JP2020184581A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の研磨によって発生する異物を確実に除去して、基板の表面への異物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、処理ヘッドと、支持機構３と、洗浄機構４と、処理ヘッド、支持機構３、および洗浄機構４が内部に配置された研磨ハウジング５と、を備えている。洗浄機構は、ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１のうちの少なくとも１つを備え、ペン型洗浄具は回転する基板Ｗに押し付けられ、回転しながら基板上を往復運動する。二流体ジェットノズルは炭酸水と窒素ガスの混合流体を、基板上に噴射する。【選択図】図２

Description

本発明は、ウェハなどの基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。

ウェハなどの基板の表面（デバイス面）には、半導体デバイスが形成されている。このような基板の表面に研磨屑などの異物（パーティクル）が付着すると、基板は汚染されてしまい、結果として、半導体デバイスの製造における歩留まりが低下してしまう。そこで、歩留まり向上の観点から、異物に対する基板の表面状態の管理は重要である。

特開２０１５−１２２００号公報 特開２０１７−１４７３３４号公報

基板の裏面（デバイス面とは反対側の面）を研磨した後、基板を搬送（例えば、搬送ロボットによる基板の前後動作または基板の反転動作）すると、基板の裏面に残っている異物が基板の表面に付着してしまうおそれがある。このような問題は、基板の表面の研磨によって発生した異物が基板の表面に残っている場合であっても同様に生じうる。

そこで、本発明は、基板の研磨によって発生する異物を確実に除去して、基板の表面への異物の付着を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。本発明は、基板の研磨によって発生する異物を確実に除去して、基板の表面への異物の付着を防止することができる基板処理方法を提供することを目的とする。

一態様では、基板の第１面を処理する処理ヘッドと、前記第１面とは反対側の第２面を支持する支持機構と、前記第１面と平行に旋回可能に構成され、かつ前記第１面を洗浄する洗浄機構と、前記処理ヘッド、前記支持機構、および前記洗浄機構が内部に配置された研磨ハウジングと、を備えている、基板処理装置が提供される。

一態様では、前記洗浄機構は、ペン型洗浄具および二流体ジェットノズルのうちの少なくとも１つを備える基板洗浄装置と、前記基板洗浄装置が取り付けられた洗浄アームと、前記洗浄アームを旋回可能に支持する支持軸と、を備えている。
一態様では、前記基板洗浄装置は、前記ペン型洗浄具を備えており、前記洗浄アームは、前記基板が前記支持機構に支持されたとき、前記ペン型洗浄具が前記基板の中心に対向するまで移動する。
一態様では、前記基板洗浄装置は、前記二流体ジェットノズルを備えており、前記洗浄アームは、前記基板が前記支持機構に支持されたとき、前記二流体ジェットノズルの先端が前記基板の中心を向くまで移動する。
一態様では、前記二流体ジェットノズルは、炭酸水と窒素ガスとの混合流体を供給する。

一態様では、基板の第１面とは反対側の第２面を支持する支持機構によって、前記基板を支持する支持工程と、前記第１面に対向して配置された二流体ジェットノズルによって、前記基板の二流体洗浄を行う二流体洗浄工程と、前記基板の前記第１面を研磨する研磨工程と、前記第１面に対向して配置されたペン型洗浄具によって、前記基板のスクラブ洗浄を行うスクラブ洗浄工程とを備え、前記支持工程、前記二流体洗浄工程、前記研磨工程、および前記スクラブ洗浄工程は、研磨ハウジング内で行われる、基板処理方法が提供される。

一態様では、前記二流体洗浄工程は、前記研磨工程の開始前、または前記研磨工程の開始と同時に開始される。
一態様では、前記スクラブ洗浄工程は、前記研磨工程の終了後に開始される。
一態様では、前記二流体洗浄工程は、前記二流体ジェットノズルの先端が前記基板の中心を向くまで前記二流体ジェットノズルを移動させる工程を含む。
一態様では、前記スクラブ洗浄工程は、前記ペン型洗浄具が前記基板の中心に対向するまで前記ペン型洗浄具を移動させる工程を含む。

