CN111433888B - 液供给装置和液供给方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液，该处理液释放部向被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与处理液释放部连接的供给管路；插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为处理液的状态不良时，输出限制向过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。

Description

液供给装置和液供给方法
技术领域
(关联申请的相互参照)
本申请基于2017年12月12日在日本提出的特愿2017-237555号，和2018年12月4日在日本提出的特愿2018-227332号主张优先权，将其内容引用到此文中。
本发明涉及液供给装置和液供给方法。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种液处理装置，其包括：贮存处理液的处理液容器；向被处理基片释放处理液的释放嘴；将处理液容器与释放嘴连接的供给管路；和插入于供给管路的过滤处理液的过滤器。该装置中，将通过过滤器的处理液的一部分从释放嘴释放，使剩余的处理液返回过滤器的一次侧的供给管路，与来自处理液容器的处理液合在一起，进行处理液的释放和用过滤器实施的过滤。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国2014-140029号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与上述处理液释放部连接的供给管路；插入于上述供给管路的过滤上述处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向上述过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为上述处理液的状态不良时，输出限制向上述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
发明效果
依照本发明，能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的平面图。
图2是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的正面图。
图3是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的背面图。
图4是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图。
图5是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的横截面图。
图6是表示第1实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图7表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。
图8表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对泵的补充工序的说明图。
图9表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是释放工序的说明图。
图10表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放(pumpvent)工序的说明图。
图11表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放工序的另一说明图。
图12表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放工序的另一说明图。
图13表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是过滤器排放(filtervent)工序的另一说明图。
图14是表示第2实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图15是表示第3实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图16表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。
图17表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。
图18表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。
