JP2001044151A - 化学的機械研磨用キャリアヘッド - Google Patents

化学的機械研磨用キャリアヘッド

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JP2001044151A
JP2001044151A JP2000120246A JP2000120246A JP2001044151A JP 2001044151 A JP2001044151 A JP 2001044151A JP 2000120246 A JP2000120246 A JP 2000120246A JP 2000120246 A JP2000120246 A JP 2000120246A JP 2001044151 A JP2001044151 A JP 2001044151A
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guide ring
polishing
slurry
head according
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JP2000120246A
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Saa Wii Kuuku Sebastian
セバスチャン・サー・ウィー・クーク
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GlobalFoundries Singapore Pte Ltd
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Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd
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    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 化学的機械研磨(CMP)中、研磨パッドに
対する半導体ウェハの圧力の均一さを向上させるキャリ
アヘッドを提供する。 【解決手段】 第1実施例の形態は、キャリア48内に
ねじ込まれた独立的な調節ねじ58を使用して、ウェハ
の圧力を均一にし且つ案内リング50の寿命を引き延ば
す。調節ねじは、内方にねじ込んで、支持板を使用して
案内リングに取り付けられた保持ねじを受け入れる。こ
れにより、各調節ねじにてキャリアと案内リングとの間
の間隔を容易に変化させる。調節ねじの各々の回り止め
ナット56を使用して設定された各空隙を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体として、半導
体ウェハキャリア、より具体的には、研磨工程中、ウェ
ハを保持するのに使用される装置を改良する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造には、ウェハ上に被覆した
薄い膜の厚さを薄くし、平坦にするために化学的及び物
理的研磨の組み合わせを使用することがよくある。典型
的に、ウェハは、研磨ヘッド内に配置されて、スラリー
が付与された、回転する研磨パッドと接触する。ウェハ
を保持する研磨ヘッドも回転して、平坦化工程をより均
一にすることがしばしばである。
【0003】図1及び図2には、研磨工程のための現在
の技術について、その断面図が概略図的に図示されてい
る。ウェハ14は、案内リング20により所定位置に横
向きに保持されている。ウェハ上の薄膜の平坦化を促進
するために、ウェハ14を研磨パッド12に対して保持
するキャリア18に、上方から均一な圧力が機械的に付
与される。ウェハ14への均一な圧力を保つために、通
常、薄いキャリア膜16がキャリア18に取り付けられ
る。研磨台10及び研磨パッド12は、所定の速度にて
回転する一方、大抵の場合、キャリア18、キャリア膜
16及びウェハ14は、第二の所定の速度にて回転す
る。自動的なローディング及びアンローディングの間、
ウェハは、通路22を介して真空圧力によりキャリア上
に保持される。
【0004】現在の技術では、案内リングとキャリアと
の間に空隙を設定するためプラスチック製又は金属製の
シムを使用する。このことは、化学的機械研磨(CM
P)の間、ウェハがキャリアの下方に留まることを確実
にする。シムの厚さは、案内リングの外周の周りにおい
て調節可能ではなく、シムの厚さの変化、及び案内リン
グの不均一な摩耗のために、ウェハに対し不均一な圧力
が加わる可能性がある。このことは、CMP処理を行う
間、薄い膜材料を不均一に除去することになり、処理特
性を損なうことになる。案内リングが仕様に適合しなく
なった場合、案内リングは、再調整するか、或いは廃棄
しなければならないため、運転コストもまた増大する。
【0005】CMP処理の完了後に、ウェハを研磨台か
ら取り去るために真空圧が使用される。この除去処理の
間、真空圧により、研磨スラリーがキャリアと案内リン
グとの間の接触点内に吸引されることがある。この領域
内でのスラリーは、案内リングを許容公差から外してし
まい、スラリーが乾燥すると、問題を悪化させる。スラ
リーが、空隙内に均一に充填されないため、ウェハを研
磨する間に、付与される圧力が均一になるのを阻害す
る。