研磨ハウジングの内部で、処理ヘッドによる基板の処理を行い、かつ洗浄機構による基板の洗浄処理を行う。したがって、基板処理装置は、異物を基板から確実に除去することができる。結果として、基板の搬送に起因して、異物が基板の表面に付着することが防止される。

基板処理装置の一実施形態を示す図である。 基板処理装置の一実施形態を示す図である。 基板の第１面に押し付けられたペン型洗浄具を示す図である。 処理ヘッドおよび基板洗浄装置の処理位置と、処理ヘッドおよび基板洗浄装置の退避位置とを示す図である。 基板の処理工程の一実施形態を示す図である。 処理位置（二流体洗浄位置）に配置された基板洗浄装置を示す図である。 処理位置（スクラブ洗浄位置）に配置された基板洗浄装置を示す図である。 基板の処理工程の他の実施形態を示す図である。 基板処理装置の他の実施形態を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１および図２は、基板処理装置１の一実施形態を示す図である。基板処理装置１は、ウェハなどの基板Ｗの第１面Ｗ１の処理を行う処理ヘッド２と、第１面Ｗ１とは反対側の基板Ｗの第２面Ｗ２を支持する支持機構３と、第１面Ｗ１と平行に旋回可能に構成され、かつ第１面Ｗ１を洗浄する洗浄機構４と、処理ヘッド２、支持機構３、および洗浄機構４が内部に配置された研磨ハウジング５とを備えている。図面を見やすくするために、図１では、洗浄機構４の図示は省略されており、図２では、処理ヘッド２の図示は省略されている。

本実施形態では、第１面Ｗ１は、デバイスが形成されていない基板Ｗの裏面であり、第２面Ｗ２は、デバイスが形成されている基板Ｗの表面である。

処理ヘッド２は、基板Ｗの第１面Ｗ１を処理する処理テープ（より具体的には、砥粒を含む研磨テープ）１０と、処理テープ１０を保持するテープホルダ１１と、テープホルダ１１が連結されたヘッドシャフト１２とを備えている。

ヘッドシャフト１２は、処理ヘッド２をその軸心を中心として回転させる回転機構（図示しない）に連結されている。回転機構の一例として、ヘッドシャフト１２に取り付けられたプーリと、モータと、プーリとモータとの間に掛け渡されたベルトとの組み合わせが挙げられる。

処理テープ１０で基板Ｗを処理するとき、回転機構により処理ヘッド２がその軸心を中心として回転し、処理テープ１０が処理ヘッド２の中心軸周りに回転する。このようにして、処理テープ１０が基板Ｗの上面に摺接される。

図１に示すように、処理ヘッド２（より具体的には、互いに隣接する処理テープ１０の間の最大の距離）の直径は、基板Ｗの半径よりも大きい。したがって、処理テープ１０は、基板Ｗの中心ＣＬ上に配置されている。このような配置により、処理ヘッド２は、処理テープ１０によって、基板Ｗの中心ＣＬを含み、かつ基板Ｗの中心ＣＬと基板Ｗの周縁部との間の領域を処理（本実施形態では、研磨）する。

支持機構３は、基板Ｗを水平に支持するように構成されている。より具体的には、支持機構３は、基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック１５と、基板Ｗの第２面Ｗ２を高圧の流体（例えば、純水または空気）を介して非接触で支持する静圧支持装置１６とを備えている。処理ヘッド２から基板Ｗに加えられる荷重は、静圧支持装置１６によって支持される。基板Ｗと静圧支持装置１６との間の隙間は流体で満たされ、基板Ｗは流体により支持される。

処理ヘッド２は、チャック１５に保持されている基板Ｗの上側に配置されている。静圧支持装置１６は、チャック１５に保持されている基板Ｗの下側に配置されている。より具体的には、静圧支持装置１６は、基板Ｗを介して処理ヘッド２の下方に配置されている。