图19是表示第4实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图20表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。
图21表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。
图22表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。
图23表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。
图24是表示第5实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图25是表示确认试验3的试验结果的图。
图26是表示第6实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
图27表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是外部配管管路的启用工序的说明图。
图28表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是启用结束判断工序的说明图。
图29表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。
图30表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的释放工序的说明图。
图31表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一例的说明图。
图32是表示第7实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
图33是表示第8实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在作为被处理体的半导体晶片(以下称为“晶片”。)上形成防反射膜、抗蚀剂膜等涂敷膜，使用抗蚀剂液等涂敷液。此外，在光刻工序中，作为对晶片的处理液，不仅使用用于形成涂敷膜的涂敷液，还使用显影液、清洗液等。另外，处理液例如贮存于液供给源，从该液供给源由液供给装置被供给至释放嘴，从该释放嘴被释放到晶片上。
有时在该处理液中含有异物(颗粒)。此外，即使在原本的处理液中不存在颗粒，当颗粒附着于液供给装置的泵、阀、配管时，在供给的处理液中也会混入颗粒。因此，在连接液供给装置的液供给源和释放嘴的供给管插入过滤器，用该过滤器过滤处理液以除去颗粒。
关于上述液供给装置，在专利文献1中，如上所述，公开了使用过滤器过滤而除去了颗粒的处理液返回供给管路中的过滤器的一次侧的部分的装置。
但是，对半导体器件要求更进一步的微小化，要从处理液除去的颗粒的尺寸也非常小。此外，晶片上的颗粒的检测灵敏度变得越来越高。例如，变得能够检测20nm以下的微小颗粒。而且，为了实现进一步的微小化，开始使用一直以来没有使用过的新种类的涂敷液，预想在一直以来的涂敷液中无法预料到的颗粒会导致问题。
考虑到这样的背景，本发明的发明人锐意研究，结果发现，即使是由过滤器过滤后的处理液，只要在液供给装置内滞留，就含有异物。特别是发现了像专利文献1记载的那样，使由过滤器过滤后的涂敷液返回供给管路的一次侧时，从喷嘴释放的涂敷液所包含的微小的颗粒的数量随着操作时间的经过而增加。因此，在具有使由过滤器过滤后的涂敷液返回供给管路的一次侧(液供给源侧)的结构的液供给装置中，涂敷液的进一步清洁化存在改善的余地。
此外，考虑到所述背景，本发明的发明人锐意研究，结果发现以下情况。作为处理液，供给包括含有聚合物的聚合物液的抗蚀剂液等涂敷液时，在液供给源使用涂敷液瓶。该涂敷液瓶，即使由其制造者保证了品质，在该瓶内的涂敷液中也含有微小的颗粒。发现像这样使对于微小的半导体器件的制造而言清洁度不足的涂敷液在液供给装置内流通时，可能影响该装置内的清洁度。当液供给装置内的清洁度变差时，从该液供给装置供给的处理液的清洁度也变差，影响产品的成品率。
此外，作为处理液，供给包括不含有聚合物的非聚合物液的显影液等时，经由配置在设置有液供给装置的工厂内的外部配管管路对液供给装置补充处理液。在像这样经由外部配管管路对液供给装置补充处理液的方式中，也存在补充的处理液内含有颗粒的情况，在该情况下，也影响产品的成品率。
对此，本发明的技术能够供给适于微小的半导体器件的制造的清洁度的处理液。
以下，参照附图，说明本实施方式的液供给装置和液供给方法。另外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同功能结构的要素，标注相同的附图标记并省略重复说明。
(第1实施方式)
本实施方式的液供给装置构成为，作为处理液供给包括聚合物液的涂敷液(例如抗蚀剂液)的涂敷液供给装置。
