KR20160141656A - 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치 - Google Patents

처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치 Download PDF

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Abstract

기판을 진공 흡착하기 위한 테이블의 작은 구멍에 처리액이 가능한 한 흡입되지 않도록 하는 것이다.
기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치가 제공된다. 이러한 습식 기판 처리 장치는 기판을 보유 지지하기 위한 테이블과, 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖는다. 테이블은 기판을 지지하기 위한 지지면과, 지지면에 형성되는 제1 개구부와, 지지면에 형성되어, 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와, 테이블을 통해 지지면의 제1 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와, 테이블을 통해 지지면의 제2 개구부까지 연장되어, 처리액을 배출하도록 구성되는 제2 유체 통로를 갖는다.

Description

처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치 {TABLE FOR HOLDING WORKPIECE AND PROCESSING APPARATUS WITH THE TABLE}
본원 발명은, 예를 들어 반도체 기판과 같은 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 기판의 표면을 연마하는 화학 기계 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 장치가 알려져 있다. CMP 장치에서는 연마 테이블의 상면에 연마 패드가 부착되고, 연마면이 형성된다. 이 CMP 장치는 톱링에 의해 보유 지지되는 기판의 피연마면을 연마면에 가압하고, 연마면에 연마액으로서의 슬러리를 공급하면서, 연마 테이블과 톱링을 회전시킨다. 이에 의해, 연마면과 피연마면이 접동적으로 상대 이동되고, 피연마면이 연마된다.
대표적인 CMP 장치는 연마 테이블 또는 연마 패드는 연마되는 기판보다도 크고, 기판은 톱링에 의해 피연마면을 하향으로 보유 지지하여 연마되는 것이다. 연마 후의 기판은 폴리비닐알코올(PVA) 등의 스펀지재를 회전시키면서 기판에 접촉시킴으로써 세정되고, 또한 건조된다.
연마 후의 기판에 대해 기판보다도 소직경의 접촉 부재를 기판에 가압하고, 기판과 접촉 부재를 상대 운동시키는 마무리 유닛이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 이와 같은 마무리 유닛은 메인의 연마부와는 별도로 CMP 장치 내에 설치되어, 메인 연마 후의 기판을 약간 추가 연마하거나, 세정할 수 있다.
일본 특허 공개 평8-71511호 공보
기판을 연마하는 장치에 있어서, 접촉 부재를 높은 압력으로 접촉시켜 세정 효과를 높이거나, 연마 속도를 높이기 위해서는, 기판의 이면 전체를 접촉 지지하는 테이블로 기판을 보유 지지하는 것이 바람직하다. 이와 같은 테이블의 예로서, 기판을 진공 흡착하기 위한 작은 구멍을 갖는 테이블이 있다. 기판을 진공 흡착하는 테이블의 경우, 기판을 지지하는 테이블의 지지면과 기판 사이의 간극에 부압이 발생하고, 기판의 에지와 테이블 사이의 간극으로부터 기판을 연마할 때에 사용하는 슬러리 또는 다른 처리액이 흡입되어 작은 구멍 내에 도달하는 경우가 있다. 기판을 테이블의 지지면으로부터 이탈시키기 위해, 기체나 액체를 작은 구멍으로부터 분출할 때에, 흡입된 슬러리나 처리액이 테이블의 지지면과 기판의 간극으로부터 흘러나오고, 기판의 상면에 돌아 들어가 기판을 오염시키는 경우가 있다.
그로 인해, 기판을 진공 흡착하기 위한 테이블의 작은 구멍에 슬러리나 처리액이 가능한 한 흡입되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 기판을 이탈할 때에, 흡입한 슬러리나 처리액이 가능한 한 기판 상에 돌아 들어가지 않도록 하는 것이 바람직하다.
본원 발명은 이들 과제의 적어도 일부를 해결 또는 완화하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 제1 형태에 의하면, 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치가 제공된다. 이러한 습식 기판 처리 장치는 기판을 보유 지지하기 위한 테이블과, 상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖는다. 상기 테이블은 기판을 지지하기 위한 지지면과, 상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와, 상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 상기 제2 개구부를 대기 개방하도록 구성되는 제2 유체 통로를 갖는다.
본 발명의 제2 형태에 의하면, 제1 형태에 있어서, 상기 제2 유체 통로는 상기 테이블의 적어도 일부를 관통하도록 연장된다.
본 발명의 제3 형태에 의하면, 제2 형태에 있어서, 상기 테이블은 상기 테이블의 표면이 확장되는 방향으로 연장되는 확장 테두리부를 갖고, 상기 제2 개구부는 상기 확장 테두리부에 위치하고, 상기 제2 유체 통로는 상기 확장 테두리부를 관통하여 연장된다.
본 발명의 제4 형태에 의하면, 제1 형태 내지 제3 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 제1 유체 통로는 상기 제1 유체 통로를 통해 상기 제1 개구부로부터 유체를 공급하기 위한 유체 공급원에 접속 가능하게 구성된다.
본 발명의 제5 형태에 의하면, 제4 형태에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는다.
본 발명의 제6 형태에 의하면, 제1 형태 내지 제5 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성된다.
본 발명의 제7 형태에 의하면, 제1 형태 내지 제6 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는다.