複数のチャック１５は、基板Ｗを回転させる環状の中空モータ（図示しない）に連結されている。このようにして、基板Ｗは、チャック１５によって水平に保持され、中空モータによって基板Ｗの中心ＣＬ周りに回転される。

図２に示すように、洗浄機構４は、基板洗浄装置２５と、基板洗浄装置２５が取り付けられた洗浄アーム２６と、洗浄アーム２６を支持し、かつ洗浄アーム２６を基板Ｗの第１面Ｗ１と平行に旋回させる支持軸２７とを備えている。本実施形態では、基板洗浄装置２５は、ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１を備えている。一実施形態では、基板洗浄装置２５は、ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１のうちの少なくとも１つを備えてもよい。

本実施形態では、単一の二流体ジェットノズル２１が設けられているが、二流体ジェットノズル２１の数は本実施形態には限定されない。複数の二流体ジェットノズル２１が設けられてもよい。

洗浄機構４は、チャック１５に保持されている基板Ｗの上側に配置されている。より具体的には、ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１は、基板Ｗの第１面Ｗ１に対向するように、第１面Ｗ１の上方に配置されている。洗浄アーム２６は、基板Ｗの第１面Ｗ１と平行（すなわち、水平）に延びており、ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１は、洗浄アーム２６の下面に取り付けられている。

ペン型洗浄具２０の一例として、ペンスポンジを挙げることができる。ペン型洗浄具２０は、アクチュエータ２２に連結されている。アクチュエータ２２は、洗浄アーム２６の先端部２６ａに接続されている。したがって、ペン型洗浄具２０は、アクチュエータ２２を介して洗浄アーム２６の先端部２６ａに連結されている。

アクチュエータ２２は、ペン型洗浄具２０をその軸心周りに回転させ、かつペン型洗浄具２０をその軸線方向に移動させるように構成されている。アクチュエータ２２の一例として、エアシリンダおよびモータとの組み合わせを挙げることができる。

図３は、基板Ｗの第１面Ｗ１に押し付けられたペン型洗浄具２０を示す図である。図３に示すように、アクチュエータ２２は、ペン型洗浄具２０をその軸心周りに回転させながら、ペン型洗浄具２０をチャック１５に保持されている基板Ｗの第１面Ｗ１に押し付けることができる。ペン型洗浄具２０の軸線は、チャック１５に保持されているときの基板Ｗの第１面Ｗ１に対して垂直である。

図２に戻り、支持軸２７は、洗浄アーム２６の後端部２６ｂに接続されている。洗浄アーム２６の後端部２６ｂは、チャック１５に保持された基板Ｗの外側に配置されている。支持軸２７は、洗浄アーム２６の後端部２６ｂから下方に向かって延びており、旋回モータ２８に連結されている。旋回モータ２８は、支持軸２７を中心として洗浄アーム２６を基板Ｗの第１面Ｗ１と平行に旋回させる。

洗浄アーム２６は、基板Ｗがチャック１５に保持されているとき、ペン型洗浄具２０が基板Ｗの中心ＣＬに対向するまで移動可能である。ペン型洗浄具２０は、旋回モータ２８の駆動によって、基板Ｗの中心ＣＬを通る円弧状の軌道を描いて移動する。

二流体ジェットノズル２１は、洗浄アーム２６の先端部２６ａと後端部２６ｂとの間のアーム部２６ｃに接続されている。したがって、二流体ジェットノズル２１は、ペン型洗浄具２０よりも支持軸２７に近接している。ペン型洗浄具２０および二流体ジェットノズル２１は、互いに隣接しており、洗浄アーム２６の延びる方向と平行に直列的に配置されている。

二流体ジェットノズル２１は、洗浄アーム２６のアーム部２６ｃから下方に延びており、途中で折れ曲がった形状を有している。洗浄アーム２６は、基板Ｗがチャック１５に保持されているとき、二流体ジェットノズル２１の先端２１ａが基板Ｗの中心ＣＬを向くまで移動可能である。

