KR20060127780A - 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법 - Google Patents

기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법 Download PDF

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KR20060127780A
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Abstract

종래의 기판 냉각 장치에서는, 척 상면에 조밀하게 형성된 나선 형상의 홈의 한쪽 끝으로부터 액체를 공급하여, 다른 쪽 끝으로부터 배출하도록 하고 있고, 홈과 홈 사이의 기판과 척의 계면으로의 이동은 모관 현상을 사용하고 있기 때문에, 액체의 이동이 느리고, 기판 온도를 신속히 제어하는 것이 어렵다.
본 발명의 기판 유지대(10)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지대(11)와, 이 유지대(11)의 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 구비하고, 유지대(11)는, 유지대(11)의 상면에서 개구하고 또한 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 온도 제어 장치(12)로부터의 제 2 냉각액을 공급하는 개구부(113)와, 개구부(113)의 가까이에 형성되고 또한 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 제 2 냉각액을 배출하는 진공 흡착홈(114)과, 진공 흡착홈(114)에서 개구하고 또한 진공 흡착홈(114)으로부터 제 2 냉각액을 배출하는 개구부(116)를 구비하고 있다.

Description

기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT, AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL APPARATUS AND METHOD}
도 1은 본 발명의 기판 유지대를 도시하는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 기판 유지대의 원리를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 유지대의 1 실시형태에 있어서의 유지대의 상면을 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시하는 유지대의 내부의 냉각액 및 열전달액의 액체통로를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 기판 온도 제어 장치의 1 실시형태를 도시하는 블럭도이다.
도 6은 기판 유지대로부터 웨이퍼를 언로드하는 상태를 설명하기 위해서 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: 기판 유지대 11: 유지대
12: 온도 제어 장치 14: 열전달액 충전 회로
14A: 액조 14D: 액체 회수조
15D: 이젝터(감압 수단) 111: 제 1 액체통로(열 매체의 유로)
112: 제 2 액체통로(액체의 유로) 113: 개구부(액체 공급구)
114: 진공 흡착홈(액체 배출홈) 116: 개구부(액체 배출구)
특허문헌1: 일본 특허 공고 제 평성8 - 17200호 공보
특허문헌2: 특허 제 2536989호 공보
본 발명은, 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판과 그 유지대의 사이에 액체를 공급하여, 이 액체를 열 전달 매체로서 이용하는 것에 의해 기판 온도를 신속히 제어할 수 있는 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 다수의 공정으로 이루어지고, 각 공정에서는 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서, 기판을 유지하는 기판 유지대가 이용된다. 기판의 처리 내용에 따라서는, 기판을 냉각 또는 가열하는 공정이 있다. 이 때, 기판 유지대 상에서 기판을 진공 흡착하여, 기판을 기판 유지대 상에 고정하는 일이 있다. 기판 및 기판 유지대의 상면은 통상 경면(鏡面) 가공되어 있기 때문에, 진공 흡착에 의해서 기판이 기판 유지대 상에 밀착하여, 기판 온도를 소정의 온도 로 신속히 설정할 수 있다.
그러나, 처리 내용에 따라서는 기판에 있어서 대량의 발열이 있다. 예컨대 기판의 검사 공정 등에서, 고밀도화한 집적 회로의 전기적 특성 검사를 실행할 때에, 대량으로 발열할 때가 있다. 이러한 경우에는, 기판 유지대에 의한 냉각이 따라 가지 못하여, 기판이 충분히 냉각되지 않을 때가 있다. 이 원인은, 경면 가공된 기판 및 기판 유지대라도, 미시적으로 보면 미크론 단위(micron order)의 요철이 있어, 이 요철에 기인하여 형성되는 미세한 빈틈(空隙)(V)이 진공 흡착에 의해서 감압되어, 접촉열 저항을 커진 것에 의한 것이라고 생각되고 있다.
그래서, 기판과 유지대간의 빈틈을 없애기 위해서, 이들 양자의 계면(界面)에 액체를 충전하여, 이 액체를 열 전달 매체로 하는 것에 의해, 냉각 효율을 높이는 기술이 특허 문헌1, 2에서 제안되어 있다.
특허 문헌1에 있어서 제안된 기판 냉각 장치는, 기판을 유지하는 척과, 기판과 척의 계면에 액체를 공급하기 위한 소스 용기와, 기판과 척의 계면으로부터의 액체를 수집하는 수집 용기를 구비하고 있다. 척의 표면에는 조밀한 피치로 나선 형상의 홈이 냉각 회로로서 형성되고, 이 나선 형상의 홈의 양쪽 끝에 입력 수단 및 출력 수단이 각각 형성되어 있다. 나선 형상의 홈은, 기판 등의 크기에 따라서 구별지어 사용되도록 세 종류의 홈이 형성되어 있다. 입력 수단에는 대기압으로 유지된 소스 용기가 접속되고, 출력 수단에는 대기압 미만의 압력으로 유지된 수집 용기가 접속되어 있다. 또한, 척 상면에는 진공 시일(seal) 홈이 형성되어, 이 진공 시일 홈을 거쳐서 기판의 주위를 실링하도록 구성되어 있다. 진공 시일 홈은 기판의 종류에 의거하여, 기판의 외주연부를 진공 흡착할 수 있게 되어 있다.
상기 기판 냉각 장치를 이용하여 기판을 냉각하는 경우에는, 우선 척 상에 기판을 설치하고, 진공 시일 홈을 거쳐서 기판을 척 상에 흡착하여, 기판의 내측을 밀폐 구조로 한다. 이어서, 대기압의 소스 용기와 대기압 미만의 수집 용기의 사이의 압력차에 의해서, 소스 용기로부터 입력 수단을 거쳐서 액체를 공급하는 한편, 출력 수단을 거쳐서 홈으로부터 수집 용기에 액체를 수집한다. 이 때, 입력 수단과 출력 수단간의 압력차에 의해서 척 상면의 홈의 입력 수단으로부터 출력 수단 방향으로의 액체 이동이 일어남과 동시에, 기판과 척과의 계면에서의 모세관 현상에 의한 나선 형상 홈을 횡단하는 액체 이동이 일어난다. 이들 두개의 작용에 의해서 기판 전면이 젖어서, 액체가 열 전달 매체가 되어 척에 의한 기판의 냉각 효율을 높일 수 있다. 특허 문헌2에도 특허 문헌1과 동일한 종류의 기술이 제안되어 있다.
