KR100705497B1 - 기판을 지지하거나 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치,방법, 지지테이블 및 척 - Google Patents

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메르 아쉬빈 로데비요크 헨드리쿠스 요한네스 반
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Abstract

본 발명에서는, 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 장치에 대해 개시된다. 지지테이블은 기판을 지지하기 위하여 사용시 상기 기판과 접촉하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 상기 지지테이블은 기판이 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 경우 상기 기판과 접촉하지 않고 사용시 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부를 포함한다. 상기 기판과 열을 교환하기 위한 가스-포함 열 교환 갭들은 상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판 사이에서 연장된다.

Description

기판을 지지하거나 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치, 방법, 지지테이블 및 척{APPARATUS, METHOD FOR SUPPORTING AND/OR THERMALLY CONDITIONING A SUBSTRATE, A SUPPORT TABLE, AND A CHUCK}
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여, 예시의 방법으로 본 발명의 실시예들에 대해 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2a는 공지된 지지 돌출부들을 갖는 지지 구조체를 나타내는, 도 1의 Q부분의 개략적인 상세도;
도 2b는 기판이 도시되지 않은 지지 구조체를 나타내는, 도 2a의 개략적인 평면도;
도 3은 공지된 지지 돌출부를 나타내는, 도 2a의 QQ부분의 개략적인 상세도;
도 4는 본 발명의 제1실시예를 나타내는, 도 2a의 Q부분과 유사한 상세도;
도 5는 도 4의 S부분의 상세도;
도 6은 도 4의 T부분의 상세도;
도 7은 기판이 없는, 도 4의 화살표 Ⅶ-Ⅶ의 방향에서 본 평면도;
도 8은 본 발명의 제2실시예의 도 2a와 유사한 Q부분의 상세도;
도 9a는 도 8의 9a부분의 상세도;
도 9b는 도 8의 9b부분의 상세도; 및
도 10은 본 발명의 제3실시예를 개략적으로 나타내고 있는 도이다.
본 발명은 기판을 지지 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 지지테이블, 척, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제조된 디바이스에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 마스크 또는 레티클로 지칭되기도 하는 패터닝장치가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사는 묘화(imaging)를 통해 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트)의 층상으로 이행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟부상에 전체패턴을 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 스캐너를 포함한다.
기판 지지테이블 및/또는 진공 척을 이용하여 기판을 지지하는 것에 대해 알려져 있다. 공지된 기판테이블은 돌출부, 예를 들어 사용시 기판을 지지하는 니플(nipples) 등을 포함한다. 돌출부들은 상대적으로 작고 및/또는 첨예하여, 지지테이블과 기판 사이의 오염물 또는 더스트(dust)의 조성이 방지될 수 있다. 이 경우에, 기판은 지지테이블상에 정확하게 위치될 수 있어, 리소그래피 동안 기판상으로의 패턴의 정밀한 전사를 위해 바람직하다.
예를 들어, EP 0947884는 기판을 지지하기 위해 돌출부들의 매트릭스 구성이 제공되는 면을 갖는 플레이트를 구비한 기판 홀더에 대해 개시하고 있다. 또한, 상기 면에는 플레이트를 통해 연장되어 분포된 복수의 어퍼처들이 제공된다. 상기 플레이트의 어퍼처들을 진공 제너레이터에 연결함으로써, 기판의 뒷면이 돌출부들에 대해 견고하게 흡착될 수 있다.
US 6,257,564는 지지구조체로서 니플들을 구비한 진공 척에 대해 개시하고 있다. 2가지 타입의 니플: 즉 단지 지지부만을 제공하는 플레인 니플 및 지지부를 제공하고 척상에서 웨이퍼를 유지시키기 위해 진공을 전달하는 진공 니플이 사용된다. 상기 니플들은 웨이퍼와 척간의 접촉면적을 감소시켜, 웨이퍼의 오염물이 저감되도록 할 수도 있다. US 6,257,564에 따르면, 상대적으로 대형인 300mm 웨이퍼들의 워페이지(warpage)가 회피될 수도 있다.
US 6,664,549 B2는 웨이퍼의 후방면이 흡입 챔버를 이용한 흡입에 의해 지지 핀들상에서 유지되는 진공 척의 또 다른 실시예에 대해 개시하고 있다.
사용시, 예를 들어 리소그래피 방법으로 묘화를 진행하는 동안, 기판은 가열 될 수도 있다. 한편, 예를 들어 침지 리소그래피가 적용될 때 기판이 액체로 적셔진 경우에, 액체의 증발을 통해 기판으로부터 열이 제거될 수 있다. 이러한 열 유동은 원하는 기판의 정확한 위치설정을 방해할 수도 있는, 기판의 열 팽창 및/또는수축을 야기한다. 예를 들어, 기판의 열적 변동들은 기판이 리소그래피 프로세스를 거칠 때 오버레이 오차를 야기할 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태는 공지된 장치 및 방법을 개선시키는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 특히 기판으로 및/또는 기판으로부터 열이 전달되고 있을 때, 원하는 시간 동안 기판이 정확하게 위치될 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 기판의 온도가 상대적으로 잘 콘디셔닝될 수 있는, 정확하게 기판을 위치시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 오버레이 오차들이 저감될 수 있는 리소그래피 장치 및 리소그래피 디바이스 제조방법을 개선하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 소정의 장치, 예를 들어 리소그래피 장치 또는 그것의 일부가 제공된다. 지지테이블은 기판을 지지하기 위해 사용되는 동안 기판과 접촉하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 지지테이블은 기판이 지지 돌출부들에 의해 지지될 경우 기판과 접촉하지 않고 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함한다. 기판과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭(gas-containing heat exchanging gap)들은 열 전달 돌출부들과 기판 사이에서 연장된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지테이블을 지지하는 척을 포함하는 장치가 제공된다. 지지테이블은, 척과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들이 열 전달 돌출부들과 척 사이에서 연장되도록 척과 접촉하지 않고 상기 척을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함한다.
본 발명은 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 장치, 예를 들어 리소그래피 장치 또는 그것의 일부를 더 제공한다. 지지테이블은 복수의 지지 돌출부 및 복수의 열 전달 돌출부들을 구비한 지지 측면을 포함한다. 지지 돌출부들의 높이는 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높다.
