JPWO2019117043A1 - 液供給装置及び液供給方法 - Google Patents

Abstract

被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給装置であって、処理液吐出部に接続された供給管路と、供給管路に介設され処理液を濾過し異物を除去するフィルタと、フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行うと共に、処理液の状態が不良と判定された場合は、フィルタの一次側への当該処理液の供給を制限する制御信号を出力するように構成された制御部と、を備える。

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１７年１２月１２日に日本国に出願された特願２０１７−２３７５５５号、及び２０１８年１２月４日に日本国に出願された特願２０１８−２２７３３２号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。

本開示は、液供給装置及び液供給方法に関する。

特許文献１には、処理液を貯留する処理液容器と、被処理基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、処理液容器と吐出ノズルを接続する供給管路と、供給管路に介設され処理液を濾過するフィルタとを具備する液処理装置が開示されている。この装置では、フィルタを通過する処理液の一部を吐出ノズルから吐出し、残りの処理液をフィルタの一次側の供給管路に戻し、処理液容器からの処理液と合成して、処理液の吐出とフィルタによる濾過を行う。

日本国２０１４−１４００２９号公報

本開示にかかる技術は、微細な半導体デバイスの製造に適した清浄度の処理液を供給することができるようにする。

本開示の一態様は、被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給装置であって、前記処理液吐出部に接続された供給管路と、前記供給管路に介設され前記処理液を濾過し異物を除去するフィルタと、前記フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行うと共に、前記処理液の状態が不良と判定された場合は、前記フィルタの一次側への当該処理液の供給を制限する制御信号を出力するように構成された制御部と、を備える。

本開示によれば、微細な半導体デバイスの製造に適した清浄度の処理液を供給することができる。

本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。 本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。 レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。 第１の実施の形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、ポンプへの補充工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、吐出工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、ポンプベント工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、ポンプベント工程の他の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、ポンプベント工程の他の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、フィルタベント工程の他の説明図である。 第２の実施形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 第３の実施形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の説明図である。 第４の実施形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の説明図である。 レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の説明図である。 第５の実施形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 確認試験３の試験結果を示す図である。 第６の実施形態に係る液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、外部配管路の立ち上げ工程の説明図である。 液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、立ち上げ終了判定工程の説明図である。 液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の説明図である。 液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの吐出工程の説明図である。 液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の他の例の説明図である。 第７の実施形態に係る液供給装置の構成の概略を示す説明図である。 第８の実施形態に係る液供給装置の構成の概略を示す説明図である。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理体としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に反射防止膜やレジスト膜などの塗布膜を形成するために、レジスト液等の塗布液が用いられる。また、フォトリソグラフィー工程では、ウェハに対する処理液として、塗布膜を形成するための塗布液だけでなく、現像液やリンス液等も用いられる。なお、処理液は、例えば液供給源に貯留されており、該液供給源から液供給装置により吐出ノズルに供給され、該吐出ノズルからウェハ上に吐出される。

この処理液中には異物（パーティクル）が含まれていることがある。また、元の処理液にはパーティクルが存在しなくとも、液供給装置のポンプ、バルブ、配管にパーティクルが付着している場合、供給する処理液中にパーティクルが混入することがある。そのため、液供給装置の液供給源と吐出ノズルとを接続する供給管にはフィルタが介設され、当該フィルタによって処理液を濾過しパーティクルを除去している。

上述のような液供給装置に関し、特許文献１には、前述のように、フィルタにより濾過されパーティクルが除去された処理液を供給管路におけるフィルタの一次側の部分に戻す装置が開示されている。

ところで、半導体デバイスには更なる微細化が求められており、処理液から除去すべきパーティクルのサイズも非常に小さくなっている。また、ウェハ上のパーティクルの検出感度が高くなってきている。例えば、２０ｎｍ以下の細かいパーティクルが検出可能となってきている。さらに、更なる微細化のために、今までに用いられていなかった新たな種類の塗布液が用いられてきており、今までの塗布液では想定できなかったパーティクルが問題となることが予想される。

このような背景を踏まえ、本発明者が鋭意検討した結果、フィルタにより濾過された処理液であっても液供給装置内で滞留していたものであれば異物が含まれることがあることが見出された。特に、特許文献１の記載のようにフィルタで濾過された塗布液を供給管路の一次側に戻す場合、ノズルから吐出される塗布液に含まれる微細なパーティクルの数が操業時間の経過と共に増加することがあることが見出された。したがって、フィルタで濾過された塗布液を供給管路の一次側（液供給源側）に戻す構成を有する液供給装置では、塗布液のさらなる清浄化には改善の余地がある。

また、前述のような背景を踏まえ、本発明者が鋭意検討した結果、以下のことが見出された。処理液として、ポリマーを含有するポリマー液からなるレジスト液等の塗布液を供給する場合、液供給源には塗布液ボトルが用いられる。この塗布液ボトルが、その製造業者により品質が保証されたものであっても、当該ボトル内の塗布液に微細なパーティクルが含まれていることがある。このような、微細な半導体デバイスの製造には十分ではない清浄度の塗布液を、液供給装置内に通流させると、該装置内の清浄度に影響する可能性があることが見出された。液供給装置内の清浄度が悪化すると、該液供給装置から供給される処理液の清浄度も悪化し、製品の歩留まりに影響する。
また、処理液として、ポリマーを含有しない非ポリマー液からなる現像液等を供給する場合、液供給装置が設置された工場内に配設された外部配管路を介して液供給装置に処理液が補充される。このように外部配管路を介して液供給装置に処理液が補充される形態においても、補充する処理液内にパーティクルが含まれている場合があり、この場合も、製品の歩留まりに影響する。

そこで、本開示にかかる技術は、微細な半導体デバイスの製造に適した清浄度の処理液を供給することができるようにする。

以下、本実施形態にかかる液供給装置及び液供給方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１の実施形態）
本実施形態にかかる液供給装置は、処理液として、ポリマー液からなる塗布液（例えばレジスト液）を供給する塗布液供給装置として構成される。

（確認試験１）
塗布液としてより清浄な液を供給するために、本発明者らは、塗布液供給装置がフィルタで濾過された塗布液を供給管の塗布液供給源側に戻す機能を有する場合において、当該機能が塗布液の清浄度に与える影響について確認試験を行った。より具体的には、フィルタで濾過された塗布液であって吐出されずに残っていたものをバッファタンクに戻す機能を塗布液供給装置が有する場合において、当該機能が塗布液の清浄度に与える影響について確認試験を行った。該確認試験では、後述する互いに異なる４つの動作条件（１）〜（４）で塗布液供給装置を動作させた。なお、後述の「ダミーディスペンス」とは、吐出ノズル及び吐出ノズルに接続された塗布液供給ライン内に存在する、処理に不適切な組成の塗布液または長期滞留した塗布液を廃棄すること等を目的とした動作である。具体的には、「ダミーディスペンス」は、被処理基板とは異なる場所に向けて吐出ノズルから所定量の塗布液を吐出する動作を意味する。また、ダミーディスペンス間隔、すなわち、直近の吐出ノズルからの塗布液吐出動作終了時からダミーディスペンスを行うまでの時間は、ユーザにより設定されるものである。また、後述の「ポンプベント」とは、ポンプ内の塗布液に含まれる気泡を除去するためにポンプから排液ラインに一定量の塗布液を排出する動作を意味する。なお、本確認試験で用いた塗布液供給装置の構成は、後述の図６のレジスト液供給装置２００と、異物検出部２０８を有していない点で異なり、その他の構成は略同一である。

動作条件（１）の場合、すなわち、ダミーディスペンス間隔を５分として操業し、ループ機能を無効にした場合、吐出ノズルからの塗布液に含まれるパーティクルの数は、操業時間が経過しても変化はなく、常に少なかった。ループ機能とは、ポンプベントの際にポンプから排液ラインに送出された塗布液をバッファタンクに戻す機能である。

一方、動作条件（２）の場合、すなわち、ダミーディスペンス間隔を５分として操業し、上記ループ機能を有効にした場合、吐出ノズルからの塗布液に含まれるパーティクルの数は、操業時間が経過しても変化はなかった。また、上記パーティクルの数は、動作条件（１）よりもさらに少ない値で安定していた。

また、動作条件（３）の場合、すなわち、ダミーディスペンス間隔を３０分として操業し、上記ループ機能を無効にした場合、吐出ノズルからの塗布液に含まれるパーティクルの数は、少ないこともあるが、その値は安定していなかった。

さらに、動作条件（４）の場合、すなわち、ダミーディスペンス間隔を３０分として操業し、上記ループ機能を有効にした場合、吐出ノズルからの塗布液に含まれるパーティクルの数は、多く、また、操業時間の経過と共に増加する傾向にあった。

以上の確認試験の結果から、以下の点が推測される。動作条件（２）のようにダミーディスペンス間隔が短く塗布液供給装置内での塗布液の滞留の時間が短い場合、上記滞留による影響は小さい。したがって、フィルタにより濾過された塗布液をバッファタンクに戻すと、再度フィルタにより濾過されるため、パーティクルの数が操業時間と共に減少していくものと推測される。
一方、動作条件（４）のようにダミーディスペンス間隔が長く塗布液供給装置内での塗布液の滞留の時間が短い場合、フィルタにより濾過された塗布液が上記滞留により汚染されてしまう。その汚染された塗布液をバッファタンクに戻すことによって、塗布液供給装置内全体が汚染されてしまうため、パーティクルの数が操業時間と共に増加するものと推測される。
つまり、フィルタにより濾過した塗布液であっても塗布液供給装置内で滞留していれば該塗布液に異物が含まれることがあると推測される。

なお、滞留している場合に塗布液に異物が含まれることがある理由としては、以下のものが考えられる。すなわち、フィルタは塗布液を濾過しパーティクルを除去する濾材と該濾材を補強／保護するサポート材とを有し、上記サポート部材は低分子量材料からなる。そして、半導体デバイスの微細化に伴い開発されている新種の塗布液の溶剤には高分子材料が用いられており、高分子材料からなる溶剤に、低分子材料からなるサポート溶剤が溶出していること等が考えられる。

以下に説明する第１の実施形態は、以上の検討結果を踏まえたものである。

図１は、第１の実施形態に係る塗布液供給装置としてのレジスト液供給装置を搭載した基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、を有する。そして、基板処理システム１は、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３と、を一体に接続した構成を有している。

カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。

カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。

例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。

これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３といった液処理装置では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０〜４３が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０〜４３の数や配置についても、任意に選択できる。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。

シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１１０ａを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アーム１１０ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。