그러나, 특허문헌1, 2에 기재된 기술에서, 척 상면에 조밀하게 형성된 나선 형상의 홈의 한쪽 끝으로부터 액체를 공급하고, 다른 쪽 끝으로부터 배출하도록 하고 있고, 홈과 홈의 사이의 기판과 척의 계면으로의 이동은 모세관 현상을 사용하고 있기 때문에, 액체의 이동이 느려, 기판 온도를 신속히 제어하는 것이 어렵다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 기판과 기판 유지대의 계면에서의 액체의 이동을 빠르게 하여, 기판과 기판 온도를 신속히 제어할 수 있는 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 1에 기재된 기판 유지대는, 기판을 유지하는 유지대와, 이 유지대의 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 구비하고, 상기 유지대는, 상기 유지대의 상면에서 개구하고 또한 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 액체를 공급하는 액체 공급구와, 상기 액체 공급구의 가까이에 형성되고 또한 상기 기판과 상기 유지대간의 상기 액체를 배출하는 액체 배출홈과, 상기 액체 배출홈에서 개구하고 또한 상기 배출홈으로부터 상기 액체를 배출하는 액체 배출구를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 2에 기재된 기판 유지대는, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대의 상면에 형성되고 또한 상기 기판을 상기 유지대의 상면에 흡착하기 위한 배기홈과, 이 배기홈에서 개구하는 배기구를 구비하고, 상기 배기홈 및 상기 배기구는, 각각 상기 액체 배출홈 및 상기 액체 배출구를 겸하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 3에 기재된 기판 유지대는, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체 공급구는, 상기 액체 배출홈 이외의 부위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 4에 기재된 기판 유지대는, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대는, 상기 액체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 5에 기재된 기판 유지대는, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대는, 상기 유지대의 온도를 제어하기 위한 열 매체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 6에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 유지대 상에서 유지된 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서, 상기 유지대는, 상기 유지대의 상면에서 개구하고 또한 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 액체를 공급하는 액체 공급구와, 상기 액체 공급구의 가까이에 형성되고 또한 상기 기판과 상기 유지대의 사이의 상기 액체를 배출하는 액체 배출홈과, 상기 액체 배출홈에서 개구하고 또한 상기 배출홈으로부터 상기 액체를 배출하는 액체 배출구와, 상기 액체 공급구에 접속되어 또한 상기 액체를 저장하는 액조와, 상기 액체 배출구에 접속되어 또한 상기 액체를 회수하는 액체 회수조를 구비하고, 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 개재하는 상기 액체가 이들 양자간의 열 전달 매체가 되는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 7에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대의 상면에 형성되고 또한 상기 기판을 상기 유지대의 상면에 흡착하기 위한 배기홈과, 이 배기홈에서 개구하는 배기구를 구비하고, 상기 배기홈 및 상기 배기구는, 각각 상기 액체 배출홈 및 상기 액체 배출구를 겸하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 8에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6 또는 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체 공급구는, 상기 액체 배출홈 이외의 부위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 9에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대는, 상기 액체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 10에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 유지대는, 상기 유지대의 온도를 제어하기 위한 열 매체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 11에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체 공급구에 공급하기 위해서 상기 액체를 모으는 액조와, 상기 액체 배출구로부터의 상기 액체를 감압하에서 회수하는 액체 회수조와, 상기 액체 회수조와 상기 액체 배출구의 사이에 마련된 개폐 밸브를 더 구비한 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 12에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 6 내지 청구항 11중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 액조 및 상기 액체 회수조를 각각 개별적으로 가압하는 가압 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 13에 기재된 기판 온도 제어 장치는, 청구항 12에 기재된 발명에 있어서, 상기 가압 후의 상기 액체 회수조를 감압하는 감압 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 14에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 유지대 상에서 유지된 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 방법에 있어서, 상기 유지대의 온도를 제어하는 공정과, 상기 기판을 상기 유지대 상에 설치하는 공정과, 상기 유지대와 상기 기판의 사이에 액체를 상기 유지대의 상면에서 개구하는 액체 공급구로부터 공급하는 공정과, 상기 액체 공급구 가까이에 형성된 액체 배출홈을 거쳐서 상기 액체 배출홈에서 개구하는 액체 배출구에서 감압하여 상기 액체를 배출하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 15에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 청구항 14에 기재된 발명에 있어서, 액조로부터 상기 액체 공급구에 상기 액체를 공급할 때에, 상기 액조를 가압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 16에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 청구항 15에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체를 액체 회수조에서 회수하는 공정과, 상기 액체 회수조로 회수된 상기 액체를 상기 액조로 이동시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 17에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 청구항 16에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체를 상기 액체 회수조로부터 상기 액조로 이동시킨 후, 상기 액체 회수조를 감압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 18에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 기판을 상기 유지대로 부터 제거할 때에, 상기 유지대와 상기 기판간의 상기 액체를 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 청구항 19에 기재된 기판 온도 제어 방법은, 청구항 18에 기재된 발명에 있어서, 상기 액체를 제거할 때에 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 기체를 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
(실시예)
이하, 도 1 내지 도 6에 도시하는 실시형태에 근거하여 본 발명을 설명한다. 또한, 도 1, 도 2는 각각 본 발명의 기판 유지대의 원리를 모식적으로 도시하는 개념도이다.
본 실시형태의 기판 유지대를 도 1, 도 2에 도시하는 원리도에 근거하여 설명한다. 본 실시형태의 기판 유지대(10)는, 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(예컨대, 웨이퍼)(W)을 상면에서 유지하는 유지대(11)와, 이 유지대(11)의 온도를 제어하는 온도 제어 장치(12)와, 웨이퍼(W)를 유지대(11) 상면에 흡착 고정하는 진공 흡착 기구(13)(도 2 참조)를 구비하고, 진공 흡착 기구(13)로 웨이퍼(W)를 유지대(11)의 상면에 고정하여, 온도 제어 장치(12)를 거쳐서 유지대(11) 상의 웨이퍼 온도를 제어하도록 구성되어 있다.
그런데, 웨이퍼(W)의 이면 및 유지대(11)의 상면은, 각각 경면 가공되어 있다. 그러나, 이들의 경면 가공된 면을 미시적으로 보면, 웨이퍼(W)의 이면 및 유지대(11)의 상면에는 도 2에 모식적으로 도시하는 바와 같이 요철이 있어, 웨이퍼(W)가 유지대(11)의 상면에 진공 흡착되더라도 동<同>도면에 도시하는 바와 같이 미세하고 불규칙한 빈틈(空隙)(V)이 남고, 또한 진공 흡착에 의해서 빈틈(V)이 감압되어, 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 열 전달 효율이 각별히 저하한다. 그래서, 본 실시형태에서는, 온도 제어 장치(12)의 냉각 효율을 높이기 위해서, 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 기판 온도 제어 장치의 일환으로서 열전달액 충전 회로(14)가 마련되어, 이 열전달액 충전 회로(14)로부터 빈틈(V)에 열전달액을 공급하여, 열전달액을 웨이퍼(W)와 유지대(11) 상면의 대략 전체 영역에 단 시간에 침투시켜, 열 전달 효율을 각별히 높여, 온도 제어 장치(12)를 거쳐서 신속한 온도 제어가 실행될 수 있도록 되어 있다.
온도 제어 장치(12)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 유지대(11)를 냉각하기 위해서 냉각액을 순환시키는 냉각 회로(121)와, 유지대(11)를 가열하는 히터(122)를 구비하여, 유지대(11)를 소정의 온도로 제어할 수 있도록 되어 있다.