본 발명의 제8 형태에 의하면, 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치가 제공된다. 이러한 습식 기판 처리 장치는 기판을 보유 지지하기 위한 테이블과, 상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖는다. 상기 테이블은 기판을 지지하기 위한 지지면과, 상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와, 상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 유체 공급원에 접속 가능하게 구성되는 제2 유체 통로를 갖는다.
본 발명의 제9 형태에 의하면, 제8 형태에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는다.
본 발명의 제10 형태에 의하면, 제1 형태 내지 제9 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성된다.
본 발명의 제11 형태에 의하면, 제8 형태 내지 제10 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는다.
본 발명의 제12 형태에 의하면, 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치가 제공된다. 이러한 습식 기판 처리 장치는 기판을 보유 지지하기 위한 테이블과, 상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖는다. 상기 테이블은 기판을 지지하기 위한 지지면과, 상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와, 상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 유체 공급원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와, 상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제2 유체 통로를 갖는다.
본 발명의 제13 형태에 의하면, 제12 형태에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는다.
본 발명의 제14 형태에 의하면, 제12 형태 또는 제13 형태에 있어서, 제1 유체 통로는 진공원에 접속 가능하게 구성된다.
본 발명의 제15 형태에 의하면, 제12 형태 내지 제14 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성된다.
본 발명의 제16 형태에 의하면, 제12 형태 내지 제15 형태 중 어느 하나의 형태에 있어서, 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는다.
본 발명의 제17 형태에 의하면, 기판을 보유 지지하기 위한 테이블에 배치 가능한 백킹재가 제공된다. 이러한 백킹재는 제1 형태 내지 제16 형태 중 어느 하나의 습식 기판 처리 장치의 테이블에 배치되었을 때에, 상기 테이블의 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부의 위치에 대응하는 위치에 관통 구멍을 갖는다.
도 1은 처리 대상물을 처리하기 위한 테이블을 갖는 처리 장치의 일례로서의 버프 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 일 실시 형태로서의 버프 테이블의 단면을 개략적으로 도시하는 도면.
도 3a는 도 2의 버프 테이블의 상면을 도시하는 사시도.
도 3b는 일 실시 형태에 의한, 버프 테이블의 절결부의 주변을 도시하는 평면도.
도 4는 일 실시 형태에 의한, 도 3a에 도시되는 버프 테이블을 선분 E-E를 따라 잘라낸 단면도.
도 5는 일 실시 형태로서의 버프 테이블의 단면을 개략적으로 도시하는 도면.
도 6은 일 실시 형태에 의한, 도 3a에 도시되는 버프 테이블을 선분 E-E를 따라 잘라낸 단면도.
이하에, 본 발명에 따른 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치의 실시 형태를 첨부 도면과 함께 설명한다. 첨부 도면에 있어서, 동일 또는 유사한 요소에는 동일 또는 유사한 참조 부호가 부여되어, 각 실시 형태의 설명에 있어서 동일 또는 유사한 요소에 관한 중복되는 설명은 생략하는 경우가 있다. 또한, 각 실시 형태에서 나타내는 특징은 서로 모순되지 않는 한 다른 실시 형태에도 적용 가능하다.
도 1은 처리 대상물을 처리하기 위한 테이블을 갖는 처리 장치의 일례로서의 버프 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 버프 처리 장치는 반도체 웨이퍼 등의 기판의 연마 처리를 행하는 CMP 장치의 일부 또는 CMP 장치 내의 1유닛으로서 구성할 수 있다. 일례로서, 버프 처리 장치는 연마 유닛, 세정 유닛, 기판의 반송 기구를 갖는 CMP 장치에 내장할 수 있고, 버프 처리 장치는 CMP 장치 내에서의 메인 연마 후에 마무리 처리에 사용할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 버프 처리라 함은, 버프 연마 처리와 버프 세정 처리 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이다.
버프 연마 처리라 함은, 기판에 대해 버프 패드를 접촉시키면서, 기판과 버프 패드를 상대 운동시켜, 기판과 버프 패드 사이에 슬러리를 개재시킴으로써 기판의 처리면을 연마 제거하는 처리이다. 버프 연마 처리는 스펀지재(예를 들어, PVA 스펀지재) 등을 사용하여 기판을 물리적 작용에 의해 세정하는 경우에 기판에 가해지는 물리적 작용력보다도 강한 물리적 작용력을 기판에 대해 가할 수 있는 처리이다. 그로 인해, 버프 패드로서는, 예를 들어 발포 폴리우레탄과 부직포를 적층한 패드, 구체적으로는 시장에서 입수할 수 있는 IC1000(상표)/SUBA(등록 상표)계나, 스웨이드 형상의 다공성 폴리우레탄 비섬유질 패드, 구체적으로는, 시장에서 입수할 수 있는 POLITEX(등록 상표) 등을 사용할 수 있다. 버프 연마 처리에 의해, 스크래치 등의 대미지 또는 오염물이 부착된 표층부의 제거, 메인 연마 유닛에 있어서의 주연마에서 제거할 수 없었던 개소의 추가 제거, 또는 메인 연마 후의, 미소 영역의 요철이나 기판 전체에 걸치는 막 두께 분포 등의 모폴로지의 개선을 실현할 수 있다.