次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理の概略について説明する。先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４１に搬送され、加熱処理が行われる。

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４２に搬送され、温度調節処理される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置７０によって第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４３に搬送され、プリベーク処理される。

次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４３に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。これにより、レジスト膜の露光部において発生した酸により脱保護反応させる。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。

次に、上述のレジスト塗布装置３２の構成について説明する。図４は、レジスト塗布装置３２の構成の概略を示す縦断面図であり、図５は、レジスト塗布装置３２の構成の概略を示す横断面図である。

レジスト塗布装置３２は、図４に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、図５に示すようにウェハＷの搬入出口１２１が形成され、搬入出口１２１には、開閉シャッタ１２２が設けられている。

処理容器１２０内の中央部には、図４に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着保持できる。

スピンチャック１３０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構１３１を有し、そのチャック駆動機構１３１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構１３１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３０は上下動可能である。

スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。

図５に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。

アーム１４１には、図４及び図５に示すようにレジスト液を吐出する吐出ノズル１４２が支持されている。アーム１４１は、図５に示すノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。これにより、吐出ノズル１４２は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４４からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、吐出ノズル１４２の高さを調節できる。吐出ノズル１４２は、図４に示すようにレジスト液を供給するレジスト液供給装置２００に接続されている。

次に、レジスト塗布装置３２内の処理液吐出部としての吐出ノズル１４２に対し塗布液としてのレジスト液を供給するレジスト液供給装置２００の構成について説明する。図６は、レジスト液供給装置２００の構成の概略を示す説明図である。なお、レジスト液供給装置２００は、例えば不図示のケミカル室内に設けられている。ケミカル室とは、各種処理液を液処理装置に供給するためのものである。

図６のレジスト液供給装置２００は、吐出ノズル１４２に接続された供給管路として、塗布液供給管路２５０を備えている。本実施形態において、塗布液供給管路２５０は、内部にレジスト液を貯留する液供給源としてのレジスト液ボトル２０１と吐出ノズル１４２とを接続する。言い換えると、塗布液供給管路２５０は、吐出ノズル１４２とは反対側の端部が、液供給源としてのレジスト液ボトル２０１に接続されている。

レジスト液ボトル２０１は、取り替え可能なものであり、該レジスト液ボトル２０１の上部には、開閉弁Ｖ１が設けられた気体供給管路２５１が設けられている。気体供給管路２５１は、窒素ガス等の不活性ガスの供給源であるガス供給源２１０とレジスト液ボトル２０１とを接続するものであり、開閉弁Ｖ１の上流側に、圧力調整用の電空レギュレータ２１１が設けられている。

塗布液供給管路２５０には、バッファタンク２０２、フィルタ２０３、トラップタンク２０４、ポンプ２０５が、上流側からこの順に介設されている。
塗布液供給管路２５０は、レジスト液ボトル２０１とバッファタンク２０２とを接続する第１の供給管路２５０ａ、バッファタンク２０２とポンプ２０５とを接続しフィルタ２０３とトラップタンク２０４が介設された第２の供給管路２５０ｂ、ポンプ２０５と吐出ノズル１４２とを接続する第３の供給管路２５０ｃとを有する。

第１の供給管路２５０ａには、開閉弁Ｖ２が設けられている。
第２の供給管路２５０ｂでは、バッファタンク２０２とフィルタ２０３との間に開閉弁Ｖ３が設けられ、フィルタ２０３とトラップタンク２０４との間に開閉弁Ｖ４が設けられている。
第３の供給管路２５０ｃは、開閉弁とサックバックバルブとを含む供給制御弁２０６が介設されている。

バッファタンク２０２は、レジスト液ボトル２０１から移送されたレジスト液を一時的に貯留する一次貯留部である。バッファタンク２０２には、貯留残量を検出する液面センサ（図示せず）が設けられており、該液面センサでの検出結果に応じて開閉弁Ｖ１、Ｖ２が開閉され、レジスト液ボトル２０１からバッファタンク２０２へのレジスト液の供給が開始／停止される。また、バッファタンク２０２の上部には、該バッファタンク２０２の上部に滞留する不活性ガスを大気に開放する排出管路２５２が設けられている。

フィルタ２０３は、レジスト液を濾過してパーティクルを除去するものである。フィルタ２０３には、フィルタベント時に該フィルタ２０３内から排出されたレジスト液を排液するための排液副管路２５３が設けられている。排液副管路２５３には開閉弁Ｖ５が設けられており、該排液副管路２５３におけるフィルタ２０３と反対側の端部は、後述の第１の戻り管路２５４ａにおける異物検出部２０８と開閉弁Ｖ６との間に接続される。

トラップタンク２０４は、レジスト液中の気泡を捕集し除去するものであり、トラップタンク２０４からレジスト液を排出するための第１の戻り管路２５４ａが設けられている。第１の戻り管路２５４ａには開閉弁Ｖ６、Ｖ７が上流側からこの順で設けられている。

また、第１の戻り管路２５４ａは、開閉弁Ｖ６と開閉弁Ｖ７との間に分岐点を有する。第１の戻り管路２５４ａは、この分岐点から分岐し塗布液供給管路２５０とは異なる場所に至る、具体的には排液路（図示せず）に至る排液主管路２５５が接続されている。排液主管路２５５には、開閉弁Ｖ８が設けられている。

さらに、第１の戻り管路２５４ａにおける上記分岐点の上流側には、具体的には、第１の戻り管路２５４ａにおける上記分岐点と開閉弁Ｖ６との間には、異物検出部２０８が設けられている。
異物検出部２０８は、塗布液等の処理液に含まれる異物を検出するものである。この異物検出部２０８は、例えば、当該異物検出部２０８が設けられる流路を流れる流体に光を照射する照射部（図示せず）と、該照射部が照射し上記流路を流れる流体を透過した光を受光する受光部（図示せず）とを有する。そして、異物検出部２０８は、上記受光部での受光結果に基づいて、上記流路内の流体の異物を検出する。

ポンプ２０５は、レジスト液を吸入、送出するものであり、例えば可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプで構成される。ポンプ２０５は、可撓性部材であるダイヤフラムにて不図示のポンプ室と作動室に仕切られている。上記ポンプ室は、開閉弁Ｖ１１を介して第２の供給管路２５０ｂに接続され、該第２の供給管路２５０ｂからレジスト液を吸入する。また、ポンプ室は、開閉弁Ｖ１２を介して第３の供給管路２５０ｃに接続され、該第３の供給管路２５０ｃにレジスト液を吐出する。さらに、ポンプ室は、開閉弁Ｖ２３を介して第２の戻り管路２５４ｂに接続され、該第２の戻り管路２５４ｂにレジスト液を吐出する。第２の戻り管路２５４ｂにおけるポンプ２０５側と反対側の端部はトラップタンク２０４に接続されている。この第２の戻り管路２５４ｂと第１の戻り管路２５４ａとが、本実施形態にかかる戻り管路を構成する。本実施形態にかかる戻り管路は、塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の二次側の部分と塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の一次側の部分とを接続する管路である。

ポンプ２０５の前述の作動室には、該作動室内の気体の減圧及び加圧を制御する駆動手段２０９が接続されている。

また、レジスト液供給装置２００は、制御部Ｍを備える。制御部Ｍは、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト液供給装置２００における処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部Ｍにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェハ（回路基板）で実現してもよい。

レジスト液供給装置２００に設けられた各弁には、制御部Ｍにより制御可能な電磁弁や空気作動弁が用いられ、各弁と制御部Ｍは電気的に接続されている。また、制御部Ｍは、異物検出部２０８、駆動手段２０９、電空レギュレータ２１１と電気的に接続されている。この構成により、レジスト液供給装置２００における一連の処理は制御部Ｍの制御の下、自動で行うことが可能となっている。

次に、図７〜図１３に基づいて、レジスト液供給装置２００の動作について説明する。なお、以下の図では、レジスト液が流通している管を太線で示すことで、一部の弁の開閉状態については説明を省略する。

（バッファタンク２０２への補充）
図７に示すように、制御部Ｍからの制御信号に基づいて、気体供給管路２５１に介設された開閉弁Ｖ１と第１の供給管路２５０ａに介設された開閉弁Ｖ２を開状態とする。そして、ガス供給源２１０からレジスト液ボトル２０１内に供給される窒素ガスの圧力によってレジスト液をバッファタンク２０２へ供給し補充する。

（ポンプ２０５への補充）
バッファタンク２０２内に所定量のレジスト液が補充されると、図８に示すように、開閉弁Ｖ１、Ｖ２を閉状態とする。このとき、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１１は開状態とされ、開閉弁Ｖ１２、Ｖ１３は閉状態とされている。そして、駆動手段２０９によりポンプ２０５の作動室内の排気動作を開始すると共に、第２の供給管路２５０ｂに介設された開閉弁Ｖ３、Ｖ４を開状態とする。これにより、バッファタンク２０２内のレジスト液は、フィルタ２０３を通過し、さらに、トラップタンク２０４を通過した後、ポンプ２０５に移される。

（吐出）
ポンプ２０５内に所定量のレジスト液が供給／補充されると、図９に示すように、開閉弁Ｖ３、Ｖ４、Ｖ１１を閉状態とし、ポンプの開閉弁Ｖ１２と第３の供給管路２５０ｃに介設された供給制御弁２０６を開状態とする。それと共に、駆動手段２０９によりポンプ２０５の作動室内の加圧動作を開始し、ポンプ２０５からレジスト液を第３の供給管路２５０ｃに圧送する。これにより、ポンプ２０５に移送されたレジスト液の一部（例えば５分の１）が吐出ノズル１４２を介してウェハＷに吐出される。

通常動作時は、上述の工程が繰り返される。

（ダミーディスペンス）
レジスト液供給装置２００のダミーディスペンス間隔は、前述のようにユーザにより設定される。ダミーディスペンスでは、所定量の塗布液が吐出ノズル１４２から吐出されるまで、上述したバッファタンク２０２への補充工程、ポンプ２０５への補充工程及び吐出工程が繰り返される。

（ポンプベント）
レジスト液供給装置２００は、ポンプ２０５内のレジスト液に含まれる気泡を除去するためにポンプ２０５から排液ラインに所定量のレジスト液を排出するポンプベントを行う。このポンプベントの実行タイミングは、ユーザにより設定され、例えば、ポンプベントは吐出ノズル１４２からの吐出動作がｎ回（例えば１００回）行われる毎に行われる。