냉각 회로(121)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 냉각액을 저장하는 액조(121A)와, 액조(121A)와 유지대(11)를 연결하는 순환 배관(121B)과, 유지대(11)내에 형성된 제 1 액체통로(111)를 구비하여, 액조(121A)와 유지대(11)내의 제 1 액체통로(111)의 사이를 순환시켜 유지대(11)를 냉각하도록 구성되어 있다. 또한, 열전달액 충전 회로(14)는, 열전달액을 저류하는 액조(14A)와, 액조(14A)와 유지대(11)를 연결하는 순환 배관(14B)과, 유지대(11)내에서 그 상면 가까이에 형성된 제 2 액체통로(112)를 구비하여, 진공 흡착 기구(13)가 작동하고 있는 사이에, 제 2 액체통로(112)로부터 유지대(11)의 상면에 개구한 복수의 개구부(113)를 거쳐서 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 열전달액을 충전하도록 구성되어 있다. 제 2 액 체통로(112)로부터 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이에 공급된 열전달액은 빈틈(V)을 거쳐서 웨이퍼(W)의 대략 전면 영역에 침투하여, 빈틈(V)을 열전달액으로 채워, 웨이퍼(W)와 유지대(11)간의 열 전달 효율을 각별히 높일 수 있다.
냉각액은, 유지대(11)를 -수 10℃로 냉각할 수 있는 냉각액이며, 예컨대 불소계의 불활성 액체(스미토모 스리엠사제 Fluorinert(상표명), 솔베이소렉시스사제 Galden(상표명) 등)를 이용할 수 있다. 또한, 열전달액은, 실질적으로 냉각액으로서 이용되는 불활성 액체를 이용할 수 있다. 본 실시형태에서는 냉각액 및 열전달액으로서 Fluorinert를 이용하고 있다. 동일한 액체를 사용하면 액체의 보관, 관리가 쉽다. 냉각액 및 열전달액은, 이것들에 제한되는 것이 아니라, 종래 공지한 적절한 냉각액을 선택하여 이용할 수 있다.
진공 흡착 기구(13)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 유지대(11)의 상면에 동심원 형상으로 복수 형성된 진공 흡착홈(도시하지 않음)과, 유지대(11)내에서 그 상면 가까이에 형성된 배기 통로(115)와, 배기 통로(115)에 배관(131)을 거쳐서 접속된 진공 배기 장치(도시하지 않음)를 구비하고, 배기 통로(115)로부터 복수의 진공 흡착홈에 개구하는 복수의 개구부(116)를 거쳐서 웨이퍼(W)를 유지대(11)의 상면에 진공 흡착하도록 구성되어 있다. 그리고, 복수의 진공 흡착홈의 사이에 열전달액 충전 회로(14)의 액체통로(112)의 개구부(113)가 개구하고 있다. 배기 통로(115)는, 동 도면에 도시하는 바와 같이 제 2 액체통로(112)의 상방에서 유지대(11)의 상면 가까이에 형성되어 있다. 배기 통로(115) 및 제 1, 제 2 액체통로(111, 112)는, 모두 유지대(11)의 기재(基材)(탑 플레이트)에 형성되어 있다.
따라서, 진공 흡착 기구(13)가 작동하고 있는 사이에 열전달액 충전 회로(14)로부터 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 빈틈(V)에 열전달액을 충전하면, 열전달액은 진공 흡착홈으로부터의 흡인 작용에 의해서 빈틈(V)의 대략 전체 영역에 신속히 침투하여, 도 2에 도시하는 바와 같이 진공 흡착홈내의 복수의 개구부(116)로부터 유지대(11)의 외부로 배관(131)을 거쳐서 배출된다. 배관(131)은 진공 배기 장치에 이르는 도중에 배치된 분리조(14C)에서 열전달액을 분리하여, 최종적으로 순환 배관(14B)을 거쳐서 액조(14A)로 되돌아가, 유지대(11)내의 액체통로(112)를 순환하도록 되어 있다. 즉, 진공 흡착홈 및 그 개구부(116)는 열전달액의 배출홈 및 배출구를 겸하고 있다.
상술 한 바와 같이 본 실시형태에서는 온도 제어 장치(12)의 열전달액 충전 회로(14)로부터 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 열전달액을 충전하면, 진공 흡착 기구(13)의 흡인 작용으로 열전달액은 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 빈틈(V)에 신속히 침투하여, 단 시간에 액막을 형성하여 냉각 회로(121)에 의한 냉각 효율을 각별히 높여, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 정확 또한 신속히 제어할 수 있다. 또한, 빈틈(V)내에 침투한 열전달액은, 진공 흡착홈을 거쳐서 효율적으로 열전달액 충전 회로(14)의 액조(14A)로 회수하여, 유지대(11)내로 순환시킬 수 있다.
다음에, 상기 원리를 구체적으로 적용한 기판 유지대를 도 3 내지 도 6에 도시하는 실시형태에 근거하여 설명한다. 이 기판 유지대는 프로브 장치의 웨이퍼 척으로서 적용된 것이다. 또한, 도 3은 본 발명의 기판 유지대의 일 실시 형태에 있어서의 유지대의 상면을 도시하는 평면도, 도 4는 도 3에 도시하는 유지대 내부 의 냉각액 및 열전달액의 액체통로를 도시하는 평면도, 도 5는 본 발명의 기판 온도 제어 장치의 일 실시형태를 도시하는 블럭도, 도 6은 기판 유지대로부터 웨이퍼를 언로드하는 상태를 설명하기 위해서 모식적으로 도시하는 단면도이다.
본 실시형태의 기판 유지대(10)는, 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 유지대(11), 온도 제어 장치(12), 진공 흡착 기구(13) 및 열전달액 충전 회로(14)를 구비하고, 200mm 웨이퍼(W) 및 300mm 웨이퍼(W)에 대응할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 본 실시형태의 기판 온도 제어 장치는, 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 냉각 회로(121) 및 열전달액 충전 회로(14)를 구비하고, 상술한 원리에 근거하여 구성되어 있다. 냉각 회로(121)는, 도 4에 도시하는 바와 같이 유지대(11)에 형성된 제 1 액체통로(111)와, 유지대(11)에 접속된 순환 배관(121B)을 구비하고, 순환 배관(121B)을 거쳐서 액조(도시하지 않음)와 제 1 액체통로(111)의 사이를 순환하는 냉각액으로 유지대(11)를 냉각하도록 구성되어 있다. 열전달액 충전 회로(14)는, 도 1, 도 3, 도 5에 도시하는 바와 같이, 액조(14A)와, 액조(14A)와 유지대(11)를 접속하는 순환 배관(14B)과, 유지대(11)에 형성된 제 2 액체통로(112)를 구비하고, 순환 배관(14B)을 거쳐서 액조(14A)에서 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이에 열전달액을 충전하여, 이들 양자간의 열 전달성을 높이도록 구성되어 있다. 또한, 진공 흡착 기구(13)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 유지대(11)의 표면에 형성된 진공 흡착홈(114)과, 배기 통로(115)를 구비하여, 진공 배기 장치(도시하지 않음)를 거쳐서 진공 흡착홈(114)을 감압하고, 웨이퍼(W)를 흡착 유지 하도록 구성되어 있다. 그래서, 우선 유지대(11)에 형성된 제 1, 제 2 액체통로(111, 112), 진공 흡착홈(114) 및 배기 통로(115)에 대하여 각각 설명한다.
