CN1877807A - 基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法 - Google Patents

基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法 Download PDF

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Abstract

在专利文献1、2记载的技术中，从在卡盘上面形成的密螺旋形槽的一端提供液体，从另一端排出，由于使用毛细管现象向槽和槽之间的基板和卡盘的界面移动，所以液体的移动慢，难以迅速控制基板温度。本发明的基板保持台(10)包括：保持基板W的保持台(11)、控制此保持台(11)温度的温度控制装置，其中，保持台(11)在保持台(11)上面开口，而且具有液体供给口(113)，该液体供给口从温度控制装置(12)向基板(W)和保持台(11)之间提供第二冷却液；真空吸附槽(114)，其在开口部(113)附近形成，并且排出在基板(W)和保持台(11)之间的第二冷却液；开口部(116)，其在真空吸附槽(114)上开口，而且从真空吸附槽(114)排出第二冷却液。

Description

基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法
技术领域
本发明涉及基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法，更详细地说，涉及向基板和它的保持台之间提供液体，通过使用此液体作为传热介质，可以迅速控制基板温度的基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法。
背景技术
半导体制造工序由多个工序构成，为了在各工序中对基板实施规定的处理，使用保持基板的基板保持台。根据基板的处理内容，有对基板进行冷却或加热的工序。此时，有时在基板保持台上对基板进行真空吸附，把基板固定在基板保持台上。由于通常对基板和基板保持台的上面进行镜面加工，通过真空吸附使基板紧密贴在基板保持台上，可以迅速设定基板温度为规定温度。
可是，根据处理的内容，在基板上放出大量的热量。例如，在基板的检测工序等中，在对高密度的集成电路进行电特性检查时，放出大量的热量。这种情况下，基板保持台的冷却跟不上，有时基板不能充分冷却。认为其原因是：尽管是进行了镜面加工的基板和基板保持台，从微观上看，存在有精密级的凹凸，因此由所述凹凸形成的微细空隙通过真空吸附减小压力，使接触热阻变大而造成的。
因此，专利文献1、2提出了：为了消除基板和保持台之间的空隙，在它们二者的交界面之间填充液体，通过把此液体作为传热介质，提高冷却效率。
专利文献1中提出的基板冷却装置具有保持基板的卡盘、用于向基板和卡盘的交界面提供液体的源容器、从基板和卡盘的界面收集液体的收集容器。在卡盘表面形成密螺距的螺旋形槽作为冷却回路，在此螺旋形槽的两端分别形成输入装置和输出装置。螺旋形槽做成三种槽，可根据基板等的尺寸分别使用。保持大气压的源容器连接在输入装置上，保持低于大气压的收集容器连接在输出装置上。此外，在卡盘上面形成真空密封槽，通过此真空密封槽将基板周围进行密封。真空槽适应基板的种类，可以真空吸附基板的外围边缘部。
在使用所述基板冷却装置冷却基板的情况下，首先把基板设置在卡盘上，通过真空密封槽把基板吸附在卡盘上，成为把基板的内侧密封的结构。然后，通过在大气压的源容器和低于大气压的收集容器之间的压力差，通过输入装置从源容器提供液体，另一方面，通过输出装置从槽向收集容器收集液体。此时，通过输入装置和输出装置之间的压力差，在卡盘上面的槽中引起从输入装置向输出装置的液体流动，并且在基板和卡盘的界面上引起因毛细管现象造成的横穿螺旋形槽的液体流动。通过这两个作用润湿基板整个面，液体成为传热介质，可以提高利用卡盘对基板的冷却效率。专利文献2也提出了与专利文献1相同种类的技术。
专利文献1  特公平8-17200号公报
专利文献2  专利第2536989号公报
可是，在专利文献1、2记载的技术中，从在卡盘上面形成的密螺旋形槽的一端提供液体，从另一端排出，由于使用毛细管现象向槽和槽之间的基板和卡盘的界面移动，所以液体的移动慢，难以迅速控制基板温度。
发明内容
为了解决所述课题，本发明的目的是提供基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法，可加速在基板和基板保持台的界面上的液体流动，可以迅速控制基板和基板温度。
本发明的第1方面所述的基板保持台的特征在于，具有保持基板的保持台、控制此保持台温度的温度控制装置，所述保持台在所述保持台上面开口，而且具有在所述基板和所述保持台之间提供液体的液体供给口；液体排出槽，其设在所述液体供给口附近，而且排出在所述基板和所述保持台之间的所述液体；液体排出口，其在所述液体排出槽上开口，而且从所述排出槽排出所述液体。
本发明的第2方面所述的基板保持台的特征在于，在第1方面所述的发明中，具有排气槽，其在所述保持台的上面形成，而且把所述基板吸附在所述保持台的上面；以及在此排气槽上开口排气口，所述排气槽和所述排气口分别兼作为所述液体排出槽和所述液体排出口使用。
本发明的第3方面所述的基板保持台的特征在于，在第1或2方面所述的发明中，所述液体供给口在所述液体排出槽以外的部位形成。
本发明的第4方面所述的基板保持台的特征在于，在第1～3任一方面所述的发明中，所述保持台具有所述液体流动的流道。
本发明的第5方面所述的基板保持台的特征在于，在第1～4任一方面所述的发明中，所述保持台具有用于控制所述保持台温度的热介质流动的流道。