ユーザにより設定されたｎ回目の吐出ノズル１４２からの吐出動作が終了すると、図１０に示すように、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１２と第３の供給管路２５０ｃに介設された供給制御弁２０６を閉状態とする。また、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１３、第１の戻り管路２５４ａに介設された開閉弁Ｖ６を開状態とする。このとき、ポンプ２０５の作動室内は駆動手段２０９により加圧状態に維持されている。したがって、ポンプ２０５からレジスト液が第２の戻り管路２５４ｂに圧送される。これにより、フィルタ２０３により濾過されたがポンプ２０５やトラップタンク２０４、第２の供給管路２５０ｂに残っていたレジスト液は、異物検出部２０８が介設された第１の戻り管路２５４ａに送出される。

そして、制御部Ｍは、異物検出部２０８による検出結果に基づいて、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液の状態の判定を行う。

上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値未満であり、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液の状態が良好と判定された場合、図１１に示すように、第１の戻り管路２５４ａに介設された開閉弁Ｖ７を開状態とする。これにより、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液を、塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の一次側の部分に、具体的にはバッファタンク２０２に戻す。

一方、上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値以上であり、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液の状態が不良と判定された場合、図１２に示すように、排液主管路２５５に介設された開閉弁Ｖ８を開状態とする。これにより、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液を、排液主管路２５５を介して排液する。

上述のようにして、本実施形態では、フィルタ２０３の一次側に供給されうる処理液の状態が不良と判定された場合に、フィルタ２０３の一次側への当該処理液の供給を制限している。

なお、ポンプベントの際、該ポンプベントが完了するまでの間に上記判定を行う回数は、１回でも複数回でもよい。また、複数回行う場合、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液の状態が一度でも不良とされたときには、以後ポンプベントが完了するまでの間、開閉弁Ｖ７を閉状態、開閉弁Ｖ８を開状態とし、第１の戻り管路２５４ａ内のレジスト液を排出することが好ましい。

（フィルタベント）
レジスト液供給装置２００は、フィルタ２０３内の当該フィルタ２０３に濾過される前のレジスト液に含まれる気泡を除去するためにフィルタ２０３から排液ラインに所定量のレジスト液を排出するフィルタベントを行う。フィルタベントの実行タイミングは、ユーザにより設定され、例えば、フィルタベントは、吐出ノズル１４２からの吐出動作がｍ回（例えば１００回）行われる毎に行われる。

ユーザにより設定されたｍ回目の吐出ノズル１４２からの吐出動作が終了すると、図１３に示すように、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１２と第３の供給管路２５０ｃに介設された供給制御弁２０６を閉状態とする。また、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１３、第２の供給管路２５０ｂに介設された開閉弁Ｖ４、排液副管路２５３に介設された開閉弁Ｖ５、排液主管路２５５に介設された開閉弁Ｖ８を開状態とする。このとき、ポンプ２０５の作動室内は駆動手段２０９により加圧状態に維持されている。したがって、ポンプ２０５からレジスト液が第２の戻り管路２５４ｂに圧送されることにより、フィルタ２０３内の未濾過のレジスト液は、排液副管路２５３、第１の戻り管路１５４ａの一部及び排液主管路２５５を介して排液される。

本実施形態では、上述のように、フィルタ２０３で濾過されたが吐出されずにレジスト液供給装置２００内に残っていたレジスト液を、塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の一次側の部分に戻すことが可能な第１の戻り管路２５４ａ等からなる戻り管路が設けられている。また、該戻り管路から分岐する排液主管路２５５が設けられている。そして、制御部Ｍが、フィルタ２０３により濾過されたが吐出されなかったレジスト液がポンプ２０５により上記戻り管に送出される制御信号を出力する。また、制御部Ｍが、上記戻り管路に設けられた異物検出部２０８での検出結果に基づいて、戻り管路に送出されたレジスト液の状態の判定を行う。判定の結果、戻り管路に送出されたレジスト液の状態が良好である場合、制御部Ｍは、上記戻り管路内のレジスト液がバッファタンク２０２に戻される制御信号を出力する。また、判定の結果、上記戻り管路に送出されたレジスト液の状態が不良である場合、制御部Ｍは、上記戻り管路内のレジスト液が排液主管路２５５を介して排液されるように制御信号を出力する。

したがって、本実施形態によれば、フィルタ２０３に濾過されたレジスト液が滞留により汚染されてしまったとしても、その汚染された塗布液がバッファタンク２０２に戻されることがない。そのため、上記汚染された塗布液によりレジスト液供給装置２００内が汚染されてしまうのを防ぐことができる。よって、本実施形態によれば、フィルタ２０３に濾過された残留レジスト液の状態によらず該レジスト液をバッファタンク２０２に送出する場合に比べて、より清浄なレジスト液を供給することができる。また、本実施形態によれば、供給するレジスト液を常に清浄なものにすることができる。

なお、以上の例では、フィルタ２０３内の未濾過のレジスト液は、フィルタベントの際に常に排液するものとした。これに代えて、フィルタベントの際も、ポンプベントと同様に、異物検出部２０８での検出を行い、検出結果に基づいてレジスト液の状態の判定を行い、レジスト液の状態が良好である場合は、バッファタンク２０２に戻されるようにしてもよい。

（第２の実施形態）
図１４は、第２の実施形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
ダミーディスペンスが行われてから長時間経過すると、レジスト液が汚染されている可能性が高くなる。また、ダミーディスペンス間隔が長いほど、ダミーディスペンスが行われてからの経過時間が短くてもレジスト液が汚染されている可能性が高くなる。

したがって、本実施形態にかかるレジスト液供給装置は、第１の実施形態とは異なり、戻り管路内に送出されたレジスト液の状態の判定を、ダミーディスペンス間隔に応じて定められる期間を経過したか否かに基づいて行う。そのため、図１４に示すように、本実施形態にかかるレジスト液供給装置２００には、異物検出部２０８（図６参照）が設けられていない。

本実施形態では、例えば、ダミーディスペンス間隔が５分である場合、判定の時点において前回ダミーディスペンスが行われてからの吐出動作の回数が、ダミーディスペンス間隔に応じて定められるＸ回を超えているかの判定が行われる。そして、Ｘ回を超えているときは、戻り管路内に送出されたレジスト液の状態は不良であると判定され、Ｘ回を超えていないときは、上記レジスト液の状態は良好であると判定される。また、ダミーディスペンス間隔が３０分である場合は、判定の時点において前記ダミーディスペンスが行われてからの吐出動作の回数が、Ｙ（＞Ｘ）回を超えているかの判定が行われる。そして、Ｙ回を超えているときは、戻り管路内に送出されたレジスト液の状態は不良であると判定され、Ｙ回を超えていないときは、上記レジスト液の状態は良好であると判定される。

本実施形態であっても、第１の実施形態と同様に、フィルタ２０３により濾過された後に汚染された塗布液によりレジスト液供給装置２００内が汚染されてしまうのを防ぐことができる。よって、本実施形態であっても、より清浄なレジスト液を供給することができ、また、供給するレジスト液を常に清浄なものにすることができる。

（第３の実施形態）
本実施形態にかかる液供給装置も、第１の実施形態にかかる液供給装置と同様、処理液として、ポリマー液からなる塗布液（例えばレジスト液）を供給する塗布液供給装置として構成される。

（確認試験２）
塗布液ボトルの交換直後に、ウェハ上に塗布された塗布液にパーティクルが多く含まれることがあること等から、本発明者らは、塗布液ボトルについて確認試験を行った。この確認試験では、具体的には、塗布液ボトル内の塗布液に含まれるパーティクルのボトル間差や、このボトル間差が液供給装置から供給される塗布液の品質に与える影響について確認を行った。なお、この確認試験では、塗布液としてＥＵＶレジスト液を用い、塗布液供給装置として後述の図１５のレジスト液供給装置２００と同様のものを用いた。ただし、本確認試験で用いたレジスト液供給装置は三方弁Ｖ２１や排液管路２５６が設けられていない。

確認試験において、一のレジスト液ボトルをレジスト液供給装置にインストールした際、レジスト液供給装置の塗布液供給管路におけるフィルタの一次側に設けられた異物検出部が、５００〜６００個／ｍｌのパーティクルを検出した。そして、上記一のレジスト液ボトルがインストールされたレジスト液供給装置から供給され吐出ノズルを介してウェハ上に吐出されたレジスト液には、表面異物検査装置で検査したところ、ウェハ１枚あたり５〜７個のパーティクルが観測された。

また、確認試験において、他のレジスト液ボトルをレジスト液供給装置にインストールした際、レジスト液供給装置の塗布液供給管路におけるフィルタの一次側に設けられた異物検出部が、７００〜８００個／ｍｌのパーティクルを検出した。そして、上記他のレジスト液ボトルがインストールされたレジスト液供給装置から供給され吐出ノズルを介してウェハ上に吐出されたレジスト液には、表面異物検査装置で検査したところ、ウェハ１枚あたり７〜９個のパーティクルが観測された。

確認試験の結果から、以下の点が確認された。レジスト液ボトルの品質がレジスト液製造業者により保証されていても、レジスト液供給装置にインストールされたレジスト液ボトル中のレジスト液にはパーティクルが含まれること、及び、含まれるパーティクルの数はレジスト液ボトル毎に異なることが確認された。さらに、フィルタで濾過して吐出する場合でも、レジスト液ボトルから供給されるレジスト液中のパーティクルの数に応じた数のパーティクルがウェハ上で観測されることが、確認された。
また、上記の確認試験の結果から、レジスト液ボトル内のレジスト液に閾値以上の数の多くのパーティクルが含まれる場合、レジスト液に含まれるパーティクルの数をフィルタで許容範囲まで低減させることができないことが予測される。

なお、レジスト液製造業者が品質を保証していてもレジスト液ボトル内のレジスト液に多くのパーティクルが含まれることがあると理由としては、例えば、以下のものが考えられる。すなわち、半導体デバイスの微細化に伴いパーティクル検出装置も進化しパーティクルの検出感度が上がってきており、検出装置の進化に合わせた検査環境をほとんどのレジスト液製造業者が確保できていないことが考えられる。また、上記微細化が進み今までのものとは異なる新種のレジスト液が用いられてきており、従来のレジストでは問題とならなかった環境（運搬環境や保管環境）であっても、その新種のレジスト液では微細なパーティクルが発生してしまうことがあること等も考えられる。

