CN106206374A - 用于保持处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置 - Google Patents

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Abstract

使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。

Description

用于保持处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置
技术领域
本申请发明涉及用于保持例如半导体基板这样的处理对象物的工作台以及具有该工作台的处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造中公知有对基板的表面进行研磨的化学机械研磨(CMP、ChemicalMechanical Polishing)装置。在CMP装置中，在研磨工作台的上表面上粘贴研磨垫而形成研磨面。该CMP装置将由顶环保持的基板的被研磨面按压于研磨面，一边对研磨面供给作为研磨液的浆料一边使研磨工作台和顶环旋转。由此，使研磨面与被研磨面滑动地相对移动，对被研磨面进行研磨。
代表的CMP装置中，研磨工作台或者研磨垫比被研磨的基板大，基板以使被研磨面朝下的方式由顶环保持而进行研磨。使聚乙烯醇(PVA)等海绵材料一边旋转一边与基板接触而对研磨后的基板进行清洗、进一步进行干燥。
公知有精加工单元，该精加工单元将相对于研磨后的基板直径比基板小的接触部件按压于基板，而使基板与接触部件相对运动(例如，专利文献1)。这样的精加工单元与主研磨部分开地设置于CMP装置内，能够对主研磨后的基板稍微进行追加研磨或者清洗。
专利文献1：日本特开平8-71511号公报
在对基板进行研磨的装置中，要想以较高的压力使基板与接触部件接触而提高清洗效果或者提高研磨速度，优选利用对基板的背面整体进行接触支撑的工作台来保持基板。作为这样的工作台的例子存在具有用于对基板进行真空吸附的小孔的工作台。在对基板进行真空吸附的工作台的情况下，在支撑基板的工作台的支撑面与基板之间的间隙产生负压，在研磨基板时所使用的浆料或者其他的处理液有时从基板的边缘与工作台之间的间隙被吸入而到达小孔内。在为了使基板从工作台的支撑面释放而从小孔吹出气体或液体时，有时所吸入的浆料或处理液从工作台的支撑面与基板之间的间隙流出并在绕过基板的上表面而污染基板。
发明内容
因此，优选使对基板进行真空吸附用的工作台的小孔尽量不吸入浆料或处理液。并且，优选在释放基板时所吸入的浆料或处理液尽量不绕过基板。
本申请发明的目的在于，解决或者缓和这些课题中的至少一部分。
根据本发明的第一方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。
根据本发明的第二方式，在第一方式中，所述第二流体通路以贯通所述工作台的至少一部分的方式延伸。
根据本发明的第三方式，在第二方式中，所述工作台具有在所述工作台的表面扩展的方向上延伸的扩展缘部，所述第二开口部位于所述扩展缘部，所述第二流体通路以贯通所述扩展缘部的方式延伸。
根据本发明的第四方式，在第一方式至第三方式中的任意1个方式中，所述第一流体通路构成为能够与流体供给源连接，该流体供给源用于通过所述第一流体通路而从所述第一开口部供给流体。
根据本发明的第五方式，在第四方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
根据本发明的第六方式，在第一方式至第五方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。
根据本发明的第七方式，在第一方式至第六方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对所述基板进行研磨处理的研磨垫。
根据本发明的第八方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与流体供给源连接。
根据本发明的第九方式，在第八方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
根据本发明的第十方式，在第一方式至第九方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。
根据本发明的第十一方式，在第八方式至第十方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。