버프 세정 처리라 함은, 기판에 대해 버프 패드를 접촉시키면서, 기판과 버프 패드를 상대 운동시켜, 기판과 버프 패드 사이에 세정 처리액(약액 또는 약액과 순수)을 개재시킴으로써 기판 표면의 오염물을 제거하거나, 처리면을 개질하는 처리이다. 버프 세정 처리는 스펀지재 등을 사용하여 기판을 물리적 작용에 의해 세정하는 경우에 기판에 가해지는 물리적 작용력보다도 강한 물리적 작용력을 기판에 대해 가할 수 있는 처리이다. 그로 인해, 버프 패드로서는, 상술한 IC1000(상표)/SUBA(등록 상표)계나 POLITEX(등록 상표) 등이 사용된다. 또한, 본 발명에 있어서의 버프 처리 장치에 있어서, 버프 패드로서 PVA 스펀지를 사용하는 것도 가능하다.
도 1은 일 실시 형태에 의한, 웨이퍼(Wf)(기판)가 설치된 상태의 버프 처리 모듈(300A)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 일 실시 형태에 의한 버프 처리 모듈(300A)은 웨이퍼(Wf)가 설치되는 버프 테이블(400)과, 웨이퍼(Wf)의 처리면에 버프 처리를 행하기 위한 버프 패드(502)가 설치된 버프 헤드(500)와, 버프 헤드(500)를 보유 지지하는 버프 아암(600)과, 각종 처리액을 공급하기 위한 액 공급 계통(700)과, 버프 패드(502)의 컨디셔닝(드레싱)을 행하기 위한 컨디셔닝부(800)를 구비한다.
버프 처리 모듈(300A)은 상술한 버프 연마 처리 및/또는 버프 세정 처리를 행할 수 있다.
버프 테이블(400)은, 상세하게는 후술하지만, 웨이퍼(Wf)의 피처리면을 상향으로 지지한다. 버프 테이블(400)은 진공 흡착에 의해 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 보유 지지할 수 있다. 웨이퍼(Wf)는 백킹재(450)(도 2 참조)를 통해 버프 테이블(400)에 흡착시키도록 해도 된다. 백킹재(450)는, 예를 들어 탄성을 갖는 발포 폴리우레탄으로 형성할 수 있다. 백킹재(450)는 버프 테이블(400)과 웨이퍼(Wf) 사이의 완충재로서, 웨이퍼(Wf)에 흠집이 생기는 것을 방지하거나, 버프 테이블(400)의 표면의 요철 버프 처리로의 영향을 완화할 수 있다. 백킹재(450)는 점착 테이프에 의해 버프 테이블(400)의 표면에 설치할 수 있다. 백킹재(450)는 공지된 것을 이용할 수 있고, 버프 테이블(400)의 개구부(404)에 대응하는 위치에 관통 구멍(452)이 형성되어 있는 것을 사용할 수 있다(도 2 참조). 또한, 버프 테이블(400)의 지지면(402)은 원형으로 할 수 있고, 원형의 웨이퍼(Wf)를 보유 지지할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 웨이퍼(Wf)가 백킹재(450)를 통해 버프 테이블(400)에 설치되는 경우는, 백킹재(450)가 설치된 상태에 있어서의 백킹재(450)의 표면이 웨이퍼(Wf)를 지지하는 「지지면」이 되고, 백킹재(450)를 통하지 않고 버프 테이블(400)에 직접적으로 웨이퍼(Wf)가 흡착되는 경우, 버프 테이블의 표면이 웨이퍼(Wf)를 지지하는 「지지면」이 된다. 이하, 단순히 「지지면」 또는 「버프 테이블의 지지면」이라고 하는 경우, 이 양자의 경우를 포함하는 것으로 한다.
또한, 버프 테이블(400)은 테이블(400) 상의 반송 기구로서, 도시하지 않은 반송 로봇에 의해 반송되는 웨이퍼(Wf)를 수취하고, 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 적재하기 위한 리프트 핀(480)(도 2 참조)을 갖는다. 리프트 핀(480)은 버프 테이블(400)의 외주를 따라 복수 배치되고, 도시하지 않은 기구에 의해 리프트 핀(480)이 신축하도록 되어 있다. 리프트 핀(480)은 리프트 핀(480)이 돌출된 상태에서 웨이퍼(Wf)의 외주부를 지지하여 수취하고, 그 후, 리프트 핀(480)이 후퇴하여 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 적재한다. 버프 처리가 종료된 후, 리프트 핀(480)이 돌출되고 웨이퍼(Wf)의 외주부를 지지하여 들어올리고, 반송 로봇이 웨이퍼(Wf)를 아래에서부터 픽업하도록 되어 있다.
또한, 버프 테이블(400)은 도시하고 있지 않은 구동 기구에 의해 회전축 AA의 주위로 회전할 수 있도록 되어 있다. 버프 헤드(500)는 상승 하강할 수 있도록 구성되어 있다. 버프 패드(502)는 버프 헤드(500)의 웨이퍼(Wf)에 대향하는 면에 설치된다. 버프 패드(502)는 버프 헤드(500)의 하강에 의해, 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 보유 지지된 웨이퍼(Wf)에 가압된다. 버프 아암(600)은 버프 헤드(500)를 회전축 BB 주위로 회전시킴과 함께, 버프 헤드(500)를 화살표 CC로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(Wf)의 직경 방향으로 요동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 버프 아암(600)은 버프 패드(502)가 컨디셔닝부(800)에 대향하는 위치까지 버프 헤드(500)를 요동할 수 있도록 되어 있다.