二流体ジェットノズル２１は、二流体供給ライン（図示しない）に接続されており、基板Ｗの第１面Ｗ１上に液体と気体との混合流体の噴流を供給する。混合流体の一例は、炭酸水（ＣＯ_２水）と窒素ガス（Ｎ_２ガス）との組み合わせである。基板Ｗの研磨によって発生した異物は、静電気により帯電した基板Ｗの第１面Ｗ１に付着してしまうおそれがある。二流体ジェットノズル２１は、炭酸水の基板Ｗへの供給により、基板Ｗの帯電を防止、すなわち、基板Ｗを除電することができる。

二流体ジェットノズル２１は、基板Ｗの上方を旋回しつつ、炭酸水と窒素ガスとを高速で噴出することにより、二流体ジェット流を生成し、二流体ジェット流を基板Ｗの第１面Ｗ１上に噴射する。結果として、二流体ジェット流は、基板Ｗの第１面Ｗ１との衝突時の圧力で基板Ｗの第１面Ｗ１上の異物を除去する。

図４は、処理ヘッド２および基板洗浄装置２５の処理位置ＰＰ１，ＰＰ２と、処理ヘッド２および基板洗浄装置２５の退避位置ＲＰ１，ＲＰ２とを示す図である。図４に示すように、処理ヘッド２は、基板Ｗ上の処理位置ＰＰ１と基板Ｗの外側の退避位置ＲＰ１との間を移動可能である。洗浄機構４（より具体的には、基板洗浄装置２５）は、基板Ｗ上の処理位置ＰＰ２と基板Ｗの外側の退避位置ＲＰ２との間を移動可能である。

処理位置ＰＰ１は、処理ヘッド２が基板Ｗの中心ＣＬと基板Ｗの周縁部との間の領域（基板Ｗの中心ＣＬを含む）を研磨可能な位置である。処理位置ＰＰ２は、基板洗浄装置２５が基板Ｗの第１面Ｗ１を洗浄可能な位置である。言い換えれば、処理位置ＰＰ２は、基板洗浄装置２５による洗浄工程（後述する二流体洗浄工程およびスクラブ洗浄工程）を実行可能な位置である。

図４に示すように、チャック１５によって保持された基板Ｗの外側には、基板Ｗの第１面Ｗ１（より具体的には、基板Ｗの中心ＣＬ）に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル４０が配置されている。この洗浄液供給ノズル４０は、洗浄液供給源（図示しない）に接続されており、洗浄液は、洗浄液供給ノズル４０を通じて基板Ｗ上に供給される。

図５は、基板Ｗの処理工程を示す図である。基板Ｗの処理工程は、研磨ハウジング５の内部で実行される。基板Ｗは、第１面Ｗ１が上向きの状態で、研磨ハウジング５によって囲まれた研磨室内に搬送され、チャック１５に把持される。基板Ｗは、その周縁部がチャック１５によって保持された状態で、中空モータによって回転される。

静圧支持装置１６は、基板Ｗの第２面Ｗ２側に配置されており、第２面Ｗ２を支持する。このようにして、支持機構３（チャック１５および静圧支持装置１６）は、基板Ｗを支持する（支持工程）。処理ヘッド２は、退避位置ＲＰ１から処理位置ＰＰ１（図４参照）に移動し、基板洗浄装置２５は、退避位置ＲＰ２から処理位置（二流体洗浄位置）ＰＰ２に移動する（図５のステップＳ１０１参照）。

図６は、処理位置（二流体洗浄位置）ＰＰ２に配置された基板洗浄装置２５を示す図である。図６に示すように、処理ヘッド２が処理位置ＰＰ１に移動した後、基板洗浄装置２５は、退避位置ＲＰ２から二流体洗浄を行うための処理位置（二流体洗浄位置）ＰＰ２に移動する。図６では、処理位置ＰＰ２は、処理位置ＰＰ１に配置された処理ヘッド２に隣接する位置であるため、基板洗浄装置２５が処理位置ＰＰ２に移動しても、基板洗浄装置２５は、処理ヘッド２には衝突しない。