以下に説明する第３の実施形態は、以上の検討結果を踏まえたものである。

図１５は、第３の実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態にかかるレジスト液供給装置２００では、塗布液供給管路２５０においてフィルタ２０３の一次側に位置する第１の供給管路２５０ａに、開閉弁Ｖ２、異物検出部２０８、三方弁Ｖ２１が上流側からこの順に開設されている。三方弁Ｖ２１が有する３つの流体の出入り口のうち１つは、第１の供給管路２５０ａの上流側に通じ、他の１つは、第１の供給管路２５０ａの下流側に通じ、もう１つは、排液管路２５６に通じる。つまり、三方弁Ｖ２１は、第１の供給管路２５０ａにおける排液管路２５６への分岐点上に設けられており、異物検出部２０８は、第１の供給管路２５０ａにおける上記分岐点の上流側に介設されている。

次に、図１６〜図１８に基づいて、図１５のレジスト液供給装置２００の動作のうち前述の実施形態と異なるものについて説明する。

（バッファタンク２０２への補充）
図１６に示すように、制御部Ｍからの制御信号に基づいて、気体供給管路２５１に介設された開閉弁Ｖ１と第１の供給管路２５０ａに介設された開閉弁Ｖ２を開状態とする。そして、ガス供給源２１０からレジスト液ボトル２０１内に供給される窒素ガスの圧力によってレジスト液ボトル２０１内のレジスト液を第１の供給管路２５０ａに送出する。このとき、三方弁Ｖ２１は、第１の供給管路２５０ａの上流側の部分が第１の供給管路２５０ａの下流側部分にも排液管路２５６にも通じていない状態である。

そして、制御部Ｍは、異物検出部２０８による検出結果に基づいて、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態の判定を行う。

上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値未満であり、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態すなわちレジスト液ボトル２０１の状態が良好と判定された場合、図１７に示すように、三方弁Ｖ２１の状態を切り替える。これにより、第１の供給管路２５０ａの上流側の部分と第１の供給管路２５０ａの下流側部分とが通ずる状態とし、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液をバッファタンク２０２へ供給し補充する。

一方、上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値以上であり、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態すなわちレジスト液ボトル２０１の状態が不良であると判定された場合、図１８に示すように、三方弁Ｖ２１の状態を切り替える。これにより、第１の供給管路２５０ａの上流側の部分と排液管路２５６とが通ずる状態とし、レジスト液ボトル２０１内の汚染されているレジスト液を、排液管路２５６を介して排液させる。

上述のようにして、本実施形態では、フィルタ２０３の一次側に供給されうるレジスト液ボトル２０１内の塗布液の状態が不良と判定された場合に、フィルタ２０３の一次側への当該塗布液の供給を制限している。

なお、レジスト液ボトル２０１の状態が不良と判定された場合、以上の例では、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液を、排液管路２５６を介して排液していた。しかし、排液等を行わずに、レジスト液ボトル２０１を交換すべき旨の報知を表示部等を用いて行うようにしてもよい。

本実施形態のレジスト液供給装置２００では、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液の状態が良好である場合のみ、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液を、バッファタンク２０２に供給する。つまり、本実施形態のレジスト液供給装置２００では、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液の状態が良好である場合のみ、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液が、フィルタ２０３の一次側やポンプ２０５へ供給されるようにする。したがって、レジスト液ボトル２０１内の汚染されたレジスト液により、レジスト液供給装置２００のバッファタンク２０２及び当該バッファタンク２０２より下流側の部分が汚染されることがない。よって、本実施形態によれば、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液の状態によらず該レジスト液をバッファタンク２０２に送出する場合に比べて、より清浄なレジスト液を供給することができる。また、本実施形態によれば、供給するレジスト液を常に清浄なものにすることができる。

なお、本実施形態のレジスト液供給装置２００では、トラップタンク２０４は、開閉弁Ｖ２２が介設された排液主管路２５７ａが接続されている。また、フィルタ２０３は、排液主管路２５７ａと接続される排液副管路２５８が接続されており、該排液副管路２５８には開閉弁Ｖ２３が設けられている。第１の実施形態のレジスト液供給装置には、第２の戻り管路２５４ｂ（図６参照）が設けられていたが、本実施形態のレジスト液供給装置２００は、上記第２の戻り管路２５４ｂが設けられていた部分に、排液主管路２５７ｂが設けられている。

本実施形態のレジスト液供給装置２００におけるポンプベントでは、ポンプ２０５やトラップタンク２０４内のレジスト液が、排液主管路２５７ａ、２５７ｂを介して排液されるよう、制御部Ｍから制御信号が出力される。
本実施形態のレジスト液供給装置２００におけるフィルタベントでは、フィルタ２０３内の未濾過のレジスト液が、排液副管路２５８及び排液主管路２５７ａを介して排液されるよう、制御部Ｍから制御信号が出力される。

（第４の実施形態）
図１９は、第４の実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態のレジスト液供給装置２００は、図１９に示すように、第３の実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成における三方弁Ｖ２１の位置に四方弁Ｖ３１が設けられている。また、本実施形態のレジスト液供給装置２００は、第１の供給管路２５０ａにおける開閉弁Ｖ２と異物検出部２０８との間の部分と、四方弁Ｖ３１と、を接続する戻り管路２５９を有する。戻り管路２５９は、言い換えると、第１の供給管路２５０ａにおける異物検出部２０８の一次側と二次側とを接続するものである。戻り管路２５９には、上流側から順にポンプ２２０と開閉弁Ｖ３２を有する。

四方弁Ｖ３１が有する４つの流体の出入り口のうち１つは、第１の供給管路２５０ａの上流側に通じ、他の１つは、第１の供給管路２５０ａの下流側に通じ、別の１つは、排液管路２５６に通じ、もう１つは、戻り管路２５９に通じる。

次に、図２０〜図２２に基づいて、図１９のレジスト液供給装置２００の動作のうち前述の実施形態と異なるものについて説明する。

（バッファタンク２０２への補充）
図２０に示すように、制御部Ｍからの制御信号に基づいて、気体供給管路２５１に介設された開閉弁Ｖ１と第１の供給管路２５０ａに介設された開閉弁Ｖ２を開状態とする。そして、ガス供給源２１０からレジスト液ボトル２０１内に供給される窒素ガスの圧力によってレジスト液ボトル２０１内のレジスト液を第１の供給管路２５０ａに送出する。

そして、図２１に示すように、開閉弁Ｖ２を閉状態とし、戻り管路２５９に介設された開閉弁Ｖ３２を開状態とする共に、ポンプ２２０を作動させる。これにより、第１の供給管路２５０ａにおける異物検出部２０８が設けられている部分と戻り管路２５９とを含む循環路内を、レジスト液を循環させる。戻り管路２５９は、レジスト液が循環されている間、異物検出部２０８において異物検出を複数回行われる。

そして、制御部Ｍは、複数回行われた異物検出の結果に基づいて、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態すなわちレジスト液ボトル２０１の状態の判定を行う。

上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数の平均値が所定値未満であり、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態すなわちレジスト液ボトル２０１の状態が良好と判定されたとする。この場合、制御部Ｍは、図２２に示すように、開閉弁Ｖ１、Ｖ２を再度開状態とすると共に、開閉弁Ｖ３２を閉状態とし、四方弁Ｖ３１の状態を切り替えて、第１の供給管路２５０ａの上流側の部分と第１の供給管路２５０ａの下流側部分とが通ずる状態とする。さらに、ポンプ２２０の動作を停止させる。これにより、レジスト液ボトル２０１内のレジスト液をバッファタンク２０２へ供給し補充する。

一方、上記判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数の平均値が所定値以上であり、第１の供給管路２５０ａ内のレジスト液の状態すなわちレジスト液ボトル２０１の状態が不良であると判定されたとする。この場合、図２３に示すように、四方弁Ｖ３１を切り替えて、第１の供給管路２５０ａの上流側の部分と排液管路２５６とが通ずる状態とする。これにより、戻り管路２５９を含む前述の循環路内のレジスト液が排液管路２５６を介して排液される。また、この排液と共に、レジスト液ボトル２０１を交換すべき旨の報知を表示部等を用いて行うことが好ましい。

本実施形態では、上述のように、複数回行われた異物検出の結果に基づいてレジスト液ボトル２０１の状態の判定を行うため、より精度良く上記判定を行うことができる。

（第５の実施形態）
図２４は、第５の実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態のレジスト液供給装置２００は、図２４に示すように、第３の実施形態にかかるレジスト液供給装置の構成に加えて、第２の供給管路２５０ｂにおけるフィルタ２０３の一次側とニ次側それぞれに異物検出部２３０、２３１が設けられている。異物検出部２３０、２３１の構成は異物検出部２０８と同様である。

本発明者らの検討によれば、フィルタ２０３でレジスト液を濾過した場合、濾過する前のレジスト液に含まれるパーティクルの数に対する、濾過されたレジスト液に含まれるパーティクルの数の比は、フィルタ２０３の性能が変わらなければ一定であるが、フィルタ２０３の性能が劣化すると大きくなる。

そこで、本実施形態では、前述のように、第２の供給管路２５０ｂにおけるフィルタ２０３の一次側と二次側それぞれに、異物検出部２３０、２３１を設け、制御部Ｍが、一次側の異物検出部２３０での検出結果と、二次側の異物検出部２３１での検出結果に基づいて、フィルタ２０３の性能を判定する。

例えば、一次側の異物検出部２３０で検出されたパーティクルの数が一定水準以下である場合に、一次側の異物検出部２３０でのパーティクルの検出数に対する二次側の異物検出部２３１でのパーティクルの検出数の比が所定値以上である場合は、制御部Ｍは、フィルタ２０３の除去性能が劣化したと判定する。除去性能が劣化したと判定された場合、制御部Ｍは、フィルタ２０３を交換すべき旨の報知やダミーディスペンス間隔を短縮すべき旨の報知を表示部等を用いて行ったり、ダミーディスペンス間隔を短いものに変更したりする。

なお、例えば、一次側の異物検出部２３０で検出されたパーティクルの数が一定水準より大きい場合は、レジスト液ボトル２０１の清浄度が悪いことが考えられる。そのため、制御部Ｍは、吐出動作が継続されるよう制御しながら薬液ボトルを交換すべき旨の報知がされるよう制御したり、吐出動作が行われないように制御しながら同様の報知がされるよう制御したりする。

なお、図示や詳細な説明は省略するが、第１の実施形態や第２の実施形態のレジスト液供給装置及び後述の実施形態の液供給装置についても、フィルタ２０３の一次側と二次側に異物検出部を設け、本実施形態と同様に判定を行ってもよい。

以上の第１〜第５の実施形態にかかる説明では、塗布液はレジスト液であるものとしたが、塗布液は、これに限定されず、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜やＳＯＤ（Spin on Dielectric）膜、ＳＯＧ（Spin on Glass）膜を形成するための塗布液等であってもよい。