(确认试验1)
为了作为涂敷液供给更清洁的液，本发明的发明人对于在涂敷液供给装置具有使由过滤器过滤后的涂敷液回到供给管的涂敷液供给源侧的功能时，该功能对涂敷液的清洁度造成的影响进行了确认试验。更具体而言，对于在涂敷液供给装置具有使由过滤器过滤后的涂敷液的不被释放而留下的部分回到缓冲箱的功能时，该功能对涂敷液的清洁度造成的影响进行了确认试验。该确认试验中，按后面说明的彼此不同的4个动作条件(1)～(4)使涂敷液供给装置动作。另外，后述的“虚分配(dummy dispense)”是指，以废弃在释放嘴和与释放嘴连接的涂敷液供给线内存在的、不适合用于处理的组成的涂敷液或长期滞留的涂敷液等为目的的动作。具体而言，“虚分配”是指向与被处理基片不同的部位从释放嘴释放规定量的涂敷液的动作。此外，虚分配间隔，即来自最近的释放嘴的涂敷液释放动作结束时起直到进行虚分配的时间，由用户设定。此外，后述的“泵排放”是指为了除去泵内的涂敷液所含的气泡，从泵向排液线排出一定量的涂敷液的动作。另外，在本确认试验中使用的涂敷液供给装置的结构，与后述的图6的抗蚀剂液供给装置200在不具有异物检测部208这一方面有所不同，其它结构大致相同。
在动作条件(1)的情况下，即，使虚分配间隔为5分钟地进行操作，使循环功能无效的情况下，来自释放嘴的涂敷液所含的颗粒的数量，随着操作时间的经过也不会发生变化，总是较少。循环功能是使泵排放时从泵向排液线送出的涂敷液回到缓冲箱的功能。
另一方面，在动作条件(2)的情况下，即，使虚分配间隔为5分钟地进行操作，使上述循环功能有效的情况下，来自释放嘴的涂敷液所含的颗粒的数量，随着操作时间的经过也不发生变化。此外，上述颗粒的数量与动作条件(1)相比稳定在更小的值。
此外，在动作条件(3)的情况下，即，使虚分配间隔为30分钟地进行操作，使上述循环功能无效的情况下，来自释放嘴的涂敷液所含的颗粒的数量虽然较少，但其值不稳定。
进而，在动作条件(4)的情况下，即，使虚分配间隔为30分钟地进行操作，使上述循环功能有效的情况下，来自释放嘴的涂敷液所含的颗粒的数量较多，而且有随着操作时间的经过而增加的倾向。
根据以上的确认试验的结果，能够推测出以下方面。像动作条件(2)那样虚分配间隔短、涂敷液在涂敷液供给装置内滞留的时间短的情况下，上述滞留造成的影响小。由此，当使由过滤器过滤后的涂敷液回到缓冲箱时，其再次被过滤器过滤，因此能够推测出颗粒的数量随着操作时间而减少。
另一方面，像动作条件(4)那样虚分配间隔长、涂敷液在涂敷液供给装置内滞留的时间短的情况下，由过滤器过滤后的涂敷液因上述滞留被污染。由于使该污染后的涂敷液回到缓冲箱，涂敷液供给装置内整体被污染，因此能够推测出颗粒的数量随着操作时间而增加。
即，能够推测的是，即使是由过滤器过滤后的涂敷液，如果在涂敷液供给装置内滞留，则在该涂敷液中也含有异物。
另外，作为滞留时涂敷液中含有异物的理由，可以认为是起因于以下理由。即，过滤器具有过滤涂敷液而除去颗粒的滤材和加强/保护该滤材的支承件，上述支承部件由低分子量材料形成。伴随半导体器件的微小化而开发的新种类的涂敷液的溶剂使用高分子材料，在由高分子材料构成的溶剂中，由低分子材料构成的支承部件溶剂溶出等。
下面说明的第1实施方式是鉴于以上的研究结果而提出的。
图1是表示搭载有作为第1实施方式的涂敷液供给装置的抗蚀剂液供给装置的基片处理系统1的结构的概要的说明图。图2和图3示意性地表示各基片处理系统1的内部结构的概要，是正面图和背面图。另外，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记并省略重复说明。
基片处理系统1如图1所示包括：送入送出收纳有多个晶片W的盒C的盒工作站10；和处理工作站11，其具有对晶片W实施规定的处理的多个各种处理装置。而且，基片处理系统1具有将盒工作站10、处理工作站11、邻接于处理工作站11的曝光装置12、和在处理工作站11与曝光装置12进行晶片W的交接的接口工作站13连接成一体的结构。
在盒工作站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个在对基片处理系统1的外部送入送出盒C时载置盒C的盒载置板21。
在盒工作站10设置有如图1所示在沿X方向延伸的输送路22上可移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23在上下方向以及绕铅垂轴(θ方向)均可移动，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理工作站11的第3区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理工作站11设置有具有各种装置的多个例如4个区块G1、G2、G3、G4。在例如处理工作站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第1区块G1，在处理工作站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第2区块G2。此外，在处理工作站11的盒工作站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第3区块G3，在处理工作站11的接口工作站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第4区块G4。