【0006】他の方策は、研磨中、ウェハの表面の全体
に、均一な圧力を保つときの問題点を解決しようと試み
るものである。シャーウッド(Sherwood)及び
その他の者への米国特許第5,681,215号には、
2つの圧力チャンバを形成する多数のベローズを使用す
る方法が教示されている。一方のチャンバは、ウェハの
全体に均一な負荷を加えるために使用され、他方のチャ
ンバは、保持リング及びウェハを研磨パッドに対して押
し付けるために使用される。ヤノ(Yano)及びその
他の者への米国特許第5,876,273号には、キャ
リアと案内リングとの間に圧力吸収部材を使用する方法
が教示されている。この部材は、ウェハ上に均一な圧力
を維持しつつ、案内リングがキャリアに対して移動する
のを許容する。コバヤシ(Kobayashi)及びそ
の他の者への米国特許第5,584,751号には、C
MP処理を行う間、ダイヤフラムに圧力を加えて、ウェ
ハ及びキャリアの位置を調節することを許容する方法が
開示されている。ストラスバウ(Strasbaug
h)への米国特許第5,423,716号には、可撓性
の部材上に負圧を使用して、ローディング及びアンロー
ディングの間、ウェハを保持する方法が教示されてい
る。これは、薄膜内に小さい吸引カップを形成して、ウ
ェハを所定位置に保持するものである。薄膜に対し正圧
を付与することにより、ウェハは解放することができ、
又は、CMPの間、均一な圧力にて研磨パッドに対して
保持することができる。バーンズ(Barns)及びそ
の他の者への米国特許第5,851,140号には、C
MP法を行う間、ウェハに均一な圧力を保つエアピロー
を提供する可撓性のキャリア・プレートを使用する方法
が教示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、研磨中、半導体ウェハを保持する改良に係る機構を
提供することである。
【0008】本発明の第二の目的は、研磨中、ウェハに
均一な圧力を付与するキャリア機構を提供することであ
る。このことは、薄膜の半導体材料を均一に平坦化する
結果となる。
【0009】本発明の更なる目的は、案内リングとキャ
リアとの間にシムを使用することを不要にし且つシムを
選択し、取り付けることに関連するコストを解消するこ
とである。
【0010】本発明の別の目的は、スラリーが案内リン
グとキャリアとの間の接触点に侵入するのを防止するこ
とである。スラリーが案内リングとキャリアとの間に溜
まらないようにすることは、ウェハをより均一な圧力に
て研磨パッドに対して保持することが可能になる。
【0011】本発明の別の目的は、案内リングの有効寿
命を引き延ばし且つ案内リングの再調整コストを削減す
ることである。
【0012】本発明の更に別の目的は、案内リングの磨
耗を補償するのに必要な作業時間を短縮することであ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、現在の
ウェハキャリアヘッドに対する2つの解決手段により実
現される。第一の解決手段は、キャリアの外周に沿って
均一に隔てられた複数の調節ねじを使用することであ
る。これらの調節ねじは、ウェハを研磨パッドに対して
平らに配置し、案内リングとキャリア膜との間にシムを
使用しなくても済むようにする。第二の解決手段は、O
リングガスケットを備えたL字形の案内リングと、空気
口が形成されたキャリアとを使用することである。空気
口、L字形の案内ガイド及びOリングを組み合わせるこ
とにより、スラリーがキャリアと案内リングとの間の接
触点に吸引されるのが防止される。この接触点にスラリ
ーが侵入し得るならば、ウェハは非整合状態となり、C
MP処理を行う間、材料が不均一に除去される結果とな
る。
【0014】
【発明の実施の形態】添付図面には、本明細書の重要な
部分を形成する事項が記載されている。
【0015】先ず、図3、図4、図5をより具体的に参
照すると、本発明の一実施の形態が図示されている。図
3には、キャリア48の外周の内側において均等に隔て
られた複数の調節ねじ58が図示されている。調節ねじ
58の本数を変更して、僅か3本とすることも可能であ
ることを理解すべきである。次に、図3の案内リング5
0を参照すると、支持板52が、複数の皿ねじ(図示せ
ず)を使用して案内リング50の上面に沿って取り付け
られる。皿ねじの位置は、調節ねじ58と支持板52と
の間の接触点を干渉してはならない点を除いて、重要で
はない。案内ガイド50は、保持ねじ60の頭部を受け
入れるキャビティ(この図に図示せず)を有している。
調節ねじ58は、組み立てたときに保持ねじ60を受け
入れ得るようにねじが形成されており、これにより、キ
ャリア48を支持板52及び案内リング50に取り付け
る。次に、キャリア48と案内リング50との間の空隙
(この図面に図示せず)を変化させ得るように複数の調
節ねじ58を個々に回すことができる。このことは、試
行錯誤的なシムの選択を不要にすることによりこの工程
の作業時間を短縮することになる。
【0016】次に、図4を参照すると、キャリア48及
び案内リング50の底面図が図示されている。図4か
ら、キャリア48及び案内リング50が、それぞれ複数
のかみ合う歯62と、溝又はスロット64を有すること
に気づくであろう。歯62及び溝又はスロット64は、
組み立てたとき、キャリア48と案内リング50との間
の回転を防止する。歯62及び溝又はスロット64はス