（第６の実施形態）
本実施形態にかかる液供給装置は、第１の実施形態にかかる液供給装置などと異なり、処理液として、非ポリマー液からなる現像液等を供給する。また、第１の実施形態では、処理液としてのレジスト液はレジスト液ボトルから液供給装置に補充されていたが、本実施形態では、処理液としての上記現像液などは、液供給装置が設置された工場等の空間に配設された外部配管路を介して補充される。

（確認試験３）
工場等に配設された外部配管路を介して液供給装置に処理液が補充される場合、工場の立ち上げ時や上記外部配管路の工事直後などに、ウェハ上に吐出された現像液等の非ポリマーの処理液にパーティクルが多く含まれることがある。このこと等から、本発明者らは、外部配管路を介して補充される現像液等の処理液中のパーティクル数と、このパーティクル数が液供給装置から供給され吐出される処理液の品質に与える影響について確認を行った。なお、この確認試験では、液供給装置として後述の図２６の液供給装置４００と同様のものを用いた。

図２５は、確認試験３の結果を示す図である。図中、横軸は、外部配管路を介して補充される処理液中のパーティクルの数であって、液供給装置におけるフィルタの上流側に設けられた、光による異物検出を行う異物検出部で検出された数を示している。また、縦軸は、外部配管路を介して補充されフィルタを介して吐出ノズルに供給されウェハ上に吐出された処理液中のパーティクルの数であって、表面異物検査装置での検査により観測された数を示している。なお、異物検出部では２００ｎｍ以上の大きなパーティクルを検出し、表面異物検査装置では４０ｎｍ以上の小さなパーティクルを検出した。なお、本確認試験で用いられた処理液はポジ型現像液である。

図２５に示すように、外部配管路を介して補充された処理液の吐出を、フィルタを介して行っても、吐出された処理液には小さなパーティクルが含まれる。また、外部配管路を介して補充される処理液に含まれる、異物検出部で検出された大きなパーティクルの数と、フィルタを介しウェハ上に吐出された処理液に含まれる、表面異物検査装置で検出された小さなパーティクルの数とは比例関係にある。
また、上記の確認試験の結果から、外部配管路を介して補充される処理液に所定数以上の多くのパーティクルが含まれる場合、処理液に含まれるパーティクルの数をフィルタで許容範囲まで低減させることができないことが予測される。

以下に説明する第６の実施形態は、以上の検討結果を踏まえたものである。

図２６は、本実施形態にかかる液供給装置４００の構成の概略を示す説明図である。なお、液供給装置４００は、例えば不図示のケミカル室内に設けられている。ケミカル室とは、各種処理液を液処理装置に供給するためのものである。

図２６の液供給装置４００は、吐出ノズル１４２に接続された供給管路として、処理液供給管路４５０を備えている。本実施形態において、処理液供給管路４５０は、吐出ノズル１４２とは反対側の端部が、処理液の取り込み口４０１に接続されている。また、処理液供給管路４５０が接続される上記取り込み口４０１は、液供給装置４００が設置される工場等の空間に配設される外部配管路Ｓに接続されている。
したがって、処理液供給管路４５０は、吐出ノズル１４２とは反対側の端部が外部配管路Ｓに接続されている。
処理液供給管路４５０には、外部配管路Ｓを介して処理液としての現像液が供給される。

また、処理液供給管路４５０には、バッファタンク２０２、フィルタ２０３、ポンプ４０２が、上流側からこの順に介設されている。
処理液供給管路４５０は、取り込み口４０１とバッファタンク２０２とを接続する第１の供給管路４５０ａ、バッファタンク２０２とポンプ４０２とを接続しフィルタ２０３が介設された第２の供給管路４５０ｂ、ポンプ４０２と吐出ノズル１４２とを接続する第３の供給管路４５０ｃとを有する。

第１の供給管路４５０ａには、主開閉弁Ｖ４１と開閉弁Ｖ４２が、上流側からこの順に設けられている。
第２の供給管路４５０ｂでは、バッファタンク２０２とフィルタ２０３との間に開閉弁Ｖ４３が設けられている。
第３の供給管路２５０ｃは、供給制御弁２０６が介設されている。

バッファタンク２０２は、外部配管路Ｓを介して補充された現像液を一時的に貯留するバッファタンク２０２には、貯留残量を検出する液面センサ（図示せず）が設けられており、該液面センサでの検出結果等に応じて主開閉弁Ｖ４１と開閉弁Ｖ４２が開閉され、バッファタンク２０２への現像液の補充が開始／停止される。

フィルタ２０３は、現像液を濾過してパーティクルを除去する。
ポンプ４０２は、現像液を吸入、送出するものであり、例えば可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプで構成される。

また、液供給装置４００は、取り込み口４０１とバッファタンク２０２とを接続する第１の供給管路４５０ａに位置する分岐点から分岐する分岐管路４５１を有する。分岐管路４５１が分岐する分岐点が位置する第１の供給管路４５０ａは、フィルタ２０３より上流側のバッファタンク２０２と取り込み口４０１とを接続するものである。つまり、分岐管路４５１が分岐する分岐点は、フィルタ２０３より上流側のバッファタンク２０２と取り込み口４０１との間に位置する。
さらに、分岐管路４５１には、当該分岐管路４５１内の現像液に含まれる異物を検出するため、異物検出部２０８が設けられている。異物検出部２０８が検出対象とする異物の大きさは１００ｎｍレベル以上である。

また、分岐管路４５１は、複数の配管路４５１ａ、４５１ｂに分岐されている。複数の配管路４５１ａ、４５１ｂのうち、鉛直方向上方に位置する配管路４５１ａには、開閉弁Ｖ４４が設けられている。複数の配管路４５１ａ、４５１ｂのうち、鉛直方向下方に位置する配管路４５１ｂは、配管路４５１ａにおける開閉弁Ｖ４４の上流側の部分と配管路４５１ａにおける開閉弁Ｖ４４の下流側の部分とを接続するように設けられている。この配管路４５１ｂに、上述の異物検出部２０８が設けられている。なお、配管路４５１ｂにおける異物検出部２０８の下流側の部分には流量計４０３が設けられている。

さらに、分岐管路４５１には、複数の配管路４５１ａ、４５１ｂへの分岐点より上流側の部分に、流量制御弁４０４、流量計４０５が、上流側からこの順に介設されている。
なお、分岐管路４５１に供給された現像液は、第１の供給管路４５０ａとは反対側の端部から排出される。

次に、図２７〜図３３に基づいて、液供給装置４００の動作について説明する。なお、以下の図では、現像液が流通している管を太線で示すことで、一部の弁の開閉状態については説明を省略する。

（外部配管路Ｓの立ち上げ）
図２７に示すように、制御部Ｍからの制御信号に基づいて、第１の供給管路４５０ａに介設された主開閉弁Ｖ４１を開状態とする。それと共に、流量制御弁４０４の開度を大きくし例えば全開状態とし、配管路４５１ａに設けられた開閉弁Ｖ４４は開状態とする。これにより、外部配管路Ｓから供給され補充された現像液を、分岐管路４５１を介して排出し、パージを行う。

（立ち上げ終了判定）
例えば外部配管路Ｓの立ち上げ処理開始から所定時間経過後に、図２８に示すように、配管路４５１ａに設けられた開閉弁Ｖ４４を閉状態とする。それと共に、分岐管路４５１に所定の流量（例えば１０ｍｌ／ｍｉｎ）の現像液が流通するよう、流量計４０５での測定結果に基づいて、流量制御弁４０４の開度を調整する。

そして、制御部Ｍは、異物検出部２０８による検出結果に基づいて、分岐管路４５１内の現像液の状態、具体的には、配管路４５１ｂ内の現像液の状態について、判定を行う。
判定の結果、例えば、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値以上であり、配管路４５１ｂ内の現像液の状態すなわち外部配管路Ｓを介して補充された現像液の状態が不良と判定された場合、図２７の状態に戻し、外部配管路Ｓの立ち上げ処理を再度行う。

例えば、立ち上げ処理により外部配管路Ｓから供給された現像液の十分な排出が行われると、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の洗浄度が上昇し、異物検出部２０８により検出された異物の数が所定値未満となる。そうすると、配管路４５１ｂ内の現像液の状態すなわち外部配管路Ｓを介して補充された現像液の状態が良好と判定され、バッファタンク２０２への現像液の補充が行われる。

上述のようにして、本実施形態では、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の状態が不良と判定された場合に、バッファタンク２０２への当該現像液の補充を制限している。

なお、異物検出部２０８には適正な検出結果が得られる現像液の流量の範囲が定められているところ、現像液の状態の判定に際し、配管路４５１ｂ内の現像液の流量が上記範囲に収まっているかの確認のため、流量計４０３による流量の測定が行われる。

（バッファタンク２０２への補充）
バッファタンク２０２への補充の際は、図２９に示すように、流量制御弁４０４を閉状態とし、開閉弁Ｖ４２を開状態とする。これにより、外部配管路Ｓを介して補充された現像液をバッファタンク２０２へ補充する。

（吐出）
バッファタンク２０２内に所定量のレジスト液が補充されると、図３０に示すように、開閉弁Ｖ４１、Ｖ４２を閉状態とする。そして、開閉弁Ｖ４３及び供給制御弁２０６を開状態とすると共に、ポンプ４０２を駆動する。これにより、バッファタンク２０２内の現像液が吐出ノズル１４２を介してウェハＷに吐出される。

通常動作時は、上述のバッファタンク２０２への補充工程と吐出工程が繰り返される。

本実施形態では、上述のように、外部配管路Ｓ側の端部である取り込み口４０１とフィルタ２０３との間に位置する分岐点から分岐する分岐管路４５１が設けられている。そして、制御部Ｍが、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の状態を分岐管路４５１内の現像液の状態で判定する。また、判定の結果、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の状態が不良である場合、制御部Ｍは、上記現像液がバッファタンク２０２へ補充されず排液されるよう制御信号を出力する。

したがって、本実施形態によれば、外部配管路Ｓを介して補充される現像液により、液供給装置４００のバッファタンク２０２及び当該バッファタンク２０２より下流側の部分が汚染されることがない。よって、本実施形態によれば、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の状態によらず該現像液をバッファタンク２０２に送出する場合に比べて、より清浄な現像液を供給することができる。また、本実施形態によれば、供給する現像液を常に清浄なものにすることができる。