제 1 액체통로(111)는, 도 3에 도시하는 유지대(11)를 구성하는 탑 플레이트의 이면에 형성되어 있다. 즉, 제 1 액체통로(111)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 동심원 형상으로 형성된 복수의 격벽<칸막이 벽>(111A)에 의해서 둘러싸여 형성되어 있다. 또한, 제 1 액체통로(111) 중심부의 격벽(111A)에는 냉각액을 공급하는 액체공급로(111B)의 내측단이 접속되어 있다. 이 액체공급로(111B)는, 유지대(11)의 외주면으로부터 가장 내측과 그것의 하나 외측의 격벽(111A)까지 도중의 격벽(111A)을 직경 방향으로 관통하여 형성된 한 쌍의 제 2 격벽(111C)의 사이에 형성되어 있다. 이 액체공급로(111B)의 공급구에는 냉각액의 액조(도시하지 않음)에 연결된 순환 배관(121B)이 접속되어 있다. 또한, 탑 플레이트의 이면은, 소정의 원판(도시하지 않음)으로 폐쇄되어, 단면 직사각형 형상의 제 1 액체통로(111)가 형성된다.
제 2 격벽(111C)은 동심원 형상의 복수의 격벽(111A)을 관통하고, 복수의 격벽(111A)의 관통 구멍과의 사이에는 소정의 간격이 각각 형성되어 있다. 이들 간격이 제 1 액체통로(111)의 시계 방향과 반시계 방향으로의 전환점으로 되어 있고, 냉각액은 이들의 전환점을 거쳐서 교대로 유로를 바꾸면서 유지대(11)의 외부로 배출되도록 되어 있다. 그리고, 가장 외측의 제 1 액체통로(111)의 격벽(111A)에는 냉각액의 순환 배관(121B)이 접속된 배출구가 형성되어 있다.
또한, 이웃하는 격벽(111A, 111A) 및 한 쌍의 제 2 격벽(111C)의 중간 위치 에는 배플 플레이트(111D)가 균일한 간격을 두고 형성되어, 이들 배플 플레이트(111D)로 냉각액의 난류를 만들어, 냉각액의 온도를 균일하게 하고 있다.
제 2 액체통로(112)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예컨대 200mm 웨이퍼(W)에 열전달액을 공급하는 7개의 복수의 액체통로(112A)와, 300mm 웨이퍼(W)에 열전달액을 공급하는 8개의 액체통로(112B)의 2 계통으로 구성되어 있다. 제 2 액체통로(112)는, 유지대(11)의 상면과 제 1 액체통로(111)의 사이에 형성되어 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 도 3에 있어서, ●표시는 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 때의 흡인용 개구부, ○표시는 열전달액을 공급하는 액체 공급구가 되는 개구부이다. 또한, ●표시로 나타내는 개구부는, ○표시의 액체 공급구로부터 공급된 열전달액을 배출하는 액체 배출구의 기능도 가지고 있다.
일 계통의 액체통로(112A)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 유지대(11)의 상방 측면으로부터 유지대(11)의 중심을 지나 유지대(11)를 직선 형상으로 관통하여, 그 양쪽 끝이 플러그(P)에 의해서 각각 봉하여 막힌 액체통로(112A1)와, 이 액체통로(112A)의 양측에 대략 좌우 대칭으로 대략 45°씩 원주 방향으로 이격하여 유지대(11)의 중앙부 가까이에서 그 원주면을 향해서 방사 형상으로 형성되어, 각각의 원주면측 끝이 플러그(P)로 각각 봉하여 막힌 6개, 3종류의 액체통로(112A2, 112A3, 112A4)로 구성되어 있다. 이들 액체통로(112A1, 112A2, 112A3, 112A4)는, 각각의 뒤쪽측에 냉각액의 제 1 통로(111)에 나란히 설치된 링 형상의 액체공급로(117A)(도 4 참조)와 복수의 연통 구멍(도시하지 않음)을 거쳐서 연통하고, 액체공급로(117A) 로부터 열전달액이 공급되도록 되어 있다. 이들 액체통로(112A1, 112A2, 112A3, 112A4)에는 후술하는 200mm용의 복수의 진공 흡착홈간의 중간 위치에서 유지대(11)의 상면에 개구하는 개구부(113A)가 각각 복수개씩 형성되어, 200mm 웨이퍼(W)의 대략 전체면에 열전달액을 공급하도록 되어있다. 또한, 액체공급로(117A)에는 열전달액을 공급하는 공급용의 순환 배관(14B1)이 접속되어 있다.
다른 계통의 액체통로(112B)는, 도 3에 도시하는 바와 같이 8개의 액체통로(112B)로 구성되고, 상기 액체통로(112A1, 112A2, 112A3)로부터 각각 시계 방향으로 약간 편의(偏倚)하여 나란히 설치되며, 대략 좌우 대칭으로 형성되어 있다. 이들 액체통로(112B)는, 각각의 안쪽 측에 냉각액의 제 1 통로(111)의 외측에 나란히 설치된 링 형상의 액체공급로(117B)(도 4 참조)와 복수의 연통 구멍(도시하지 않음)을 거쳐서 연통하여, 액체공급로(117B)로부터 열전달액이 공급되도록 되어 있다. 이들 액체통로(112B)는, 유지대(11)의 외주면으로부터 후술하는 200mm 웨이퍼(W)용의 진공 흡착홈의 바로 앞까지 직선 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 각 액체통로(112B)는, 300mm 용의 복수의 진공 흡착홈의 사이의 중간 위치에서 유지대(11)의 상면에 개구하는 복수의 개구부(113A)가 각각 형성되어, 300mm 웨이퍼(W)의 대략 전체면에 열전달액을 공급하도록 하고 있다. 또한, 액체공급로(117B)에는 열전달액을 공급하는 공급용의 순환 배관(14B2)이 접속되어 있다.
유지대(11)의 상면에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 진공 흡착 기구(13)를 구성하는 진공 흡착홈(114)이 동심원 형상으로 복수 형성되어 있다. 이들 진공 흡착홈(114)은, 동 도면에 도시하는 바와 같이, 유지대(11) 상면의 중앙부에 형성되고 또한 200mm 웨이퍼(W)에 대응하는 복수의 제 1 진공 흡착홈(114A)과, 제 1 진공 흡착홈(114A)의 외측에 형성되고 또한 300mm 웨이퍼(W)에 대응하는 복수의 제 2 진공 흡착홈(114B)으로 구성되어 있다. 유지대(11)의 상면 가까이에는 제 1, 제 2 진공 흡착홈(114A, 114B)에 대응하는 제 1, 제 2 배기 통로(115A, 115B)가 형성되어 있다. 제 l, 제 2 배기 통로(115A, 115B)에는 각각 진공 배기용의 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)(도 5 참조)에 접속되고, 이들 배관은 각각 진공 배기 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제 l, 제 2 배관(131A, 131B)에 대해서는 온도 제어 장치(12)와 함께 후술한다.