トレートな形状、或いはあり継ぎ形状とすることができ
る。
【0017】次に、図5を参照すると、組み立てられた
キャリアヘッド及び研磨台40の断面図が図示されてい
る。研磨台40は、研磨スラリー(図示せず)が供給さ
れるパッド42により覆われている。CMP処理を行う
間、研磨台40及びパッド42は一定の速度で回転す
る。案内リング50は、キャリア48の同心状の溝又は
切欠き内に配置される。ウェハ44は、研磨中、案内リ
ング50により横向きに保持されている。キャリア膜
(弾性キャリア膜)46は、キャリア48の下側に添着
されている。圧力がキャリア膜46を通じてキャリア4
8からウェハ44に付与される。キャリア膜46の目的
は、キャリア48の如何なる欠陥(凹凸等)を吸収し、
これにより、ウェハ44に均一な圧力を付与することで
ある。ウェハ44がパッド42に対して圧力を加え、ス
ラリーを保持する結果、半導体薄膜が除去されることに
なる。調節ねじ58は、回り止めナット56及びキャリ
ア48のねじ付き穴を通って進む。保持ねじ60は、ね
じ付き端部が支持板52の穴を通って上方に向くように
配置される。保持ねじ60の頭部は、案内リング50の
キャビティ内に取り付けられ、支持板52は、複数の皿
ねじ(図示せず)を使用して、案内リング50に取り付
けられる。キャリアヘッドを組み立てたとき、調節ねじ
58は保持ねじ60にかみ合って、支持板52の上面と
キャリア48の下合わせ面との間の空隙66を調節ねじ
58の各位置にて調節することが可能になる。一旦、空
隙66の所望の高さが実現されたならば、回り止めナッ
ト56を締め付けて、調節ねじ58が動くのを防止す
る。
【0018】案内リング50の外周に沿ってキャリア4
8と支持板52との間の空隙66を独立的に調節するこ
とは幾つかの有利な点がある。第一に、シムが不要とな
り、また、シムと関係した試行錯誤的な空隙の調節も解
消される。更に、本発明のこの実施の形態を使用するこ
とにより、案内リング50の磨耗を補償するのに必要な
調節は、キャリアヘッドを分解せずに行うことができ、
これにより、メンテナンス時間及び組立時間を短縮する
ことができる。最後に、案内リング50の下面をウェハ
44の下面に対して平行にすることにより、ウェハ44
に付与された圧力は均一となり、これにより、CMP処
理を行う間、材料を均一に除去する度合いを向上させる
ことができる。
【0019】次に、図6及び図7を参照すると、本発明
の第二の実施の形態が図示されている。キャリアヘッド
のこの実施の形態は、スラリーがキャリアと案内リング
との間の接触点に侵入するのを防止する。次に、均等な
間隔で複数の空気口72を備えたキャリア70を示す、
図6をより具体的に参照する。空気口72の数は、3乃
至12とすることができる。また、キャリア70には、
真空圧ポート74も図示されている。次に、図7を参照
すると、完成したキャリアヘッド及び研磨台84の断面
図が図示されている。研磨台84はパッド82により覆
われており、研磨台84及びパッド82が一定の速度で
回転する間、研磨スラリー(図示せず)がこのパッド上
に供給される。L字形の案内リング86は、キャリア7
0の同心状の溝又は切欠き内に配置されている。キャリ
ア膜(弾性キャリア膜)78はキャリア70の底面に添
着されており、キャリア70の下面の如何なる欠陥(凹
凸)を吸収する。圧力はキャリア膜78を通じてキャリ
ア70からウェハ80に付与される。この実施の形態に
おいて、ウェハ80は、研磨中、案内リング86により
横向きに保持されている。空気口72の位置は、これら
空気口が案内リング86の内周と一致するような位置で
ある。負圧が真空圧ポート74に付与されると、スラリ
ーを研磨パッド82から上方に吸引するのではなく、空
気が空気口72を通って下方に流れる。Oリング76も
また、スラリーがキャリア70と案内リング86との間
の接触点88に侵入することをも防止する。Oリング7
6は、案内リング86又はキャリア70の何れかの一部
とすることができる。Oリングが案内リング86の一部
であるならば、キャリア70は、Oリング76を受け入
れ得るように溝が形成されることになる。これとは逆
に、Oリングがキャリア70の一部であるならば、Oリ
ング76を受け入れ得るように、案内リング86に溝が
形成されるようにする。
【0020】この実施の形態は、スラリーがキャリア7
0と案内リング86の上面との間の接触点88に入るの
を防止するという有利な点がある。これは、3つの方法
により実現される。第一に、案内リング86のL字形の
形状によってスラリーがその上面に達するのを阻止する
縁部を形成する。第二に、空気口72によって、スラリ
ーをウェハ80の下方にて研磨パッド82から吸引せず
に、空気をキャリア70の上方から真空ポート74に向
けて吸引されるようにする。最後に、キャリア70と案
内リング86の上面との間に配置されたOリングによっ
て、スラリーがこれらの間の接触点88に達しないよう
にする。
【0021】特に、具体的には図示しないが、本発明の
上記2つの実施の形態を組み合わせて、改良されたキャ
リア組立体とすることも可能である。
【0022】本発明はその好適な実施の形態に関して具
体的に図示し且つ説明したが、本発明の精神及び範囲か
ら逸脱せずに、その形態及び細部に色々な変更を加え得