なお、前述したように、分岐管路４５１が分岐する分岐点は、より具体的には、フィルタ２０３より上流側のバッファタンク２０２と取り込み口４０１との間に位置する。したがって、より確実に、清浄な現像液をバッファタンク２０２に供給することができ、また、バッファタンク２０２内に貯留されていた現像液を不良液にしてしまうリスクを減らすことができる。

また、本実施形態では、分岐管路４５１に設けられた異物検出部２０８を用いて、外部配管路Ｓの立ち上げが完了したか否かを判定している。これ以外の判定方法として、分岐管路４５１や異物検出部２０８を設けずに、外部配管路Ｓを介して補充された現像液を、吐出ノズル１４２を介してウェハ上に吐出し、吐出された現像液の表面異物検査装置での検査結果に基づいて立ち上げ完了を判定する方法が考えられる。この方法に比べて、本実施形態に係る判定方法は、ウェハ上への現像液の吐出や、表面異物検査装置を用いた検査が不要である。そのため、外部配管路Ｓの立ち上げに要する時間を短縮することができる。

なお、外部配管路Ｓの立ち上げが完了したか否かの判定に用いる閾値は、例えば以下のようにして決定される。まず、異物検出部２０８で検出される分岐管路４５１内の現像液に含まれるパーティクル数と、表面異物検査装置で検出されるウェハ上に吐出された現像液に含まれるパーティクル数との相関を取得する。そして、表面異物検査装置で検出されるウェハ上に吐出された現像液に含まれるパーティクル数に対して設定されている管理値と、上記相関とから、上記閾値を決定する。なお、上記相関は、液供給装置４００が設置される工場（ファシリティ）毎、処理液種毎に取得される。

さらに、本実施形態において、外部配管路Ｓを介して補充される現像液の状態の判定に用いられる、異物検出部２０８が検出対象とする異物の大きさは、１００ｎｍレベル以上でよい。したがって、検出対象とする異物の大きさが１０ｎｍレベルと小さい場合に比べて異物検出部２０８として安価なものを用いることができ、低コスト化を図ることができる。

本実施形態では、複数の配管路４５１ａ、４５１ｂのうち鉛直方向下方に位置する配管路４５１ｂに異物検出部２０８が設けられている。したがって、分岐管路４５１に供給される現像液に気泡が含まれている場合、上記気泡は、鉛直方向上方に位置する配管路４５１ａに導かれるため、配管路４５１ｂ及び異物検出部２０８に導かれることはない。したがって、異物検出部２０８で上記気泡をパーティクルとして誤検知することがない。
なお、上記気泡は配管路４５１ａに蓄積されるため、当該配管路４５１ａに設けられた開閉弁Ｖ４４は定期的に開状態とされる。

さらに、以上の例では、外部配管路Ｓの立ち上げが完了したか否かの判定の際にのみ、異物検出部２０８が設けられた分岐管路４５１へ現像液を流し外部配管路Ｓから補充される現像液の清浄度について判定を行っていた。

この現像液の清浄度の判定は、バッファタンク２０２への現像液の補充タイミングに応じて行ってもよい。例えば、バッファタンク２０２への補充前に、上述の現像液の清浄度の判定を毎回行うようにしてもよいし、所定の補充回数経過毎に行うようにしてもよい。

また、バッファタンク２０２へ補充する際に、図３１に示すように、外部配管路Ｓからの現像液を分岐管路４５１へ流通させるようにし、上述の現像液の清浄度の判定を当該補充中に行うようにしてもよい。
この場合、上記清浄度の判定の結果、外部配管路Ｓを介して補充される現像液が不良であると判定されるようになったときは、バッファタンク２０２への現像液の補充を中断する。そして、再び清浄度が高くなるまで、外部配管路Ｓの立ち上げ処理すなわちパージを再度行うようにしてもよい。

なお、外部配管路Ｓからの現像液の清浄度の判定は、バッファタンク２０２への補充タイミングに関わらず定期的に（例えば１０分間に１回）行うようにしてもよい。

また、バッファタンク２０２への現像液の補充中に、分岐管路４５１に現像液を供給し上述のように外部配管路Ｓからの現像液の清浄度を判定する場合、分岐管路４５１に流れる現像液の流量がバッファタンク２０２へ流れる現像液の流量より小さくなるように、流量制御弁４０４の開度は調整される。これによりバッファタンク２０２への補充効率の低下を防ぐことができる。

なお、外部配管路Ｓからの現像液の状態が不良と判定された場合、以上の例では、制御部Ｍは、当該現像液を排液するよう制御信号を出力していた。制御部Ｍは、この制御信号に加えて、または、この制御信号に代えて、現像液の状態に応じて、当該状態が放置されるよう制御信号を出力するようにしてもよい。具体的には、外部配管路Ｓからの現像液が不良である旨の報知が表示部等を介して行われるよう制御信号と出力するようにしてもよい。

また、本実施形態では、分岐管路４５１にのみ異物検出部２０８が設けられていたが、分岐管路４５１が分岐する分岐点より下流側に、具体的には、フィルタ２０３より下流側に、他の異物検出部を設けてもよい。当該他の異物検出部が異物を検出する現像液はフィルタ２０３の通過後のものであるため、当該他の異物検出部が検出対象とする異物の大きさは１０ｎｍレベル（１０〜８０ｎｍ）以上である。異物検出部２０８には、当該他の異物検出部程の高い検出精度は不要であり、異物検出部２０８が検出対象とする異物の大きさは、例えば前述のように１００ｎｍレベル以上である。以下、この構成を採用する理由を説明する。
プロセスに影響がない程度まで異物を抑制する手段が設けられていない工場供給側設備では、検出精度が高いほど、検出個数が安定しない。このように検出個数が安定しないと、現像液の清浄度判定が困難である。そのため、異物検出部２０８の検出対象は、フィルタ２０３の下流側に設けられる他の異物検出部のものよりも大きい、１００ｎｍレベルとしている。
なお、上記他の異物検出部は例えばフィルタ２０３と供給制御弁２０６との間に設けられる。

（第７の実施形態）
図３２は、第７の実施形態にかかる液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態の液供給装置４００は、図３２に示すように、第６の実施形態にかかる液供給装置の構成に加えて、戻り管路４５２を有する。戻り管路４５２は、第３の供給管路４５０ｃにおける供給制御弁２０６の上流側に位置する分岐点から分岐し、バッファタンク２０２へ戻る管路である。
この戻り管路４５２には開閉弁Ｖ４５が設けられている。

（多重濾過処理）
本実施形態の液供給装置では、バッファタンク２０２への現像液の補充工程後、吐出工程前に、多重濾過処理工程を行う。
多重濾過処理工程では、供給制御弁２０６を閉状態としたまま、開閉弁Ｖ４３及び開閉弁Ｖ４４を開状態とする。そして、ポンプ４０２を駆動させることにより、バッファタンク２０２内の現像液が、フィルタ２０３に濾過されながら、戻り管路４５２を介して循環する。この循環を重ねることにより、すなわち、フィルタ２０３による濾過を重ねることにより、バッファタンク２０２内の現像液の清浄度が高くなる。

本実施形態では、例えば、異物検出部２０８での検出結果に基づく判定の結果、外部配管路Ｓからの現像液の清浄度が低いが排液する程低くはない場合、制御部Ｍは以下のような制御を行う。例えば、制御部Ｍは、上記清浄度に応じて、上述の多重濾過処理工程でのフィルタ２０３による濾過回数を決定する。これにより、バッファタンク２０２内の現像液の清浄度をプロセスに適した清浄度にすることができる。

（第８の実施形態）
図３３は、第８の実施形態にかかる液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態の液供給装置４００は、図３３に示すように、第７の実施形態にかかる液供給装置の構成に加えて、他の異物検出部４０６を有する。異物検出部４０６は、第１の供給管路４５０ａにおける主開閉弁Ｖ４１と開閉弁Ｖ４２との間に位置する分岐点より上流側、具体的には、フィルタ２０３を通過した現像液が通る戻り管路４５２に設けられている。異物検出部４０６と異物検出部２０８とは同様の構成を有する。

本実施形態では、例えば、異物検出部４０６での検出結果に基づく判定の結果、戻り管路４５２内の現像液の状態が不良であると判定された場合、制御部Ｍは、分岐管路４５１に設けられた異物検出部２０８での検出結果に応じて、処理液改善処理の条件を決定する。
具体的には、例えば、戻り管路４５２内の現像液の状態が不良であると判定され、異物検出部２０８で閾値以上のパーティクル数が検出された場合、戻り管路４５２内の現像液の状態が不良である原因は外部配管路Ｓの状態にあると考えられる。したがって、この場合、制御部Ｍは、前述の外部配管路Ｓの立ち上げ工程が行われる制御信号を出力する。
一方、戻り管路４５２内の現像液の状態が不良であると判定され、分岐管路４５１に設けられた異物検出部で閾値以上のパーティクル数が検出されなかった場合、現像液の状態が不良である原因は液供給装置４００内にあると考えられる。したがって、この場合、制御部Ｍは、例えば、前述の多重濾過処理工程が行われる制御信号を出力する。

このように、本実施形態によれば、異物発生の原因箇所が特定できるため、供給する処理液の再清浄化すなわちリカバリに要する時間を短縮することができる。

第６〜第８の実施形態のように、分岐管路４５１を設け分岐管路４５１に異物検出部２０８を設ける場合、制御部Ｍは、異物検出部２０８での異物検出結果の経時変化に基づいて異物発生モードを特定し、特定した異物発生モードに応じた制御を行ってもよい。例えば、異物検出部２０８で検出されるパーティクル数が緩やかに増加した場合、フィルタ２０３の劣化が原因と考えられる。そのため、この場合、制御部Ｍは、外部配管路Ｓのパージや前述の多重濾過処理では改善不可能な異物発生モードとして特定する。このように改善不可能な異物発生モードを特定した場合、その旨の報知が表示部等を介して行われるよう制御部Ｍは制御する。

第８の実施形態等のように、フィルタ２０３に濾過された処理液の異物を検出する異物検出部４０６を設ける場合、制御部Ｍは、異物検出部４０６での異物検出結果の経時変化に基づいて異物発生モードを特定し、特定した異物発生モードに応じた制御を行ってもよい。例えば、異物検出部４０６で検出されるパーティクル数が緩やかに増加した場合、外部配管路Ｓに設けられているフィルタの劣化が原因と考えられる。そのため、この場合、制御部Ｍは、前述の多重濾過処理では改善不可能な異物発生モードとして特定する。このように改善不可能な異物発生モードを特定した場合、その旨の報知が表示部等を介して行われるよう制御部Ｍは制御する。