本发明的第6方面所述的基板温度控制装置，是对保持在保持台上的基板的温度进行控制的基板温度控制装置，其特征在于，所述保持台具有：液体供给口，其在所述保持台的上面开口，而且在所述基板和所述保持台之间提供液体；液体排出槽，其设在所述液体供给口附近，而且排出在所述基板和所述保持台之间的所述液体；液体排出口，其在所述液体排出槽上开口，而且从所述排出槽排出所述液体；液体槽，其连接在所述液体供给口上并存储所述液体；以及液体回收槽，其连接在所述液体排出口上，而且回收所述液体，在所述基板和所述保持台之间的所述液体，成为它们两者之间的传热介质。
本发明的第7方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6方面所述的发明中，具有排气槽，其在所述保持台的上面形成，而且把所述基板吸附在所述保持台的上面；以及在此排气槽上开口的排气口，所述排气槽和所述排气口分别兼作为所述液体排出槽和所述液体排出口使用。
本发明的第8方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6或7方面所述的发明中，所述液体供给口在所述液体排出槽以外的部位形成。
本发明的第9方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6～8任一方面所述的发明中，所述保持台具有所述液体流动的流道。
本发明的第10方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6～9任一方面所述的发明中，所述保持台具有用于控制所述保持台温度的热介质流动的流道。
本发明的第11方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6～10任一方面所述的发明中，具有液体槽，其存储所述液体用于向所述液体供给口提供；液体回收槽，其把来自所述液体排出口的所述液体在降低压力的情况下进行回收；开关阀，其设置在所述液体回收槽和所述液体排出口之间。
本发明的第12方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第6～11任一方面所述的发明中，具有加压机构，其分别单独对所述液体槽和所述液体回收槽进行加压。
本发明的第13方面所述的基板温度控制装置的特征在于，在第12方面所述的发明中，具有减压机构，其对所述加压后的所述液体回收槽减压。
本发明的第14方面所述的基板温度控制方法，是控制保持在保持台上的基板温度的基板温度控制方法，其特征在于，包括：控制所述保持台温度的工序；在所述保持台上设置所述基板的工序；从在所述保持台的上面开口的液体供给口向所述保持台和所述基板之间提供液体的工序；通过在所述液体供给口附近形成的液体排出槽，从在所述排出槽上开口的液体排出口减压，排出所述液体的工序。
此外，本发明的第15方面所述的基板温度控制方法是在第14方面所述的发明中，其特征在于，包括在从液体槽向所述液体供给口提供所述液体时，对所述液体槽加压的工序。
此外，本发明的第16方面所述的基板温度控制方法是在第15方面所述的发明中，其特征在于，包括在液体回收槽中回收所述液体的工序；和将在所述液体回收槽中回收的所述液体向所述液体槽移动的工序。
此外，本发明的第17方面所述的基板温度控制方法是在第16方面所述的发明中，其特征在于，包括将所述液体从所述回收槽向所述液体槽移动后，对所述液体回收槽进行减压的工序。
此外，本发明的第18方面所述的基板温度控制方法是在第14～17任一方面所述的发明中，其特征在于，包括在把所述基板从所述保持台去除时，在所述保持台和所述基板之间去除所述液体的工序。
此外，本发明的第19方面所述的基板温度控制方法是在第18方面所述的发明中，其特征在于，包括在去除所述液体时，向所述基板和所述保持台之间提供气体的工序。
按照本发明第1～19方面所述的发明，提供一种基板保持台、基板温度控制装置和基板温度控制方法，可加速液体向基板和基板保持台的界面移动，可以迅速控制基板和基板温度。
附图说明
图1是表示本发明的基板保持台的概念图。
图2是放大后表示本发明的基板保持台的原理的剖面图。
图3是表示本发明的基板保持台一个实施方式的保持台上面的俯视图。
图4是表示图3所示的保持台内部的冷却液和热传导液的液体通路的俯视图。
图5是表示本发明的基板温度控制装置的一个实施方式的框图。
图6是用于说明从基板保持台卸载晶片状态而示意表示的剖面图。
标号说明：10基板保持台；11保持台；12温度控制装置；14热传导液填充回路；14A液体槽；14D液体回收槽；15D喷射器(减压机构)；111第一液体通路(热介质流道)；112第二液体通路(液体流道)；113开口部(液体供给口)；114真空吸附槽(液体排出槽)；116开口部(液体排出口)。
具体实施方式
下面根据图1～图6所示的实施方式，对本发明进行说明。再有，图1、图2分别为示意表示本发明的基板保持台的原理的概念图。
根据图1、图2所示的原理图对本实施方式的基板保持台进行说明。如图1、图2所示，本实施方式的基板保持台10包括：保持台11，在上面保持基板(例如晶片)W；控制此保持台11的温度的温度控制装置12；把晶片W吸附固定在保持台11上面的真空吸附机构13(参照图2)，所述基板保持台构成为用真空吸附机构13把晶片W固定在保持台11的上面，通过温度控制装置12控制保持台11上的晶片温度。
在晶片W的背面和保持台11的上面分别进行镜面加工。可是如从微观看这些镜面加工的面，在晶片W的背面和保持台11的上面存在有图2示意的凹凸，晶片W即使被真空吸附在保持台11的上面，如此图所示，残存有微细不规则的空隙V，而且空隙V通过真空吸附而减压，晶片W和保持台11之间的热传导效率明显降低。而在本实施方式中，为了提高温度控制装置12的冷却效率，如图1、图2所示，作为温度控制装置的一个环节，设置了热传导液填充回路14，从此热传导液填充回路14向空隙V提供热传导液，短时间把热传导液浸透晶片W和保持台11上面的大体整个区域，明显提高热传导效率，可以通过温度控制装置12迅速进行温度控制。