본 발명의 일 실시예에서, 소정의 장치, 예를 들어 리소그래피 장치 또는 그것의 일부는 지지테이블을 지지하는 척을 포함한다. 지지테이블 및/또는 척은 지지테이블 및 척이 제2공간을 둘러싸도록 상기 지지테이블과 척 사이에서 연장되는 복수의 지지 돌출부를 포함한다. 상기 척은, 척과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들이 열 전달 돌출부들과 척 사이에서 연장되도록 상기 척과의 접촉 없이 상기 척을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함한다.
본 발명은 또한 이러한 장치의 용례를 제공한다.
또한, 본 발명은 이러한 장치를 활용하여, 기판을 지지 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 열적으로 콘디셔닝하는 방법이 제공된다. 지지테이블이 제공되며, 지지테이블은 기판을 지지하기 위하여 기판과 접촉 하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 또한, 지지테이블은 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함한다. 열 전달 돌출부들과 기판 사이에서 연장되는 열 교환 갭들내에 배치되는 가스를 활용함으로써, 가스 전도를 통해 기판으로부터 열 전달 돌출부로 및/또는 그 역으로 열이 전달된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 지지테이블에 의해 지지되는 기판을 열적으로 콘디셔닝하는 방법이 제공된다. 지지테이블은, 기판이 지지 돌출부들에 의해 지지될 때 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부 및 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 상기 방법은 열 전달 돌출부들과 기판 사이에서 연장되는 열 교환 갭들내에 가스를 제공하고, 상기 가스를 통해 상기 기판으로부터 열 전달 돌출부로 및/또는 그 역으로 열을 전달하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 기판 지지부를 열적으로 콘디셔닝하는 방법이 제공된다. 지지테이블은 지지테이블과 척 사이에서 연장되는 복수의 지지 돌출부들에 의해 지지된다. 상기 방법은, 지지테이블과 척 사이에 작은 가스-포함 열 교환 갭들을 제공하는 열 전달 돌출부들을 갖는 척에 지지테이블을 열적으로 커플링하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 장치를 사용하여 제조되는 디바이스, 및 디바이스 제조 방법을 활용하여 제조되는 디바이스를 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 기계적인 접촉에 의해 웨이퍼의 하부측을 지지하는 복수의 지지 돌출부들의 용례가 제공된다. 열 전달 돌출부들은 웨이퍼와 접촉하지 않고 가스 전도에 의한 열 전달을 활용하여, 웨이퍼로 및/또는 웨이퍼로부터의 열 전달을 위해 사용된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 디바이스 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 패터닝장치로부터 지지테이블에 의해 지지되는 기판상으로 패턴을 전달하는 단계를 포함한다. 상기 지지테이블은, 기판이 지지 돌출부들에 의해 지지될 때 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들 및 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 또한, 상기 방법은 열 전달 돌출부들과 기판 사이에서 연장되는 열 교환 갭들로 가스를 제공하고, 상기 가스를 통해 상기 기판으로부터 열 전달 돌출부로 및/또는 그 역으로 열을 전달하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서는, 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 장치는 방사선 빔을 콘디셔닝하는 조명시스템 및 패터닝장치를 지지하는 지지부를 포함한다. 상기 패터닝장치는 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된다. 또한, 상기 장치는 기판을 지지하는 지지테이블 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함한다. 상기 지지테이블은 기판이 지지 돌출부들에 의해 지지될 때 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들 및 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 상기 열 전달 돌출부들과 기판 사이에는 기판과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들이 연장된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에서 기판을 지지하는 지지테이블이 제공된다. 상기 지지테이블은 기판이 지지 돌출부들에 의해 지지될 때 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들 및 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부들을 포함한다. 상기 열 전달 돌출부들과 기판 사이에는 기판과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들이 연장된다.
또 다른 실시예에서는, 리소그래피 장치에서 기판을 지지하는 지지테이블이 제공된다. 상기 지지테이블은 복수의 지지 돌출부들 및 복수의 열 전달 돌출부들을 갖는 지지 측면을 포함한다. 상기 지지 돌출부들의 높이는 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높다.
또한, 본 발명은 기계적인 접촉에 의해 웨이퍼 지지부의 하부측을 지지하는 복수의 지지 돌출부들의 용례를 제공한다. 열 전달 돌출부들은 웨이퍼 지지부와 접촉하지 않고 가스 전도에 의한 열 전달을 활용하여, 상기 웨이퍼 지지부로 및/또는 그로부터의 열 전달을 위해 사용된다.
본 발명은 대향하는 척 표면으로부터 이격된 웨이퍼 지지부의 하부측을 잡아주는 복수의 지지 돌출부들의 용례를 제공한다. 열 전달 돌출부들은 척과 접촉하지 않고 가스 전도에 의한 열 전달을 활용하여, 웨이퍼 지지부로 및/또는 그로부터의 열 전달을 위해 사용된다.
본 발명의 추가 실시예에서는, 본 명세서에서 상술된 바와 같은 장치의 기판 지지테이블 및 본 명세서에서 상술된 바와 같은 장치의 척이 제공된다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하 고 있다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 여타 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 상기 패터닝장치를 정확히 위치시키도록 구성되는 제1위치설정장치(PM)에 연결되도록 이루어지는 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블)(MT); 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정장치(PW)에 연결되도록 이루어진 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 패터닝장치(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝장치의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지구조체는, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝장치를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝장치를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝장치가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 " 레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝장치"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합 을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이 또는 반사형 마스크를 채용한) 반사형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블들이 노광에 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블 또는 지지부들에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 투영장치에서는, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물로 덮히는 형태로 이루어질 수도 있다. 리소그래피 장치의 여타 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 침지 액체가 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 당업계에서 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체내에 잠겨야한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 노광 동안에 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미하는 것이다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주 되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 방사선 빔이 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝장치에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)에서 반사된 후에, 투영시스템(PL)을 통과하며, 상기 투영시스템은 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커싱한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼시티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이 블(WT)은, 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 예시되지는 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 단행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 장행정 모듈 및 단행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 단행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2 내지 4는 기판 지지구조체의 일부를 보다 상세히 나타내고 있다. 상기 기판 지지구조체는 지지테이블(WT) 및 상기 지지테이블(WT)을 지지하기 위한 척(11)을 포함한다. 사용시 기판(W)을 향하는 지지테이블(WT)의 지지 측면은 필수적으로 복수의 지지 돌출부(2)들을 포함한다. 이들 돌출부(2)들은 사용시 기판(W)의 표면과 기계적으로 접촉한다. 지지 돌출부(2)들은 기판(W)을 균일하게 지지하기 위하여 지지테이블(WT)의 상부측 위에 실질적으로 균일하게 분포되는 것이 바람직하다. 이러한 균일한 분포의 예시가 도 2b에 도시되어 있다.