以上の第６〜第８の実施形態についての説明では、処理液は現像液であるものとしたが、ＤＩＷ等であってもよい。

以上の第６〜第８の実施形態は、外部配管から処理液が供給される形態であり、第１の供給管路４５０ａにおける、外部配管路Ｓ側の端部である取り込み口４０１とフィルタ２０３との間の位置に、分岐点が設けられ、当該分岐点に分岐管路４５１が接続されていた。そして、この分岐管路４５１に異物検出部２０８が設けられていた。
以上の第６〜第８の形態と異なり外部配管からではなく現像液ボトル等の処理液ボトルから処理液が供給される形態でも、以上の第６〜第８と同様に分岐管路を設け、当該分岐管路に異物検出部２０８を設けてもよい。具体的には、処理液ボトルとバッファタンクとを接続する供給管路（図６の符号２５０ａ参照）に分岐管路を設け、当該分岐管路に異物検出部２０８を設けるようにしてもよい。そして、以上の第６〜第８の実施形態と同様に、異物検出部２０８での検出結果に基づいて、薬液ボトルからバッファタンクへの供給の可否を判定するようにしてもよい。なぜならば、処理液ボトルからバッファタンクに処理液を供給する場合、処理液ボトルの交換や処理が長期間停止したときに処理液の状態が変化する可能性があるからである。
つまり、外部配管から処理液が供給される場合に限られず、薬液ボトル等の交換されうる容器から処理液が供給される場合にも、第６〜第８の実施形態と同様の効果を得ることができる。

以上の説明では、被処理体は半導体ウェハであるものとしたが、被処理体は、これに限定されず、例えば、ガラス基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板等であってもよい。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

（１）被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給装置であって、
前記処理液吐出部に接続された供給管路と、
前記供給管路に介設され前記処理液を濾過し異物を除去するフィルタと、
前記フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行うと共に、前記処理液の状態が不良と判定された場合は、前記フィルタの一次側への当該処理液の供給を制限する制御信号を出力するように構成された制御部と、を備える。
前記（１）によれば、微細な半導体デバイスの製造に適した清浄度の処理液を供給することができる。

（２）前記（１）に記載の液供給装置において、
前記処理液は、被処理体上に塗布膜を形成するための塗布液であり、
当該液供給装置は、
前記供給管路における前記フィルタの二次側の部分と、前記供給管路における前記フィルタの一次側の部分を接続する戻り管路と、
該戻り管路上の分岐点から分岐し前記供給管路とは異なる場所に至る排液管路と、を備え、
前記制御部は、
前記フィルタに濾過された塗布液が前記戻り管路に送出される制御信号を出力し、
前記判定として、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行い、
前記戻り管路内の塗布液の状態が良好と判定された場合は前記戻り管路内の塗布液が前記供給管路における前記フィルタの一次側の部分に戻される制御信号を出力し、
前記戻り管路内の塗布液の状態が不良と判定された場合は前記戻り管路内の塗布液が前記排液管路から排液される制御信号を出力するように構成されている。
前記（２）によれば、上記戻り管路に送出された、フィルタに濾過された塗布液の状態の判定を行い、判定結果に基づいて、上記塗布液を供給管路におけるフィルタの一次側に戻したり排液したりしている。そのため、塗布液の消費量を抑えながら、より清浄な塗布液を供給することができる。

（３）前記（２）に記載の液供給装置において、
前記塗布液に含まれる異物を検出する異物検出部が、前記戻り管路における前記分岐点より上流側に介設され、
前記制御部は、前記異物検出部による検出結果に基づいて、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行うように構成されている。

（４）前記（２）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、
前記処理液吐出部からダミー吐出が定期的に行われるよう制御信号を出力し、
前記ダミー吐出の間隔に基づいて定められる期間を経過したか否かに基づいて、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行うように構成されている。

（５）前記（２）に記載の液供給装置において、
前記塗布液に含まれる異物を検出する他の異物検出部が、前記供給管路における前記フィルタの一次側と二次側の両方に介設され、
前記制御部は、前記他の異物検出部による検出結果に基づいて、前記フィルタの状態の判定を行うように構成されている。

（６）前記（１）に記載の液供給装置において、
前記処理液は、被処理体上に塗布膜を形成するための塗布液であり、
前記供給管路は、前記処理液吐出部とは反対側の端部が、前記塗布液が貯留された供給源に接続され、
当該液供給装置は、
前記供給管路上の前記フィルタの一次側に位置する分岐点から分岐する排液管路と、
前記供給管路における前記分岐点の上流側に介設され、当該供給管路内の塗布液に含まれる異物を検出する異物検出部と、を備え、
前記制御部は、
前記判定として、前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記供給源の状態の判定を行い、
前記供給源の状態が良好と判定された場合のみ、前記供給源内の塗布液が前記フィルタの一次側へ供給される制御信号を出力するように構成されている。
前記（６）によれば、供給管路における排気管路への分岐点より上流側に設けられた異物検出部での検出結果に基づいて、塗布液供給源内の塗布液の状態の判定を行い、該判定結果に基づいて、上記塗布液を供給管路の下流側に供給したり排液したりしている。そのため、より清浄な塗布液を供給することができる。

（７）前記（６）に記載の液供給装置において、
前記供給管路における前記異物検出部の一次側と二次側とを接続する循環管路を有し、
前記制御部は、
前記異物検出部を通過した前記塗布液が前記循環管路を介して前記供給管路における前記異物検出部の一次側に戻される制御信号を出力し、
前記異物検出部での複数回の検出結果に基づいて、前記供給源の状態の判定を行う。

（８）前記（６）に記載の液供給装置において、
前記塗布液に含まれる異物を検出する他の異物検出部が、前記供給管路における前記フィルタの一次側と二次側の両方に介設され、
前記制御部は、前記他の異物検出部による検出結果に基づいて、前記フィルタの状態の判定を行う。

（９）前記（１）に記載の液供給装置において、
前記供給管路は、前記処理液吐出部とは反対側の端部が、当該液供給装置が設置された空間に配設された外部配管路と接続され、
当該液供給装置は、
前記供給管路上の前記外部配管路側の端部と前記フィルタとの間に位置する分岐点から分岐する分岐管路と、
を備え、
前記制御部は、前記判定として、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態の判定を行い、
前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態が不良と判定された場合、前記外部配管路を介して補充される処理液が前記供給管路における前記分岐点より下流側へ供給されるのを制限する制御信号を出力するように構成されている。
前記（９）によれば、外部配管路から分岐管路に補充された処理液の状態の判定を行い、判定結果に基づいて、上記処理液を供給管路における分岐管路との分岐点より下流側へ供給したり排液したりしている。そのため、より清浄な処理液を供給することができる。

（１０）前記（９）に記載の液供給装置において、
前記分岐管路に介設され、当該分岐管路内の処理液に含まれる異物を検出する異物検出部を備え、
前記制御部は、前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。

（１１）前記（１０）に記載の液供給装置において、
前記供給管路における前記分岐点より下流側へ供給された前記処理液に含まれる異物を検出する他の異物検出部を備え、
前記異物検出部は、前記他の異物検出部よりも検出対象の異物が大きく、
前記制御部は、前記他の異物検出部よりも検出対象の異物が大きい前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。

（１２）前記（１０）に記載の液供給装置において、
前記分岐管路は、複数の配管路に分岐されており、前記複数の配管路のうち鉛直方向下方に位置する配管路に前記異物検出部が介設されている。

（１３）前記（９）に記載の液供給装置において、
前記分岐管路に流れる前記処理液の流量は、前記供給管路の前記分岐点より下流側へ流れる前記処理液の流量より小さい。

（１４）前記（９）に記載の液供給装置において、
前記処理液を一時的に貯留する一時貯留部を備え、
前記制御部は、前記外部配管路を介して補充される前記処理液を前記一時貯留部に供給するタイミングに応じて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。

（１５）前記（９）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態に応じて、前記処理液吐出部に供給される前記処理液の前記フィルタによる濾過回数を決定するように構成されている。

（１６）前記（９）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態に応じて、当該状態が報知される制御信号を出力するように構成されている。

（１７）前記（１０）に記載の液供給装置において、
前記供給管路における前記分岐点より下流側へ供給された前記処理液に含まれる異物を検出する他の異物検出部を備え、
前記制御部は、前記他の異物検出部により前記処理液の状態が不良と判定された場合、前記分岐管路に介設された前記異物検出部での検出結果に応じて、処理液状態改善処理の条件を決定するように構成されている。

（１８）前記（１０）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、
前記分岐管路に介設された前記異物検出部での検出結果の経時変化に基づいて、異物発生モードを特定し、特定した前記異物発生モードに応じた制御を行うように構成されている。

（１９）前記（１６）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、
前記他の異物検出部での検出結果の経時変化に基づいて、異物発生モードを特定し、特定した前記異物発生モードに応じた制御を行うように構成されている。

（２０）被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給方法であって、
前記処理液吐出部には供給管路が接続され、
前記供給管路には前記処理液を濾過し異物を除去するフィルタが介設され、
当該液供給方法は、
前記フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行う工程と、
前記処理液の状態が良好と判定された場合、前記フィルタの一次側への当該処理液の供給を行う工程と、
前記処理液の状態が不良と判定された場合、当該処理液を排出する工程と、を有する。

１４２ 吐出ノズル
２００ レジスト液供給装置
２０３ フィルタ
２５０ 塗布液供給管路
４００ 液供給装置
４５０ 処理液供給管路
Ｍ 制御部

バッファタンク２０２は、レジスト液ボトル２０１から移送されたレジスト液を一時的に貯留する一時貯留部である。バッファタンク２０２には、貯留残量を検出する液面センサ（図示せず）が設けられており、該液面センサでの検出結果に応じて開閉弁Ｖ１、Ｖ２が開閉され、レジスト液ボトル２０１からバッファタンク２０２へのレジスト液の供給が開始／停止される。また、バッファタンク２０２の上部には、該バッファタンク２０２の上部に滞留する不活性ガスを大気に開放する排出管路２５２が設けられている。

ポンプ２０５は、レジスト液を吸入、送出するものであり、例えば可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプで構成される。ポンプ２０５は、可撓性部材であるダイヤフラムにて不図示のポンプ室と作動室に仕切られている。上記ポンプ室は、開閉弁Ｖ１１を介して第２の供給管路２５０ｂに接続され、該第２の供給管路２５０ｂからレジスト液を吸入する。また、ポンプ室は、開閉弁Ｖ１２を介して第３の供給管路２５０ｃに接続され、該第３の供給管路２５０ｃにレジスト液を吐出する。さらに、ポンプ室は、開閉弁Ｖ１３を介して第２の戻り管路２５４ｂに接続され、該第２の戻り管路２５４ｂにレジスト液を吐出する。第２の戻り管路２５４ｂにおけるポンプ２０５側と反対側の端部はトラップタンク２０４に接続されている。この第２の戻り管路２５４ｂと第１の戻り管路２５４ａとが、本実施形態にかかる戻り管路を構成する。本実施形態にかかる戻り管路は、塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の二次側の部分と塗布液供給管路２５０におけるフィルタ２０３の一次側の部分とを接続する管路である。