如图1所示，温度控制装置12具有用于冷却保持台11而使冷却液体循环的冷却回路121和加热保持台11的加热器122。可以把保持台11控制成规定的温度。
如图1所示，冷却回路121具有贮存冷却液的液体槽121A、连接液体槽121A和保持台11的循环配管121B、在保持台11内形成的第一液体通路111，使冷却液在液体槽121A和保持台11内的第一液体通路111之间循环，从而冷却保持台11。此外，热传导液填充回路14具有贮存热传导液的液体槽14A、连接液体槽14A和保持台11的循环配管14B、在保持台11内在它上面形成的第二液体通路112，构成为在真空吸附机构13动作期间，从第二液体通路112通过保持台11上面开口的多个开口部113，把热传导液填充到晶片W和保持台11之间。从第二液体通路112提供到晶片W和保持台11之间的热传导液，通过空隙V浸透晶片W的大体整个区域，用热传导液充满空隙V，可以明显提高晶片W和保持台11之间的热传导效率。
冷却液可以是能将保持台11冷却到零下数十度的冷却液，例如可以使用氟类的惰性液体(住友3M株式会社制フロリナ一ト(商标名)、ソルベイソレクシス株式会社制ガルテン(商标名)等)。此外热传导液可以使用实际作为冷却液使用的惰性液体。在本实施方式中，作为冷却液和热传导液使用フロリナ一ト(商标名)。如使用相同液体，容易对液进行保管和管理。冷却液和热传导液并不限于这些，可以选择使用现在公认的适宜的冷却液。
如图2所示，真空吸附机构13具有在保持台11的上面形成多个同心圆状的真空吸附槽(图中没有表示)；在保持台11内在它的上面附近形成的排气通路115；通过配管131连接在排气通路115上的真空排气装置(图中没有表示)，真空吸附机按照从排气通路115通过在多个真空吸附槽上开口的多个开口部116，把晶片W真空吸附在保持台11的上面的方式构成。在多个真空吸附槽之间，形成热传导液填充回路14的液体通路112的开口部113。如此图所示，在第二液体通路112的上方保持台11的上面附近形成排气通路115。排气通路115和第一、第二液体通路111、112都在保持台11的基体材料(顶板)上形成。
因此，在真空吸附机构13动作期间，如从热传导液填充回路14向晶片W和保持台11之间的空隙V内填充热传导液，则热传导液通过从真空吸附槽的吸引作用，迅速浸透空隙V的大体整个区域，如图2所示，从真空吸附槽内的多个开口部116通过配管131，向保持台11的外部排出。配管131用配置在真空排气装置中途的分离槽14C，把热传导液分离，最终通过循环配管14B返回到液体槽14A，使保持台11内的液体通路112循环。也就是，真空吸附槽和它的开口部116同时起到热传导液的排出槽和排出口的作用。
如上所述，在本实施方式中，如从温度控制装置12的热传导液填充回路14把热传导液填充到晶片W和保持台11之间，利用真空吸附机构13的吸引作用，热传导液迅速浸透晶片W和保持台11之间的空隙V，在短时间形成液膜，明显提高冷却回路121的冷却效率，可以正确而迅速地把晶片W控制到规定的温度。此外，浸透在空隙V内的热传导液通过真空吸附槽，有效地回收到热传导液填充回路14的液体槽14A，可以向保持台11内循环。
下面根据图3～图6所示的实施方式，对具体适用所述原理的基板保持台进行说明。此基板保持台是作为探测器装置的晶片卡盘使用的。再有，图3是表示本发明的基板保持台一个实施方式的保持台的上面的俯视图，图4是表示图3所示的保持台的内部冷却液和热传导液的液体通路的俯视图，图5是表示本发明的基板温度控制装置的一个实施方式的框图，图6是示意表示用于说明从基板保持台把基板卸载状态的剖面图。
如图3～图5所示，本实施方式的基板保持台10具有保持台11、温度控制装置12、真空吸附机构13和热传导液填充回路14，以对应于200mm晶片W和300mm晶片W的方式构成。
此外，如图3～图5所示，本实施方式的基板温度控制装置具有冷却回路121和热传导液填充回路14，根据所述的原理构成。如图4所示，冷却回路121具有在保持台11上形成的第一液体通路111、连接保持台11的循环配管121B，通过循环配管121B用在液体槽(图中没有表示)和第一液体通路111之间循环的冷却液冷却保持台11。如图1、图3、图5所示，热传导液填充回路14具有液体槽14A、连接液体槽14A和保持台11的循环配管14B、在保持台11上形成的第二液体通路112，通过循环配管14B把热传导液从液体槽14A填充到晶片W和保持台11之间，提高这两者之间的热传导性能。此外如图3所示，真空吸附机构13具有在保持台11的表面形成的真空吸附槽114、排气通路115，通过真空排气装置(图中没有表示)，把真空吸附槽114减压，吸附并保持晶片W。所以，首先分别对在保持台11上形成的第一、第二液体通路111、112、真空吸附槽114和排气通路115进行说明。
第一液体通路111在构成图3所示的保持台11的顶板背面形成。也就是，如图4所示，用形成同心圆的多个隔壁111A包围而形成第一液体通路111。此外提供冷却液的供液通路121B的内端连接在第一液体通路111中心部位的隔壁111A上。在从保持台11的外圆周面开始的最内侧与它的一个外侧的隔壁111A之间，在径向贯通途中的隔壁111A，形成一对第二隔壁111C，在一对第二隔壁111C之间形成该供液通路121B。在此供液通路121B的供给口上连接有连接冷却液的液体槽(图中没有表示)的循环配管121B。此外，在项板的背面用规定的圆板(图中没有表示)封堵，形成断面为矩形的第一液体通路111。
第二隔壁111C贯通同心圆的多个隔壁111A，在与多个隔壁111A的贯通孔之间分别形成规定的间隙。这些间隙成为第一液体通路1111的向顺时针方向和逆时针方向的折返点，冷却液通过这些折返点，相互变化流道，同时向保持台11的外部排出。而在最外侧的第一液体通路111的隔壁111A上，形成连接冷却液的循环配管121B的排出口。
此外，在相邻的隔壁111A、111A和一对第二隔壁111C的中间位置，挡板111D隔开形成等间隔，由这些挡板111D形成冷却液的紊流，使冷却液的温度均匀。
