JP4647401B2 - 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 380
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 120
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 33
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 10
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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Description
11 保持台
12 温度制御装置
14 熱伝達液充填回路
14A 液槽
14D 液回収槽
15D エジェクタ(減圧手段)
111 第1通液路(熱媒体の流路)
112 第2通液路(液体の流路)
113 開口部(液供給口)
114 真空吸着溝(液排出溝)
116 開口部(液排出口)
Claims (15)
- 基板を保持する温度制御可能な保持台と、この保持台を介して上記基板の温度を制御する温度制御装置と、を備え、上記保持台は、上記保持台の上面に形成された排気溝と、上記排気溝内で開口する排気口と、を有し、上記排気溝及び上記排気口を介して上記基板と上記保持台との間から排気して上記基板を上記保持台上に吸着する基板保持台であって、
上記保持台は、
上記保持台の上面の上記排気溝から離間した位置で開口し且つ上記基板と上記保持台との間に液体を熱伝達媒体として供給する液供給口と、
上記保持台の上面の上記液供給口から離間した位置に形成され且つ上記基板と上記保持台との間の上記液体を排出する液排出溝と、
上記液排出溝で開口し且つ上記液供給口から供給された上記液体を上記基板と上記保持台の細隙に浸透させながら上記液排出溝から排出する液排出口と、を備え、
上記液排出溝及び上記液排出口として上記排気溝及び上記排気口がそれぞれ用いられる
ことを特徴とする基板保持台。 - 上記保持台は、上記液体が流通する流路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板保持台。
- 上記保持台は、上記保持台の温度を制御するための熱媒体が流通する流路を備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板保持台。
- 基板を保持する温度制御可能な保持台と、この保持台を介して上記基板の温度を制御する温度制御装置と、を備え、上記保持台は、上記保持台の上面に形成された排気溝と、上記排気溝内で開口する排気口と、を有し、上記排気溝及び上記排気口を介して上記基板と上記保持台との間から排気して上記保持台上に吸着された上記基板の温度を制御する基板温度制御装置であって、
上記保持台は、
上記保持台の上面の上記排気溝から離間した位置で開口し且つ上記基板と上記保持台との間に液体を供給する液供給口と、
上記保持台の上面の上記液供給口から離間した位置に形成され且つ上記基板と上記保持台との間の上記液体を排出する液排出溝と、
上記液排出溝で開口し且つ上記液供給口から供給された上記液体を上記基板と上記保持台の細隙に浸透させながら上記液排出溝から排出する液排出口と、を有してなり、更に、
上記液供給口に接続され且つ上記液供給口へ供給する上記液体を溜める液槽と、
上記液排出口に接続され且つ上記液排出口から排出される上記液体を回収する液回収槽と、を備え、
上記基板と上記保持台の間に浸透する上記液体がこれら両者間の熱伝達媒体となって上記基板の温度を制御する際に、上記液排出溝及び上記液排出口として上記排気溝及び上記排気口がそれぞれ用いられる
ことを特徴とする基板温度制御装置。 - 上記保持台は、上記液体が流通する流路を備えたことを特徴とする請求項4に記載の基板温度制御装置。
- 上記保持台は、上記保持台の温度を制御するための熱媒体が流通する流路を備えたことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の基板温度制御装置。
- 上記液回収槽と上記液排出口との間に設けられた開閉弁を備えたことを特徴とすることを特徴とする請求項4〜請求項6のいずれか1項に記載の基板温度制御装置。
- 上記液槽及び上記液回収槽をそれぞれ個別に加圧する加圧手段を備えたことを特徴とする請求項4〜請求項7のいずれか1項に記載の基板温度制御装置。
- 上記加圧後の上記液回収槽を減圧する減圧手段を備えたことを特徴とする請求項8に記載の基板温度制御装置。
- 温度制御可能な保持台上で保持された基板の温度を制御する基板温度制御方法であって、
上記保持台の温度を制御する第1の工程と、
上記基板を上記保持台上に設置する第2の工程と、
上記保持台の上面に形成された排気溝及びこの排気溝で開口する排気口を介して排気して上記基板を上記保持台上に吸着する第3の工程と、
上記保持台の上面の上記排気溝から離間した位置で開口する液供給口から上記保持台と上記基板との間に液体を供給する第4の工程と、
上記保持台の上面の上記液供給口から離間した位置に形成された液排出溝を介して上記液排出溝で開口する液排出口から減圧して上記液供給口から供給された上記液体を上記基板と上記保持台の細隙に浸透させながら排出する第5の工程と、を備え、
上記第5の工程では、上記液排出溝及び上記液排出口として上記排気溝及び上記排気口がそれぞれ用いられる
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 液槽から上記液供給口へ上記液体を供給する際に、上記液槽を加圧して上記液槽内の上記液体を上記液供給口へ供給する工程を備えたことを特徴とする請求項10に記載の基板温度制御方法。
- 上記液体を液回収槽で回収する工程と、上記液回収槽内を加圧して上記液回収槽で回収された上記液体を上記液槽へ移動させる工程と、を備えたことを特徴とする請求項11に記載の基板温度制御方法。
- 上記液体を上記液回収槽から上記液槽へ移動させた後、上記液回収槽を減圧する工程を備えたことを特徴とする請求項12に記載の基板温度制御方法。
- 上記基板を上記保持台から除去する際に、上記保持体と上記基板との間の上記液体を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項10〜請求項13のいずれか1項に記載の基板温度制御方法。