在例如第1区块G1中，如图2所示，多个液处理装置，例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33，从下方起按上述顺序配置。
例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别在水平方向上并排配置有3个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。
在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33等液处理装置中，例如进行在晶片W上涂敷规定的处理液的旋涂。在旋涂中，例如从释放嘴对晶片W上释放处理液并且使晶片W旋转，以使处理液在晶片W的表面扩散。
例如在第2区块G2中，如图3所示进行晶片W的加热、冷却等热处理的热处理装置40～43在上下方向和水平方向上并排设置。热处理装置40～43的数量、配置也能够任意地选择。
例如在第3区块G3中，从下方起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。此外，在第4区块G4中，从下方起依次设置有多个交接装置60、61、62。
如图1所示在被第1区块G1～第4区块G4包围的区域中，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D中，配置有多个具有例如在Y方向、X方向、θ方向和上下方向上可移动的输送臂70a的晶片输送装置70。晶片输送装置70在晶片输送区域D内移动，能够将晶片W输送到周围的第1区块G1、第2区块G2、第3区块G3和第4区块G4内的规定的装置。
此外，在晶片输送区域D中，设置有在第3区块G3与第4区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置80。
往复输送装置80例如在图3的Y方向上可直线移动。往复输送装置80能够以支承着晶片W的状态在Y方向上移动，在第3区块G3的交接装置52与第4区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
如图1所示在第3区块G3的X方向正方向侧的附近，设置有晶片输送装置100。晶片输送装置100具有例如在X方向、θ方向和上下方向上可移动的输送臂。晶片输送装置100能够以支承着晶片W的状态上下移动，将晶片W输送到第3区块G3内的各交接装置。
在接口工作站13设置有晶片输送装置110和交接装置111。晶片输送装置110具有例如在Y方向、θ方向和上下方向上可移动的输送臂110a。晶片输送装置110能够例如在输送臂110a支承晶片W，在第4区块G4内的各交接装置、交接装置111和曝光装置12之间输送晶片W。
接着，说明使用以上述方式构成的基片处理系统1进行的晶片处理的概要。首先，将收纳有多个晶片W的盒C送入基片处理系统1的盒工作站10，用晶片输送装置23将盒C内的各晶片W依次输送至处理工作站11的交接装置53。
接着，晶片W由晶片输送装置70输送至第2区块G2的热处理装置40，进行温度调节处理。之后，晶片W由晶片输送装置70输送至例如第1区块G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后将晶片W输送至第2区块G2的热处理装置41，进行加热处理。
之后晶片W由晶片输送装置70输送至第2区块G2的热处理装置42，进行温度调节处理。之后，晶片W由晶片输送装置70输送至第1区块G1的抗蚀剂涂敷装置32，在晶片W上形成抗蚀剂膜。之后将晶片W输送至热处理装置43，进行预烘烤处理。
接着，将晶片W输送至第1区块G1的上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。之后，将晶片W输送至第2区块G2的热处理装置43，进行加热处理。之后，晶片W由晶片输送装置70输送至第3区块G3的交接装置56。
接着，晶片W由晶片输送装置100输送至交接装置52，由往复输送装置80输送至第4区块G4的交接装置62。之后，晶片W由接口工作站13的晶片输送装置110输送至曝光装置12，以规定的图案进行曝光处理。
接着，晶片W由晶片输送装置70输送至热处理装置40，进行曝光后烘烤处理。由此，利用在抗蚀剂膜的曝光部产生的酸进行脱保护反应。之后晶片W由晶片输送装置70输送至显影处理装置30，进行显影处理。
接着，对上述抗蚀剂涂敷装置32的结构进行说明。图4是表示抗蚀剂涂敷装置32的结构的概要的纵截面图，图5是表示抗蚀剂涂敷装置32的结构的概要的横截面图。