ることが当業者には理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】CMP機構の全体図を示す、CMP処理におけ
る従来技術の概略図的な断面図である。
【図2】典型的なキャリアヘッド組立体の図である。
【図3】シムを交換するため調節ねじが使用される本発
明の第一実施のキャリアヘッド組立体の図である。
【図4】図3と同様のキャリアヘッド組立体の図であ
る。
【図5】図3と同様のキャリアヘッド組立体の図であ
る。
【図6】Oリングを有するL字形の案内リングと、空気
口を有するキャリアとを使用する、本発明の第二実施の
キャリアヘッド組立体の図である。
【図7】図6のキャリアヘッド組立体の断面図である。
【符号の説明】
40 研磨台 42 研磨パッド 44 ウェハ 46 キャリア膜 48 キャリア 50 案内リング 52 支持板 56 回り止めナッ
ト 58 調節ねじ 60 保持ねじ 62 歯 64 溝/スロット 66 空隙 70 キャリア 72 空気口 74 真空圧ポート 76 Oリング 78 キャリア膜 80 ウェハ 82 研磨パッド 84 研磨台 86 L字形の案内
リング 88 接触点

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学的機械研磨用キャリアヘッドにおい
    て、 研磨スラリーを保持する研磨パッドに対してウェハを押
    し付けるキャリアと、 前記ウェハを前記キャリアの下方に保持し得るように前
    記キャリアの同心状の溝又は切欠き内に配置された案内
    リングと、 前記キャリア内にねじ込まれた複数の調節ねじと、 前記キャリアの上方に配置された前記調節ねじの各々に
    取り付けられた回り止めナットと、 前記案内リングの上面に取り付けられた支持板と、 前記支持板を通って上方を向いたねじ付き端部を有する
    複数の保持ねじとを備え、 前記支持板の上面と前記キャリアの下面との間に空隙が
    あり、 前記保持ねじの各々が前記調節ねじの1つにねじ込ま
    れ、前記空隙の高さが前記調節ねじにより制御される、
    化学的機械研磨用キャリアヘッド。
  2. 【請求項2】 請求項1によるキャリアヘッドにおい
    て、前記支持板が、皿ねじにより前記案内リングに取り
    付けられる、キャリアヘッド。
  3. 【請求項3】 請求項1によるキャリアヘッドにおい
    て、前記キャリアが、歯を有し、前記案内リングが、組
    み立て中に前記キャリアを前記案内リングに対して係止
    する、対応するスロットを有する、キャリアヘッド。
  4. 【請求項4】 請求項1によるキャリアヘッドにおい
    て、前記キャリアが、該キャリアの下面に添着された弾
    性キャリア膜を有する、キャリアヘッド。
  5. 【請求項5】 化学的機械研磨用キャリアヘッドにおい
    て、 研磨スラリーを保持する研磨パッドに対してウェハを押
    し付けるキャリアと、 前記キャリアの同心状の合わせ溝内にて前記キャリアの
    下方に配置され、前記ウェハを前記キャリアの下方に保
    持するL字形の案内リングと、 前記キャリア内に穿孔された複数の空気口と、 前記キャリアに形成された複数の真空圧ポートと、 前記案内リングに形成されたスロットをライニングする
    複数のOリングとを備える、化学的機械研磨用キャリア
    ヘッド。
  6. 【請求項6】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記キャリアが、歯を有し、前記案内リングが、研
    磨中に前記キャリアを前記案内リングに対して係止す
    る、対応するスロットを有する、キャリアヘッド。
  7. 【請求項7】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記キャリアが、該キャリアの下面に添着された弾
    性キャリア膜を有する、キャリアヘッド。
  8. 【請求項8】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記L字形の案内リングは、前記スラリーが前記キ
    ャリアと前記案内リングとの間の接触面に侵入するのを
    防止する、キャリアヘッド。
  9. 【請求項9】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記Oリングは、前記スラリーが前記キャリアと前
    記案内リングとの間の接触面に侵入するのを防止する、
    キャリアヘッド。
  10. 【請求項10】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記真空圧ポートからの真空圧が、スラリーを前記
    研磨ヘッドから吸引せずに、空気が前記キャリアの上方
    から前記空気口を通じて吸引されるようにし、これによ
    り、前記スラリーが前記キャリアと前記案内リングとの
    間の接触面に侵入するのを防止する、キャリアヘッド。
  11. 【請求項11】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記空気口の数が3乃至12の範囲である、キャリ
    アヘッド。
  12. 【請求項12】 化学的機械研磨用キャリアヘッドにお
    いて、 研磨スラリーを保持する研磨パッドに対してウェハを押
