JP2010135535A - 処理液供給装置 - Google Patents
処理液供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010135535A JP2010135535A JP2008309449A JP2008309449A JP2010135535A JP 2010135535 A JP2010135535 A JP 2010135535A JP 2008309449 A JP2008309449 A JP 2008309449A JP 2008309449 A JP2008309449 A JP 2008309449A JP 2010135535 A JP2010135535 A JP 2010135535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing liquid
- processing
- line
- storage container
- treatment liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 221
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 28
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 88
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】気体供給管路6aを介してN2ガス供給源71に接続される薬液ボトルと、被処理基板に処理液を供給する供給ノズル70aとを接続する供給管路7a,7bにバッファタンク2とフィルタ3を介設する。バッファタンクを大気側に連通可能に形成すると共に、気体供給管路6bを介してN2ガス供給源71とバッファタンクとを接続する。フィルタ3に接続するドレイン管路7cと、ドレイン管路から分岐され、薬液ボトルとバッファタンクとの間の供給管路に接続する戻り管路8aとからなる循環管路8を設け、循環管路に設けた可変絞り9によって循環管路中を流れるレジスト液の液圧を低下してレジスト液中に溶存する気体を気泡化して除去する。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明に係る処理液供給装置の第1実施形態を示す概略断面図である。
まず、新規薬液ボトル1をセットした後、コントローラ200からの制御信号に基づいて図2に示すように、第1の気体供給管路6aに介設された開閉弁V5と第1の処理液供給管路7aに介設された開閉弁V6が開放し、N2ガス供給源71から薬液ボトル1内に供給されるN2ガスの加圧によってレジスト液Lをバッファタンク2内に供給する。このとき、切換弁Vcは大気部72側に切り換えられており、バッファタンク2内は大気に連通されている。薬液ボトル1から供給されたレジスト液Lが接続部の導入管75を介してバッファタンク2に供給(補充)される際、レジスト液はバッファタンク2内の気体(大気)と接触することで、レジスト液の大気接触面積の増大によりレジスト液中に溶存するガスを顕在化して気泡が発生又は発生しやすくする。
バッファタンク2内に所定量のレジスト液Lが供給(補充)されると、上限液面センサ73からの検知信号を受けたコントローラ200からの制御信号に基づいて図3に示すように、開閉弁V5と開閉弁V6が閉じると共に、切換弁VcがN2ガス供給源71側に切り換わる。これにより、N2ガス供給源71からN2ガスがバッファタンク2内に供給される一方、循環管路8の開閉弁V1,V2(V3)が開放してフィルタ3からドレイン管路7cに排出された気泡を含むレジスト液Lを循環管路8を介して薬液ボトル1内に戻す。このとき、ポンプ5が駆動して供給ノズル70aからレジスト液が被処理基板であるウエハ(図示せず)に供給(吐出)されて処理が施される。
上記レジスト液のN2加圧−レジスト液吐出(1)に代えて、循環管路8の開閉弁V1(V3)を閉じると共に、開閉弁V2を開放する一方、トラップタンク用ドレイン管路7cに介設された開閉弁V4を開放してトラップタンク4からトラップタンク用ドレイン管路7cに排出された気泡を含むレジスト液Lを循環管路8を介して薬液ボトル1内に戻す。このとき、ポンプ5が駆動して供給ノズル70aからレジスト液がウエハ(図示せず)に供給(吐出)されて処理が施される。
供給ノズル70aから所定量のレジスト液をウエハに供給(吐出)した後、図5に示すように、循環管路8に介設される開閉弁V1(V3)とトラップタンク用ドレイン管路7cに介設された開閉弁V4を閉じて、バッファタンク2内のレジスト液をポンプ5側に補充する。
バッファタンク2内のレジスト液Lの補充量が所定量以下になったとき、下限液面センサ74からの検知信号がコントローラ200に伝達され、コントローラ200からの制御信号に基づいて図6に示すように、切換弁Vcが大気部72側に切り換わってバッファタンク2内が大気に連通する。この状態でバッファタンク2の交換が可能となる。なお、薬液ボトル1を交換する場合は、図6に示す状態から第1の気体供給管路6aに介設された開閉弁V5及び循環管路8に介設された開閉弁V2を閉じた状態にしてN2ガス供給源71からのN2ガスの供給を遮断した状態で薬液ボトル1を交換することができる。
図7は、この発明に係る処理液供給装置の第2実施形態を示す概略断面図である。
図8は、この発明に係る処理液供給装置の第3実施形態を示す概略断面図である。
上記実施形態では処理液貯留容器が薬液ボトル1にて形成され、N2ガス供給源71から供給されるN2ガスを薬液ボトル1内のレジスト液Lの液面に直接加圧してレジスト液Lを圧送する場合について説明したが、バッファタンク2が上述したように大気に連通可能な状態であれば、薬液ボトル1に代えて、処理液貯留容器内に収容される内袋内にレジスト液を貯留し、内袋の外側を加圧してレジスト液を供給ノズル70aに供給するものに適用可能である。なおこの場合においても、内袋を連続加圧すると、内袋のN2ガス透過により溶存ガス濃度が上昇するので、この発明の処理液供給装置を用いることによってレジスト液中に溶存するガスを効率良く除去することができる。
2 バッファタンク(一時貯留容器)
3 フィルタ
4 トラップタンク
5 ポンプ
6a 第1の気体供給管路
6b 第2の気体供給管路
7a 第1の処理液供給管路
7b 第2の処理液供給管路
7c ドレイン管路
7d トラップタンク用ドレイン管路
8 循環管路
8a 戻り管路
9 可変絞り
71 N2ガス供給源(加圧気体供給源)
72 大気部
75 導入管
76 気泡検出センサ
77 気泡検出センサ
200 コントローラ(制御手段)
L レジスト液(処理液)
V1〜V5,V7 開閉弁
Vc 切換弁
Claims (8)
- 被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、
上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、
上記供給ノズルと処理液貯留容器とを接続する供給管路と、
気体供給管路を介して上記処理液貯留容器内の処理液を加圧して処理液を圧送する加圧気体供給源と、
上記供給管路に介設され、上記処理液貯留容器から圧送された処理液を一時貯留する一時貯留容器と、
上記一時貯留容器の二次側の供給管路に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、
上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、を具備する処理液供給装置において、
上記一時貯留容器を大気側に連通可能に形成し、
上記フィルタに接続するドレイン管路と、このドレイン管路から分岐され、上記処理液貯留容器と一時貯留容器との間の供給管路に接続する戻り管路とからなる循環管路と、
上記加圧気体供給源と上記一時貯留容器とを接続する第2の気体供給管路と、
上記循環管路に介設され、該循環管路中を流れる処理液の液圧を低下して処理液中に溶存する気体を気泡化する絞り手段と、
を具備してなることを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1記載の処理液供給装置において、
上記絞り手段が可変調整絞りである、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1記載の処理液供給装置において、
上記絞り手段が循環管路を連通・遮断する流量調整可能な開閉弁である、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記第2の気体供給管路に、上記一時貯留容器と上記加圧気体供給源側又は大気側との連通を選択的に切り換える切換弁を介設してなる、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記供給管路の上記一時貯留容器との接続部に、処理液を一時貯留容器内の気体と接触させつつ一時貯留容器内に導く導入管を設けてなる、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記循環管路に介設され、該循環管路を流れる処理液中の気泡を検出する気泡検出センサと、
上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、絞り手段の絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する制御手段と、を更に具備してなる、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記フィルタとポンプとの間の供給管路に介設され、処理液中に溶存する気泡を分離する機能を有するトラップタンクを更に具備し、
上記トラップタンクと循環管路とを開閉弁を介設したドレイン管路によって接続してなる、ことを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項7記載の処理液供給装置において、
上記トラップタンクに、該トラップタンク内に貯留される処理液中の気泡を検出する気泡検出センサと、
上記気泡検出センサからの検出信号に基づいて、加圧気体供給源の加圧量、絞り手段の絞り量又は循環管路を流れる処理液の時間の少なくとも一つを制御する制御手段と、を更に具備してなる、ことを特徴とする処理液供給装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008309449A JP4879253B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 処理液供給装置 |