抗蚀剂涂敷装置32如图4所示具有能够封闭内部的处理容器120。在处理容器120的侧面，如图5所示形成有晶片W的送入送出口121，在送入送出口121设置有开闭件122。
在处理容器120内的中央部，如图4所示设置有保持晶片W并使其旋转的旋转吸盘130。旋转吸盘130具有水平的上表面，在该上表面，设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。利用自该吸引口的吸引，能够将晶片W吸附保持在旋转吸盘130上。
旋转吸盘130例如具有设置有电动机等的吸盘驱动机构131，利用该吸盘驱动机构131能够以规定的速度旋转。此外，在吸盘驱动机构131设置有气缸等升降驱动源，旋转吸盘130能够上下移动。
在旋转吸盘130的周围设置有承接从晶片W飞散或落下的液体以进行回收的杯状体132。在杯状体132的下表面，连接有将回收到的液体排出的排出管133和对杯状体132内的气氛进行排气的排气管134。
如图5所示在杯状体132的X方向负方向(图5的下方向)侧，形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的轨道140。轨道140例如从杯状体132的Y方向负方向(图5的左方向)侧的外侧形成到Y方向正方向(图5的右方向)侧的外侧。在轨道140安装有臂141。
在臂141，如图4和图5所示支承着释放抗蚀剂液的释放嘴142。臂141利用图5所示的喷嘴驱动部143，能够在轨道140上移动。由此，释放嘴142能够从设置于杯状体132的Y方向正方向侧的外侧的待机部144移动到杯状体132内的晶片W的中心部上方，进而能够在该晶片W的表面上在晶片W的径向移动。此外，臂141利用喷嘴驱动部143能够升降，能够调节释放嘴142的高度。释放嘴142如图4所示连接于供给抗蚀剂液的抗蚀剂液供给装置200。
接着，说明抗蚀剂液供给装置200的结构，该抗蚀剂液供给装置200对作为抗蚀剂涂敷装置32内的处理液释放部的释放嘴142供给作为涂敷液的抗蚀剂液。图6是表示抗蚀剂液供给装置200的结构的概要的说明图。另外，抗蚀剂液供给装置200例如设置于未图示的化学室内。化学室用于将各种处理液供给到液处理装置。
图6的抗蚀剂液供给装置200具有涂敷液供给管路250作为与释放嘴142连接的供给管路。本实施方式中，涂敷液供给管路250将作为在内部贮存抗蚀剂液的液供给源的抗蚀剂液瓶201与释放嘴142连接。换言之，涂敷液供给管路250中处于释放嘴142的相反侧的端部与作为液供给源的抗蚀剂液瓶201连接。
抗蚀剂液瓶201能够更换，在该抗蚀剂液瓶201的上部，设置有具有开闭阀V1的气体供给管路251。气体供给管路251将作为氮气等非活性气体的供给源的气体供给源210与抗蚀剂液瓶201连接，在开闭阀V1的上游侧，设置有压力调节用的电空调节器211。
在涂敷液供给管路250，从上游侧开始依次插入有缓冲箱202、过滤器203、捕集箱204、泵205。
涂敷液供给管路250具有：连接抗蚀剂液瓶201和缓冲箱202的第1供给管路250a；连接缓冲箱202和泵205的插入有过滤器203和捕集箱204的第2供给管路250b；以及连接泵205和释放嘴142的第3供给管路250c。
在第1供给管路250a设置有开闭阀V2。
在第2供给管路250b中，在缓冲箱202与过滤器203之间设置有开闭阀V3，在过滤器203与捕集箱204之间设置有开闭阀V4。
第3供给管路250c插入有包含开闭阀和回吸阀的供给控制阀206。
缓冲箱202是暂时贮存从抗蚀剂液瓶201移送来的抗蚀剂液的暂时贮存部。在缓冲箱202设置有检测贮存剩余量的液面传感器(未图示)，根据该液面传感器的检测结果对开闭阀V1、V2进行开闭，开始/停止从抗蚀剂液瓶201向缓冲箱202供给抗蚀剂液。此外，在缓冲箱202的上部，设置有将滞留在该缓冲箱202的上部的非活性气体向大气开放的排出管路252。
过滤器203过滤抗蚀剂液而除去颗粒。在过滤器203设置有在过滤器排放时用于将从该过滤器203内排出的抗蚀剂液进行排液的排液副管路253。在排液副管路253设置有开闭阀V5，该排液副管路253中的与过滤器203相反的一侧的端部，连接在后述的第1返回管路254a中的异物检测部208与开闭阀V6之间。
捕集箱204捕集抗蚀剂液中的气泡并将其除去，设置有用于从捕集箱204排出抗蚀剂液的第1返回管路254a。在第1返回管路254a从上游侧起依次设置有开闭阀V6、V7。
此外，第1返回管路254a在开闭阀V6与开闭阀V7之间具有分支点。第1返回管路254a连接有排液主管路255，该排液主管路255从该分支点分支并去往与涂敷液供给管路250不同的地方，具体而言去往排液路(未图示)。在排液主管路255设置有开闭阀V8。
而且，在第1返回管路254a中的上述分支点的上游侧，具体而言，在第1返回管路254a中的上述分支点与开闭阀V6之间，设置有异物检测部208。