액 공급 계통(700)은 웨이퍼(Wf)의 처리면에 순수(DIW)를 공급하기 위한 순수 노즐(710)을 구비한다. 순수 노즐(710)은 순수 배관(712)을 통해 순수 공급원(714)에 접속된다. 순수 배관(712)에는 순수 배관(712)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(716)가 설치된다. 도시하지 않은 제어 장치를 사용하여 개폐 밸브(716)의 개폐를 제어함으로써, 임의의 타이밍에서 웨이퍼(Wf)의 처리면 또는 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 지지하기 위한 지지면(402)에 순수를 공급할 수 있다.
또한, 액 공급 계통(700)은 웨이퍼(Wf)의 처리면에 약액(Chemi)을 공급하기 위한 제1 약액 노즐(720)을 구비한다. 제1 약액 노즐(720)은 버프 세정 처리 또는 버프 연마 처리 후의 약액 세정에 있어서, 웨이퍼(Wf) 표면에 약액을 공급한다. 제1 약액 노즐(720)은 약액 배관(722)을 통해 제1 약액 공급원(724)에 접속된다. 약액 배관(722)에는 약액 배관(722)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(726)가 설치된다. 도시하지 않은 제어 장치를 사용하여 개폐 밸브(726)의 개폐를 제어함으로써, 임의의 타이밍에서 웨이퍼(Wf)의 처리면 또는 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 지지하기 위한 지지면(402)에 약액을 공급할 수 있다.
도 1의 실시 형태에 의한 버프 처리 모듈(300A)은 버프 아암(600), 버프 헤드(500) 및 버프 패드(502)를 통해, 웨이퍼(Wf)의 처리면 또는 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 지지하기 위한 지지면(402)에, 순수, 약액, 또는 슬러리를 선택적으로 공급할 수 있도록 되어 있다.
즉, 순수 배관(712)에 있어서의 순수 공급원(714)과 개폐 밸브(716) 사이로부터는 분기 순수 배관(712a)이 분기된다. 또한, 약액 배관(722)에 있어서의 제1 약액 공급원(724)과 개폐 밸브(726) 사이로부터는 분기 약액 배관(722a)이 분기된다. 분기 순수 배관(712a), 분기 약액 배관(722a) 및 슬러리 공급원(734)에 접속된 슬러리 배관(732)은 액 공급 배관(740)에 합류한다. 분기 순수 배관(712a)에는 분기 순수 배관(712a)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(718)가 설치된다. 분기 약액 배관(722a)에는 분기 약액 배관(722a)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(728)가 설치된다. 슬러리 배관(732)에는 슬러리 배관(732)을 개폐할 수 있는 개폐 밸브(736)가 설치된다.
액 공급 배관(740)의 제1 단부는 분기 순수 배관(712a), 분기 약액 배관(722a) 및 슬러리 배관(732)의 3계통의 배관에 접속된다. 액 공급 배관(740)은 버프 아암(600)의 내부, 버프 헤드(500)의 중앙 및 버프 패드(502)의 중앙을 통해 연신된다. 액 공급 배관(740)의 제2 단부는 웨이퍼(Wf)의 처리면 또는 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 지지하기 위한 지지면(402)을 향해 개방된다. 도시하지 않은 제어 장치는 개폐 밸브(718), 개폐 밸브(728) 및 개폐 밸브(736)의 개폐를 제어함으로써, 임의의 타이밍에서, 웨이퍼(Wf)의 피처리면 또는 버프 테이블(400)의 웨이퍼(Wf)를 지지하기 위한 지지면(402)에 순수, 약액, 슬러리 중 어느 하나, 또는 이들의 임의의 조합의 혼합액을 공급할 수 있다.
도시한 실시 형태에 의한 버프 처리 모듈(300A)은 액 공급 배관(740)을 통해 웨이퍼(Wf)에 처리액을 공급함과 함께 버프 테이블(400)을 회전축 AA 주위로 회전시켜, 버프 패드(502)를 웨이퍼(Wf)의 처리면에 가압하고, 버프 헤드(500)를 회전축 BB 주위로 회전시키면서 화살표 CC 방향으로 요동함으로써, 웨이퍼(Wf)에 버프 처리를 행할 수 있다.
도 1에 도시하는 컨디셔닝부(800)는 버프 패드(502)의 표면을 컨디셔닝하기 위한 부재이다. 컨디셔닝부(800)는 드레스 테이블(810)과, 드레스 테이블(810)에 설치된 드레서(820)를 구비한다. 드레스 테이블(810)은 도시하고 있지 않은 구동 기구에 의해 회전축 DD 주위로 회전할 수 있도록 되어 있다. 드레서(820)는 다이아몬드 드레서, 브러시 드레서, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
버프 처리 모듈(300A)은 버프 패드(502)의 컨디셔닝을 행할 때에는, 버프 패드(502)가 드레서(820)에 대향하는 위치가 될 때까지 버프 아암(600)을 선회시킨다(도 2 참조). 버프 처리 모듈(300A)은 드레스 테이블(810)을 회전축 DD 주위로 회전시킴과 함께 버프 헤드(500)를 회전시키고, 버프 패드(502)를 드레서(820)에 가압함으로써, 버프 패드(502)의 컨디셔닝을 행한다.