如图3所示，第二液体通路112由例如把热传导液提供给200mm晶片W的七条液体通路112A，和例如把热传导液提供给300mm晶片W的八条液体通路112B这两个系统构成。在保持台11的上面和第一液体通路111之间形成第二液体通路112。此外，如后面所述，在图3中，●符号是真空吸附晶片W时的吸引用的开口部，○符号是提供热传导液的作为液体供给口的开口部。此外，用●符号表示的开口部具有液体排出口的功能，用于排出从○符号的液体供给口提供的热传导液。
如图3所示，一个系统的液体通路1 12A从保持台11的上方侧面通过保持台11的中心，直线状地贯通保持台11，液体通路112A的构成包括：两端分别用塞子P封堵住的液体通路112A1；在此液体通路112A两侧，大体左右对称地每隔大致45°在圆周方向分隔开，从保持台11的中央部位附近向圆周面呈放射状形成六条共三种液体通路112A2、112A3、112A4，它们的圆周面一侧端部分别用塞子P封堵住。这些液体通路112A1、112A2、112A3、112A4在它们各自的背面侧与在冷却液的第一通路111上并列设置的环状液体供给通路117A(参照图4)，通过多个连通孔(图中没有表示)而连通，从供给通路117A提供热传导液。在这些液体通路112A1、112A2、112A3、112A4上分别各形成多个开口部113A，开口部113A是在后述的200mm用的多个真空吸附槽之间的中间位置，在保持台11的上面开口，向200mm晶片W的整个面上全面地提供热传导液。此外供给热传导液的供给用循环配管14B1连接在供给液体路117A上。
如图3所示，另一系统的液体通路112B由八条液体通路112B构成，分别并列设置成从上述液体通路112A1、112A2、112A3向顺时针方向略微偏离，大体左右对称。这些液体通路112B在它们各自的背面侧与在冷却液的第一通路111外侧设置的环状液体供给通路117B(参照图4)，通过多个连通孔(图中没有表示)连通，从液体供给通路117B提供热传导液。这些液体通路112B从保持台11的外周面到后述200mm晶片W用的真空吸附槽之前形成直线状。而在各液体通路112B上分别形成多个开口部113A，开口部113A是在300mm用的多个真空吸附槽之间的中间位置，在保持台11的上面开口，向300mm晶片W的整个面上全面地提供热传导液。此外，供给热传导液的供给用循环配管14B2连接在供给液体路117B上。
如图3所示，在保持台11的上面，呈同心圆状地形成多个构成真空吸附机构13的真空吸附槽114。如此图所示，这些真空吸附槽114由多个第一真空吸附槽114A和多个第二真空吸附槽114B构成，该第一真空吸附槽114A在保持台11上面的中央部形成，而且对应于200mm晶片W，该第二真空吸附槽114B在第一真空吸附槽114A的外侧形成，而且对应于300mm晶片W。在保持台11上面附近形成对应于第一、第二真空吸附槽114A、114B的第一、第二排气通路115A、115B。第一、第二排气通路115A、115B分别连接在真空排气用的第一、第二配管131A、131B上(参照图5)，这些配管分别连接在真空排气装置(图中没有表示)上。对于第一、第二配管131A、131B在后面与温度控制装置12一起说明。
如图3所示，第一排气通路115A由两个系列的排气通路115A1、115A2构成。如此图所示，一个排气通路115A1从保持台11的侧面(此图上方的侧面)在液体通路112A1的稍靠右侧，直线状地贯通保持台11，它的一端连接在真空排气用配管131上，另一端用塞子P封堵住。而在此排气通路115A1上，在与配置在第一真空吸附槽114A中内侧的多个第一真空吸附槽114A交叉的位置上，形成多个开口部116A1。这些开口部116A1同时作为热传导液的排出口，有这些开口部116A1的真空吸附槽114A同时作为热传导液的排出槽。另一个排气通路115A2在一个排气通路115A1的右侧方，向保持台11的中心一侧倾斜地形成。从保持台11的侧面到从第一真空吸附槽114A内侧开始的第2个第一真空吸附槽114A，形成该排气通路115A2，在与第一真空吸附槽114A的交叉位置上形成多个开口部116A2。这些开口部116A2也与开口部116A1同样，同时作为热传导液的排出口，有这些开口部116A2的真空吸附槽114A同时作为热传导液的排出槽。
第二排气通路115B也与第一排气通路115A同样，由两个系列的排气通路115B1、115B2构成。如图3所示，一个排气通路115B1从保持台11侧面(此图上方的侧面)通过液体通路112A1的稍靠左侧，直线状地贯通保持台11，它的一端连接在真空排气用配管131上，另一端用塞子P封堵住。而在此排气通路115B1上，在与配置在第二真空吸附槽114B中内侧的多个第二真空吸附槽114B交叉的位置上，形成多个开口部116B1。这些开口部116B1和真空吸附槽114B分别同时作为热传导液的排出口和排出槽。另一个排气通路115B2在一个排气通路115B1的左侧方，在保持台11的中心一侧倾斜形成。从保持台11的侧面到从第二真空吸附槽114B的最内侧开始的第二个真空吸附槽114B，形成此排气通路115B2，在与到此所通过的第二真空吸附槽114B的交叉位置上，形成多个开口部116B2。这些开口部116B2也与开口部116A1同样，同时作为热传导液的排出口，有这些开口部116B2的真空吸附槽114B同时作为热传导液的排出槽。
第一、第二排气通路115A、115B通过第一、第二配管131A、131B，连接在真空排气装置(图中没有表示)上。第一排气通路115A由排气通路115A1、排气通路115A2构成，所以把它们连接在真空排气装置上的第一配管131A也在保持台11的附近分成支管131A1、131A2。第二配管131B也在保持台的附近分成支管131B1、131B2。