지지테이블(WT) 및 지지 돌출부(2)들은 기판(W)과 함께 제1공간(5)을 둘러싼다. 상기 장치는 상기 제1공간(5)으로 및/또는 그로부터 1이상의 가스들을 펌핑하기 위한 1이상의 펌프(VP)를 포함한다. 상기 가스 또는 가스들은, 다음의 가스들 또는 가스 혼합물: 즉 공기, 헬륨, 아르곤, 질소 등 중 1이상을 포함할 수도 있다.
도 1에는 펌프(VP)가 개략적으로 도시되어 있다. 본 실시예에서, 상기 펌프(VP)는 지지테이블(WT)의 지지 돌출부(2)들상에 기판(W)을 클램핑하기 위하여 상기 제1공간(5)에 저압력(underpressure) 또는 진공을 적용하도록 구성된다. 그 다음, 기판 지지구조체를 둘러싼 1이상의 가스들은 펌프(VP)에 의하여 펌핑되어 나가도록 사용시 제1공간(5)으로 유동 또는 누출될 수 있다. 이러한 저압력이 제1공간(5)으로 적용되지 않는 경우, 기판(W)이 테이블(WT)로부터 제거될 수 있도록 지지테이블에 대한 기판(W)의 클램핑은 수행되지 않는다.
당업자라면, 1이상의 펌프(VP)들이 어떻게 구성될 것이며, 이러한 펌프를 제1공간(5)에 예를 들어 1이상의 적절한 진공 라인들(VL)로 어떻게 커플링할 것인지 를 명확히 이해할 것이다. 펌프(VP)는 예를 들어 진공 펌프 및/또는 기타 수단을 포함할 수도 있다.
지지 돌출부(2)들은 다양한 형태 및 크기를 가질 수도 있다. 돌출부(2)들은 니플 등의 돌출 부분들일 수도 있다. 도 2 및 3의 실시예에서, 지지 돌출부(2)들은 기판을 지지하는 실질적으로 편평한 지지면들을 갖는 실질적인 원통형이다. 지지 돌출부들의 높이(H0)는, 예를 들어 지지테이블(WT)의 지지면에 대해 직각 방향으로 측정하여 대략 0.1 내지 0.2mm의 범위내에 있다. 지지 돌출부들의 직경(D0)은 상대적으로 작은 것이 바람직하며, 예를 들어 0.05 내지 1.0mm의 범위내에 있고, 특별하게는 대략 0.15mm이다. 이웃하는 지지 돌출부(2)들의 중심 축선들은, 예를 들어 대략 1 내지 10mm의 범위내에, 가령 2.5mm 정도의 간격(HH)만큼 이격될 수 있다. 당연히, 원한다면 여타 직경들 및 크기들도 적용될 수 있다.
지지 측면으로부터 먼 쪽을 향하고 척(11)을 향하는 지지테이블(WT)의 후방측은 필수적으로 다수의 원통형 지지 돌출부(12)들을 포함한다. 지지테이블(WT)의 대향 측면들의 지지 돌출부(2,12)들은 서로에 대해 축선방향으로 정렬된다. 또한, 지지테이블(WT) 및 척(11)으로 둘러싸여 있는 제2공간(15)은, 예를 들어 척(11)에 지지테이블(WT)을 클램핑하도록 제2공간(15)에 저압력을 적용하기 위해 1이상의 펌프(VP)에 연결되는 것이 바람직하다.
도 2 및 3의 지지구조체는, 예를 들어 제1공간(5) 및 제2공간(15)에 적정한 진공을 가함으로써, 사용시 기판(W)이 견고하게 유지되는 구성을 제공할 수 있다. 또한, 사용시 제1공간 및 제2공간내로 그리고 그로부터 벗어나도록 가스 유동을 연 속적으로 공급함으로써 척(11), 지지테이블(WT) 및 기판(W)의 오염이 방지 및 저감될 수 있다. 하지만, 도 2 및 3에 도시된 구조의 단점은 기판(W)과 기판테이블(WT)간의 열적 접촉이 상대적으로 나쁠 수 있다는 점이다. 기판테이블(WT)과 척(11)간의 열적 접촉에 대해서도 동일하게 유지된다. 따라서, 기판(W)은 기판테이블(WT) 및 척(11)으로부터 상대적으로 열적으로 고립된다. 이는, 열 유동이 기판(W)에 적용되는 경우, 상대적으로 큰 기판(W)의 온도 변동을 야기할 수도 있다. 예를 들어, 기판(W)은 기판(W)상에 투영되고 있는 방사선 빔으로부터의 열 흡수의 영향하에 상대적으로 빠르게 가열될 수 있다. 한편, 침지 리소그래피와 같이 기판(W)이 젖어 있는 경우에는, 기판(W)은, 사용시 액체가 그로부터 증발할 때 상대적으로 빠르게 냉각될 수도 있다.
도 4 내지 7은, 기판(W)이 열적으로 상대적으로 잘 콘디셔닝될 수 있는, 본 발명에 따른 제1실시예를 나타내고 있다.
도 4 내지 7에 도시된 바와 같이, 제1실시예에서는, 지지테이블(WT)이 기판(W)과 접촉하는 복수의 지지 돌출부(2)들뿐만 아니라, 사용시 기판(W)과 접촉하지 않고 기판(W)을 향하여 연장되는 복수의 제1열 전달 돌출부(3)들을 포함한다. 따라서, 기판(W)과 열을 교환하는 열 교환 갭(6)들은 열 전달 돌출부들과 기판(W) 사이에서 연장된다. 본 실시예에서, 열 교환 갭(6)은 제1공간(5)의 일부이다.
각각의 제1열 교환 돌출부(3)는 사용시 기판(W)과 실질적으로 평행하게 연장되고 상기 기판(W)을 향하는 열 교환 표면(4)을 포함한다. 제1열 교환 돌출부(3)들은 원통형이며, 각각의 지지 돌출부(2)들 주위에서 동심적으로 배치된다. 각각의 열 교환 표면(4)은 실질적으로 링 형상의 표면이다. 또한, 각각의 열 전달 돌출부(3)는 지지 돌출부(2)들 다음에 배치된다. 더욱이, 본 실시예에서는, 모든 제1열 전달 돌출부(3)가 내부 부분들의 지지 돌출부(2)이다.