도 2는 일 실시 형태로서의 버프 테이블(400)의 단면을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 2는 백킹재(450) 및 웨이퍼(Wf)가 보유 지지된 상태를 도시하고 있다. 도 3a는 도 2의 버프 테이블(400)의 상면을 도시하는 사시도다. 버프 테이블(400)은 웨이퍼(Wf)의 피처리면을 상향으로 지지하기 위한 지지면(402)을 구비하고 있다. 버프 테이블(400)의 지지면(402)에는 웨이퍼(Wf)를 지지면(402)에 진공 흡착시키기 위한 복수의 제1 개구부(404)가 형성되어 있다. 또한, 버프 테이블(400)은 버프 테이블(400)의 내부에, 제1 개구부(404)까지 연장되는 제1 유체 통로(410)를 구비한다. 제1 유체 통로(410)는 진공원(746)에 접속된다. 또한, 제1 유체 통로(410)는 웨이퍼(Wf)를 탈착시킬 때에 사용할 수 있는 순수 공급원(714) 및 질소원(744)에 접속된다. 또한, 제1 유체 통로(410)는 제1 유체 통로(410) 내를 대기 개방하는 대기 개방 밸브(도시하지 않음)를 구비해도 된다. 예를 들어, 웨이퍼(Wf)를 탈착할 때는, 제1 유체 통로(410)의 진공을 해방하고, 소정 시간만 제1 유체 통로(410)에 순수를 공급하고, 그 후, 소정 시간만 질소를 공급하도록 할 수 있다. 또한, 버프 테이블(400)은 버프 테이블(400)의 지지면(402) 및/또는 제1 유체 통로(410)를 세정할 때에 임의 선택에서 사용할 수 있는 제2 약액 공급원(724)에 접속할 수 있다. 버프 테이블(400)의 제1 유체 통로(410)에 순수, 약액, 질소 가스를 공급하는 배관 및 제1 유체 통로(410)를 진공화하는 배관에는 각각 개폐 밸브(750, 752, 754, 756)가 설치된다. 도시하지 않은 제어 장치를 사용하여 개폐 밸브(750, 752, 754, 756)의 개폐를 제어함으로써, 임의의 타이밍에서 버프 테이블(400)의 제1 유체 통로(410)를 통해 지지면(402)에 순수, 약액 및 질소 가스를 공급할 수 있고, 또한 임의의 타이밍에서 제1 유체 통로(410)를 진공화할 수 있다.
도 4는 도 3a에 도시되는 버프 테이블(400)을 선분 E-E를 따라 잘라낸 단면을 도시하는 단면도이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 버프 테이블(400)은 버프 테이블(400)의 표면이 외측으로 확장되는 방향으로 연장되는 확장 테두리부(406)를 갖는다. 도 3a 및 도 4에 도시된 바와 같이, 확장 테두리부(406)에 위치하는 버프 테이블(400)의 지지면(402)에는 제2 개구부(424)(도 2에서는 생략되어 있음)가 형성된다. 또한, 확장 테두리부(406)에는 제2 개구부(424)까지 연장되는 제2 유체 통로(420)가 형성되어 있다. 제2 유체 통로(420)는 복수의 구멍으로 이루어지고, 확장 테두리부(406)를 관통하여 버프 테이블(400)의 밖으로 개방되어 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 제2 개구부(424)는 제1 개구부(404)가 배치되는 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 연속적인 복수의 홈으로서 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 홈은 버프 테이블(400)의 지지면(402)의 외주 부근에 형성되어 있다고도 할 수 있다. 제2 유체 통로(420)는 버프 테이블(400)의 지지면(402)의 외주 부근을 따라, 등간격으로 배치되어 있다. 홈은 일정한 간격으로 제2 유체 통로(420)에 접속되어 있고, 홈에 들어간 유체(예를 들어, 처리액)는 제2 유체 통로(420)를 통해 버프 테이블(400)의 외부로 배출된다. 도 3a에 도시되는 실시예에 있어서는, 제2 개구부(424)는 4개의 절결부(426)의 위치를 제외하고 버프 테이블(400)의 지지면(402)의 외주부 부근을 둘러싸도록 형성되어 있다. 다른 실시 형태로서, 제2 개구부(424)는 지지면(402)의 외주부 부근을 완전히 둘러싸는 1개의 링 형상의 홈으로서 형성해도 된다. 도 3b는 다른 실시 형태에 있어서의, 버프 테이블(400)의 절결부(426) 주변의 확대도이다. 또한, 도 3a, 도 3b에 도시되는 실시 형태에 있어서의 4개의 절결부(426)의 위치에는 리프트 핀(480)(도 2 참조)이 배치된다. 또한, 다른 실시 형태로서, 제2 개구부(424)는 제1 개구부(404)가 배치되는 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 복수의 구멍이어도 된다. 복수의 구멍으로서 형성되는 제2 개구부(424)는, 직접, 제2 유체 통로(420)에 접속된다.