KR20090117044A KR101487364B1 (ko) | 2008-12-04 | 2009-11-30 | 처리액 공급 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008309449A JP4879253B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 処理液供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010135535A true JP2010135535A (ja) | 2010-06-17 |
JP4879253B2 JP4879253B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=42346536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008309449A Active JP4879253B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 処理液供給装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4879253B2 (ja) |
KR (1) | KR101487364B1 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058655A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2013077640A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 |
WO2013129252A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2014027068A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体 |
CN103567110A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置的运转方法和处理液供给装置 |
JP2014082513A (ja) * | 2012-02-27 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
US20140174475A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process |
KR20150039569A (ko) | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
JP2016103590A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2016128156A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液濾過装置、薬液供給装置及び処理液濾過方法並びに記憶媒体 |
CN103706523B (zh) * | 2012-10-09 | 2017-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给方法和处理液供给装置 |
TWI576940B (zh) * | 2013-10-02 | 2017-04-01 | Tokyo Electron Ltd | A treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method |
US10121685B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus |
KR20190031506A (ko) | 2016-08-03 | 2019-03-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액체의 정제 방법, 및 다공질막의 제조 방법 |
WO2019117043A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置及び液供給方法 |
JP2020102585A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置およびフィルタの気泡抜き方法 |
JP7441292B2 (ja) | 2021-12-02 | 2024-02-29 | セメス カンパニー,リミテッド | 減光液供給システム及び減光液管理方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102075674B1 (ko) * | 2013-01-04 | 2020-03-02 | 세메스 주식회사 | 액 공급장치, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
AU2015318799B2 (en) * | 2014-09-16 | 2020-11-19 | Li Jun Xia | A fluid dispensing system, a system for processing waste material and a fluid monitoring system |
KR102343634B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-12-29 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
KR20170010454A (ko) | 2015-06-30 | 2017-02-01 | 세메스 주식회사 | 기포 제거 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6866148B2 (ja) | 2016-12-20 | 2021-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20220045627A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 세메스 주식회사 | 약액 토출 장치 |
KR102606575B1 (ko) * | 2021-09-08 | 2023-11-29 | 세메스 주식회사 | 액 공급 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20230149540A (ko) | 2022-04-20 | 2023-10-27 | 세메스 주식회사 | 액 공급장치 및 기판처리장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62211920A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Toshiba Corp | レジスト液供給装置 |
JPH06216017A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | レジスト塗布装置 |
JP2000173902A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001077015A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
-
2008
- 2008-12-04 JP JP2008309449A patent/JP4879253B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-30 KR KR20090117044A patent/KR101487364B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62211920A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Toshiba Corp | レジスト液供給装置 |
JPH06216017A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | レジスト塗布装置 |
JP2000173902A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001077015A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置 |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013058655A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2013077640A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sokudo Co Ltd | 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 |
KR20180049223A (ko) | 2012-02-27 | 2018-05-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 |
US20150000517A1 (en) * | 2012-02-27 | 2015-01-01 | Tokyo Electron Limited | Solution treatment apparatus and solution treatment method |
US9731226B2 (en) | 2012-02-27 | 2017-08-15 | Tokyo Electron Limited | Solution treatment apparatus and solution treatment method |
US9878267B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-01-30 | Tokyo Electron Limited | Solution treatment apparatus and solution treatment method |