下面参照图5，对基板温度控制装置的真空吸附机构13和热传导液填充回路14的回路构成进行说明。本实施方式的基板温度控制装置除了具有热传导液填充回路14以外，还有空气回路15。此空气回路15促进热传导液填充回路14的热传导液的填充，并且可以促进对晶片W处理后的热传导液的排出。热传导液填充回路14是在真空吸附机构13下发挥功能。所以首先对真空吸附机构13进行说明。此外，在图5中用虚线简要表示吸引用的配管，实线简要表示热传导液用的配管，用双点划线简要表示空气用的配管。此外在安装在各配管上的多个阀门V1～V14中，V5～V8是常开(NO)型阀门，其他为常闭(NC)型阀门。
在真空吸附机构13的第一、第二配管131A、131B上分别安装有分离槽14C1、14C2，其分离从保持台11排出的热传导液，在它们的下游一侧，第一、第二配管131A、131B作为配管131而汇合。此时从配管131分离热传递液。在此配管131上安装有阀门V1，进行真空吸附的开和关。在阀门V1的上游一侧安装有压力传感器132，在它的下游一侧安装有真空控制回路133，真空控制回路133根据压力传感器132的检测值，对配管131内的真空压力进行管理。此外，在第二配管131B安装有阀门V2，此阀门V2在处理300mm晶片W时使用。此外，第一、第二配管131A、131B通过连接管134A、134B，连接在热传导液用的循环配管14B1、14B2上，在这些连接管134A、134B上分别设置阀门V3、V4。而这些阀门V3、V4在卸载晶片W时打开，与第一、第二配管131A、131B和循环配管14B1、14B2连通，排出热传导液。此外在第一、第二配管131A、131B的支管中，在排出热传导液的支管131A2、131B1上安装有阀门V5、V6，在卸载晶片W时关闭V5、V6，连接空气配管，向保持台11内提供空气，把保持台11内的热传导液排出。
构成热传导液填充回路14的分离槽14C1、14C2连接在液体回收槽14D上，用分离槽14C1、14C2分离的热传导液回收到回收槽14D。在分离槽14C1、14C2和液体回收槽14D之间以及在配管131和液体回收槽14D之间，分别设置阀门V7、V8，使热传导液从液体回收槽14D向液体槽14A移动时，关闭这些阀门V7、V8，从液体回收槽14D隔断第一、第二配管131A、131B，而不破坏真空。因此，在循环时打开阀门V7、V8，热传导液靠自重从分离槽14C1、14C2落向液体回收槽14D。在液体回收槽14D上安装有液面计L，用液面计L管理回收量，一旦达到规定的液面，液面计L动作，在阀门V7、V8关闭的状态下，打开阀门V12，以规定的空气压力加压，使热传导液从液体回收槽14D向液体槽14返回。液体槽14A和保持台11通过循环配管14B1、14B2进行连接，在这些循环配管14B1、14B2上设置有阀门V9、V10。此外，在各阀门V9、V10的前后分别设置压力传感器14E、14F，用压力传感器14E、14F监视配置在阀门V9、V10前后的过滤器的网眼堵塞。
在把热传导液从液体槽14A向保持台11提供时和把晶片W卸载时，使用空气回路15。空气回路15具有空气配管15A、空气控制回路15B、压力传感器15C和喷射器15D，空气配管15A分别连接在液体槽14A、液体回收槽14D和真空吸附机构13的第一、第二配管131A、131B的支管131A2、131B1上，在各个空气配管15A上分别设置阀门V11、V12、V13、V14。阀门V13、V14在晶片W卸载时，与设置在成为热传导液排出管的支管131A2、131B1上的阀门V5、V6连动，促进热传导液从保持台11排出。也就是，在关闭阀门V5、V6的状态下，打开阀门V13、V14，通过把规定压力的空气送入保持台11内，把保持台11内的热传导液排出。排出的热传导液经由第一、第二配管131A、131B的支管131A1、131B2排出。此外，喷射器15D是在使热传导液从液体回收槽14D向液体槽14A移动后，返回到减压氛围下时使用。此外在图5中，VC是顺序控制阀门V1～V14的控制装置。
下面对在基板保持台10上放置300mm晶片W的情况下的动作进行说明。首先，对从常温到高温区域中实施探测器检查时的基板保持台10进行说明。预先用温度控制装置12的冷却回路121冷却保持台11。如在此状态下把晶片W放置在保持台11上，真空排气机构13工作，打开阀门V1、V2，从保持台11内的第一、第二排气通路115A、115B各自的排气通路115A1、115A2和排气通路115B1、115B2，给晶片W和保持台11之间减压，把晶片W吸附固定。
然后，打开阀门V9、V10，液体槽14A通过循环配管14B1、14B2连通保持台11。在此状态下打开阀门11，如把在空气控制回路15B中调整到规定压力的空气提供给液体槽14A来加压，与真空吸附机构13的吸引作用相配合，加速把热传导液提供到保持台11内。也就是，把热传导液加压，从液体槽14A流出，经由循环配管14B1、14B2，流入保持台11的供液通路117A、117B内。热传导液从供液通路117A、117B各自的连通孔流入第二液体通路112内后，分散到多个系列的液体通路112A、112B，从这些液体通路112A、112B的多个开口部113A浸透到晶片W和保持台11的细小间隙中。此时，从真空吸附机构13的真空吸附槽114吸引，而且开口部113A位于同心圆状的多个真空吸附槽114的中间，所以从开口部113A提供的热传导液横跨晶片W和保持台11的细小间隙，在整个区域迅速浸透扩散。
此后，浸透晶片W和保持台11的细小间隙的热传导液流入多个真空吸附槽114，从在各真空吸附槽114内形成的开口部116A、116B，经由排气通路115A、115B，流到保持台11外。再有，热传导液在第一、第二配管131A、131B中流动，到达分离槽14C1、14C2。热传导液在分离槽14C1、14C2中靠自重分离。仅仅是空气从第一、第二配管131A、131B在配管131汇合后排出。