상기 열 교환 갭들은 돌출부들의 높이와 비교하여 상대적으로 작다. 이를 위해, 지지 돌출부들은 기판(W)에 대해 직각 방향으로 측정하여 제1높이(H1)를 가지며, 제1열 전달 돌출부(3)는 제1높이(H1)모다 약간 더 작은 제2높이(H2)를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 이와 같이 지지 돌출부(2)들의 높이(H1)는, 예를 들어 대략 0.2mm보다 크며, 가령 높이 H1은 0.2 내지 1mm의 범위내에 있다. 지지 돌출부들의 직경(D1)은, 상대적으로 작은 것이 바람직하며, 예를 들어 대략 0.05 내지 1.0mm의 범위내에 있고, 특별하게는 대략 0.15mm이다. 이웃하는 지지 돌출부(1)들의 중심 축선들은, 예를 들어 대략 1 내지 10mm 범위내, 가령 대략 2.5mm의 간격(HH)만큼 이격될 수 있다. 각각의 열 전달 돌출부(3)들의 외경(D2)은, 돌출부들의 중심 축선들간의 간격(HH)에 따라 대략 1 내지 10mm 범위내에 있을 수 있다. 적절한 돌출부들(2,3)의 크기를 선택함으로써, 충분한 중간 공간(5)이 제공되어, 사용시 기판(W)과 기판테이블(WT)간의 원하는 가스 유동들을 달성할 수 있다. 이러한 가스 유동들은 기판(W)과 기판테이블(WT)간의 적절한 클램핑 압력을 제공하고 및/또는 그로부터의 오염을 제거하는데 사용될 수 있다. 각각의 열 전달 돌출부(3)들의 외경(D2)이 대략 1 내지 2mm의 범위내에 있을 경우 양호한 결과들이 얻어질 수 있다. 양호한 결과들은, 이와 같이 지지 돌출부(2)들의 높이(H1)는 대략 0.3 내지 0.5mm의 범위내, 가령 대략 0.4mm의 높이인 경우 얻어질 수 있다. 이웃하 는 제1열 전달 돌출부들의 외측 윤곽은 상대적으로 작으며, 예를 들어 0.5 내지 1mm의 범위내에 있을 수도 있다. 또한, 원한다면 최후에 기술된 거리(X1)에 대해 다른 적절한 값들이 선택될 수도 있다.
또한, 열 전달 돌출부(3)들은 이들의 돌출부들의 모든 열 교환 표면(4)들로 이루어진 전체 열 교환 표면적이 상대적으로 크도록 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 총 열 교환 표면적은, 사용시 기판(W)을 향하는 기판테이블(WT) 부분의 전체 표면적의 적어도 50% 이상, 바람직하게는 대략 60% 이상이다.
본 발명의 추가 실시예에서, 각각의 열 교환 갭(6)은 대략 10㎛ 이하의 두께(R1)를 갖는다. 상기 두께(R1)는 제1열 전달 돌출부(3)들 및 제1지지 돌출부(2)들의 상술된 높이들(H1, H2)간의 차이와 동일하다. 또한, 각각의 열 교환 갭(6)의 두께(R1)가 대략 1 내지 5㎛의 범위내, 가령 3㎛인 경우 양호한 결과들이 얻어질 수 있다. 다른 크기, 예를 들어 1㎛ 아래의 두께(R1)가 적용될 수도 있다. 하지만, 1㎛ 아래의 두께(R1)는 더스트와 같은 오염 입자들에 대해 보다 민감한 지지 구조체를 구성한다.
사용시, 1이상의 가스들 또는 가스 혼합물은 제1공간(5)에 배치될 수 있고, 따라서 열 교환 갭(6)에도 배치될 수 있다. 그 다음, 사용시 열 교환 갭(6)들을 통해 가스 전도에 의한 열 교환이 일어난다. 특히, 열 교환 갭(6)이 상대적으로 작은 경우, 예를 들어 대략 10㎛ 이하의 두께(R1)를 갖는 경우, 열 교환 갭(6)들을 통해 열적 가스 전도를 이용할 수 있는 동안 제1공간(5)에서는 상대적으로 큰 가스 압력들이 사용될 수 있다. 열 교환 표면(4)들로 이루어진 기판테이블(WT) 표면의 상대 적으로 큰 비는 기판(W)으로부터 근접한 거리에서 연장된다. 이 경우에, 열 교환 갭(6)들을 통한 가스에 의해 상대적으로 많은 양의 열이 전달될 수 있다. 결과적으로, 기판(W)과 기판테이블(WT)간의 열적 접촉이 크게 개선될 수 있다. 따라서, 기판테이블(WT)은 기판(W)에 잉여의 열적 매스를 제공하여, 상술된 열 유동에 의해 야기되는 기판(W)의 온도 변동들을 지연시킬 수 있다.
더욱이, 도 4 내지 7에 나타낸 바와 같이, 제1실시예의 지지테이블(WT)의 후방 측면 또한 척(11)과 기계적인 접촉 없이 척(11)을 향하여 연장되는 많은 수의 제2열 전달 돌출부(13)들을 포함한다. 가장 나중에 언급한 제2열 전달 돌출부들은, 기판(W)에 대하여 상술된 제1열 전달 돌출부(3)들의 기능과 유사하게, 가스 전도를 이용하여 척(11)과 열을 교환하는 역할을 한다. 상기 제2열 전달 돌출부(13)들은, 이들 돌출부(13)들의 모든 열 교환 표면(14)들로 이루어진 각각의 총 열 교환 표면적이 상대적으로 크도록 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가장 나중에 언급된 총 열 교환 표면적은, 사용시 척(11)을 향하는 기판테이블(WT) 부분의 전체 표면적의 적어도 50% 이상, 바람직하게는 대략 60%이다.
제2열 전달 돌출부(13)들은 제1열 전달 돌출부(3)들에 대해 축선방향으로 정렬된다. 또한, 각각의 제2열 전달 돌출부(13)는, 사용시 척(11)의 대향하는 표면과 실질적으로 평행하게 연장되고 그를 향하는 링 형상의 열 교환 표면(14)을 포함할 수도 있다.