- 上記液体を除去する際に、上記基板と上記保持台との間に気体を供給する工程を備えたことを特徴とする請求項14に記載の基板温度制御方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005166232A JP4647401B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 |
CNB2006100827768A CN100429759C (zh) | 2005-06-06 | 2006-05-25 | 基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法 |
TW095119917A TWI420615B (zh) | 2005-06-06 | 2006-06-05 | A substrate holding table, a substrate temperature control device, and a substrate temperature control method |
KR1020060050299A KR100810801B1 (ko) | 2005-06-06 | 2006-06-05 | 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법 |
US11/447,045 US7580109B2 (en) | 2005-06-06 | 2006-06-06 | Substrate supporting unit, and substrate temperature control apparatus and method |
EP06011654A EP1732105A3 (en) | 2005-06-06 | 2006-06-06 | Substrate supporting unit, and substrate temperature control apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005166232A JP4647401B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339615A JP2006339615A (ja) | 2006-12-14 |
JP4647401B2 true JP4647401B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=36617337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005166232A Active JP4647401B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | 基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7580109B2 (ja) |
EP (1) | EP1732105A3 (ja) |
JP (1) | JP4647401B2 (ja) |
KR (1) | KR100810801B1 (ja) |
CN (1) | CN100429759C (ja) |
TW (1) | TWI420615B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
US8994917B2 (en) * | 2008-08-08 | 2015-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Temperature stabilization system to stabilize a temperature of an article |
US8404572B2 (en) * | 2009-02-13 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Multi-zone temperature control for semiconductor wafer |
EP2399279B1 (en) * | 2009-02-22 | 2018-10-31 | Mapper Lithography IP B.V. | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system |
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- 2005-06-06 JP JP2005166232A patent/JP4647401B2/ja active Active
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- 2006-06-05 KR KR1020060050299A patent/KR100810801B1/ko active IP Right Grant
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- 2006-06-06 EP EP06011654A patent/EP1732105A3/en not_active Withdrawn
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---|---|
EP1732105A3 (en) | 2009-10-28 |
US7580109B2 (en) | 2009-08-25 |
JP2006339615A (ja) | 2006-12-14 |
TW200746339A (en) | 2007-12-16 |
EP1732105A2 (en) | 2006-12-13 |
KR20060127780A (ko) | 2006-12-13 |
CN1877807A (zh) | 2006-12-13 |
CN100429759C (zh) | 2008-10-29 |
KR100810801B1 (ko) | 2008-03-06 |
US20060274298A1 (en) | 2006-12-07 |
TWI420615B (zh) | 2013-12-21 |
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