热传导液浸透晶片W和保持台11的细小间隙后，如利用空气控制回路15B使加压状态的空气压力降低，并且用真空控制回路133使真空度降低，使热传导液循环。在热传导液循环期间，在保持台11上进行晶片W的调准。如作为热传导液使用フロリナ一ト，则由于フロリナ一ト容易蒸发，通过使真空度降低提供热传导液可以明显减少热传导液的消耗量。通过使空气压力降低减少循环流量，也可以减少热传导液的蒸发量。在此状态下使热传导液循环，进行晶片W的检查。
通过使热传导液迅速浸透晶片W和保持台11的整个区域，填入晶片W和保持台11之间的微细的空隙，可以明显提高晶片W和保持台11的热传导率。因此，通过冷却回路121的冷却效率非常好，可以高效率冷却晶片W。可以把晶片W控制在规定温度，非常可靠地进行检查。
如在检查中液体回收槽14D内的液体达到上限值，液面计L检查出上限值。接受来自液面计L的信号，进入使液体回收槽14D的热传导液向液体槽14A移动的动作。也就是，为了移动液体而关闭阀门V7、V8，并且打开阀门V12，给液体回收槽14D升压，使热传导液向液体槽14A移动。一旦液面计L检测到下限值，液体移动结束，就关闭阀门V12。继续用喷射器15D对液体回收槽14D抽真空，调整到第一、第二配管131A、131B的真空度后，打开阀门V7、V8。此后，停止喷射器15D，继续进行液体循环。
检查终了后，把晶片W卸载。此时，关闭提供热传导液的循环配管14B1、14B2的阀门V9、V10，打开排气用的第一、第二配管131A、131B的阀门V2、V3、V4，并且关闭阀门V5、V6，打开空气配管15A的阀门V13、V14。这样如图6所示，从晶片W和保持台11之间的空隙吸引空气，从保持台11的排气通路115A2、115B2对晶片W的周围边缘进行真空吸附，并且从排气通路115A1、115B1向晶片W的中央部位提供空气，由于把保持台11内的第二液体通路112一侧切换到作为真空管线的配管131A1、131B2，所以在使晶片W的中央部浮起的状态下，通过第二液体通路112，可以平稳地去除晶片W和保持台11的热传导液。
如上述的说明所示，按照本实施方式，具有下述工序，即在控制保持在保持台11上的晶片W的温度时，使用温度控制装置12控制保持台11的温度的工序；把晶片W放置在保持台11上的工序；利用热传导液填充回路14，从在保持台11的上面开口的开口部113A向保持台11和晶片W之间提供热传导液的工序；利用真空吸附机构14，通过在开口部113A附近形成的真空吸附槽114，从在真空吸附槽114上开口的开口部116A、116B排出热传导液的工序，因此，使热传导液迅速浸透晶片W和保持台11之间的微细空隙，通过热传导液可以明显提高晶片W和保持台11之间的热传导效率，而且使热传导液平稳地在空隙中循环，故可以明显提高通过冷却回路121的晶片W的冷却效率。
此外按照本实施方式，在从液体槽14A向开口部113A提供热传导液时，由于对液体槽14A加压，可以平稳进行热传导液的液体循环，可以进一步提高冷却效率。此外，用液体回收槽14D回收热传导液后，由于把回收到液体回收槽14D中的热传导液向液体槽14A移动，所以可以使从保持台11回收的热传导液连续而且可靠地向保持台11循环。此外，使热传导液从液体回收槽14D向液体槽14A移动后，由于使液体回收槽14D减压，所以可以平稳地把液体回收槽14D与第一、第二配管131A、131B连接。在把晶片W从保持台11除去时，除去保持台11和晶片W之间的热传导液，两者之间形成空隙，故可以平稳卸载晶片W，不会损伤晶片W。此外，在除去热传导液时，由于向晶片W和保持台11之间提供空气，可以迅速去除热传导液。
在所述的实施方式中，对在常温和高温区域处理晶片W的情况进行了说明，下面对在低温区域处理晶片W的情况进行说明。例如在-65℃对晶片W进行检查的情况进行说明。一旦到了此温度，热传导液的粘度就变高，在所述实施方式中，不能将热传导液顺畅地供给至晶片W和保持台11之间。因此，本实施方式是通过在晶片W的中心部强制填充空气和热传导液，使晶片W的中心部浮起，来促进热传导液的液体浸透的方法。在本实施方式中使用200mm的晶片W。
把晶片W放置在保持台11上，打开阀门V1，真空吸附晶片W。然后，打开阀门V9、V11，从液体槽14A向保持台11提供热传导液。在此状态下观察10秒钟。然后，使空气压力降低，稍微放置一些时间后，重新关闭V5，打开V13，强制性地使空气在晶片W和保持台11之间流动，破坏真空状态。然后，打开阀门V5，并且关闭V13、V9，再打开阀门V3，使循环配管14B1一侧减压。此后，关闭阀门V3，再关闭阀门V5，打开V13，强制性地使空气在晶片W和保持台11之间流动，破坏真空状态。保持在此状态以后，在此状态下降低空气压力，等一会后，把除了阀门V1、V5、V11以外的阀门全部关闭，提高液体槽14A的空气压力，并且使晶片W和保持台11之间成为真空。使此状态持续10秒左右后，打开阀门V9，从液体槽14A向保持台11提供热传导液。
通过所述一系列的操作，热传导液大体浸透整个面。此后，使空气压力降低到通常运行的条件，使热传导液循环。然后对晶片W进行校准，实施检查。
如以上说明所述，按照本实施方式，由于在低温下热传导液的粘度高，所以如使空气和热传导液同时在晶片W的中心部流动，强制性地填充热传导液，则可以在比较短的时间内使热传导液浸透，可以提高生产能力。
此外，本发明并不限于所述的实施方式，在本发明的范围内，可以适当对各构成要素的设计进行变更。
本发明可以适用于探测装置等。

Claims (19)

1.一种基板保持台，其特征在于，具有：
保持基板的保持台和控制该保持台的温度的温度控制装置，
所述保持台具有：在所述保持台的上面开口，并且向所述基板和所述保持台之间供给液体的液体供给口；
形成在所述液体供给口附近，并且排出所述基板和所述保持台之间的所述液体的液体排出槽；以及
在所述液体排出槽上开口，并且从所述排出槽排出所述液体的液体排出口。
2.如权利要求1所述的基板保持台，其特征在于，具有排气槽和排气口，所述排气槽形成在所述保持台的上面，并且用于将所述基板吸附在所述保持台的上面，所述排气口在该排气槽上开口，
