JP5529865B2 - 温度安定化システム、リソグラフィ投影装置、および温度制御方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2008年8月8日に出願された米国仮出願第61/136,046号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (15)
- 物品の温度を安定化する温度安定化システムであって、
物品支持位置に取り付けられたときに前記物品を支持する物品サポートであって、前記物品のための支持面を提供する複数の突起と前記支持面の下方に位置する境界壁高さを画定する境界壁とを備える物品サポートと、
前記複数の突起によって形成される充填構造であって、前記物品に熱接触するための緩衝流体を供給し、かつ前記物品との熱接触から前記緩衝流体を抽出する充填構造と、
少なくとも気相で前記充填構造から少なくとも前記熱緩衝流体を抽出する抽出管であって、前記境界壁と前記支持面との間のキャップによって形成される抽出管と、
少なくとも液相で前記熱緩衝流体を供給する供給管と、を含み、
前記充填構造は、前記緩衝流体と前記物品との間の熱接触を確立するときに、前記熱緩衝流体が複合気液相になるように配置される、温度安定化システム。 - 前記充填構造は、底部を有するチャネル構造を含み、前記チャネル構造の少なくとも一部が前記緩衝流体で充たされるときに前記熱接触が確立される、請求項1に記載のシステム。
- 液相の前記緩衝流体を前記供給管に供給する液相流体供給源と、前記抽出管から気相の前記緩衝流体を抽出する気相流体抽出ポンプと、前記液相流体供給源および前記気相流体抽出ポンプを制御するコントローラと、前記充填構造の熱力学的特性を検出するセンサと、を含み、前記コントローラは、前記物品支持位置に熱接触する前記緩衝流体の気相圧力を安定化させるために、前記熱力学的特性に応じて前記液相流体供給源および/または前記気相抽出ポンプを制御するように配置される、請求項1〜2のいずれかに記載のシステム。
- 前記センサは、前記充填構造のガス圧力を検出する圧力センサを含み、前記コントローラは、検出圧力が所定の低圧力値未満であるときに、前記液相流体供給源を制御して前記液相の前記緩衝流体を供給し、かつ検出圧力が所定の高圧力値を超えているときに、前記気相抽出ポンプを制御して前記気相の前記緩衝流体を抽出するように配置される、請求項3に記載のシステム。
- 前記圧力センサは、前記チャネル構造底部の上方に距離を置いて位置する、請求項2および請求項3または4に記載のシステム。
- 前記圧力センサは、液体が前記圧力センサに存在しないように、ヒータを備えて配置される、請求項4または5に記載のシステム。
- 前記センサは、前記充填構造の温度レベルを検出する温度センサを含み、前記コントローラは、検出温度が所定の低温度値未満であるときに、前記液相流体供給源を制御して前記液相の前記緩衝流体を供給する、請求項3〜6のいずれかに記載のシステム。
- 前記充填構造は、前記気相の前記熱緩衝流体が、支持される前記物品に直接接触するように配置される、請求項1〜7のいずれかに記載のシステム。
- 前記充填構造は、物品サポートの移動が引き起こす液体流を防ぐ多孔質および/または毛細管システムを含む、請求項1〜8のいずれかに記載のシステム。
- リソグラフィ投影装置であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
パターニングデバイスを支持するパターニングデバイスサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付けされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスサポートと、
前記パターン付けされた放射ビームを物品のターゲット部分上に投影する投影システムと、
請求項1〜9のいずれかに記載の温度安定化システムと、を含む、リソグラフィ投影装置。 - ガス充填圧力が1〜30mbarの範囲であるときに、前記充填構造は、前記ガス充填圧力で前記物品に熱接触するための前記緩衝流体を供給する、請求項10に記載のリソグラフィ投影装置。
- 照射プロセスにおいて物品サポート上にクランプされる物品の温度を制御する温度制御方法であって、
前記物品のための支持面を提供する前記物品サポートの複数の突起によって形成される充填構造に提供される緩衝流体の熱力学的特性を測定することと、
前記緩衝流体の蒸発を介して前記物品の温度を制御するために、測定された熱力学的特性に関連して前記充填構造から抽出管を介して気相緩衝流体を抽出し、および/または液相緩衝流体を供給することと、を含み、
前記物品サポートの境界壁は前記支持面の下方に位置する境界壁高さを画定し、前記抽出管は前記境界壁と前記支持面との間のキャップによって形成される、温度制御方法。 - 前記熱力学的特性は設定充填ガス圧力レベルである、請求項12に記載の方法。
- 前記設定充填ガス圧力レベルは、前記物品サポートに対する測定熱負荷に応じて能動的に制御される、請求項13に記載の方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載のシステムまたはリソグラフィ投影装置を用いる、請求項12〜14のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13604608P | 2008-08-08 | 2008-08-08 | |
US61/136,046 | 2008-08-08 | ||
PCT/EP2009/059413 WO2010015511A1 (en) | 2008-08-08 | 2009-07-22 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011530804A JP2011530804A (ja) | 2011-12-22 |
JP2011530804A5 JP2011530804A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5529865B2 true JP5529865B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=41119894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011521513A Active JP5529865B2 (ja) | 2008-08-08 | 2009-07-22 | 温度安定化システム、リソグラフィ投影装置、および温度制御方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8994917B2 (ja) |
JP (1) | JP5529865B2 (ja) |
KR (1) | KR20110052697A (ja) |
CN (1) | CN102067039B (ja) |
NL (1) | NL2003258A1 (ja) |
TW (1) | TW201011484A (ja) |
WO (1) | WO2010015511A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101486407B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2015-01-26 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그래피 시스템, 방열 방법 및 프레임 |
JP5269128B2 (ja) | 2010-03-12 | 2013-08-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
JP5618588B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-11-05 | キヤノン株式会社 | インプリント方法 |