根据本发明的第十二方式，提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液。所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部性地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与流体供给源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与真空源连接。
根据本发明的第十三方式，在第十二方式中，所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
根据本发明的第十四方式，在第十二方式或者第十三方式中，第一流体通路构成为能够与真空源连接。
根据本发明的第十五方式，在第十二方式至第十四方式中的任意1个方式中，所述工作台构成为能够旋转。
根据本发明的第十六方式，在第十二方式至第十五方式中的任意1个方式中，该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。
根据本发明的第十七方式，提供衬垫件，该衬垫件能够配置于用于对基板进行保持的工作台。该衬垫件在配置于第一方式至第十六方式中的任意1个湿式基板处理装置的工作台时，在与所述工作台的所述第一开口部和所述第二开口部的位置对应的位置上具有贯通孔。
附图说明
图1是表示作为具有用于对处理对象物进行处理的工作台的处理装置的一例的抛光处理装置的概略结构的图。
图2是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台的剖面的图。
图3A是表示图2的抛光工作台的上表面的立体图。
图3B是表示一实施方式的抛光工作台的切口部的周边的俯视图。
图4是沿着线段E-E剖切一实施方式的图3(A)所示的抛光工作台而得到的剖面图。
图5是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台的剖面的图。
图6是沿着线段E-E剖切一实施方式的图3(A)所示的抛光工作台而得到的剖面图。
符号说明
400 工作台
402 支撑面
404 第一开口部
406 扩展缘部
410 第一流体通路
420 第二流体通路
424 第二开口部
450 衬垫件
452 贯通孔
502 研磨垫
714 纯水供给源
724 药液供给源
744 氮源
746 真空源
Wf 晶片
具体实施方式
以下，与附图一同说明用于保持本发明的处理对象物的工作台和具有该工作台的处理装置的实施方式。在附图中，对相同或者类似的要素标注相同或者类似的参照符号，在各实施方式的说明中关于相同或者类似的要素的重复的说明有时省略。并且，各实施方式所示的特征只要不彼此矛盾也可以应用于其他的实施方式。
图1是表示作为具有用于对处理对象物进行处理的工作台的处理装置的一例的抛光处理装置的概略结构的图。图1所示的抛光处理装置能够构成为进行半导体晶片等基板的研磨处理的CMP装置的一部分或者CMP装置内的一个单元。作为一例抛光处理装置能够组装于具有研磨单元、清洗单元、基板的搬送机构的CMP装置，抛光处理装置能够在CMP装置内的主研磨之后用于精加工。
在本说明书中，抛光处理包含抛光研磨处理与抛光清洗处理中的至少一方。
抛光研磨处理是指一边使抛光垫与基板接触一边使基板与抛光垫相对运动，通过使浆料介于基板与抛光垫之间而对基板的处理面进行研磨去除的处理。抛光研磨处理是在使用海绵材料(例如PVA海绵材料)等通过物理性作用清洗基板的情况下能够对基板施加比施加给基板的物理性作用力强的物理性作用力的处理。因此，作为抛光垫可以使用例如将发泡聚氨酯和无纺布层叠得到的垫，具体而言为能够在市场上买入的IC1000(商标)/SUBA(注册商标)系列、柔面革状的多孔性聚氨酯非纤维质垫、具体而言为能够在市场上买入的POLITEX(注册商标)等。通过抛光研磨处理而能够实现如下内容：划痕等损害或者污染物附着的表层部的去除、主研磨单元中的无法利用主研磨去除的部位的追加去除、或者主研磨后的微小区域的凹凸或基板整体上的膜厚分布这样的形态的改善。
抛光清洗处理是指一边使抛光垫与基板接触一边使基板和抛光垫相对运动，通过使清洗处理液(药液或者药液和纯水)介于基板与抛光垫之间而去除基板表面的污染物或者对处理面进行改质的处理。抛光清洗处理是在使用海绵材料等通过物理性作用清洗基板的情况下能够对基板施加比施加给基板的物理性作用力强的物理性作用力的处理。因此，作为抛光垫使用上述的IC1000(商标)/SUBA(注册商标)系列或POLITEX(注册商标)等。此外，在本发明的抛光处理装置中作为抛光垫也可以使用PVA海绵。