図５のステップＳ１０２に示すように、二流体ジェットノズル２１は、基板Ｗの第１面Ｗ１上の二流体洗浄領域ＦＲにおいて、二流体洗浄を開始する（二流体洗浄工程）。二流体洗浄領域ＦＲは、二流体ジェットノズル２１の先端２１ａが基板Ｗの中心ＣＬを向く位置と二流体ジェットノズル２１の先端２１ａが基板Ｗの周縁部を向く位置との間の領域である。

図６に示すように、二流体洗浄工程の実行中、基板Ｗがその中心ＣＬの周りに回転された状態で、基板洗浄装置２５は二流体洗浄領域ＦＲを往復移動（揺動）しつつ、二流体ジェットノズル２１は混合流体を噴射する。図５のステップＳ１０３に示すように、処理ヘッド２は基板Ｗの研磨を開始する（研磨工程）。二流体洗浄工程は、研磨工程の開始前、または研磨工程の開始と同時に開始される。

研磨工程の実行中、基板Ｗの第１面Ｗ１上には、洗浄液供給ノズル４０から処理液が供給される。処理液の一例として、純水または炭酸水を挙げることができる。上述したように、二流体ジェットノズル２１は、基板Ｗの帯電を防止するための炭酸水を供給する。したがって、洗浄液供給ノズル４０は、処理液としての炭酸水を供給することにより、炭酸水の濃度は希釈されずに、炭酸水は、その効果を十分に発揮することができる。

処理ヘッド２の処理テープ１０は、洗浄液の存在下で基板Ｗの第１面Ｗ１に摺接される。一実施形態では、二流体ジェットノズル２１から噴射される液体の流量によっては、洗浄液供給ノズル４０は、基板Ｗの研磨処理の実行中に、洗浄液を供給しなくてもよい。

一実施形態では、二流体洗浄工程は、研磨工程が終了する前に終了してもよく、他の実施形態では、二流体洗浄工程は、研磨工程の終了と同時に終了してもよい。さらに他の実施形態では、二流体洗浄工程は、研磨工程が終了した後に終了してもよい。二流体洗浄工程と研磨工程との関係は、基板Ｗの処理目的に応じて決定される。

基板Ｗの研磨が終了すると（図５のステップＳ１０４参照）、処理ヘッド２は、基板Ｗの外側の退避位置ＲＰ１（図４参照）まで移動する（図５のステップＳ１０５参照）。その後、基板洗浄装置２５は、スクラブ洗浄を行うための処理位置（スクラブ洗浄位置）ＰＰ２に移動する（図５のステップＳ１０６参照）。

図７は、処理位置（スクラブ洗浄位置）ＰＰ２に配置された基板洗浄装置２５を示す図である。図７に示すように、処理ヘッド２が退避位置ＲＰ１に移動した後、基板洗浄装置２５は、二流体洗浄位置からスクラブ洗浄を行うための処理位置（スクラブ洗浄位置）ＰＰ２に移動する。基板洗浄装置２５のスクラブ洗浄位置への移動時において、処理ヘッド２は退避位置ＲＰ１に配置されているため、基板洗浄装置２５が処理位置（スクラブ洗浄位置）ＰＰ２に移動しても、基板洗浄装置２５は処理ヘッド２には衝突しない。

図５のステップＳ１０７に示すように、研磨工程が終了すると、ペン型洗浄具２０は、基板Ｗの第１面Ｗ１上のスクラブ洗浄領域ＳＲにおいて、基板Ｗのスクラブ洗浄を開始する（スクラブ洗浄工程）。スクラブ洗浄領域ＳＲは、ペン型洗浄具２０が基板Ｗの中心ＣＬ上を通って基板Ｗの第１面Ｗ１の全体を円弧状に移動可能な領域である。