도 6은 다른 실시 형태로서, 도 3a 또는 도 3b에 도시되는 버프 테이블(400)을 선분 E-E를 따라 잘라낸 단면을 도시하는 단면도이다. 또한, 도 6에 있어서, 제1 유체 통로(410), 백킹재(450)는 생략한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 유체 통로(420)가 형성되는 위치보다도 확장 테두리부(406)의 선단이 하향으로 연신되어 있고, 확장 테두리부(406)가 「차양」의 역할을 하고, 화살표로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(Wf)의 외주를 향해 밖으로 흐르는 처리액이 지지면(402)과 웨이퍼(Wf)의 이면 사이의 간극에 들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1에 도시되는 버프 처리 모듈(300A)에 있어서는, 버프 처리가 실시되는 웨이퍼(Wf)는 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 배치된다. 진공원(746)에 의해 제1 유체 통로(410)가 진공화됨으로써, 웨이퍼(Wf)의 이면을 제1 개구부(404)에 진공 흡착시켜 웨이퍼(Wf)가 보유 지지된다. 상술한 버프 처리 중에는 웨이퍼(Wf)의 피처리면에 슬러리나 다른 처리액 등이 공급된다. 버프 처리 중에는, 제1 유체 통로(410)는 진공화가 계속해서 이루어진다. 그로 인해, 웨이퍼(Wf)의 이면과 지지면(402) 사이, 또는 웨이퍼(Wf)와 백킹재(450) 사이의 간극에 부압이 형성된다. 따라서, 제2 개구부(424) 및 제2 유체 통로(420)를 설치하지 않은 경우, 슬러리나 처리액이 웨이퍼(Wf)의 외주로부터 간극을 통해 지지면(402)의 내측에 흡입된다. 도 1 내지 도 4에 도시되는 실시 형태에 의한 버프 테이블(400)을 사용하여 웨이퍼(Wf)를 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 경우, 제2 유체 통로(420)로부터 웨이퍼(Wf)와 지지면(402) 사이의 간극을 통해 제1 유체 통로(410)로 공기의 흐름이 발생하고, 제2 개구부(424) 근방 및 그 외측의 지지면(402)의 부압을 개방(대기 개방)할 수 있다. 따라서, 슬러리나 처리액이 웨이퍼(Wf)의 외주로부터 지지면(402)과 웨이퍼(Wf)의 이면 사이의 간극을 통해 제1 개구부(404) 및 제1 유체 통로(410)에 흡입되는 것을 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2 유체 통로(420)는 제2 개구부(424)를 대기 개방하는 대기 개방 경로로서의 역할을 갖는다. 제2 개구부(424)와는 반대측에 위치하는 제2 유체 통로(420)의 단부는 버프 테이블(400)의 밖으로 개방되어 있고, 제2 개구부(424)와는 반대측에 위치하는 제2 유체 통로(420)의 단부는 대기 개방구라고 칭할 수도 있다.
버프 처리가 종료되면, 웨이퍼(Wf)는 버프 테이블(400)로부터 탈착된다. 이때, 진공 흡착되어 있는 웨이퍼(Wf)를 탈착시키기 위해, 진공원(746)에 의한 제1 유체 통로(410)의 진공화를 정지하고, 순수 공급원(714)으로부터 제1 유체 통로(410)에 소정 시간만 순수를 공급하고, 그 후에, 질소원(744)으로부터 제1 유체 통로(410)에 소정 시간만 질소를 공급하고, 제1 유체 통로의 압력을 외기압보다도 높게 함으로써 웨이퍼(Wf)를 지지면(402)으로부터 탈착시킨다. 이때, 버프 처리했을 때에 사용한 슬러리 또는 처리액이 제1 유체 통로(410) 내에 흡입되어 있으면, 웨이퍼(Wf)를 탈착할 때의 순수 및 질소와 함께 흡입된 슬러리나 처리액이 제1 유체 통로(410) 및 제1 개구부(404)로부터 분출된다. 그 결과, 지지면(402)과 웨이퍼(Wf)의 이면 사이의 간극을 통해 슬러리나 처리액이 웨이퍼(Wf)의 외주로부터 분출되고, 또한 웨이퍼(Wf)의 피처리면측으로 돌아 들어가 웨이퍼(Wf)를 오염시키게 된다. 본 실시 형태에 의한 버프 테이블(400)을 사용하는 경우, 슬러리 및 처리액이 제1 유체 통로(410)로 버프 처리 중에 흡입되는 것이 억제 또는 최소화되므로, 웨이퍼(Wf)를 탈착할 때에, 웨이퍼(Wf)를 오염시키는 리스크가 경감된다. 또한, 소량의 슬러리 또는 처리액이 제1 유체 통로(410)에 흡입되어 있었다고 해도, 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)로부터 탈착시키기 위해 순수 및 질소를 제1 유체 통로(410)에 공급했을 때에, 순수, 질소, 슬러리 또는 처리액의 혼합 유체는 웨이퍼(Wf)의 에지에 도달하기 전에 제2 개구부(424) 및 제2 유체 통로(420)를 통해 버프 테이블(400)의 외부로 배출되므로, 혼합 유체가 웨이퍼(Wf)의 피처리면측으로 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2 유체 통로(420)는 제2 개구부(424)에 들어간 유체를 배출하는 유체 배출 경로로서의 역할을 갖는다. 제2 개구부와 반대측에 위치하는 제2 유체 통로(420)는 유체 배출구에 연결되어 있다고도 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 유체 통로(420)는, 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이 버프 테이블(400)을 관통하도록 형성되어 있지만, 대기 개방 경로 또는 유체 배출 경로로서의 제2 유체 통로(420)의 형태는 이들로 한정되지 않는다.