异物检测部208检测涂敷液等处理液所含的异物。该异物检测部208例如具有：照射部(未图示)，其对在设置有该异物检测部208的流路中流动的流体照射光；和接收该照射部照射来的且透过在上述流路中流动的流体的光的受光部(未图示)。并且，异物检测部208基于上述受光部的受光结果，检测上述流路内的流体的异物。
泵205吸入、送出抗蚀剂液，例如由作为可变容量泵的隔膜泵构成。泵205由作为可挠性部件的隔膜分隔为未图示的泵室和工作室。上述泵室经由开闭阀V11与第2供给管路250b连接，从该第2供给管路250b吸入抗蚀剂液。此外，泵室经由开闭阀V12与第3供给管路250c连接，向该第3供给管路250c释放抗蚀剂液。而且，泵室经由开闭阀V13与第2返回管路254b连接，向该第2返回管路254b释放抗蚀剂液。第2返回管路254b中的与泵205侧相反的一侧的端部，与捕集箱204连接。该第2返回管路254b和第1返回管路254a构成本实施方式的返回管路。本实施方式的返回管路是将涂敷液供给管路250中的过滤器203的二次侧的部分与涂敷液供给管路250中的过滤器203的一次侧的部分连接的管路。
在泵205的上述的工作室，连接着控制该工作室内的气体的减压和加压的驱动机构209。
此外，抗蚀剂液供给装置200具有控制部M。控制部M例如是计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有控制抗蚀剂液供给装置200中的处理的程序。另外，上述程序可以记录于计算机可读取的存储介质，能够从该存储介质安装到控制部M。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路板)实现。
作为设置于抗蚀剂液供给装置200的各阀，使用能够由控制部M控制的电磁阀、空气作动阀，各阀与控制部M电连接。此外，控制部M与异物检测部208、驱动机构209、电空调节器211电连接。依照该结构，抗蚀剂液供给装置200的一连串处理能够在控制部M的控制下自动进行。
接着，基于图7～图13，对抗蚀剂液供给装置200的动作进行说明。另外，以下的图中，将抗蚀剂液所流通的管道以粗线表示，由此对一部分的阀的开关闭状态省略说明。
(对缓冲箱202的补充)
如图7所示，基于来自控制部M的控制信号，使插入于气体供给管路251的开闭阀V1和插入于第1供给管路250a的开闭阀V2成为开放状态。于是，利用从气体供给源210供给到抗蚀剂液瓶201内的氮气的压力，将抗蚀剂液向缓冲箱202供给以进行补充。
(对泵205的补充)
当在缓冲箱202内补充规定量的抗蚀剂液时，如图8所示，使开闭阀V1、V2成为关闭状态。此时，泵205的开闭阀V11是开放状态，开闭阀V12、V13是关闭状态。于是，利用驱动机构209使泵205的工作室内的排气动作开始，并且使插入于第2供给管路250b的开闭阀V3、V4成为开放状态。由此，缓冲箱202内的抗蚀剂液通过过滤器203，进而通过捕集箱204后，移动到泵205。
(释放)
当在泵205内供给/补充规定量的抗蚀剂液时，如图9所示，使开闭阀V3、V4、V11成为关闭状态，使泵的开闭阀V12和插入于第3供给管路250c的供给控制阀206成为开放状态。并且，利用驱动机构209使泵205的工作室内的加压动作开始，从泵205将抗蚀剂液向第3供给管路250c压送。由此，移送至泵205的抗蚀剂液的一部分(例如5分之1)经由释放嘴142被释放到晶片W。
通常动作时反复进行上述工序。
(虚分配)
抗蚀剂液供给装置200的虚分配间隔如上所述由用户设定。虚分配中，反复进行上述的对缓冲箱202的补充工序、对泵205的补充工序和释放工序，直至从释放嘴142释放规定量的涂敷液。
(泵排放)
抗蚀剂液供给装置200为了将泵205内的抗蚀剂液所含的气泡除去，进行从泵205向排液线排出规定量的抗蚀剂液的泵排放。该泵排放的执行时机由用户设定，例如，泵排放在来自释放嘴142的释放动作每进行n次(例如100次)时进行。
由用户设定的第n次的来自释放嘴142的释放动作结束时，如图10所示，使泵205的开闭阀V12和插入于第3供给管路250c的供给控制阀206成为关闭状态。此外，使泵205的开闭阀V13、插入于第1返回管路254a的开闭阀V6成为开放状态。此时，泵205的工作室内由驱动机构209维持为加压状态。由此，抗蚀剂液从泵205被压送至第2返回管路254b。由此，由过滤器203过滤后残留于泵205、捕集箱204、第2供给管路250b的抗蚀剂液，被送出到插入有异物检测部208的第1返回管路254a。
然后，控制部M基于异物检测部208的检测结果，进行第1返回管路254a内的抗蚀剂液的状态的判断。
上述判断的结果例如是由异物检测部208检测出的异物的数量低于规定值，判断为第1返回管路254a内的抗蚀剂液的状态良好时，如图11所示，使插入于第1返回管路254a的开闭阀V7呈为开放状态。由此，使第1返回管路254a内的抗蚀剂液回到涂敷液供给管路250中的过滤器203的一次侧的部分，具体而言缓冲箱202。