所述排气槽和所述排气口分别兼作为所述液体排出槽和所述液体排出口。
3.如权利要求1或权利要求2所述的基板保持台，其特征在于，所述液体供给口在所述液体排出槽以外的部位形成。
4.如权利要求1～权利要求3中任一项所述的基板保持台，其特征在于，所述保持台具有所述液体流通的流道。
5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的基板保持台，其特征在于，所述保持台具有用于控制所述保持台的温度的热介质流通的流道。
6.一种基板温度控制装置，其是对保持在保持台上的基板的温度进行控制的基板温度控制装置，其特征在于，所述保持台具有：
液体供给口，其在所述保持台的上面开口，而且向所述基板和所述保持台之间供给液体；
液体排出槽，其设在所述液体供给口附近，而且排出所述基板和所述保持台之间的所述液体；
液体排出口，其在所述液体排出槽上开口，而且从所述排出槽排出所述液体；
液体槽，其连接在所述液体供给口上，存储所述液体；
液体回收槽，其连接在所述液体排出口上，而且回收所述液体，
介于所述基板和所述保持台之间的所述液体，成为它们两者之间的传热介质。
7.如权利要求6所述的基板温度控制装置，其特征在于，包括：
排气槽和排气口，所述排气槽形成在所述保持台的上面，而且用于把所述基板吸附在所述保持台的上面，所述排气口在该排气槽上开口，
所述排气槽和所述排气口分别兼作为所述液体排出槽和所述液体排出口。
8.如权利要求6或权利要求7所述的基板温度控制装置，其特征在于，所述液体供给口在所述液体排出槽以外的部位上形成。
9.如权利要求6～权利要求8中任一项所述的基板温度控制装置，其特征在于，所述保持台具有所述液体流通的流道。
10.如权利要求6～权利要求9中任一项所述的基板温度控制装置，其特征在于，所述保持台具有用于控制所述保持台的温度的热介质流通的流道。
11.如权利要求6～权利要求10中任一项所述的基板温度控制装置，其特征在于，具有：
液体槽，其存储所述液体用于向所述液体供给口供给；
液体回收槽，其把来自所述液体排出口的所述液体在减压下进行回收；
开关阀，其设置在所述液体回收槽和所述液体排出口之间。
12.如权利要求6～权利要求11中任一项所述的基板温度控制装置，其特征在于，具有分别单独地对所述液体槽和所述液体回收槽进行加压的加压机构。
13.如权利要求12所述的基板温度控制装置，其特征在于，具有对所述加压后的所述液体回收槽进行减压的减压机构。
14.一种基板温度控制方法，其是对保持在保持台上的基板的温度进行控制的基板温度控制方法，其特征在于，具有：
控制所述保持台的温度的工序；
在所述保持台上设置所述基板的工序；
从在所述保持台的上面开口的液体供给口向所述保持台和所述基板之间供给液体的工序；
通过在所述液体供给口附近形成的液体排出槽，从在所述排出槽上开口的液体排出口减压，排出所述液体的工序。
15.如权利要求14所述的基板温度控制方法，其特征在于，具有在从液体槽向所述液体供给口供给所述液体时，对所述液体槽加压的工序。
16.如权利要求15所述的基板温度控制方法，其特征在于，具有：在液体回收槽中回收所述液体的工序；以及把在所述液体回收槽中回收的所述液体向所述液体槽移动的工序。
17.如权利要求16所述的基板温度控制方法，其特征在于，具有：把所述液体从所述回收槽向所述液体槽移动后，对所述液体回收槽减压的工序。
18.如权利要求14～权利要求17中任一项所述的基板温度控制方法，其特征在于，具有：在从所述保持台除去所述基板时，除去所述保持台和所述基板之间的所述液体的工序。
19.如权利要求18所述的基板温度控制方法，其特征在于，具有在去除所述液体时，向所述基板和所述保持台之间供给气体的工序。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102031502A (zh) * 2009-10-01 2011-04-27 东京毅力科创株式会社 基板载置台的温度控制方法及温度控制系统
CN104603626A (zh) * 2012-09-11 2015-05-06 夏普株式会社 试验用夹具、检查装置、载置装置以及试验装置
CN106206374A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 株式会社荏原制作所 用于保持处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置
CN106736762A (zh) * 2017-02-15 2017-05-31 珠海格力智能装备有限公司 吸盘夹具和显示屏边框加工设备
CN108139684A (zh) * 2015-10-06 2018-06-08 Asml控股股份有限公司 用于保持光刻设备的物体的卡盘和夹具和用于控制光刻设备的夹具保持的物体的温度的方法
TWI667091B (zh) * 2016-10-26 2019-08-01 新加坡商雲網科技新加坡有限公司 切割設備及其切割方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
CN102067039B (zh) * 2008-08-08 2014-04-09 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US8404572B2 (en) * 2009-02-13 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
JP5596058B2 (ja) * 2009-02-22 2014-09-24 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 基板支持構造体、クランプ調整ユニット及び、リソグラフィシステム