제 1 배기 통로(115A)는, 도 3에 도시하는 바와 같이 2계열의 배기 통로(115A1, 115A2)로 구성되어 있다. 한 쪽의 배기 통로(115A1)는, 동 도면에 도시하는 바와 같이 유지대(11)의 측면(동 도면의 상방의 측면)으로부터 액체통로(112A1)의 약간 우측에서 유지대(11)를 직선 형상으로 관통하고, 그 한쪽 끝이 진공 배기용의 배관(131)에 접속되고, 다른 쪽 끝이 플러그(P)에 의해서 봉하여 막혀 있다. 그리고, 이 배기 통로(115A1)에는 제 1 진공 흡착홈(114A) 중 내측에 배치된 복수의 제 1 진공 흡착홈(114A)과 교차하는 위치에서 개구부(116A1)가 복수 형성되어 있다. 이들 개구부(116A1)는 열전달액의 배출구를 겸하고, 이들 개구부(116A1) 가 개구하는 진공 흡착홈(114A)은 열전달액의 배출홈을 겸하고 있다. 다른 쪽의 배기 통로(115A2)는 한쪽의 배기 통로(115A1)의 우측 쪽에 유지대(11)의 중심측으로 경사하여 형성되어 있다. 이 배기 통로(115A2)는 유지대(11)의 측면으로부터 제 1 진공 흡착홈(114A)의 내측으로부터 2번째의 제 1 진공 흡착홈(114A)까지 형성되고, 제 1 진공 흡착홈(114A)과 교차하는 위치에서 개구부(116A2)가 복수 형성되어 있다. 이들 개구부(116A2)도 개구부(116A1)와 동일하게, 열전달액의 배출구를 겸하고, 이들 개구부(116A2)가 개구하는 진공 흡착홈(114A)은 열전달액의 배출홈을 겸하고 있다.
제 2 배기 통로(115B)도, 제 1 배기 통로(115A)와 동일하게, 2 계열의 배기 통로(115B1, 115B2)로 구성되어 있다. 한쪽의 배기 통로(115B1)는, 도 3에 도시하는 바와 같이 유지대(11)의 측면(동 도면의 상방의 측면)으로부터 액체통로(112A1)의 약간 좌측쪽을 지나서 유지대(11)를 직선 형상으로 관통하고, 그 한쪽 끝이 진공 배기용의 배관(131)에 접속되고, 다른 쪽 끝이 플러그(P)에 의해서 봉하여 막혀 있다. 그리고, 이 배기 통로(115B1)에는 제 2 진공 흡착홈(114B)에서도 내측에 배치된 복수의 제 2 진공 흡착홈(114B)과 교차하는 위치에서 개구부(116B1)가 복수 형성되어 있다. 이들 개구부(116B1)및 진공 흡착홈(114B)은, 각각 열전달액의 배출구 및 배출홈을 겸하고 있다. 다른 쪽의 배기 통로(115B2)는 한 쪽의 배기 통 로(115B1)의 좌측쪽에 유지대(11)의 중심측으로 경사하여 형성되어 있다. 이 배기 통로(115B2)는 유지대(11)의 측면에서 제 2 진공 흡착홈(114B)의 가장 내측으로부터 2번째의 제 2 진공 흡착홈(114B)까지 형성되어, 여기까지 통과하는 제 2 진공 흡착홈(114B)과 교차하는 위치에 개구부(116B2)가 복수 형성되어 있다. 이들 개구부(116B2)도 개구부(116A1)와 동일하게, 열전달액의 배출구를 겸하여, 이들 개구부(116B2)가 개구하는 진공 흡착홈(114B)은 열전달액의 배출홈을 겸하고 있다.
그리고, 제 1, 제 2 배기 통로(115A, 115B)는, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)을 거쳐서 진공 배기 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제 1 배기 통로(115A)는, 배기 통로(115A1) 및 배기 통로(115A2)로 이루어지기 때문에, 이들을 진공 배기 장치에 접속하는 제 1 배관(131A)도 유지대(11)의 가까이에서는 분기관(131A1, 131A2)으로서 분기하고 있다. 제 2 배관(131B)도 유지대 가까이에서는 분기관(131B1, 131B2)으로서 분기하고 있다.
이어서, 도 5를 참조하면서 기판 온도 제어 장치의 진공 흡착 기구(13) 및 열전달액 충전 회로(14)의 회로 구성에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 기판 온도 제어 장치는, 열전달액 충전 회로(14) 외에 공기 회로(15)를 구비하고 있다. 이 공기 회로(15)는, 열전달액 충전 회로(14)의 열전달액의 충전을 촉진함과 함께, 웨이퍼(W) 처리 후에 열전달액의 배출을 촉진할 수 있다. 열전달액 충전 회로(14)는, 진공 흡착 기구(13) 하에서 기능한다. 그래서, 우선 진공 흡착 기구(13)에 대 하여 설명한다. 또한, 도 5에 있어서, 대체로, 파선은 흡인용의 배관, 실선은 열전달액용의 배관, 2점 쇄선은 공기용의 배관을 도시하고 있다. 또한, 각 배관에 부착된 복수의 밸브(V1 내지 V14) 중, (V5 내지 V8)은 상시 열림(NO)형 밸브이며, 그 외는 상시 닫힘(NC)형 밸브이다.
진공 흡착 기구(13)의 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)에는 각각 유지대(11)로부터 배출된 열전달액을 분리하는 분리조(14C1, 14C2)가 부착되고, 이들 하류측에서 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)이 배관(131)으로서 합류한다. 이 시점에서는 배관(131)으로부터 열전달액은 분리되어 있다. 이 배관(131)에 밸브(V1)가 부착되어, 진공 흡착을 온, 오프한다. 밸브(V1)의 상류측에는 압력 센서(132)가 부착되고, 그 하류측에는 진공 제어 회로(133)가 부착되고, 진공 제어 회로(133)는 압력 센서(132)의 검출값에 근거하여 배관(131)내의 진공 압력을 관리한다. 또한, 제 2 배관(131B)에는 밸브(V2)가 부착되고, 이 밸브(V2)는 300mm 웨이퍼(W)를 처리할 때에 이용된다. 또한, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)은, 연결관(134A, 134B)을 거쳐서 열전달액용의 순환 배관(14B1, 14B2)에 접속되고, 이들 연결관(134A, 134B)에는 각각 밸브(V3, V4)가 마련되어 있다. 그리고, 이들 밸브(V3, V4)는 웨이퍼(W)를 언로드할 때에 열려, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)과 순환 배관(14B1, 14B2)을 각각 연통시켜 열전달액을 배출하도록 되어 있다. 또한, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)의 분기관 중, 열전달액을 배출하는 분기관(131A2, 131B1)에는 밸브(V5, V6)가 부착되어, 웨이퍼(W)를 언로드할 때에 밸브(V5, V6)가 닫히고 공기 배관을 연결하여 유 지대(11)내에 공기를 공급하여 유지대(11)내의 열전달액을 배출한다.