도 5는 일 실시 형태로서의 버프 테이블(400)의 단면을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 5는 도 2와 마찬가지로 백킹재(450) 및 웨이퍼(Wf)가 보유 지지된 상태를 도시하고 있다. 도 5에 도시되는 버프 테이블(400)은, 도 1 내지 도 4에 도시되는 실시 형태와 마찬가지로, 제1 개구부(404), 제1 유체 통로(410), 제2 개구부(424) 및 제2 유체 통로(420)를 구비하고 있다. 단, 도 5의 실시 형태의 버프 테이블(400)의 제2 유체 통로(420)는 도 1 내지 도 4의 실시 형태의 버프 테이블(400)의 제2 유체 통로(420)와는 달리, 버프 테이블(400)의 밖으로는 개방되어 있지 않다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 제2 유체 통로(420)는 제1 유체 통로(410)와 마찬가지로, 순수 공급원(714), 약액 공급원(724), 질소원(744) 및 진공원(746)에 접속된다. 제2 유체 통로(420)는 도시하지 않은 대기 개방 밸브에 접속되어 있어도 된다. 제2 유체 통로(420)에 들어간 불필요한 액체는 진공원(746)의 상류에 배치되는 기액 분리기(도시하지 않음)에 의해, 배출되도록 되어 있다. 그로 인해, 제2 유체 통로(420)에 각종 유체를 공급하거나, 제2 유체 통로를 진공화할 수 있다. 또한, 도 5에 있어서는 도시의 편의를 위해, 제1 유체 통로(410)와 제2 유체 통로(420)가, 동일한 경로에서 순수 공급원(714), 약액 공급원(724), 질소원(744) 및 진공원(746)에 접속되어 있도록 도시되어 있지만, 제1 유체 통로(410)와 제2 유체 통로(420)는 각각 별도의 경로에서 순수 공급원(714), 약액 공급원(724), 질소원(744) 및 진공원(746)에 접속되어 있고, 제1 유체 통로(410)와 제2 유체 통로(420)를 흐르는 유체는 개별로 전환할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼(Wf)를 탈착할 때에, 슬러리나 처리액에 의해 웨이퍼(Wf)를 오염시키는 리스크를 경감할 수 있다.
예를 들어, 버프 처리를 위해 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시키는 경우, 제2 유체 통로(420)를 진공화하여 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시킨다. 이때, 제1 유체 통로(410)는 진공화하지 않는다. 그로 인해, 버프 처리 중에 슬러리나 처리액이 제2 유체 통로(420)에 흡입되는 경우는 있지만, 제1 유체 통로(410)에는 흡입되지 않는다. 버프 처리가 종료되고, 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)으로부터 탈착시킬 때는, 제1 유체 통로(410)에 순수 및/또는 질소 가스를 공급하여 웨이퍼(Wf)를 탈착시킨다. 이때, 제2 유체 통로(420)에는 순수 및/또는 질소 가스를 공급하지 않는다. 그로 인해, 버프 처리 중에 제2 유체 통로(420)에 흡입된 슬러리나 처리액이, 웨이퍼(Wf)의 탈착 시에 웨이퍼 상에 분출하는 경우가 없으므로, 웨이퍼(Wf)를 오염시키는 리스크가 경감된다. 또한, 제2 유체 통로(420)에 들어간 슬러리나 처리액을 씻어 내기 위해, 웨이퍼(Wf)의 교환 시 등에, 제2 유체 통로(420)에 순수나 약액 등의 각종 유체를 공급하여 제2 유체 통로(420) 및 버프 테이블(400)의 지지면(402)을 세정해도 된다.
또한, 버프 처리를 위해 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시키는 경우, 제1 유체 통로(410)를 진공화하여 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시킨다. 이때, 제2 유체 통로(420)는 진공화하지 않는다. 그로 인해, 버프 처리 중에 슬러리나 처리액이 제1 유체 통로(410)에 흡입되는 경우는 있지만, 제2 유체 통로(420)에는 흡입되지 않는다. 버프 처리가 종료되고, 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)으로부터 탈착시킬 때는, 제2 유체 통로(420)에 순수 및/또는 질소 가스를 공급하여 웨이퍼(Wf)를 탈착시킨다. 이때, 제1 유체 통로(410)에는 순수 및/또는 질소 가스를 공급하지 않는다. 그로 인해, 버프 처리 중에 제1 유체 통로(410)에 흡입된 슬러리나 처리액이, 웨이퍼(Wf)의 탈착 시에 웨이퍼 상에 분출하는 경우가 없으므로, 웨이퍼(Wf)를 오염시키는 리스크가 경감된다. 또한, 제1 유체 통로(410)에 들어간 슬러리나 처리액을 씻어 내기 위해, 웨이퍼(Wf)의 교환 시 등에, 제1 유체 통로(410)에 순수나 약액 등의 각종 유체를 공급하여 제1 유체 통로(410) 및 버프 테이블(400)의 지지면(402)을 세정해도 된다.