图1是概略性地表示一实施方式的安装有晶片Wf(基板)的状态下的抛光处理模块300A的结构的图。如图1所示，一实施方式的抛光处理模块300A具有：设置有晶片Wf的抛光工作台400；安装有用于对晶片Wf的处理面进行抛光处理的抛光垫502的抛光头500；保持抛光头500的抛光臂600；用于供给各种处理液的液供给系统700；以及用于进行抛光垫502的修整(修整)的修整部800。
抛光处理模块300A能够进行上述的抛光研磨处理和/或抛光清洗处理。
抛光工作台400详细情况在后述进行说明，但使晶片Wf的被处理面朝上地进行支撑。抛光工作台400能够通过真空吸附将晶片Wf保持在抛光工作台400的支撑面402上。也可以经由衬垫件450(参照图2)而使抛光工作台400吸附晶片Wf。衬垫件450能够由例如具有弹性的发泡聚氨酯形成。衬垫件450作为抛光工作台400与晶片Wf之间的缓冲材料能够防止对晶片Wf擦伤或者缓和对抛光工作台400的表面的凹凸的抛光处理的影响。衬垫件450能够通过粘接带而安装于抛光工作台400的表面。衬垫件450可以使用公知的材料，可以使用在与抛光工作台400的开口部404对应的位置上设置贯通孔452的材料(参照图2)。另外，抛光工作台400的支撑面402可以呈圆形，能够保持圆形的晶片Wf。
另外，在本说明书中，在晶片Wf经由衬垫件450安装于抛光工作台400的情况下，安装有衬垫件450的状态下的衬垫件450的表面成为支撑晶片Wf的“支撑面”，在不经由衬垫件450而直接地将晶片Wf吸附于抛光工作台400的情况下，抛光工作台的表面成为支撑晶片Wf的“支撑面”。以下，在简称为“支撑面”或者“抛光工作台的支撑面”的情况下，包含这两者的情况。
此外，在抛光工作台400中，作为工作台400上的搬送机构具有接受由未图示的搬送机器人搬送的晶片Wf、并用于载置抛光工作台400的晶片Wf的升降销480(参照图2)。升降销480沿着抛光工作台400的外周配置多个，通过未图示的机构而使升降销480伸缩。升降销480在升降销480突出的状态下支撑并接受晶片Wf的外周部，然后使升降销480后退而将晶片Wf载置于抛光工作台400的支撑面402。在抛光处理结束之后，升降销480突出而支撑晶片Wf的外周部并进行抬升，搬送机器人从下方撑起晶片Wf。
并且，抛光工作台400能够通过未图示的驱动机构而绕旋转轴AA旋转。抛光头500构成为能够上升下降。抛光垫502安装于抛光头500的与晶片Wf相对的面上。抛光垫502因抛光头500的下降而被按压于由抛光工作台400的支撑面402保持的晶片Wf。抛光臂600能够使抛光头500绕旋转轴BB旋转，并且使抛光头500像箭头CC所示那样在晶片Wf的径向上摆动。并且，抛光臂600能够使抛光头500摆动到抛光垫502与修整部800相对的位置。
液供给系统700具有用于对晶片Wf的处理面供给纯水(DIW)的纯水喷嘴710。纯水喷嘴710经由纯水配管712与纯水供给源714连接。在纯水配管712中设置有能够对纯水配管712进行开闭的开闭阀716。通过使用未图示的控制装置来控制开闭阀716的开闭，而能够在任意的时机向晶片Wf的处理面或者用于支撑抛光工作台400的晶片Wf的支撑面402供给纯水。
并且，液供给系统700具有用于对晶片Wf的处理面供给药液(Chemi)的第一药液喷嘴720。第一药液喷嘴720在抛光清洗处理或者抛光研磨处理后的药液清洗中，对晶片Wf表面供给药液。第一药液喷嘴720经由药液配管722与第一药液供给源724连接。在药液配管722中设置有能够对药液配管722进行开闭的开闭阀726。通过使用未图示的控制装置来控制开闭阀726的开闭而能够在任意的时机对晶片Wf的处理面或者用于支撑抛光工作台400的晶片Wf的支撑面402供给药液。
图1的实施方式的抛光处理模块300A能够经由抛光臂600、抛光头500以及抛光垫502对晶片Wf的处理面或者用于支撑抛光工作台400的晶片Wf的支撑面402选择性地供给纯水、药液或者浆料。
即，分支纯水配管712a从纯水配管712中的纯水供给源714与开闭阀716之间分支。并且，分支药液配管722a从药液配管722中的第一药液供给源724与开闭阀726之间分支。分支纯水配管712a、分支药液配管722a以及与浆料供给源734连接的浆料配管732在液供给配管740处合流。在分支纯水配管712a中设置有能够对分支纯水配管712a进行开闭的开闭阀718。在分支药液配管722a中设置有能够对分支药液配管722a进行开闭的开闭阀728。在浆料配管732中设置有能够对浆料配管732进行开闭的开闭阀736。