열전달액 충전 회로(14)를 구성하는 분리조(14C1, 14C2)는, 순환 배관을 거쳐서 액체 회수조(14D)에 접속되어, 분리조(14C1, 14C2)에서 분리한 열전달액을 액체 회수층(14D)에서 회수한다. 분리조(14C1, 14C2)와 액체 회수조(14D)의 사이 및 배관(131)과 액체 회수조(14D)의 사이에는 각각 밸브(V7, V8)가 마련되어, 액체 회수조(14D)로부터 액조(14A)로 열전달액을 이동시킬 때에, 이 밸브(V7, V8)를 닫아, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)을 액체 회수조(14D)에서 차단하여, 진공을 깨지<?> 않도록 하고 있다. 따라서, 액체 순환시에는 밸브(V7, V8)는 열려 있어, 분리조(14C1, 14C2)로부터 액체 회수조(14D)로부터 열전달액이 자중(自重)에 의해 낙하하도록 되어있다. 액체 회수조(14D)에는 액면계(液面計)(L)가 부착되어, 액면계(L)로 회수량을 관리하고, 소정의 액면에 달하면, 액면계(L)가 작동하고, 밸브(V7, V8)를 닫은 상태에서, 밸브(V12)를 열어 소정의 공기 압력으로 가압하여 액체 회수조(14D)로부터 액조(14)로 열전달액을 되돌린다. 액조(14A)와 유지대(11)는 순환 배관(14B1, 14B2)을 거쳐서 접속되고, 이들 순환 배관(14B1, 14B2)에는 밸브(V9, V10)가 마련되어 있다. 또한, 각각의 밸브(V9, V10)의 전후에는 압력 센서(14E, 14F)가 각각 마련되어, 밸브(V9, V10)의 전후에 배치된 필터의 막힘을 압력 센서(14E, 14F)로 감시한다.
열전달액을 액조(14A)로부터 유지대(11)에 공급할 때나 웨이퍼(W)를 언로드 할 때에 공기 회로(15)가 이용된다. 공기 회로(15)는, 공기 배관(15A), 공기 제어 회로(15B), 압력 센서(15C) 및 이젝터(15D)를 구비하고, 공기 배관(15A)이 액조(14A), 액체 회수조(14D) 및 진공 흡착 기구(13)의 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)의 분기관(131A2, 131B1)에 각각 접속되고, 각각의 공기 배관(15A)에 밸브(V11, V12, V13, V14)가 마련되어 있다. 밸브(V13, V14)는, 웨이퍼(W)의 언로드시에, 열전달액의 배출관이 되는 분기관(131A2, 131B1)에 마련된 밸브(V5, V6)와 연동하여, 열전달액의 유지대(11)로부터의 배출을 촉진한다. 즉, 밸브(V5, V6)를 닫힌 상태로, 밸브(V13, V14)를 열어, 소정 압력의 공기를 유지대(11)내에 보내어 유지대(11)내의 열전달액을 배출시킨다. 배출된 열전달액은, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B) 각각의 분기관(131A1, 131B2)을 경유하여 배출된다. 또한, 이젝터(15D)는, 액체 회수조(14D)로부터 액조(14A)에 열전달액을 이동시킨 후, 감압 분위기로 되돌릴 때에 이용된다. 또한, 도 5에 있어서, 참조부호 VC는, 밸브(V1 내지 V14)를 시퀀스 제어하는 제어 장치이다.
다음에, 기판 유지대(10) 상에 300mm 웨이퍼(W)를 탑재한 경우의 동작에 대하여 설명한다. 우선, 상온으로부터 고온 영역에서 프로브 검사를 실시할 때의 기판 유지대(10)에 대하여 설명한다. 미리, 온도 제어 장치(12)의 냉각 회로(121)를 이용하여 유지대(11)를 냉각해 둔다. 이 상태로 유지대(11) 상에 웨이퍼(W)를 탑재하면, 진공 배기 기구(13)가 작동하고, 밸브(V1, V2)가 열려, 유지대(11)내의 제 1, 제 2 배기 통로(115A, 115B) 각각의 배기 통로(115A1, 115A2) 및 배기 통 로(115B1, 115B2)에서 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이를 감압하여 웨이퍼(W)를 흡착 고정한다.
이어서, 밸브(V9, V10)가 열려, 액조(14A)가 순환 배관(14B1, 14B2)을 거쳐서 유지대(11)를 연통한다. 이 상태로 밸브(V11)를 열어, 공기 제어 회로(15B)에서 소정의 압력으로 조정된 공기를 액조(14A)에 공급하여 가압하면, 진공 흡착 기구(13)에 의한 흡인 작용과 서로 작용하여, 열전달액이 신속하게 유지대(11)내로 공급된다. 즉, 열전달액이 가압되어 액조(14A)로부터 유출하고, 순환 배관(14B1, 14B2)을 경유하여 유지대(11)의 액체공급로(117A, 117B)내에 유입한다. 열전달액은, 액체공급로(117A, 117B) 각각의 연통 구멍으로부터 제 2 액체통로(112)내에 유입한 후, 복수계열의 액체통로(112A, 112B)로 분산하여, 이들 액체통로(112A, 112B)의 복수의 개구부(113A)에서 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 좁은 틈으로 침투한다. 이 때, 진공 흡착 기구(13)의 진공 흡착홈(114)으로부터 흡인하고 있고, 더구나 개구부(113A)는 동심원 형상의 복수의 진공 흡착홈(114) 사이의 중간에 있기 때문에, 개구부(113A)로부터 공급된 열전달액은, 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 좁은 틈을 대략 전 영역에 걸쳐 신속히 침투하여, 확산한다.
웨이퍼(W)와 유지대(11)의 좁은 틈에 침투한 열전달액은, 그 후 복수의 진공 흡착홈(114)에 흘러 들어가, 각 진공 흡착홈(114)내에 형성된 개구부(116A, 116B)로부터 제 1, 제 2 배기 통로(115A, 115B)를 경유하여 유지대(11) 외로 유출한다. 또한, 열전달액은, 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)을 흘러, 분리조(14C1, 14C2)에 도달한다. 열전달액은 분리조(14C1, 14C2)에 있어서 자중에 의해 분리된다. 그리고, 공기만이 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)으로부터 배관(131)에 합류하여, 배출된다.
열전달액이 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 좁은 틈의 대략 전 영역에 침투한 후, 공기 제어 회로(15B)에 의해 가압 상태의 공기압을 낮춤과 동시에 진공 제어 회로(133)에 의해 진공도를 낮추어 열전달액을 순환시킨다. 열전달액이 순환하는 사이에 유지대(11)에서는 웨이퍼(W)의 얼라인먼트를 실행한다. 열전달액으로서 Fluorinert를 사용하면, Fluorinert는 증발하기 쉽기 때문에, 진공도를 낮추어 열전달액을 공급하는 것에 의해, 열전달액의 소비량을 각별히 삭감할 수 있다. 공기 압력을 내림으로써 순환 유량이 줄어, 열전달액의 증발량을 저감할 수도 있다. 이 상태로 열전달액을 순환시켜, 웨이퍼(W)의 검사를 실행한다.
열전달액이 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 전 영역에 신속히 침투하는 것에 의해, 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 미세한 빈틈을 매립하여, 웨이퍼(W)와 유지대(11)간의 열 전달 효율을 각별히 높일 수 있다. 따라서, 냉각 회로(121)에 의한 냉각 효율이 지극히 양호해져, 웨이퍼(W)를 효율 좋게 냉각할 수 있다. 그 때문에, 검사시에 웨이퍼(W)로부터 대량의 발열이 있더라도, 웨이퍼(W)를 효율 좋게 냉각할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 제어하여 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있다.