또한, 지지테이블(WT)과 척(11) 사이에서 연장되는 지지 돌출부들은 기판테이블(WT)에 직각 방향으로 측정하여 높이(H3)를 갖는다. 상기 높이(H3)는 제2열 전 달 돌출부(13)들의 높이(H4)보다 약간 더 높다. 본 실시예에서, 모든 제2열 전달 돌출부(3)들은 각각의 지지 돌출부(2)들의 통합된 일부이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제2지지 돌출부들은 외경 D3를 갖는 반면, 제2열 전달 돌출부들은 외경 D4를 갖는다.
제1실시예의 제2지지 돌출부(13)들의 크기(H3,D3)는, 예를 들어 제1지지 돌출부(3)들의 크기(H1, D1)와 동일하거나 상이할 수도 있다. 또한, 제1실시예의 제2열 전달 돌출부(14)들의 크기(H4, D4)는, 예를 들어 제1열 전달 돌출부(14)들의 크기(H2, D2)와 동일하거나 상이할 수도 있다. 이러한 크기들, 특히 돌출부들의 높이 및 직경의 예들에 대해 상술되었다.
예를 들어, 열 전달 돌출부와 척(11) 사이에서 연장되는 각각의 열 교환 갭(16)은 대략 10㎛ 이하의 두께(R2)를 가질 수도 있다. 이 두께(R2)는 제2열 전달 돌출부(13)들 및 제2지지 돌출부(12)들의 상술된 높이들간의 차이와 동일하다. 이두께(R2)는, 예를 들어 1 내지 5㎛의 범위내, 예를 들어 대략 3㎛일 수 있다. 이러한 두께를 이용하고, 사용시 제2공간(15)의 가스 압력에 따라, 지지테이블(WT)과 척(11)간의 열 전달과 관련하여 양호한 열적 콘디셔닝 결과들이 얻어질 수 있다. 이 경우에, 척(11)은 지지테이블(WT)을 통해 기판(W)에 커플링되는 열적 매스를 형성할 수도 있다. 그 다음, 척(11)은 사용시 기판(W)을 열적으로 콘디셔닝하는 것을 도울 수 있다. 특히, 척(11)은 기판테이블(WT) 및 기판(W)에 잉여의 열적 매스를 제공하여, 상술된 열 유동들에 의해 야기되는 기판테이블(WT)과 기판(W) 둘 모두의 열적 변동들을 지연시킨다.
리소그래피 디바이스 제조방법의 제1실시예를 사용함으로써, 기판들은 상대적으로 견고하게 유지되고, 상대적으로 오염으로부터 자유로우며, 상대적으로 정확하게 위치될 수 있다. 상기 디바이스 제조방법은, 다양한 방법들, 예를 들어 상술된 및/또는 후술되는 방법과 연루되어 있거나 그를 포함하여 이루어질 수도 있다. 디바이스 제조방법은, 패터닝장치로부터 기판상으로 패턴을 전사하는 것, 예를 들어 리소그래피 디바이스 제조방법을 포함할 수도 있다. 상기 방법은, 예를 들어 패적어도 패터닝된 방사선 빔을 기판상으로 투영하는 것을 포함할 수 있다. 최후에 언급된 방법에서는, 예를 들어 도 1에 나타낸 바와 같은 장치가 사용될 수도 있다.
그 다음, 사용시 기판(W)은 제1공간(5)의 가스 또는 가스들의 저압력을 이용하여 지지테이블(WT)에 의해 유지될 수도 있다. 또한, 지지테이블(WT)은 제2공간(15)의 저압력을 활용하여 척(11)에 의해 유지될 수도 있다.
기판들의 정확한 위치설정은 상대적으로 오래 지속되는 기판들의 열적 콘디셔닝에 의해 더욱 개선될 수 있다. 개선된 열적 콘디셔닝은 기판테이블(WT) 및 척(11)의 서로에 대한, 그리고 기판에 대한 열적 매스들의 개선된 커플링의 결과를 가져올 수 있다. 특히, 열적 커플링은 열 전달 돌출부(3, 13)의 적용에 의해 개선될 수도 있다. 제1열 전달 돌출부(3)들은 웨이퍼와 접촉하지 않고 가스 전도에 의한 열 전달을 활용하여 간단하게 웨이퍼로 및/또는 그로부터의 열 전달에 사용될 수 있다. 제2열 전달 돌출부(13)들은, 척(11)과 접촉하지 않고 가스 전도에 의한 열 전달을 활용하여 간단하게 웨이퍼 지지부(WT)로 및/또는 그로부터의 열 전달에 사용될 수 있다. 열 전달 돌출부(3, 13)들의 열 전달 표면(4, 14)은 기판(W) 또는 척(11)의 대향되는 표면들과 각각 실질적으로 평행하게 연장되기 때문에, 상대적으로 양호한 열적 접촉이 달성될 수 있다.
기판의 개선된 열적 콘디셔닝으로 인해, 디바이스 제조방법은 저감된 오버레이 오차 및/또는 개선된 포커싱을 갖고 수행될 수 있으며, 이에 의해 개선된 디바이스들이 제조될 수 있다.
도 4 및 6으로부터, 본 발명은 또한 기판 지지테이블을 열적으로 콘디셔닝하는 방법을 제공한다. 지지테이블(WT)은 지지테이블(WT)과 척(11) 사이에서 연장되는 다수의 지지 돌출부들에 의해 지지되고 있고, 지지테이블은 지지테이블(WT)과 척(11) 사이에 작은 가스-포함 열 교환 갭(16)들을 제공하는 열 전달 돌출부들에 의해 척(11)에 열적으로 커플링된다.
도 8 및 9는 본 발명의 제2실시예를 나타내고 있다. 제2실시예는 상술된 제1실시예와 실질적으로 동일하게 기능한다. 도 8 및 9에서 분명히 알 수 있듯이, 제2실시예의 기판테이블(WT)은 또한 제1 및 제2지지 돌출부(2, 12)와 제1 및 제2열 전달 돌출부들(3, 13)을 포함한다. 즉, 제1공간(5)은 기판과 기판테이블(WT) 사이에서 연장되는 한편, 제2공간(15)은 척(11)과 기판테이블(WT) 사이에서 연장된다. 하지만, 제2실시예에서는, 열 전달 돌출부들(3, 13)이 도 9a 및 9b에 나타낸 바와 같이 각각의 지지 돌출부들과 공간적으로 분리된다. 제2실시예에서, 지지테이블(WT)의 지지 측면으로부터 연장되는 돌출부들 및 기판테이블(WT)의 후방측으로부터 연장되는 돌출부들은 서로에 대해 정렬된다. 또한 이 경우에는, 열 전달 돌출부(3)들의 모든 열 교환 표면(4)들을 포함하는 총 열 교환 표면적이 상술된 바와 같이 상 대적으로 크도록, 상기 열 전달 돌출부(3)들이 구성된다.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 척(111) 및 기판테이블(WT)의 일부를 나타내고 있다. 제3실시예에서, 척(111)은, 지지테이블(WT)과 척(111)이 1이상의 제2공간(15)을 둘러싸도록 지지테이블(WT)과 척(111) 사이에서 연장되는 복수의 지지 돌출부(112)들을 통합적으로 포함한다. 사용시, 지지 돌출부(112)들은 기계적인 접촉에 의해 기판테이블(WT)의 하부측을 지지한다. 대안적으로, 지지테이블(WT)은 제1 및 제2실시예에서와 같이 지지 돌출부들을 포함할 수도 있다.