液供给配管740的第一端部与分支纯水配管712a、分支药液配管722a以及浆料配管732这3个系统的配管连接。液供给配管740通过抛光臂600的内部、抛光头500的中央以及抛光垫502的中央而延伸。液供给配管740的第二端部朝向晶片Wf的处理面或者用于支撑抛光工作台400的晶片Wf的支撑面402开口。未图示的控制装置通过对开闭阀718、开闭阀728以及开闭阀736的开闭进行控制而能够在任意的时机对晶片Wf的被处理面或者用于支撑抛光工作台400的晶片Wf的支撑面402供给纯水、药液、浆料中的任意1个或者它们的任意组合的混合液。
图示的实施方式的抛光处理模块300A经由液供给配管740对晶片Wf供给处理液并且使抛光工作台400绕旋转轴AA旋转，将抛光垫502按压于晶片Wf的处理面，一边使抛光头500绕旋转轴BB旋转一边向箭头CC方向摆动，能够对晶片Wf进行抛光处理。
图1所示的修整部800是用于对抛光垫502的表面进行修整的部件。修整部800具有修整工作台810和设置于修整工作台810的修整器820。修整工作台810能够通过未图示的驱动机构而绕旋转轴DD旋转。修整器820由金刚石修整器、电刷修整器或者它们的组合形成。
抛光处理模块300A在进行抛光垫502的修整时，使抛光臂600回旋到抛光垫502与修整器820相对的位置(参照图2)。抛光处理模块300A使修整工作台810绕旋转轴DD旋转并且使抛光头500旋转，通过将抛光垫502按压于修整器820而进行抛光垫502的修整。
图2是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台400的剖面的图。图2表示保持衬垫件450和晶片Wf的状态。图3(A)是表示图2的抛光工作台400的上表面的立体图。抛光工作台400具有用于将晶片Wf的被处理面朝上支撑的支撑面402。在抛光工作台400的支撑面402上形成有用于使晶片Wf真空吸附于支撑面402的多个第一开口部404。并且，抛光工作台400在抛光工作台400的内部具有延伸到第一开口部404的第一流体通路410。第一流体通路410与真空源746连接。此外，第一流体通路410与能够使晶片Wf拆装时使用的纯水供给源714和氮源744连接。并且，第一流体通路410也可以具有在第一流体通路410内向大气开放的大气开放阀(未图示)。例如，在拆卸晶片Wf时，将第一流体通路410的真空释放，能够在规定时间内向第一流体通路410供给纯水，然后在规定时间内供给氮。并且，抛光工作台400能够在清洗抛光工作台400的支撑面402和/或第一流体通路410时与能够任意选择使用的第二药液供给源724连接。在向抛光工作台400的第一流体通路410供给纯水、药液、氮气的配管以及对第一流体通路410进行真空吸引的配管中分别设置有开闭阀750、752、754、756。能够通过使用未图示的控制装置对开闭阀750、752、754、756的开闭进行控制而在任意的时机通过抛光工作台400的第一流体通路410对支撑面402供给纯水、药液以及氮气，并且在任意的时机对第一流体通路410进行真空吸引。
图4是表示沿着线段E-E剖切图3(A)所示的抛光工作台400而得到的剖面的剖面图。如图3(A)所示，抛光工作台400具有抛光工作台400的表面向外侧扩展的方向延伸的扩展缘部406。如图3(A)和图4所示，在位于扩展缘部406的抛光工作台400的支撑面402上形成第二开口部424(在图2中省略)。并且，在扩展缘部406中形成有延伸到第二开口部424的第二流体通路420。第二流体通路420由多个孔构成，贯通扩展缘部406而向抛光工作台400外开放。如图3(A)所示，第二开口部424形成为至少局部性地包围配置有第一开口部404的区域的连续的多个槽。换言之，槽也可以形成在抛光工作台400的支撑面402的外周附近。第二流体通路420沿着抛光工作台400的支撑面402的外周附近等间隔地配置。槽按照一定的间隔与第二流体通路420连接，进入槽的流体(例如处理液)通过第二流体通路420而向抛光工作台400外排出。在图3(A)所示的实施例中，第二开口部424形成为除了4个切口部426的位置还包围抛光工作台400的支撑面402的外周部附近。作为其他的实施方式，第二开口部424也可以形成为完全包围支撑面402的外周部附近的1个环状的槽。图3(B)是其他的实施方式的抛光工作台400的切口部426周边的放大图。另外，在图3(A)、图3(B)所示的实施方式的4个切口部426的位置上配置有升降销480(参照图2)。此外，作为其他的实施方式，第二开口部424也可以是被配置为至少局部性地包围配置有第一开口部404的区域的多个孔。形成为多个孔的第二开口部424直接与第二流体通路420连接。