검사 중에 액체 회수조(14D)내의 액체가 상한값에 달하면, 액면계(L)가 상한 값을 검출한다. 액면계(L)로부터의 신호를 받아, 액체 회수조(14D)의 열전달액을 액조(14A)로 이동시키는 동작에 들어간다. 즉, 액체 이동을 위해 밸브(V7, V8)를 닫음과 동시에 밸브(V12)를 열어, 액체 회수조(14D)를 승압하여, 액조(14A)로 열전달액을 이동시킨다. 액면계(L)가 하한값을 검출하여 액체 이동을 종료하면, 밸브(V12)를 닫는다. 계속해서, 이젝터(15D)로 액체 회수조(14D)를 진공 배기하여 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)의 진공도로 조정한 후 밸브(V7, V8)를 연다. 그 후, 이젝터(15D)를 멈추어, 액체 순환을 속행한다.
검사의 종료 후, 웨이퍼(W)를 언로드한다. 이 때, 열전달액을 공급하는 순환 배관(14B1, 14B2)의 밸브(V9, V10)를 닫아, 배기용의 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)의 밸브(V2, V3, V4)를 개방함과 동시에 밸브(V5, V6)를 닫아, 공기 배관(15A)의 밸브(V13, V14)를 개방한다. 이에 의해서, 도 6에 도시하는 바와 같이 유지대(11)의 배기 통로(115A2, 115B2)로부터 웨이퍼(W)와 유지대(11)간의 빈틈으로부터 공기를 흡인하여 웨이퍼(W)의 주연부를 진공 흡착함과 동시에, 배기 통로(115A1, 115B1)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 공기를 공급하여, 유지대(11)내의 제 2 액체통로(112)측을 진공 라인인 배관(131A1, 131B2)으로 전환하기 때문에, 웨이퍼(W)의 중앙부를 뜨게 한 상태에서 제 2 액체통로(112)를 거쳐서 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이 빈틈의 열전달액을 원활하게 제거할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 유지대(11) 상에서 유지된 웨이퍼(W)의 온도를 제어할 때에, 온도 제어 장치(12)를 이용하여 유지대(11)의 온도 를 제어하는 공정과, 웨이퍼(W)를 유지대(11) 상에 설치하는 공정과, 열전달액 충전 회로(14)를 이용하여 유지대(11)와 웨이퍼(W)의 사이에 열전달액을 유지대(11)의 상면에서 개구하는 개구부(113A)로부터 공급하는 공정과, 진공 흡착 기구(14)를 이용하여 개구부(113A)의 가까이에 형성된 진공 흡착홈(114)을 거쳐서 진공 흡착홈(114)에서 개구하는 개구부(116A, 116B)로부터 열전달액을 배출하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이의 미세한 빈틈에 열전달액을 신속히 침투시켜, 열전달액을 거쳐서 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이의 열 전달 효율을 각별히 높일 수 있고, 또한 열전달액이 빈틈을 원활하게 순환하기 때문에, 냉각 회로(121)에 의한 웨이퍼(W)의 냉각 효율을 각별히 높일 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 액조(14A)로부터 개구부(113A)에 열전달액을 공급할 때에, 액조(14A)를 가압하기 때문에, 열전달액의 액체 순환을 원활하게 실행할 수 있고, 또한 냉각 효율을 높일 수 있다. 또한, 열전달액을 액체 회수조(14D)에서 회수한 후, 액체 회수조(14D)로 회수된 열전달액을 액조(14A)로 이동시키기 때문에, 유지대(11)로부터 회수한 열전달액을 유지대(11)로 연속적으로 또한 확실히 순환시킬 수 있다. 또한, 열전달액을 액체 회수조(14D)로부터 액조(14A)로 이동시킨 후, 액체 회수조(14D)를 감압하기 때문에, 액체 회수조(14D)를 원활하게 진공측의 제 1, 제 2 배관(131A, 131B)에 접속할 수 있다. 웨이퍼(W)를 유지대(11)로부터 제거할 때에, 유지대(11)와 웨이퍼(W) 사이의 열전달액을 제거하여 양자간에 빈틈을 만들기 때문에, 웨이퍼(W)를 원활하게 언로드할 수 있어, 웨이퍼(W)를 손상하는 일이 없다. 또한, 열전달액을 제거할 때에 웨이퍼(W)를 유지 대(11)와의 사이에 공기를 공급하기 때문에, 열전달액을 신속히 제거할 수 있다.
상기 실시형태에서는 웨이퍼(W)를 상온 및 고온 영역에서 취급하는 경우에 대하여 설명했지만, 웨이퍼(W)를 저온 영역에서 취급하는 경우에 대하여 설명한다. 예컨대 -65℃에서 웨이퍼(W)의 검사를 실행하는 경우에 대하여 설명한다. 이 온도가 되면, 열전달액의 점도가 높아져, 상기 실시형태의 수법으로는 열전달액을 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 원활하게 공급할 수 없다. 그래서, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 중심부에 공기와 열전달액을 강제적으로 충전하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 중심부를 뜨게 함으로써 열전달액의 액체 침투를 촉진하는 수법이다. 본 실시형태에서는 200mm 웨이퍼(W)를 이용한다.
웨이퍼(W)를 유지대(11) 상에 탑재하여, 밸브(V1)를 열어 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다. 이어서, 밸브(V9, V11)를 열어 액조(14A)로부터 유지대(11)에 열전달액을 공급한다. 이 상태로 수 10초간 상황을 관찰한다. 그리고, 공기압을 저하시켜 조금 시간을 둔 뒤, 새롭게 밸브(V5)를 닫고, 밸브(V13)를 열어, 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 강제적으로 공기를 흘려 진공 상태를 파괴한다. 이어서, 밸브(V5)를 개방함과 동시에 밸브(V13, V9)를 닫고, 또한 밸브(V3)를 열어, 순환 배관(14B1)측을 감압한다. 그 후, 밸브(V3)를 닫고, 다시 밸브(V5)를 닫고, 밸브(V13)을 열어, 웨이퍼(W)와 유지대(11)의 사이에 강제적으로 공기를 흘려 진공 상태를 파괴한다. 이 상태를 유지한 뒤, 이 상태에서 공기압을 내린다. 잠시 후에, 밸브(V1, V5, V11) 이외의 밸브를 모두 닫고, 액조(14A)의 공기 압력을 올림과 동시에 웨이퍼(W)와 유지대(11) 사이를 진공으로 한다. 이 상태를 10초 정도 계속한 후, 밸브(V9)를 열어 액조(14A)로부터 유지체(11)에 열전달액을 공급한다.
상술한 일련의 조작으로 열전달액이 대략 전체면에 침투한다. 그 후, 통상의 운전 조건까지 공기압을 내려 열전달액을 순환시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 얼라인먼트한 뒤, 검사를 실행한다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 저온하에서는 열전달액의 점도가 높기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심부에 공기와 열전달액을 동시에 흘려, 강제적으로 열전달액을 충전하면, 비교적 단 시간에 열전달액을 침투시킬 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 하등 제한되는 것이 아니라, 본 발명의 범위내에서 각 구성 요소를 적절히 설계 변경할 수 있다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은, 프로브 장치 등에 적합하게 이용할 수 있다.
본 발명의 청구항 1 내지 청구항 19에 기재된 발명에 의하면, 기판과 기판 유지대의 계면에서의 액체의 이동을 빠르게 하여, 기판과 기판 온도를 신속히 제어할 수 있는 기판 유지대, 기판 온도 제어 장치 및 기판 온도 제어 방법을 제공할 수 있다.