    し付けるキャリアと、 前記キャリアの同心状の合わせ溝又は合わせ切欠き内に
    て、前記キャリアの下方に配置され、前記ウェハを前記
    キャリアの下方に保持するL字形の案内リングと、 前記キャリア内に穿孔された複数の空気口と、 前記キャリアに形成された複数の真空圧ポートと、 前記案内リングに形成されたスロットをライニングする
    複数のOリングとを備える、キャリアヘッド。
  13. 【請求項13】 請求項12によるキャリアヘッドにお
    いて、前記キャリアが、歯を有し、前記案内リングが、
    研磨中、前記キャリアを前記案内リングに対して係止す
    る、対応するスロットを有する、キャリアヘッド。
  14. 【請求項14】 請求項12によるキャリアヘッドにお
    いて、前記キャリアが、該キャリアの下面に添着された
    弾性キャリア膜を有する、キャリアヘッド。
  15. 【請求項15】 請求項12によるキャリアヘッドにお
    いて、前記L字形の案内リングは、前記スラリーが前記
    キャリアと前記案内リングとの間の接触面に侵入するの
    を防止する、キャリアヘッド。
  16. 【請求項16】 請求項5によるキャリアヘッドにおい
    て、前記Oリングは、前記スラリーが前記キャリアと前
    記案内リングとの間の接触面に侵入するのを防止する、
    キャリアヘッド。
  17. 【請求項17】 請求項12によるキャリアヘッドにお
    いて、前記真空圧が、スラリーを前記研磨ヘッドから吸
    引せずに、空気が前記キャリアの上方から前記空気口を
    通じて吸引されるようにし、これにより、前記スラリー
    が前記キャリアと前記案内リングとの間の接触面に侵入
    するのを防止する、キャリアヘッド。
  18. 【請求項18】 請求項12によるキャリアヘッドにお
    いて、前記空気口の数が3乃至12の範囲である、キャ
    リアヘッド。
JP2000120246A 1999-07-29 2000-04-21 化学的機械研磨用キャリアヘッド Pending JP2001044151A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004075275A1 (en) * 2001-06-07 2004-09-02 Doosan Dnd Co., Ltd. Carrier head for chemical mechanical polishing apparatus
KR100814068B1 (ko) 2007-03-30 2008-03-17 티아이씨덕흥 주식회사 Cmp 장비의 웨이퍼 연마 헤드
KR100899336B1 (ko) 2009-02-03 2009-05-27 지앤피테크놀로지 주식회사 화학적 기계적 연마 장치의 연마 헤드
KR101372193B1 (ko) 2012-09-09 2014-03-25 전용준 캐리어 헤드 하우징과 보유 링 간의 결합 상태 점검 기능을 갖는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이를 이용한 감시방법
KR20160141656A (ko) * 2015-06-01 2016-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US6666756B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US7029381B2 (en) * 2000-07-31 2006-04-18 Aviza Technology, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
TW577785B (en) * 2000-07-31 2004-03-01 Silicon Valley Group Apparatus and method for chemical mechanical polishing of substrates
US6652357B1 (en) * 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
KR100416808B1 (ko) * 2002-02-04 2004-01-31 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 씨엠피장치의 연마헤드 및 이를 구비한씨엠피장치
US6716299B1 (en) * 2002-06-28 2004-04-06 Lam Research Corporation Profiled retaining ring for chemical mechanical planarization
JP4490822B2 (ja) * 2002-09-27 2010-06-30 Sumco Techxiv株式会社 研磨装置およびウェーハ研磨方法
AU2003300375A1 (en) 2002-10-11 2004-05-04 Semplastics, L.L.C. Retaining ring for use on a carrier of a polishing apparatus
TW555148U (en) * 2002-11-11 2003-09-21 Nanya Technology Corp Guide-ring disassembling device