スクラブ洗浄工程の実行中、基板Ｗは、その中心ＣＬの周りに回転される。この状態で、アクチュエータ２２は、ペン型洗浄具２０を基板Ｗの第１面Ｗ１に押し付け、かつペン型洗浄具２０を回転させる。ペン型洗浄具２０は、旋回モータ２８によってスクラブ洗浄領域ＳＲを往復移動（揺動）する。スクラブ洗浄工程の実行中、洗浄液供給ノズル４０は洗浄液を基板Ｗの中心ＣＬに向かって供給する。

スクラブ洗浄工程が終了した後、基板Ｗは、研磨室から外部に搬送される（図５のステップＳ１０８参照）。

本実施形態によれば、基板処理装置１は、基板Ｗの研磨処理を行う処理ヘッド２と、基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄機構４とを備えている。基板処理装置１は、研磨ハウジング５によって囲まれた研磨室の内部で、基板Ｗを研磨処理し、かつ基板Ｗの洗浄処理を行うことができる。したがって、基板処理装置１は、異物を基板Ｗから完全に除去する。結果として、基板Ｗの搬送に起因して、異物が基板Ｗの第２面Ｗ２に付着することが防止される。

基板処理装置１は、半導体製造装置の一部を構成している。半導体製造装置は、複数の基板が収容された基板カセットが載置されるロードポートと、基板を研磨する研磨ユニットと、研磨された基板を洗浄する洗浄ユニットと、洗浄された基板を乾燥する乾燥ユニットとを備えている。本実施形態では、基板処理装置１は研磨ユニットに設けられているため、基板Ｗの研磨によって発生する異物は、研磨ユニットにおいて、基板Ｗから完全に除去される。

一般的には、基板Ｗは、研磨ユニットから洗浄ユニットに搬送され、基板Ｗに付着した異物はすべて洗浄ユニットで除去される。本実施形態では、異物は研磨ユニットの外部には持ち出されない。したがって、洗浄ユニットを省略することができる。結果として、半導体製造装置の面積を小さくすることができ、半導体製造装置のコストを低減することができる。

さらに、本実施形態によれば、基板処理装置１は、研磨室内で基板Ｗの研磨処理および洗浄処理を行うため、スループットを向上することができ、タクトタイムを短縮することができる。

図８は、基板の処理工程の他の実施形態を示す図である。図８に示す実施形態では、まず、研磨工程が開始される（図８のステップＳ２０１参照）。研磨工程の終了（図８のステップＳ２０２参照）後、処理ヘッド２は、基板Ｗの外側の退避位置ＲＰ１まで移動し（図８のステップＳ２０３参照）、基板洗浄装置２５は、退避位置ＲＰ２から処理位置（二流体洗浄位置）ＰＰ２に移動する（図８のステップＳ２０４参照）。一実施形態では、図８に示すステップＳ２０３およびステップＳ２０４は同時に実行されてもよい。

図８のステップＳ２０４の後、二流体洗浄工程が実行され（図８のステップＳ２０５参照）、基板洗浄装置２５は、スクラブ洗浄位置ＰＰ２に移動し（図８のステップＳ２０６参照）、スクラブ洗浄工程が実行される（図８のステップＳ２０７参照）。その後、基板Ｗは、研磨室から外部に搬送される（図８のステップＳ２０８参照）。

図９は、基板処理装置１の他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成および動作は、上述した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図９では、処理ヘッド２の図示は省略されている。

上述した実施形態では、第１面Ｗ１は、デバイスが形成されていない基板Ｗの裏面であり、第２面Ｗ２は、デバイスが形成されている基板Ｗの表面である。図９に示す実施形態では、第１面Ｗ１は、デバイスが形成された基板Ｗの表面であり、第２面Ｗ２は、デバイスが形成されていない基板Ｗの裏面である。