Claims (19)

  1. 기판을 유지하는 유지대와, 이 유지대의 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 구비하고,
    상기 유지대는, 상기 유지대의 상면에서 개구하고 또한 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 액체를 공급하는 액체 공급구와,
    상기 액체 공급구의 가까이에 형성되고 또한 상기 기판과 상기 유지대 사이의 상기 액체를 배출하는 액체 배출홈과,
    상기 액체 배출홈에서 개구하고 또한 상기 배출홈으로부터 상기 액체를 배출하는 액체 배출구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 유지대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유지대의 상면에 형성되고 또한 상기 기판을 상기 유지대의 상면에 흡착하기 위한 배기홈과, 이 배기홈에서 개구하는 배기구를 구비하고,
    상기 배기홈 및 상기 배기구는, 각각 상기 액체 배출홈 및 상기 액체 배출구를 겸하는 것을 특징으로 하는 기판 유지대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 액체 공급구는, 상기 액체 배출홈 이외의 부위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지대.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유지대는, 상기 액체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 유지대.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유지대는, 상기 유지대의 온도를 제어하기 위한 열 매체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 유지대.
  6. 유지대 상에서 유지된 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서,
    상기 유지대는, 상기 유지대의 상면에서 개구하고 또한 상기 기판과 상기 유지대 사이에 액체를 공급하는 액체 공급구와,
    상기 액체 공급구의 가까이에 형성되고 또한 상기 기판과 상기 유지대 사이의 상기 액체를 배출하는 액체 배출홈과,
    상기 액체 배출홈에서 개구하고 또한 상기 배출홈으로부터 상기 액체를 배출하는 액체 배출구와,
    상기 액체 공급구에 접속되고 또한 상기 액체를 저장하는 액조(液槽)와,
    상기 액체 배출구에 접속되어 또한 상기 액체를 회수하는 액체 회수조를 구비하고,
    상기 기판과 상기 유지대의 사이에 개재(介在)하는 상기 액체가 이들 양자간의 열 전달 매체가 되는 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유지대의 상면에 형성되고 또한 상기 기판을 상기 유지대의 상면에 흡착하기 위한 배기홈과, 이 배기홈에서 개구하는 배기구를 구비하고,
    상기 배기홈 및 상기 배기구는, 각각 상기 액체 배출홈 및 상기 액체 배출구를 겸하는 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 액체 공급구는, 상기 액체 배출홈 이외의 부위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 유지대는, 상기 액체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 청구항 6 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 기판 온도 제어 장치.
  10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 유지대는, 상기 유지대의 온도를 제어하기 위한 열 매체가 유통하는 유로를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  11. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 액체 회수조와 상기 액체 배출구 사이에 마련된 개폐 밸브를 더 구비하며, 상기 액조는 상기 액체를 상기 액체 공급구에 공급하며, 상기 액체 회수조는 상기 액체 배출구부터의 상기 액체를 감압하에서 회수하는 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  12. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 액조 및 상기 액체 회수조를 각각 개별로 가압하는 가압 수단을 더 구 비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 가압 후의 상기 액체 회수조를 감압하는 감압 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 장치.
  14. 유지대 상에서 유지된 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 방법에 있어서,
    상기 유지대의 온도를 제어하는 공정과,
    상기 기판을 상기 유지대 상에 설치하는 공정과,
    상기 유지대와 상기 기판의 사이에 액체를 상기 유지대의 상면에서 개구하는 액체 공급구로부터 공급하는 공정과,
    상기 액체 공급구의 가까이에 형성된 액체 배출홈을 거쳐서 상기 액체 배출홈에서 개구하는 액체 배출구에서 감압하여 상기 액체를 배출하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    액조로부터 상기 액체 공급구에 상기 액체를 공급할 때에, 상기 액조를 가압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 액체를 액체 회수조에서 회수하는 공정과, 상기 액체 회수조로 회수된 상기 액체를 상기 액조로 이동시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 액체를 상기 액체 회수조로부터 상기 액조에 이동시킨 후, 상기 액체 회수조를 감압하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
  18. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 유지대로부터 제거할 때에, 상기 유지체와 상기 기판 사이의 상기 액체를 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 액체를 제거할 때에 상기 기판과 상기 유지대의 사이에 기체를 공급하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
US8994917B2 (en) * 2008-08-08 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Temperature stabilization system to stabilize a temperature of an article
US8404572B2 (en) * 2009-02-13 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
EP2399279B1 (en) * 2009-02-22 2018-10-31 Mapper Lithography IP B.V. Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system
JP2011077452A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 基板載置台の温度制御方法及び温度制御システム
JP5788416B2 (ja) 2010-02-19 2015-09-30 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 基板支持構造及び基板支持構造と基板支持構造の表面上にクランプされている基板との組み合わせ
NL1038213C2 (en) * 2010-03-04 2012-10-08 Mapper Lithography Ip Bv Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system.
TWI475670B (zh) * 2011-11-24 2015-03-01 Macronix Int Co Ltd 記憶元件及其製造方法
JP5970552B2 (ja) * 2012-09-11 2016-08-17 シャープ株式会社 試験用治具、検査装置、載置装置および試験装置
JP6213824B2 (ja) * 2013-11-20 2017-10-18 株式会社リコー シート材載置装置および画像形成装置
US10898987B2 (en) * 2015-06-01 2021-01-26 Ebara Corporation Table for holding workpiece and processing apparatus with the table
KR101790617B1 (ko) 2016-02-04 2017-10-26 (주)에스엔텍 열전도 가스를 통해 샘플의 온도 조절이 가능한 증착 장치용 샘플 거치대 및 그 샘플 거치대를 갖는 증착 장치
NL2017576A (en) 2015-10-06 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Chucks and clamps for holding objects of a lithographic apparatus and methods for controlling a temperature of an object held by a clamp of a lithographic apparatus
CN106783669B (zh) * 2015-11-25 2019-04-12 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理装置及方法
CN107984094A (zh) * 2016-10-26 2018-05-04 深圳市裕展精密科技有限公司 切割设备及其切割方法
CN106736762A (zh) * 2017-02-15 2017-05-31 珠海格力智能装备有限公司 吸盘夹具和显示屏边框加工设备
CN110658683A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 晶片承载系统和浸没光刻设备
KR20210030074A (ko) 2019-09-09 2021-03-17 삼성전자주식회사 진공 척 및 상기 진공 척을 포함하는 기판 처리 장치
JP7344153B2 (ja) * 2020-02-14 2023-09-13 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5088006A (en) * 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
US5186238A (en) * 1991-04-25 1993-02-16 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
JPH07263526A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Hitachi Ltd ウェハチャックおよび半導体素子の冷却方法
JP3356115B2 (ja) * 1999-05-20 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 レジスト硬化装置
JP3772621B2 (ja) * 2000-02-03 2006-05-10 株式会社日鉱マテリアルズ 気相成長方法および気相成長装置
EP1300876A4 (en) * 2001-03-28 2005-12-07 Tadahiro Ohmi PLASMA TREATMENT DEVICE
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US6908512B2 (en) * 2002-09-20 2005-06-21 Blue29, Llc Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
JP4172769B2 (ja) * 2003-03-10 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2004355815A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および該装置に適した熱式流量計
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
US6992892B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for efficient temperature control using a contact volume

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