また、レジスト液供給装置２００は、制御部Ｍを備える。制御部Ｍは、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト液供給装置２００における処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部Ｍにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

ユーザにより設定されたｍ回目の吐出ノズル１４２からの吐出動作が終了すると、図１３に示すように、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１２と第３の供給管路２５０ｃに介設された供給制御弁２０６を閉状態とする。また、ポンプ２０５の開閉弁Ｖ１３、第２の供給管路２５０ｂに介設された開閉弁Ｖ４、排液副管路２５３に介設された開閉弁Ｖ５、排液主管路２５５に介設された開閉弁Ｖ８を開状態とする。このとき、ポンプ２０５の作動室内は駆動手段２０９により加圧状態に維持されている。したがって、ポンプ２０５からレジスト液が第２の戻り管路２５４ｂに圧送されることにより、フィルタ２０３内の未濾過のレジスト液は、排液副管路２５３、第１の戻り管路２５４ａの一部及び排液主管路２５５を介して排液される。

バッファタンク２０２は、外部配管路Ｓを介して補充された現像液を一時的に貯留する。バッファタンク２０２には、貯留残量を検出する液面センサ（図示せず）が設けられており、該液面センサでの検出結果等に応じて主開閉弁Ｖ４１と開閉弁Ｖ４２が開閉され、バッファタンク２０２への現像液の補充が開始／停止される。

（多重濾過処理）
本実施形態の液供給装置では、バッファタンク２０２への現像液の補充工程後、吐出工程前に、多重濾過処理工程を行う。
多重濾過処理工程では、供給制御弁２０６を閉状態としたまま、開閉弁Ｖ４３及び開閉弁Ｖ４５を開状態とする。そして、ポンプ４０２を駆動させることにより、バッファタンク２０２内の現像液が、フィルタ２０３に濾過されながら、戻り管路４５２を介して循環する。この循環を重ねることにより、すなわち、フィルタ２０３による濾過を重ねることにより、バッファタンク２０２内の現像液の清浄度が高くなる。

（第８の実施形態）
図３３は、第８の実施形態にかかる液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
本実施形態の液供給装置４００は、図３３に示すように、第７の実施形態にかかる液供給装置の構成に加えて、他の異物検出部４０６を有する。異物検出部４０６は、第１の供給管路４５０ａにおける主開閉弁Ｖ４１と開閉弁Ｖ４２との間に位置する分岐点より下流側、具体的には、フィルタ２０３を通過した現像液が通る戻り管路４５２に設けられている。異物検出部４０６と異物検出部２０８とは同様の構成を有する。

（１９）前記（１７）に記載の液供給装置において、
前記制御部は、
前記他の異物検出部での検出結果の経時変化に基づいて、異物発生モードを特定し、特定した前記異物発生モードに応じた制御を行うように構成されている。

Claims (20)

1. 被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給装置であって、
   前記処理液吐出部に接続された供給管路と、
   前記供給管路に介設され前記処理液を濾過し異物を除去するフィルタと、
   前記フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行うと共に、前記処理液の状態が不良と判定された場合は、前記フィルタの一次側への当該処理液の供給を制限する制御信号を出力するように構成された制御部と、を備える。
2. 請求項１に記載の液供給装置において、
   前記処理液は、被処理体上に塗布膜を形成するための塗布液であり、
   当該液供給装置は、
   前記供給管路における前記フィルタの二次側の部分と、前記供給管路における前記フィルタの一次側の部分を接続する戻り管路と、
   該戻り管路上の分岐点から分岐し前記供給管路とは異なる場所に至る排液管路と、を備え、
   前記制御部は、
   前記フィルタに濾過された塗布液が前記戻り管路に送出される制御信号を出力し、
   前記判定として、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行い、
   前記戻り管路内の塗布液の状態が良好と判定された場合は前記戻り管路内の塗布液が前記供給管路における前記フィルタの一次側の部分に戻される制御信号を出力し、
   前記戻り管路内の塗布液の状態が不良と判定された場合は前記戻り管路内の塗布液が前記排液管路から排液される制御信号を出力するように構成されている。
3. 請求項２に記載の液供給装置において、
   前記塗布液に含まれる異物を検出する異物検出部が、前記戻り管路における前記分岐点より上流側に介設され、
   前記制御部は、前記異物検出部による検出結果に基づいて、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行うように構成されている。
4. 請求項２に記載の液供給装置において、
   前記制御部は、
   前記処理液吐出部からダミー吐出が定期的に行われるよう制御信号を出力し、
   前記ダミー吐出の間隔に基づいて定められる期間を経過したか否かに基づいて、前記戻り管路内の塗布液の状態の判定を行うように構成されている。
5. 請求項２に記載の液供給装置において、
   前記塗布液に含まれる異物を検出する他の異物検出部が、前記供給管路における前記フィルタの一次側と二次側の両方に介設され、
   前記制御部は、前記他の異物検出部による検出結果に基づいて、前記フィルタの状態の判定を行うように構成されている。
6. 請求項１に記載の液供給装置において、
   前記処理液は、被処理体上に塗布膜を形成するための塗布液であり、
   前記供給管路は、前記処理液吐出部とは反対側の端部が、前記塗布液が貯留された供給源に接続され、
   当該液供給装置は、
   前記供給管路上の前記フィルタの一次側に位置する分岐点から分岐する排液管路と、
   前記供給管路における前記分岐点の上流側に介設され、当該供給管路内の塗布液に含まれる異物を検出する異物検出部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記判定として、前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記供給源の状態の判定を行い、
   前記供給源の状態が良好と判定された場合のみ、前記供給源内の塗布液が前記フィルタの一次側へ供給される制御信号を出力するように構成されている。
7. 請求項６に記載の液供給装置において、
   前記供給管路における前記異物検出部の一次側と二次側とを接続する循環管路を有し、
   前記制御部は、
   前記異物検出部を通過した前記塗布液が前記循環管路を介して前記供給管路における前記異物検出部の一次側に戻される制御信号を出力し、
   前記異物検出部での複数回の検出結果に基づいて、前記供給源の状態の判定を行う。
8. 請求項６に記載の液供給装置において、
   前記塗布液に含まれる異物を検出する他の異物検出部が、前記供給管路における前記フィルタの一次側と二次側の両方に介設され、
   前記制御部は、前記他の異物検出部による検出結果に基づいて、前記フィルタの状態の判定を行う。
9. 請求項１に記載の液供給装置において、
   前記供給管路は、前記処理液吐出部とは反対側の端部が、当該液供給装置が設置された空間に配設された外部配管路と接続され、
   当該液供給装置は、
   前記供給管路上の前記外部配管路側の端部と前記フィルタとの間に位置する分岐点から分岐する分岐管路と、
   を備え、
   前記制御部は、前記判定として、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態の判定を行い、
   前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態が不良と判定された場合、前記外部配管路を介して補充される処理液が前記供給管路における前記分岐点より下流側へ供給されるのを制限する制御信号を出力するように構成されている。
10. 請求項９に記載の液供給装置において、
    前記分岐管路に介設され、当該分岐管路内の処理液に含まれる異物を検出する異物検出部を備え、
    前記制御部は、前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。
11. 請求項１０に記載の液供給装置において、
    前記供給管路における前記フィルタより下流側へ供給された前記処理液に含まれる異物を検出する他の異物検出部を備え、
    前記異物検出部は、前記他の異物検出部よりも検出対象の異物が大きく、
    前記制御部は、前記他の異物検出部よりも検出対象の異物が大きい前記異物検出部の検出結果に基づいて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。
12. 請求項１０に記載の液供給装置において、
    前記分岐管路は、複数の配管路に分岐されており、前記複数の配管路のうち鉛直方向下方に位置する配管路に前記異物検出部が介設されている。
13. 請求項９に記載の液供給装置において、
    前記分岐管路に流れる前記処理液の流量は、前記供給管路の前記分岐点より下流側へ流れる前記処理液の流量より小さい。
14. 請求項９に記載の液供給装置において、
    前記処理液を一時的に貯留する一時貯留部を備え、
    前記制御部は、前記外部配管路を介して補充される前記処理液を前記一時貯留部に供給するタイミングに応じて、前記外部配管路を介して補充される前記処理液の状態の判定を行うように構成されている。
15. 請求項９に記載の液供給装置において、
    前記制御部は、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態に応じて、前記処理液吐出部に供給される前記処理液の前記フィルタによる濾過回数を決定するように構成されている。
16. 請求項９に記載の液供給装置において、
    前記制御部は、前記外部配管路を介して当該液供給装置に補充される前記処理液の状態に応じて、当該状態が報知される制御信号を出力するように構成されている。
17. 請求項１０に記載の液供給装置において、
    前記供給管路における前記分岐点より下流側へ供給された前記処理液に含まれる異物を検出する他の異物検出部を備え、
    前記制御部は、前記他の異物検出部により前記処理液の状態が不良と判定された場合、前記分岐管路に介設された前記異物検出部での検出結果に応じて、処理液状態改善処理の条件を決定するように構成されている。
18. 請求項１０に記載の液供給装置において、
    前記制御部は、
    前記分岐管路に介設された前記異物検出部での検出結果の経時変化に基づいて、異物発生モードを特定し、特定した前記異物発生モードに応じた制御を行うように構成されている。
19. 請求項１７に記載の液供給装置において、
    前記制御部は、
    前記他の異物検出部での検出結果の経時変化に基づいて、異物発生モードを特定し、特定した前記異物発生モードに応じた制御を行うように構成されている。
20. 被処理体に処理液を吐出する処理液吐出部に処理液を供給する液供給方法であって、
    前記処理液吐出部には供給管路が接続され、
    前記供給管路には前記処理液を濾過し異物を除去するフィルタが介設され、
    当該液供給方法は、
    前記フィルタの一次側に供給される処理液の状態について判定を行う工程と、
    前記処理液の状態が良好と判定された場合、前記フィルタの一次側への当該処理液の供給を行う工程と、
    前記処理液の状態が不良と判定された場合、当該処理液を排出する工程と、を有する。

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