DE102011010462A1 (de) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements |
EP2515170B1 (en) * | 2011-04-20 | 2020-02-19 | ASML Netherlands BV | Thermal conditioning system for thermal conditioning a part of a lithographic apparatus and a thermal conditioning method |
JP5778093B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2009189A (en) | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP3049869B1 (en) | 2013-09-27 | 2017-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2016102131A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | Asml Netherlands B.V. | Thermal conditionig method |
EP3575873A1 (en) * | 2018-05-28 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Particle beam apparatus |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2928603B2 (ja) * | 1990-07-30 | 1999-08-03 | キヤノン株式会社 | X線露光装置用ウエハ冷却装置 |
JP3623653B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2005-02-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
DE19933798C2 (de) * | 1999-07-19 | 2001-06-21 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Abgasnachbehandlung bei einer Brennkraftmaschine |
KR100351049B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2002-09-09 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 가열 방법 및 이를 적용한 장치 |
US6666949B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-12-23 | Thermodigm, Llc | Uniform temperature workpiece holder |
JP3814598B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 温度調整装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1530088B1 (en) * | 2003-11-05 | 2007-08-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US20060096951A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-11 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling process non-uniformity |
JP4647401B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 |
US7652746B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007027632A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Nikon Corp | 光学装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7679033B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-03-16 | Rosemount Inc. | Process field device temperature control |
US8092638B2 (en) * | 2005-10-11 | 2012-01-10 | Applied Materials Inc. | Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution |
JP2007317828A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nikon Corp | 冷却装置、移動装置及び処理装置、並びにリソグラフィシステム |
KR101486407B1 (ko) | 2006-07-28 | 2015-01-26 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그래피 시스템, 방열 방법 및 프레임 |
JP5172194B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2013-03-27 | 本田技研工業株式会社 | 燃料電池システム |
-
2009
- 2009-07-22 JP JP2011521513A patent/JP5529865B2/ja active Active
- 2009-07-22 NL NL2003258A patent/NL2003258A1/nl not_active Application Discontinuation
- 2009-07-22 US US12/999,512 patent/US8994917B2/en active Active
- 2009-07-22 WO PCT/EP2009/059413 patent/WO2010015511A1/en active Application Filing
- 2009-07-22 KR KR1020117005438A patent/KR20110052697A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-07-22 CN CN200980123070.3A patent/CN102067039B/zh active Active
- 2009-08-10 TW TW98126829A patent/TW201011484A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2003258A1 (nl) | 2010-02-09 |
US8994917B2 (en) | 2015-03-31 |
WO2010015511A1 (en) | 2010-02-11 |
TW201011484A (en) | 2010-03-16 |
US20110128517A1 (en) | 2011-06-02 |
KR20110052697A (ko) | 2011-05-18 |
CN102067039B (zh) | 2014-04-09 |
CN102067039A (zh) | 2011-05-18 |
JP2011530804A (ja) | 2011-12-22 |
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