JP2014082513A (ja) * | 2012-02-27 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
WO2013129252A1 (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
CN104137225A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-11-05 | 东京毅力科创株式会社 | 液体处理装置和液体处理方法 |
JP2013211525A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-10-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
US10022652B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Solution treatment apparatus and solution treatment method |
JP2014027068A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体 |
CN103567110A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给装置的运转方法和处理液供给装置 |
CN103706523B (zh) * | 2012-10-09 | 2017-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | 处理液供给方法和处理液供给装置 |
US10734251B2 (en) * | 2012-12-20 | 2020-08-04 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process |
US20140174475A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process |
TWI576940B (zh) * | 2013-10-02 | 2017-04-01 | Tokyo Electron Ltd | A treatment liquid supply device and a treatment liquid supply method |
KR20150039569A (ko) | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
JP2015073007A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
US10074546B2 (en) | 2013-10-02 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method |
US11342198B2 (en) | 2013-10-02 | 2022-05-24 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method |
WO2016084927A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2016103590A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2016128156A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液濾過装置、薬液供給装置及び処理液濾過方法並びに記憶媒体 |
US10121685B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus |
KR20190031506A (ko) | 2016-08-03 | 2019-03-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액체의 정제 방법, 및 다공질막의 제조 방법 |
KR20220131363A (ko) | 2016-08-03 | 2022-09-27 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액체의 정제 방법, 및 다공질막의 제조 방법 |
JPWO2019117043A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2020-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置及び液供給方法 |
CN111433888A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-07-17 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
WO2019117043A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 液供給装置及び液供給方法 |
CN111433888B (zh) * | 2017-12-12 | 2023-09-26 | 东京毅力科创株式会社 | 液供给装置和液供给方法 |
WO2020137811A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置およびフィルタの気泡抜き方法 |
JP2020102585A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置およびフィルタの気泡抜き方法 |
JP7164426B2 (ja) | 2018-12-25 | 2022-11-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置およびフィルタの気泡抜き方法 |
JP7441292B2 (ja) | 2021-12-02 | 2024-02-29 | セメス カンパニー,リミテッド | 減光液供給システム及び減光液管理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4879253B2 (ja) | 2012-02-22 |
KR20100064335A (ko) | 2010-06-14 |
KR101487364B1 (ko) | 2015-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4879253B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
US11342198B2 (en) | Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method | |
US10734251B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process | |
US10128132B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
KR102030945B1 (ko) | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 | |
US10056269B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
KR102369120B1 (ko) | 처리액 공급 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 처리액 공급 장치 | |
JP6924846B2 (ja) | 液供給装置及び液供給方法 | |
KR100877472B1 (ko) | 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치 | |
JP3189821U (ja) | 処理液供給配管回路 | |
JP2007123393A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7290607B2 (ja) | 液供給ユニット、そしてこれを有する基板処理装置及び方法 | |
JP2010171295A (ja) | 処理液供給システムにおける液切れ制御方法 | |
TWI671127B (zh) | 處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置 | |
JP4353628B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP3340394B2 (ja) | 薬液供給システムおよび基板処理システムおよび基板処理方法 | |
JP2013077640A (ja) | 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 | |
JP3708880B2 (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
JPH097936A (ja) | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 | |
JP2010040811A (ja) | 処理液供給システム | |
JP2000114153A (ja) | 薬液供給システムおよび基板処理システム | |
KR20240030864A (ko) | 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기판 처리 방법 | |
JP2000031038A (ja) | 液供給装置 | |
JP3259160B2 (ja) | 処理液供給方法及び処理液供給装置 | |
JP3778495B2 (ja) | 現像処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110623 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110720 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4879253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |