを設
け、これを囲む外周リブ３１ｂの内側に該外周リブ３１
ｂと同軸である複数の環状リブ３１ｃを立設したもので
ある。一番内側の環状リブ３１ｃの内側は中央の貫通孔
３４ａを経て真空引きされる。残りの環状リブ３１ｃの
間に形成された環状溝３１ｄには、それぞれ、一対の貫
通孔３５ａ，３５ｂが開口しており、一方の貫通孔３５
ａは真空引きされ、他方の貫通孔３５ｂからはヘリウム
ガスが供給される。これによって、各環状溝３１ｄ内を
例えば８０Ｔｏｒｒのヘリウムガスが流動し、ウエハチ
ャックＥ2 のまわりの雰囲気圧力との差によって図示し
ないウエハを環状リブ３１ｃ等に吸着するとともに、ウ
エハの放熱を促進して露光光による昇温を防ぐ。
【００４４】なお、真空引きされる貫通孔３５ａとヘリ
ウムガスを供給する貫通孔３５ｂは互い違いに配設し、
隣接する環状溝３１ｄ内をヘリウムガスが互いに逆向き
に流動するように構成すれば、ウエハを均一に冷却する
うえで大きな効果を期待できる。
ウムガスを供給する貫通孔３５ｂは互い違いに配設し、
隣接する環状溝３１ｄ内をヘリウムガスが互いに逆向き
に流動するように構成すれば、ウエハを均一に冷却する
うえで大きな効果を期待できる。
【００４５】その他の点は第１実施例と同様である。
【００４６】図４は第３実施例によるウエハチャックＥ
3 を示す。これは、第２実施例と同様に、円盤状の本体
４１に凹所４１ａを設け、これを囲む外周リブ４１ｂの
内側に該外周リブ４１ｂと同軸である複数の環状リブ４
１ｃを立設したものである。一番内側の環状リブ４１ｃ
の内側は第１の貫通孔４５ａを経てヘリウムガス供給ラ
イン４５に接続され、その外側の各環状リブ４１ｃの間
に形成された溝である第１ないし第４の環状溝４１ｄは
第２ないし第５の貫通孔４５ａを経て交互に真空排気ラ
イン４４とヘリウムガス供給ライン４５に接続される。
3 を示す。これは、第２実施例と同様に、円盤状の本体
４１に凹所４１ａを設け、これを囲む外周リブ４１ｂの
内側に該外周リブ４１ｂと同軸である複数の環状リブ４
１ｃを立設したものである。一番内側の環状リブ４１ｃ
の内側は第１の貫通孔４５ａを経てヘリウムガス供給ラ
イン４５に接続され、その外側の各環状リブ４１ｃの間
に形成された溝である第１ないし第４の環状溝４１ｄは
第２ないし第５の貫通孔４５ａを経て交互に真空排気ラ
イン４４とヘリウムガス供給ライン４５に接続される。
【００４７】図４の（ｂ）に示すウエハＷ2 は、真空排
気ライン４４に接続された環状溝４１ｄに発生する吸着
力によって外周リブ４１ｂと環状リブ４１ｃの上端に吸
着保持される。また、ヘリウムガス供給ライン４５から
環状溝４１ｄに供給されたヘリウムガスによってウエハ
Ｗ2 の放熱が促進され、露光中のウエハＷ2 の昇温を回
避する。
気ライン４４に接続された環状溝４１ｄに発生する吸着
力によって外周リブ４１ｂと環状リブ４１ｃの上端に吸
着保持される。また、ヘリウムガス供給ライン４５から
環状溝４１ｄに供給されたヘリウムガスによってウエハ
Ｗ2 の放熱が促進され、露光中のウエハＷ2 の昇温を回
避する。
【００４８】真空排気ライン４４に接続された環状溝４
１ｄを高真空に排気することで充分な吸着力を確保でき
るうえに、ヘリウムガス供給ライン４５に高精度の圧力
制御装置を必要としないという特筆すべき長所を有す
る。図４の（ｂ）に示すように、真空排気ライン４４に
接続される環状溝４１ｄの幅Ｈは、ウエハＷ2 の厚さｔ
2 の２倍以下であるのが望ましい。これは、露光光によ
って昇温したウエハＷ2の熱が矢印Ｇに示すようにヘリ
ウムガスを充填した環状溝４１ｄに向かって斜め方向に
拡散し、真空引きされる環状溝４１ｄの幅ＨがウエハＷ
2 の厚さｔ2 の２倍以上であると、ウエハＷ2 の表面の
一部が昇温したままで残されるからである。
１ｄを高真空に排気することで充分な吸着力を確保でき
るうえに、ヘリウムガス供給ライン４５に高精度の圧力
制御装置を必要としないという特筆すべき長所を有す
る。図４の（ｂ）に示すように、真空排気ライン４４に
接続される環状溝４１ｄの幅Ｈは、ウエハＷ2 の厚さｔ
2 の２倍以下であるのが望ましい。これは、露光光によ
って昇温したウエハＷ2の熱が矢印Ｇに示すようにヘリ
ウムガスを充填した環状溝４１ｄに向かって斜め方向に
拡散し、真空引きされる環状溝４１ｄの幅ＨがウエハＷ
2 の厚さｔ2 の２倍以上であると、ウエハＷ2 の表面の
一部が昇温したままで残されるからである。
【００４９】本実施例によれば、ウエハをウエハチャッ
クの吸着面に安定して吸着保持できるうえに、高価な圧
力制御装置等を必要とせず、露光装置の低価格化に大き
く貢献できる。
クの吸着面に安定して吸着保持できるうえに、高価な圧
力制御装置等を必要とせず、露光装置の低価格化に大き
く貢献できる。
【００５０】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図５は微小デバイ
ス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１０１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ１０２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ１０４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ１０５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
１０６（検査）ではステップ１０５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ１０７）される。
イスの製造方法の実施例を説明する。図５は微小デバイ
ス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１０１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ１０２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ１０４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ１０５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作製さ
れたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、ア
ッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケ
ージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ
１０６（検査）ではステップ１０５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ１０７）される。
【００５１】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ１１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップ１１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
を示す。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップ１１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップ１１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００５２】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００５３】ウエハチャック等の保持盤からの伝熱によ
ってウエハ等基板を充分に冷却できるうえに、両者の間
にゴミ等の異物が挟まれることによるトラブルを回避で
きる。
ってウエハ等基板を充分に冷却できるうえに、両者の間
にゴミ等の異物が挟まれることによるトラブルを回避で
きる。
【００５４】ゴミ等による基板の変形や熱歪等による転
写精度の劣化を防ぎ、極めて高性能な露光装置を実現で
きる。
写精度の劣化を防ぎ、極めて高性能な露光装置を実現で
きる。
【図１】第１実施例によるウエハチャックを示すもの
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図である。
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】第１実施例の２つの変形例を示す説明図であ
る。
る。
【図３】第２実施例によるウエハチャックを示す平面図
である。
である。
【図４】第３実施例によるウエハチャックを示すもの
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はウエハチャックに吸
着されたウエハの熱の拡散を説明する図である。
で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はウエハチャックに吸
着されたウエハの熱の拡散を説明する図である。
【図５】半導体デバイス製造工程を示すフローチャート
である。
である。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す断面図である。
【図８】ウエハとウエハチャックの間にゴミが挟まれた
状態を示す図である。
状態を示す図である。
【図９】別の従来例を示す断面図である。
１，３１，４１ 本体 １ａ，３１ａ，４１ａ 凹所 １ｂ，３１ｂ，４１ｂ 外周リブ １ｃ 突起 ３１ｃ，４１ｃ 環状リブ ２ 内部配管 ３ 温調流体供給源 ４ａ，５ａ，３４ａ，３５ａ，３５ｂ，４５ａ 貫通
孔 ４，４４ 真空排気ライン ６ 圧力センサ ７，２７ コントローラ １７，４５ ヘリウムガス供給ライン １７ａ タンク ２５ａ ヘリウムガス供給源
孔 ４，４４ 真空排気ライン ６ 圧力センサ ７，２７ コントローラ １７，４５ ヘリウムガス供給ライン １７ａ タンク ２５ａ ヘリウムガス供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ
Claims (9)
- 【請求項１】 基板を保持する保持面に凹所を有する保
持盤と、該保持盤の前記凹所を所定のガスの減圧雰囲気
に制御することで前記基板を前記保持面に吸着する吸着
力を発生させる吸着制御手段を有する基板保持装置。 - 【請求項２】 吸着制御手段が、保持面の凹所を真空排
気する真空排気手段と、前記保持盤のまわりのガスを前
記凹所に導入するガス導入手段を備えていることを特徴
とする請求項１記載の基板保持装置。 - 【請求項３】 ガス導入手段が、ガスを清浄化するフィ
ルタを備えていることを特徴とする請求項２記載の基板
保持装置。 - 【請求項４】 吸着制御手段が、保持面の凹所を真空排
気する真空排気手段と、ガス供給源から供給されたガス
を前記凹所に導入するガス導入手段を備えていることを
特徴とする請求項１記載の基板保持装置。 - 【請求項５】 基板を保持する保持面に複数の溝を有す
る保持盤と、該保持盤の前記複数の溝の一部分にガスを
導入し残りの溝を真空排気することで前記基板を前記保
持面に吸着する吸着力を発生させる吸着制御手段を有す
る基板保持装置。 - 【請求項６】 吸着制御手段が、互に隣接する溝内のガ
スを逆向きに流動させるように構成されていることを特
徴とする請求項５記載の基板保持装置。 - 【請求項７】 各溝の深さが２０μｍ以下であることを
特徴とする請求項５または６記載の基板保持装置 - 【請求項８】 各溝の幅が、基板の厚さの２倍以下であ
ることを特徴とする請求項５ないし７いずれか１項記載
の基板保持装置。 - 【請求項９】 請求項１ないし８いずれか１項記載の基
板保持装置と、これによって保持された基板を露光する
露光手段を有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26791396A JPH1092738A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26791396A JPH1092738A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092738A true JPH1092738A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17451368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26791396A Pending JPH1092738A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092738A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1457830A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| JP2006128677A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | 基板を支持し、且つ／又は温度を調整する機器、方法、並びに支持テーブル、及びチャック |
| KR100752091B1 (ko) * | 2000-03-13 | 2007-08-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판지지장치 및 이 장치를 구비한 노광장치 |
| JP2007266611A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | 一時的に基板を支持する支持構造 |
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