图6是表示作为其他的实施方式沿着线段E-E剖切图3(A)或者图3(B)所示的抛光工作台400而得到的剖面的剖面图。另外，在图6中第一流体通路410、衬垫件450省略。如图6所示，与形成有第二流体通路420的位置相比，扩展缘部406的顶端进一步朝下延伸，扩展缘部406发挥“房檐”的作用，如箭头所示，能够有效地防止朝向晶片Wf的外周向外流动的处理液进入支撑面402与晶片Wf的背面之间的间隙。
在图1所示的抛光处理模块300A中，被实施抛光处理的晶片Wf配置于抛光工作台400的支撑面402。通过真空源746对第一流体通路410真空吸引而使晶片Wf的背面真空吸附于第一开口部404从而保持晶片Wf。在上述的抛光处理中，对晶片Wf的被处理面供给浆料或其他的处理液等。在抛光处理中，第一流体通路410持续进行真空吸引。因此，在晶片Wf的背面与支撑面402之间、或者在晶片Wf与衬垫件450之间的间隙中形成负压。由此，在不设置第二开口部424和第二流体通路420的情况下，浆料或处理液从晶片Wf的外周通过间隙而被吸入支撑面402的内侧。在使用图1～图4所示的实施方式的抛光工作台400而通过真空吸附保持晶片Wf的情况下，产生从第二流体通路420通过晶片Wf与支撑面402之间的间隙而向第一流体通路410流动的空气流，能够将第二开口部424附近及其外侧的支撑面402的负压开放(大气开放)。因此，能够抑制浆料或处理液从晶片Wf的外周通过支撑面402与晶片Wf的背面之间的间隙而被吸入第一开口部404和第一流体通路410的情况。换言之，第二流体通路420具有作为使第二开口部424向大气开放的大气开放路径的作用。位于第二开口部424的相反侧的第二流体通路420的端部向抛光工作台400外开放，位于第二开口部424的相反侧的第二流体通路420的端部也可以称为大气开放口。
当抛光处理结束时，晶片Wf从抛光工作台400被拆卸。此时，为了拆卸真空吸附的晶片Wf而停止真空源746对第一流体通路410的真空吸引，在规定时间内从纯水供给源714向第一流体通路410供给纯水，然后在规定时间内从氮源744向第一流体通路410供给氮，而通过使第一流体通路的压力比外气压力高而使晶片Wf从支撑面402拆卸。此时，如果在抛光处理时使用的浆料或者处理液被吸入第一流体通路410内，则与拆卸晶片Wf时的纯水和氮一同被吸入的浆料或处理液从第一流体通路410和第一开口部404喷出。其结果为，浆料或处理液通过支撑面402与晶片Wf的背面之间的间隙而从晶片Wf的外周喷出，进一步绕过晶片Wf的被处理面侧而污染晶片Wf。在使用本实施方式的抛光工作台400的情况下，由于将浆料和处理液在抛光处理中被吸入第一流体通路410的情况得到抑制或者使其最小化，因此在拆卸晶片Wf时，减轻污染晶片Wf的风险。此外，即使少量的浆料或者处理液被吸入第一流体通路410，在为了使晶片Wf从抛光工作台400拆卸而向第一流体通路410供给纯水和氮时，由于纯水、氮、浆料或者处理液的混合流体在到达晶片Wf的边缘之前通过第二开口部424和第二流体通路420而向抛光工作台400的外部排出，因此能够防止混合流体绕过晶片Wf的被处理面侧。换言之，第二流体通路420具有作为将进入第二开口部424的流体排出的流体排出路径的作用。位于第二开口部的相反侧的第二流体通路420也可以与流体排出口连接。在本实施方式中，如图4和图6所示，第二流体通路420形成为贯通抛光工作台400，但作为大气开放路径或者流体排出路径的第二流体通路420的方式不限于此。
图5是概略性地表示作为一实施方式的抛光工作台400的剖面的图。图5与图2同样表示保持有衬垫件450和晶片Wf的状态。图5所示的抛光工作台400与图1～图4所示的实施方式同样具有第一开口部404、第一流体通路410、第二开口部424以及第二流体通路420。但是，图5的实施方式的抛光工作台400的第二流体通路420与图1～图4的实施方式的抛光工作台400的第二流体通路420不同，在抛光工作台400外侧不开放。如图5所示，在本实施方式中，第二流体通路420与第一流体通路410同样与纯水供给源714、药液供给源724、氮源744以及真空源746连接。第二流体通路420也可以与未图示的大气开放阀连接。进入第二流体通路420的不需要的液体被配置于真空源746的上游的气液分离器(未图示)排出。因此，能够向第二流体通路420供给各种流体，或者对第二流体通路进行真空吸引。另外，在图5中为了方便图示，图示成第一流体通路410与第二流体通路420利用相同的路径与纯水供给源714、药液供给源724、氮源744以及真空源746连接，但第一流体通路410和第二流体通路420分别利用不同的路径与纯水供给源714、药液供给減724、氮源744以及真空源746连接，在第一流体通路410和第二流体通路420中流动的流体能够单独地被切换。通过该结构，在拆卸晶片Wf时，能够减轻浆料或处理液污染晶片Wf的风险。
例如，在为了抛光处理而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402的情况下，对第二流体通路420进行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402。此时，第一流体通路410不进行真空吸引。因此，在抛光处理中有时浆料或处理液被吸入第二流体通路420，但未被吸入第一流体通路410。在抛光处理结束，使晶片Wf从抛光工作台400的支撑面402拆卸时，对第一流体通路410供给纯水和/或氮气而使晶片Wf拆卸。此时，不向第二流体通路420供给纯水和/或氮气。因此，由于在抛光处理中被吸入第二流体通路420的浆料或处理液在晶片Wf的拆卸时不会向晶片上喷出，因此减轻污染晶片Wf的风险。另外，为了对进入第二流体通路420的浆料或处理液进行冲洗，也可以在晶片Wf的更换时等，向第二流体通路420供给纯水或药液等各种流体而对第二流体通路420和抛光工作台400的支撑面402进行清洗。
并且，在为了抛光处理而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402的情况下，对第一流体通路410进行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402。此时，第二流体通路420不进行真空吸引。因此，虽然有时在抛光处理中浆料或处理液被吸入第一流体通路410，但不会被吸入第二流体通路420。在抛光处理结束，使晶片Wf从抛光工作台400的支撑面402拆卸时，向第二流体通路420供给纯水和/或氮气而使晶片Wf拆卸。此时，不向第一流体通路410供给纯水和/或氮气。因此，由于在抛光处理中被吸入第一流体通路410的浆料或处理液在晶片Wf的拆卸时不会向晶片上喷出，因此减轻污染晶片Wf的风险。另外，为了对进入第一流体通路410的浆料或处理液进行冲洗，也可以在晶片Wf的更换时等，向第一流体通路410供给纯水或药液等各种流体而对第一流体通路410和抛光工作台400的支撑面402进行清洗。
并且，作为一实施方式，在为了进行抛光处理而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402的情况下，能够对第一流体通路410和第二流体通路420这双方进行真空吸引而使晶片Wf真空吸附于抛光工作台400的支撑面402。因此，虽然有时在抛光处理中浆料或处理液被吸入配置于外侧的第二流体通路420，但几乎不会被吸入配置于内侧的第一流体通路410。在抛光处理结束，使晶片Wf从抛光工作台400的支撑面402拆卸时，能够向第一流体通路410供给纯水和/或氮气而使晶片Wf拆卸。此时，不会向第二流体通路420供给纯水和/或氮气。由于在抛光处理中被吸入第二流体通路420的浆料或处理液在晶片Wf的拆卸时不会向晶片上喷出，因此减轻污染晶片Wf的风险。另外，为了对进入第二流体通路420的浆料或处理液进行冲洗，也可以在晶片Wf的更换时等，向第二流体通路420供给纯水或药液等各种流体而对第二流体通路420和抛光工作台400的支撑面402进行清洗。
在图5所示的实施方式中，第一开口部404、第一流体通路410、第二开口部424以及第二流体通路420的配置可以采用任意的配置。例如，在图5所示的实施方式的抛光工作台400中，可以使第二开口部424和第二流体通路420形成于扩展缘部406，也可以形成于除此之外的位置。
如上所述，关于用于保持本申请发明的处理对象物的工作台和具有该工作台的处理装置，举例说明抛光处理装置，但本发明不限于上述的抛光处理装置。本说明书中公开的工作台和具有该工作台的处理装置也可以应用于通过真空吸附而保持处理对象物的其他的装置。本说明书中公开的工作台特别是在向基板供给液体而处理基板的湿式基板处理装置中也可以应用。

Claims (17)

1.一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：
工作台，用于保持基板；以及
处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，
所述工作台具有：
支撑面，用于支撑基板；
第一开口部，形成于所述支撑面；
第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；
第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及