図９に示すように、支持機構３は、チャック１５および静圧支持装置１６の代わりに、基板吸着装置４５を備えてもよい。基板吸着装置４５は、基板Ｗの第２面Ｗ２を真空吸着しつつ、基板Ｗをその中心ＣＬの周りに回転させる装置である。図示しないが、図９に示す実施形態においても、基板処理装置１は、処理ヘッド２および洗浄機構４を備えている。したがって、基板処理装置１は、上述した実施形態と同様の効果を奏することができる。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。

１ 基板処理装置
２ 処理ヘッド
３ 支持機構
４ 洗浄機構
５ 研磨ハウジング
１０ 処理テープ
１１ テープホルダ
１２ ヘッドシャフト
１５ チャック
１６ 静圧支持装置
２０ ペン型洗浄具
２１ 二流体ジェットノズル
２１ａ 先端
２２ アクチュエータ
２５ 基板洗浄装置
２６ 洗浄アーム
２６ａ 先端部
２６ｂ 後端部
２６ｃ アーム部
２７ 支持軸
４０ 洗浄液供給ノズル
４５ 基板吸着装置
Ｗ１ 第１面
Ｗ２ 第２面
ＣＬ 基板の中心
ＦＲ 二流体洗浄領域
ＳＲ スクラブ洗浄領域
ＰＰ１ 処理ヘッドの処理位置
ＰＰ２ 基板洗浄装置の処理位置
ＲＰ１ 処理ヘッドの退避位置
ＲＰ２ 基板洗浄装置の退避位置

Claims (10)

1. 基板の第１面を処理する処理ヘッドと、
   前記第１面とは反対側の第２面を支持する支持機構と、
   前記第１面と平行に旋回可能に構成され、かつ前記第１面を洗浄する洗浄機構と、
   前記処理ヘッド、前記支持機構、および前記洗浄機構が内部に配置された研磨ハウジングと、を備えている、基板処理装置。
2. 前記洗浄機構は、
   ペン型洗浄具および二流体ジェットノズルのうちの少なくとも１つを備える基板洗浄装置と、
   前記基板洗浄装置が取り付けられた洗浄アームと、
   前記洗浄アームを旋回可能に支持する支持軸と、を備えている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板洗浄装置は、前記ペン型洗浄具を備えており、
   前記洗浄アームは、前記基板が前記支持機構に支持されたとき、前記ペン型洗浄具が前記基板の中心に対向するまで移動する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板洗浄装置は、前記二流体ジェットノズルを備えており、
   前記洗浄アームは、前記基板が前記支持機構に支持されたとき、前記二流体ジェットノズルの先端が前記基板の中心を向くまで移動する、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記二流体ジェットノズルは、炭酸水と窒素ガスとの混合流体を供給する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 基板の第１面とは反対側の第２面を支持する支持機構によって、前記基板を支持する支持工程と、
   前記第１面に対向して配置された二流体ジェットノズルによって、前記基板の二流体洗浄を行う二流体洗浄工程と、
   前記基板の前記第１面を研磨する研磨工程と、
   前記第１面に対向して配置されたペン型洗浄具によって、前記基板のスクラブ洗浄を行うスクラブ洗浄工程とを備え、
   前記支持工程、前記二流体洗浄工程、前記研磨工程、および前記スクラブ洗浄工程は、研磨ハウジング内で行われる、基板処理方法。
7. 前記二流体洗浄工程は、前記研磨工程の開始前、または前記研磨工程の開始と同時に開始される、請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記スクラブ洗浄工程は、前記研磨工程の終了後に開始される、請求項６または７に記載の基板処理方法。
9. 前記二流体洗浄工程は、前記二流体ジェットノズルの先端が前記基板の中心を向くまで前記二流体ジェットノズルを移動させる工程を含む、請求項６に記載の基板処理方法。
10. 前記スクラブ洗浄工程は、前記ペン型洗浄具が前記基板の中心に対向するまで前記ペン型洗浄具を移動させる工程を含む、請求項６に記載の基板処理方法。

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