제3실시예에서는, 지지테이블과 열을 교환하기 위한 가스-포함 열 교환 갭(116)들이 열 전달 돌출부들과 지지테이블 사이에서 연장되도록, 척(111)은 지지테이블(WT)과 접촉하지 않고 지지테이블을 향하여 연장되는 다수의 제2열 전달 돌출부(113)들을 포함한다. 예를 들어, 각각의 열 교환 갭(116)은 대략 10㎛ 이하의 두께(R2')를 가질 수도 있다. 또한, 각각의 열 교환 갭(116)의 두께(R2')는, 예를 들어 1 내지 5㎛의 범위내, 가령 대략 3㎛일 수 있다. 제3실시예에서, 척(111)의 제2열 전달 돌출부(113)들은 이들의 돌출부들의 모든 열 교환 표면들로 이루어진 총 열 교환 표면적이 상대적으로 크도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 총 열 교환 표면적은, 사용시 기판(W)을 향하는 기판테이블(WT) 부분의 전체 표면적의 적어도 50% 이상, 바람직하게는 대략 60% 이상이다.
제3실시예의 기능은 제1 및/또는 제2실시예의 작용례와 실질적으로 유사하다. 하지만, 제3실시예에서, 제2열 교환 갭(16')들은 척(11) 부근 대신에 기판테이블(WT) 부근에서 연장된다. 이들 제2열 교환 갭들은 제2공간(15')의 가스 압력에 대해 충분히 작아서, 가스 전도에 의해 제2열 교환 돌출부(13')와 지지테이블(WT)간의 열 전달이 가능하도록 하는 것이 바람직하다. 제2열 교환 돌출부들의 총 열 교환 표면적은 상대적으로 크기 때문에, 사용시 다량의 열이 전달될 수 있다.
당연히, 상술된 실시예들 또한 첨부된 청구항들에 청구된 바와 같이 본 발명의 범위내에 속한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조 등과 같은 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전 또는 후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
다음의 예시들에서는, 도 5의 실시예와 비교하여 도 3에 도시된 실시예와 관련된 연산들이 수행되었다. 특히, 상기 연산들은 실리콘 웨이퍼 기판(W)의 중심으 로부터 지지테이블(WT)의 중심으로의 열 전달을 획득하도록 이루어진다. 이들 연산에 있어서, 지지테이블 및 그것의 돌출부들(2, 3)은 독일의 Schott AG of Mainz에 의해 제조된 유리 세라믹 재료인, ZERODUR®로 만들어졌다.
도 3의 실시예에서, 지지 돌출부들의 직경(D0)은 0.5mm로 선택되었다. 지지 돌출부들의 높이(H0)는 0.15mm였다. 지지 돌출부들의 중심선들간의 피치(HH)는 2.5mm였다. 웨이퍼(W)와 지지테이블(WT) 사이의 제1공간은 0.5bar 압력의 공기로 채워졌다. 연산들로부터, 웨이퍼 중심으로부터 웨이퍼테이블(WT)의 중앙부까지의 열 전달은 160 W/m2K라는 것을 알 수 있었다.
그 다음, 도 5의 본 발명의 따른 제1실시예와 관련하여 유사한 연산들이 수행되었다. 지지 돌출부(2)들의 직경(D1)은 다시 0.5mm로 선택되었다. 열 전달 돌출부들은 2mm의 직경(D2)을 가졌다. 하지만, 지지 돌출부들의 높이(H1)는 0.4mm로 웨이퍼(W)와 웨이퍼 테이블(WT)을 따른 가스의 유동에 대해 충분한 양의 공간(5)을 제공하였다. 열 전달 갭들의 높이가 3㎛가 되도록, 열 전달 돌출부(3)들의 높이(H2)는 지지 돌출부들의 높이(H1)보다 3㎛ 더 작았다. 웨이퍼(W)와 지지테이블(WT) 사이의 제1공간은 역시 0.5bar 압력의 공기로 채워졌다. 연산들로부터, 웨이퍼 중심으로부터 웨이퍼테이블(WT)의 중앙부까지의 열 전달 결과는 650 W/m2K라는 것을 알 수 있었다.
이 예시에서, 열 전달 돌출부들의 적용은, 예를 들어 기판(W)과 기판 지지테이블(WT)간의 열 전달의 개선을 가져와 상술된 장점들을 제공할 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 5의 실시예에서, 지지 돌출부들의 직경(D0)은 0.5mm였다. 지지 돌출부들의 높이(H0)는 0.15mm였다. 지지 돌출부들의 중심선들간의 피치(HH)는 2.5mm였다.
광학 리소그래피의 배경에서 본 발명의 실시예들의 용례에 대하여 상술하였으나, 본 발명은, 예를 들어 임프린트 리소그래피와 같은 여타의 응용례에서 사용될 수도 있으며, 상황이 허락한다면, 광학 리소그래피로만 제한되지는 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝장치의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성되는 패턴을 한정한다. 패터닝장치의 토포그래피는, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 큐어링(cure)되는 기판에 공급되는 레지스트의 층내로 가압될 수도 있다. 상기 패터닝장치는 레지스트가 큐어링된 후에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선 및 (예를 들어 5 내지 20nm 범위의 파장을 갖는) 극자외(EUV)선과, 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔들을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 설명은 예시를 위한 것으로 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면 후속 청구항의 범위를 벗어나지 않는 선에서, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
척은 기판 및/또는 기판테이블을 유지하기 위한 다양한 방법으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 척은 진공 척 및/또는 정전기 척일 수도 있다.