第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。
2.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述第二流体通路以贯通所述工作台的至少一部分的方式延伸。
3.根据权利要求2所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述工作台具有在所述工作台的表面扩展的方向上延伸的扩展缘部，所述第二开口部位于所述扩展缘部，所述第二流体通路以贯通所述扩展缘部的方式延伸。
4.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述第一流体通路构成为能够与流体供给源连接，该流体供给源用于通过所述第一流体通路而从所述第一开口部供给流体。
5.根据权利要求4所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
6.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述工作台构成为能够旋转。
7.根据权利要求1所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
该湿式基板处理装置具有用于对所述基板进行研磨处理的研磨垫。
8.一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：
工作台，用于保持基板；以及
处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，
所述工作台具有：
支撑面，用于支撑基板；
第一开口部，形成于所述支撑面；
第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；
第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及
第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与流体供给源连接。
9.根据权利要求8所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
10.根据权利要求8所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述工作台构成为能够旋转。
11.根据权利要求8所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。
12.一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：
工作台，用于保持基板；以及
处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，
所述工作台具有：
支撑面，用于支撑基板；
第一开口部，形成于所述支撑面；
第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；
第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与流体供给源连接；以及
第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够与真空源连接。
13.根据权利要求12所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述流体具有由空气、氮以及水构成的组中的至少1个。
14.根据权利要求12所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
第一流体通路构成为能够与真空源连接。
15.根据权利要求12所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
所述工作台构成为能够旋转。
16.根据权利要求12所述的湿式基板处理装置，其特征在于，
该湿式基板处理装置具有用于对基板进行研磨处理的研磨垫。
17.一种衬垫件，能够配置于用于对基板进行保持的工作台，其特征在于，
所述衬垫件在配置于权利要求1所述的湿式基板处理装置的工作台时，在与所述工作台的所述第一开口部和所述第二开口部的位置对应的位置上具有贯通孔。
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