KR101686549B1 (ko) * 2010-02-19 2016-12-14 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 기판 지지 구조물, 클램프 준비 유닛, 그리고 리소그래피 시스템
NL1038213C2 (en) * 2010-03-04 2012-10-08 Mapper Lithography Ip Bv Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system.
TWI475670B (zh) * 2011-11-24 2015-03-01 Macronix Int Co Ltd 記憶元件及其製造方法
JP6213824B2 (ja) * 2013-11-20 2017-10-18 株式会社リコー シート材載置装置および画像形成装置
KR101790617B1 (ko) 2016-02-04 2017-10-26 (주)에스엔텍 열전도 가스를 통해 샘플의 온도 조절이 가능한 증착 장치용 샘플 거치대 및 그 샘플 거치대를 갖는 증착 장치
CN106783669B (zh) * 2015-11-25 2019-04-12 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理装置及方法
CN110658683A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 晶片承载系统和浸没光刻设备
KR20210030074A (ko) 2019-09-09 2021-03-17 삼성전자주식회사 진공 척 및 상기 진공 척을 포함하는 기판 처리 장치
JP7344153B2 (ja) * 2020-02-14 2023-09-13 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
US5088006A (en) * 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
JPH07263526A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Hitachi Ltd ウェハチャックおよび半導体素子の冷却方法
JP3356115B2 (ja) * 1999-05-20 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 レジスト硬化装置
JP3772621B2 (ja) * 2000-02-03 2006-05-10 株式会社日鉱マテリアルズ 気相成長方法および気相成長装置
IL153154A (en) * 2001-03-28 2007-03-08 Tadahiro Ohmi Plasma processing device
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US6908512B2 (en) * 2002-09-20 2005-06-21 Blue29, Llc Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
JP4172769B2 (ja) * 2003-03-10 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2004355815A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および該装置に適した熱式流量計
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
US6992892B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for efficient temperature control using a contact volume

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102031502A (zh) * 2009-10-01 2011-04-27 东京毅力科创株式会社 基板载置台的温度控制方法及温度控制系统
CN104603626A (zh) * 2012-09-11 2015-05-06 夏普株式会社 试验用夹具、检查装置、载置装置以及试验装置
CN104603626B (zh) * 2012-09-11 2017-03-08 夏普株式会社 试验用夹具、检查装置、载置装置以及试验装置
CN106206374A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 株式会社荏原制作所 用于保持处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置
CN106206374B (zh) * 2015-06-01 2021-09-28 株式会社荏原制作所 湿式基板处理装置及衬垫件
CN108139684A (zh) * 2015-10-06 2018-06-08 Asml控股股份有限公司 用于保持光刻设备的物体的卡盘和夹具和用于控制光刻设备的夹具保持的物体的温度的方法
TWI667091B (zh) * 2016-10-26 2019-08-01 新加坡商雲網科技新加坡有限公司 切割設備及其切割方法
CN106736762A (zh) * 2017-02-15 2017-05-31 珠海格力智能装备有限公司 吸盘夹具和显示屏边框加工设备

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