US6974371B2 (en) * 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
US6869348B1 (en) * 2003-10-07 2005-03-22 Strasbaugh Retaining ring for wafer carriers
US7063604B2 (en) * 2004-03-05 2006-06-20 Strasbaugh Independent edge control for CMP carriers
US20070010180A1 (en) * 2005-07-06 2007-01-11 Agere Systems, Inc. Carrier employing snap-fitted membrane retainer
US7530153B2 (en) * 2005-09-21 2009-05-12 Applied Materials, Inc. Attaching components of a carrier head
US7210991B1 (en) 2006-04-03 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Detachable retaining ring
BRPI0713252C1 (pt) 2006-07-14 2021-05-25 Genentech Inc processo para a recuperação de fator de crescimento endotelial vascular (vegf) recombinante reenovelado
JP5199691B2 (ja) * 2008-02-13 2013-05-15 株式会社荏原製作所 研磨装置
US20110275216A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 Macronix International Co., Ltd. Two step chemical-mechanical polishing process
US9272387B2 (en) * 2011-04-13 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Carrier head with shims
US9393668B2 (en) * 2012-07-12 2016-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Polishing head with alignment gear
JP6398939B2 (ja) * 2015-10-07 2018-10-03 信越半導体株式会社 テンプレートの測定方法及び評価方法
FR3055001B1 (fr) * 2016-08-10 2022-04-01 Safran Aircraft Engines Systeme de changement de pas equipe de moyens de reglage du pas des pales et turbomachine correspondante
CN110802507A (zh) * 2019-11-11 2020-02-18 上海华力微电子有限公司 研磨头和化学机械研磨设备
CN111347345B (zh) * 2020-04-16 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种用于化学机械抛光的保持环和承载头
CN111702656B (zh) * 2020-07-04 2021-08-17 林燕 一种间距可控的化学机械研磨头
CN112757143B (zh) * 2020-12-30 2022-11-25 上海理工大学 用于轴承外圈内滚道的可替换式气囊抛光装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377451A (en) * 1993-02-23 1995-01-03 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer polishing apparatus and method
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5423716A (en) 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
JP2933488B2 (ja) * 1994-08-10 1999-08-16 日本電気株式会社 研磨方法および研磨装置
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5681215A (en) 1995-10-27 1997-10-28 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US5569062A (en) * 1995-07-03 1996-10-29 Speedfam Corporation Polishing pad conditioning
US5876273A (en) 1996-04-01 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for polishing a wafer