기판테이블 및/또는 척에는, 예를 들어 기판테이블 및/또는 척의 온도를 제어하기 위하여 1이상의 히터, 유체 냉각 회로 등을 구비한 온도 제어기가 제공될 수도 있다.
또한, 각각의 지지 돌출부 및 각각의 열 전달 돌출부는 다양한 형상 및 형태를 가질 수도 있다. 예를 들어, 이러한 돌출부들은 원형, 정사각형, 직사각형, 삼각형, 타원형 및/또는 여타 단면들을 가질 수도 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 지지하고 열적으로 콘디셔닝하는데 우수한 장치 및 방법을 얻을 수 있다.

Claims (62)

  1. 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 지지테이블은, 상기 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부, 및 상기 기판이 상기 지지 돌출부들에 의해 지지될 때 상기 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부를 포함하고, 상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판 사이에 상기 기판과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들이 연장되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 열 교환 갭은 대략 10㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    각각의 열 교환 갭의 두께는 대략 1 내지 5㎛ 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    각각의 열 전달 돌출부는, 사용시 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 기판과 실질적으로 평행하게 연장되고 상기 기판을 향하는 열 교환 표면을 포함하는 것 을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 열 교환 표면은 실질적으로 원형 또는 링형상의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 모든 열 교환 표면들로 이루어진 총 열 교환 표면적은, 사용시 상기 기판을 향하는 기판테이블 부분의 전체 표면적의 적어도 50% 이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지지 돌출부들은 상기 기판과 직각 방향으로 측정된 제1높이를 가지고, 상기 열 전달 돌출부들은 상기 제1높이보다 낮은 제2높이를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    다수의 상기 열 전달 돌출부들은 다수의 상기 지지 돌출부들의 통합 부분들(integral parts)인 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    적어도 다수의 상기 열 전달 돌출부들은 상기 지지 돌출부들에 대하여 별도의 부분들인 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 열 전달 돌출부들은 회전 대칭의 부분인 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 지지테이블 및 상기 지지 및 열 전달 돌출부들은 상기 기판과 함께 제1공간을 둘러싸도록 구성되고, 상기 장치는 상기 제1공간으로 또는 그로부터 1이상의 가스들을 펌핑하는 1이상의 펌프를 더 포함하고, 상기 열 교환 갭들은 상기 제1공간의 부분인 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지테이블은 상기 제1공간의 저압력(underpressure)에 의해 기판을 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 지지테이블을 지지하는 척을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 지지테이블 및 상기 척은, 상기 지지테이블 및 상기 척이 제2공간을 둘러싸도록 상기 지지테이블과 상기 척 사이에서 연장되는 복수의 제2지지 돌출부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제1항에 따른 장치의 기판 지지테이블.
  16. 기판 지지테이블을 지지하는 척을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 지지테이블은 상기 척과 접촉하지 않고 상기 척을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함하고, 상기 척과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들은 상기 열 전달 돌출부들과 상기 척 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    각각의 열 전달 돌출부와 상기 척 사이에서 연장되는 각각의 열 교환 갭은 대략 10㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    각각의 열 교환 갭의 두께는 대략 1 내지 5㎛ 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제16항에 있어서,
    단면에서 봤을 때, 사용시 상기 척을 향하여 연장되는 열 전달 돌출부들은 사용시 상기 기판을 향하여 연장되는 상기 열 전달 돌출부들에 대하여 정렬되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    사용시, 상기 척을 향하여 연장되는 열 전달 돌출부는, 사용시 상기 척의 대향하는 표면과 실질적으로 평행하게 연장되고 그를 향하는 열 교환 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    모든 상기 열 교환 표면들로 이루어진 총 열 교환 표면적은, 사용시 상기 척을 향하는 상기 기판테이블 부분의 전체 표면적의 적어도 50% 이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 열 교환 표면은 실질적으로 원형 또는 링 형상의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제16항에 있어서,
    상기 지지테이블과 상기 척 사이에서 연장되는 지지 돌출부들은 상기 기판테이블에 직각 방향으로 측정된 높이를 가지고, 상기 높이는 상기 척을 향하여 연장되는 상기 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 척을 향하여 연장되는 적어도 다수의 상기 열 전달 돌출부들은 상기 척과 상기 지지테이블 사이에서 연장되는 다수의 상기 지지 돌출부들의 통합 부분인 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제16항에 있어서,
    상기 척을 향하여 연장되는 적어도 다수의 상기 열 전달 돌출부들은 상기 척과 상기 지지테이블 사이에서 연장되는 상기 지지 돌출부들에 대해 별도의 부분인 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 지지테이블은 복수의 지지 돌출부 및 복수의 열 전달 돌출부들을 구비한 지지 측면을 포함하고, 상기 지지 돌출부들의 높이는 상기 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제26항에 잇어서,
    상기 지지 돌출부들의 높이는 대략 0.1mm보다 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제26항에 잇어서,
    상기 지지 돌출부들과 상기 열 전달 돌출부들간의 높이 차는 대략 0.01mm보다 작은 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 지지 돌출부들과 상기 열 전달 돌출부들간의 높이 차는 대략 1 내지 5㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제26항에 있어서,
    상기 지지 돌출부들 및 상기 열 전달 돌출부들은 상기 지지테이블의 지지측면에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 장치.
  31. 제26항에 잇어서,
    상기 지지 돌출부들 및 상기 열 전달 돌출부들은 실질적으로 원통형인 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제26항에 잇어서,
    상기 열 전달 돌부들은 상기 지지 돌출부들 바로 옆, 또는 부근, 또는 그들 사이, 또는 그들의 조합으로 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  33. 제32항에 있어서,
    사용시 상기 기판을 향하여 연장되는 각각의 열 전달 돌출부는, 사용시 상기 기판의 대향되는 표면과 실질적으로 평행하게 연장되고 그를 향하는 열 교환 표면을 포함하고, 상기 모든 열 교환 표면들로 이루어진 총 열 교환 표면적은 사용시 상기 기판을 향하는 상기 기판테이블 부분의 전체 표면적의 적어도 50%이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  34. 제26항에 잇어서,
    상기 지지테이블은 상기 지지테이블로부터 먼 쪽을 향하는 후방 측면을 포함하고, 상기 지지테이블의 후방 측면은 복수의 제2지지 돌출부 및 복수의 제2열 전달 돌출부들을 포함하며, 상기 제2지지 돌출부들의 높이는 상기 제2열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 지지테이블의 지지 측면으로부터 연장되는 돌출부들 및 상기 지지테이블의 후방 측면으로부터 연장되는 제2돌출부들은 서로에 대해 정렬되는 것을 특징 으로 하는 장치.