또한, 일 실시 형태로서, 버프 처리를 위해 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시키는 경우, 제1 유체 통로(410)와 제2 유체 통로(420)의 양쪽을 진공화하여 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)에 진공 흡착시킬 수 있다. 그로 인해, 버프 처리 중에 슬러리나 처리액이 외측에 배치되는 제2 유체 통로(420)에 흡입되는 경우는 있지만, 내측에 배치되는 제1 유체 통로(410)에는 거의 흡입되지 않는다. 버프 처리가 종료되고, 웨이퍼(Wf)를 버프 테이블(400)의 지지면(402)으로부터 탈착시킬 때는, 제1 유체 통로(410)에 순수 및/또는 질소 가스를 공급하여 웨이퍼(Wf)를 탈착시킬 수 있다. 이때, 제2 유체 통로(420)에는 순수 및/또는 질소 가스를 공급하지 않는다. 버프 처리 중에 제2 유체 통로(420)에 흡입된 슬러리나 처리액이, 웨이퍼(Wf)의 탈착 시에 웨이퍼 상에 분출하는 경우가 없으므로, 웨이퍼(Wf)를 오염되는 리스크가 경감된다. 또한, 제2 유체 통로(420)에 들어간 슬러리나 처리액을 씻어 내기 위해, 웨이퍼(Wf)의 교환 시 등에, 제2 유체 통로(420)에 순수나 약액 등의 각종 유체를 공급하여 제2 유체 통로(420) 및 버프 테이블(400)의 지지면(402)을 세정해도 된다.
도 5에 도시되는 실시 형태에 있어서, 제1 개구부(404), 제1 유체 통로(410), 제2 개구부(424) 및 제2 유체 통로(420)의 배치는 임의의 배치로 할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시되는 실시 형태의 버프 테이블(400)에 있어서, 제2 개구부(424) 및 제2 유체 통로(420)를, 확장 테두리부(406)에 형성해도 되고, 그 이외의 위치에 형성해도 된다.
이상과 같이, 본원 발명의 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치에 대해, 버프 처리 장치를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 상술한 버프 처리 장치로 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 개시되는 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치는 진공 흡착하여 처리 대상물을 보유 지지하는 다른 장치에도 적용할 수 있다. 본 명세서에 개시되는 테이블은, 특히, 기판에 액체를 공급하여 기판을 처리하는 습식 기판 처리 장치에 있어서, 적용할 수 있다.
400 : 테이블
402 : 지지면
404 : 제1 개구부
406 : 확장 테두리부
410 : 제1 유체 통로
420 : 제2 유체 통로
424 : 제2 개구부
450 : 백킹재
452 : 관통 구멍
502 : 연마 패드
714 : 순수 공급원
724 : 약액 공급원
744 : 질소원
746 : 진공원
Wf : 웨이퍼

Claims (17)

  1. 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치이며,
    기판을 보유 지지하기 위한 테이블과,
    상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖고,
    상기 테이블은,
    기판을 지지하기 위한 지지면과,
    상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와,
    상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 상기 제2 개구부를 대기 개방하도록 구성되는 제2 유체 통로를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 유체 통로는 상기 테이블의 적어도 일부를 관통하도록 연장되는, 습식 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 테이블은 상기 테이블의 표면이 확장되는 방향으로 연장되는 확장 테두리부를 갖고, 상기 제2 개구부는 상기 확장 테두리부에 위치하고, 상기 제2 유체 통로는 상기 확장 테두리부를 관통하여 연장되는, 습식 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 유체 통로는 상기 제1 유체 통로를 통해 상기 제1 개구부로부터 유체를 공급하기 위한 유체 공급원에 접속 가능하게 구성되는, 습식 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는 습식 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성되는, 습식 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는 습식 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치이며,
    기판을 보유 지지하기 위한 테이블과,
    상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖고,
    상기 테이블은,
    기판을 지지하기 위한 지지면과,
    상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와,
    상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 유체 공급원에 접속 가능하게 구성되는 제2 유체 통로를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성되는, 습식 기판 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서, 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  12. 기판을 처리하기 위한 습식 기판 처리 장치이며,
    기판을 보유 지지하기 위한 테이블과,
    상기 테이블에 보유 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 기구를 갖고,
    상기 테이블은,
    기판을 지지하기 위한 지지면과,
    상기 지지면에 형성되는 제1 개구부와,
    상기 지지면에 형성되어, 상기 제1 개구부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되는 제2 개구부와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제1 개구부까지 연장되어, 유체 공급원에 접속 가능하게 구성되는 제1 유체 통로와,
    상기 테이블을 통해 상기 지지면의 상기 제2 개구부까지 연장되어, 진공원에 접속 가능하게 구성되는 제2 유체 통로를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 유체는 공기, 질소 및 물로 이루어지는 그룹 중 적어도 하나를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서, 제1 유체 통로는 진공원에 접속 가능하게 구성되는, 습식 기판 처리 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 테이블은 회전 가능하게 구성되는, 습식 기판 처리 장치.
  16. 제12항에 있어서, 기판을 연마 처리하기 위한 연마 패드를 갖는, 습식 기판 처리 장치.
  17. 기판을 보유 지지하기 위한 테이블에 배치 가능한 백킹재이며,
    상기 백킹재는 제1항에 기재된 습식 기판 처리 장치의 테이블에 배치되었을 때에, 상기 테이블의 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부의 위치에 대응하는 위치에 관통 구멍을 갖는, 백킹재.
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