JP3183388B2 (ja) * 1996-07-12 2001-07-09 株式会社東京精密 半導体ウェーハ研磨装置
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置
US5851140A (en) 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
US6244946B1 (en) * 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
DE69813374T2 (de) * 1997-05-28 2003-10-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Halbleiterscheibe Poliervorrichtung mit Halterring
US5993302A (en) * 1997-12-31 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus
US5989104A (en) * 1998-01-12 1999-11-23 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with monopiece pressure plate and low gimbal point
US6030275A (en) * 1998-03-17 2000-02-29 International Business Machines Corporation Variable control of carrier curvature with direct feedback loop
US6196904B1 (en) * 1998-03-25 2001-03-06 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6089960A (en) * 1998-06-03 2000-07-18 One Source Manufacturing Semiconductor wafer polishing mechanism
US6283828B1 (en) * 1998-11-09 2001-09-04 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
US6089961A (en) * 1998-12-07 2000-07-18 Speedfam-Ipec Corporation Wafer polishing carrier and ring extension therefor
US6276998B1 (en) * 1999-02-25 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Padless substrate carrier
US6368189B1 (en) * 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
JP3294600B1 (ja) * 2001-02-28 2002-06-24 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004075275A1 (en) * 2001-06-07 2004-09-02 Doosan Dnd Co., Ltd. Carrier head for chemical mechanical polishing apparatus
CN100390942C (zh) * 2001-06-07 2008-05-28 斗山Mecatec株式会社 用于化学机械抛光装置的托架头
KR100814068B1 (ko) 2007-03-30 2008-03-17 티아이씨덕흥 주식회사 Cmp 장비의 웨이퍼 연마 헤드
KR100899336B1 (ko) 2009-02-03 2009-05-27 지앤피테크놀로지 주식회사 화학적 기계적 연마 장치의 연마 헤드
KR101372193B1 (ko) 2012-09-09 2014-03-25 전용준 캐리어 헤드 하우징과 보유 링 간의 결합 상태 점검 기능을 갖는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이를 이용한 감시방법
KR20160141656A (ko) * 2015-06-01 2016-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치
US10898987B2 (en) 2015-06-01 2021-01-26 Ebara Corporation Table for holding workpiece and processing apparatus with the table
KR102330997B1 (ko) 2015-06-01 2021-11-26 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 처리 대상물을 보유 지지하기 위한 테이블 및 당해 테이블을 갖는 처리 장치

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