  36. 지지테이블을 지지하는 척을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 지지테이블 및 상기 척은, 상기 지지테이블과 상기 척이 적어도 하나의 제2공간을 둘러싸도록 상기 지지테이블과 상기 척 사이에서 연장되는 복수의 지지 돌출부들을 포함하고, 상기 척은 상기 지지테이블과 접촉하지 않고 상기 지지테이블을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함하고, 상기 지지테이블과 열을 교환하는 가스-포함 열 교환 갭들은 상기 열 전달 돌출부들과 상기 지지테이블 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 장치.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 각각의 열 교환 갭은 대략 10㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 각각의 열 교환 갭의 두께는 대략 1 내지 5㎛ 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  39. 제36항에 따른 장치의 척.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 척은 진공 척인 것을 특징으로 하는 장치.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 척은 정전기 척인 것을 특징으로 하는 장치.
  42. 기판을 지지하는 지지테이블을 포함하는 장치에 있어서,
    상기 지지테이블은 복수의 지지 돌출부 및 복수의 열 전달 돌출부들을 구비한 지지 측면을 포함하고, 상기 지지 돌출부들의 높이는 0.2mm보다 높으며, 상기 지지 돌출부들의 높이는 상기 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 지지 돌출부들의 높이는 상기 열 전달 돌출부들의 높이보다 대략 1 내지 5㎛ 범위내의 양만큼 더 높은 것을 특징으로 하는 장치.
  44. 제43항에 있어서,
    각 지지 돌출부의 직경은 대략 0.05 내지 1.0mm의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  45. 제43항에 있어서,
    이웃하는 지지 돌출부들의 중심 축선들은 대략 1 내지 10mm 범위내의 거리만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 장치.
  46. 제43항에 있어서,
    각각의 열 전달 돌출부의 직경은 대략 1 내지 10mm 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  47. 제43항에 있어서,
    이웃하는 열 전달 돌출부들간의 가장 가까운 거리는 대략 0.5 내지 1mm 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  48. 제47항에 있어서,
    사용시 상기 기판을 향하여 연장되는 각각의 열 전달 돌출부들은, 사용시 상기 기판의 대향되는 측면과 실질적으로 평행하게 연장되고 그를 향하는 열 교환 표면을 포함하고, 상기 모든 열 교환 표면들로 이루어진 총 열 교환 표면적은 사용시 상기 기판을 향하는 상기 기판테이블 부분의 전체 표면적의 대략 50%이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  49. 지지테이블에 의해 지지되는 기판을 열적으로 콘디셔닝하는 방법에 있어서,
    상기 지지테이블은, 상기 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부들 및 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 경우 상기 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함하고,
    상기 방법은:
    상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판 사이에서 연장되는 열 교환 갭들에 가스를 제공하는 단계; 및
    상기 가스를 통하여 상기 기판으로부터 상기 열 전달 돌출부들로 또는 그 역으로 열을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제49항에 있어서,
    상기 기판을 상기 지지테이블에 클램핑하기 위하여 상기 기판과 상기 지지테이블 사이에 저압이 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 제49항에 있어서,
    상기 지지테이블은 척에 열적으로 커플링되는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 제51항에 있어서,
    상기 지지테이블과 상기 척간의 열적 커플링은 상기 지지테이블과 상기 척 사이에 배치되는 가스의 가스 전도에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  53. 제49항에 있어서,
    상기 지지테이블은 저압을 활용하여 상기 척에 의해 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  54. 제49항에 있어서,
    상기 가스는 다음의 가스들 또는 가스 혼합물들: 즉 공기, 헬륨, 아르곤 및 질소 중 1이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  55. 기판 지지테이블을 열적으로 콘디셔닝하는 방법에 있어서,
    상기 지지테이블은 상기 지지테이블과 척 사이에서 연장되는 복수의 지지 돌출부들에 의해 지지되고, 상기 방법은, 상기 지지테이블과 상기 척 사이에 작은 가스-포함 열 교환 갭들을 제공하는 열 전달 돌출부들을 갖는 척에 상기 지지테이블을 열적으로 커플링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  56. 제55항에 있어서,
    상기 가스는, 공기, 또는 아르곤, 또는 질소, 또는 그것의 조합을 포함하는 가스 또는 가스 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  57. 디바이스 제조방법에 있어서,
    패터닝장치로부터 지지테이블에 의해 지지되는 기판상으로 패턴을 전달하는 단계로서, 상기 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부, 및 기판이 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 경우 상기 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함하는 단계;
    상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판사이에서 연장되는 열 교환 갭들에 가스를 제공하는 단계; 및
    상기 가스를 통해 상기 기판으로부터 상기 열 전달 돌출부들 또는 그 역으로 열을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  58. 제57항에 있어서,
    패터닝된 방사선 빔을 상기 기판상으로 투영하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  59. 제57항에 따른 방법을 활용하여 제조된 디바이스.
  60. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 콘디셔닝하는 조명시스템;
    상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝장치를 지지하는 지지부;
    기판을 지지하는 지지테이블; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하고,
    상기 지지테이블은, 상기 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부, 및 상기 기판이 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 경우 상기 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부를 포함하고, 상기 기판과 열을 교환하기 위한 가스-포함 열 교환 갭들은 상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  61. 리소그래피 장치에서 기판을 지지하는 지지테이블에 있어서,
    상기 지지테이블은:
    상기 기판을 지지하는 복수의 지지 돌출부; 및
    상기 기판이 상기 지지 돌출부들에 의해 지지되는 경우 상기 기판과 접촉하지 않고 상기 기판을 향하여 연장되는 복수의 열 전달 돌출부들을 포함하고,
    상기 기판과 열을 교환하기 위한 가스-포함 열 교환 갭들은 상기 열 전달 돌출부들과 상기 기판 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 지지테이블.
  62. 리소그래피 장치에서 기판을 지지하는 지지테이블에 있어서,
    상기 지지테이블은 복수의 지지 돌출부 및 복수의 열 전달 돌출부를 구비한 지지 측면을 포함하고, 상기 지지 돌출부들의 높이는 상기 열 전달 돌출부들의 높이보다 약간 더 높은 것을 특징으로 하는 지지테이블.
KR1020050099822A 2004-10-22 2005-10-21 기판을 지지하거나 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치,방법, 지지테이블 및 척 KR100705497B1 (ko)

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