另一方面，上述判断的结果例如是由异物检测部208检测出的异物的数量为规定值以上，判断为第1返回管路254a内的抗蚀剂液的状态不良时，如图12所示，使插入于排液主管路255的开闭阀V8成为开放状态。由此，将第1返回管路254a内的抗蚀剂液经由排液主管路255排液。
如上所述，本实施方式中，在判断为要供给至过滤器203的一次侧的处理液的状态不良的情况下，限制向过滤器203的一次侧供给该处理液。
另外，在泵排放时，在直至该泵排放完成的期间进行上述判断的次数，可以是1次也可以是多次。此外，在进行多次时，优选第1返回管路254a内的抗蚀剂液的状态一旦被判断为不良，在以后直至泵排放完成的期间，使开闭阀V7成为关闭状态并使开闭阀V8成为开放状态，排出第1返回管路254a内的抗蚀剂液。
(过滤器排放)
抗蚀剂液供给装置200为了将过滤器203内的由该过滤器203过滤前的抗蚀剂液所含的气泡除去，进行从过滤器203向排液线排出规定量的抗蚀剂液的过滤器排放。过滤器排放的执行时机由用户设定，例如，过滤器排放在来自释放嘴142的释放动作每进行m次(例如100次)时进行。
由用户设定的第m次的来自释放嘴142的释放动作结束时，如图13所示，使泵205的开闭阀V12和插入于第3供给管路250c的供给控制阀206成为关闭状态。此外，使泵205的开闭阀V13、插入于第2供给管路250b的开闭阀V4、插入于排液副管路253的开闭阀V5、插入于排液主管路255的开闭阀V8成为开放状态。此时，泵205的工作室内由驱动机构209维持为加压状态。由此，抗蚀剂液从泵205被压送至第2返回管路254b，由此过滤器203内的未过滤的抗蚀剂液经由排液副管路253、第1返回管路254a的一部分和排液主管路255排液。
本实施方式中，如上所述，设置有能够使由过滤器203过滤后但没有释放而残留在抗蚀剂液供给装置200内的抗蚀剂液返回涂敷液供给管路250中的过滤器203的一次侧的部分的、包括第1返回管路254a等的返回管路。此外，设置有从该返回管路分支的排液主管路255。控制部M输出利用泵205将由过滤器203过滤后但没有释放的抗蚀剂液送出至上述返回管路的控制信号。此外，控制部M基于设置于上述返回管路的异物检测部208的检测结果，进行送出至返回管路的抗蚀剂液的状态的判断。判断的结果是送出至返回管路的抗蚀剂液的状态良好时，控制部M输出使上述返回管路内的抗蚀剂液返回缓冲箱202的控制信号。此外，判断的结果是送出至上述返回管路的抗蚀剂液的状态不良时，控制部M输出控制信号，以使得上述返回管路内的抗蚀剂液经由排液主管路255排液。
由此，依照本实施方式，即使由过滤器203过滤后的抗蚀剂液因滞留而被污染，该污染了的涂敷液也不会回到缓冲箱202。因此，能够防止由于上述已污染的涂敷液而污染抗蚀剂液供给装置200内。由此，依照本实施方式，与不管由过滤器203过滤后的残留抗蚀剂液的状态如何均将该抗蚀剂液送出到缓冲箱202的情况相比，能够供给更清洁的抗蚀剂液。此外，依照本实施方式，能够使供给的抗蚀剂液是清洁的抗蚀剂液。
另外，以上的例子中，过滤器203内的未过滤的抗蚀剂液在过滤器排放时总是进行排液。取而代之，也可以为，在过滤器排放时，与泵排放同样，进行异物检测部208的检测，基于检测结果进行抗蚀剂液的状态的判断，在抗蚀剂液的状态良好时，使其返回缓冲箱202。
(第2实施方式)
图14是表示第2实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
当从进行虚分配起经过了长时间时，抗蚀剂液被污染的可能性高。此外，虚分配间隔越长，即使从进行虚分配起的经过时间较短，抗蚀剂液被污染的可能性也较高。
由此，本实施方式的抗蚀剂液供给装置与第1实施方式不同，基于是否经过了根据虚分配间隔决定的期间，来进行送出至返回管路内的抗蚀剂液的状态的判断。因此，如图14所示，在本实施方式的抗蚀剂液供给装置200中，不设置异物检测部208(参照图6)。
本实施方式中，例如，在虚分配间隔为5分钟时，在判断的时刻进行如下判断，即从进行前次虚分配起的释放动作的次数是否超过根据虚分配间隔决定的X次。当超过了X次时，判断为送出至返回管路内的抗蚀剂液的状态不良，当不超过X时，判断为上述抗蚀剂液的状态良好。此外，在虚分配间隔为30分钟时，在判断的时刻进行如下判断，即从进行上述虚分配起的释放动作的次数是否超过Y(>X)次。当超过了Y次时，判断为送出至返回管路内的抗蚀剂液的状态不良，当不超过Y次时，判断为上述抗蚀剂液的状态良好。
在本实施方式中，与第1实施方式同样，能够防止因被过滤器203过滤后被污染的涂敷液将抗蚀剂液供给装置200内污染。由此，本实施方式也能够供给更清洁的抗蚀剂液，而且能够使供给的抗蚀剂液总是清洁的。
(第3实施方式)
本实施方式的液供给装置与第1实施方式的液供给装置同样，构成为供给由聚合物液构成的涂敷液(例如抗蚀剂液)作为处理液的涂敷液供给装置。
(确认试验2)
根据在刚更换涂敷液瓶后，在涂敷于晶片上的涂敷液中含有较多颗粒等的认知，本发明的发明人对涂敷液瓶进行了确认试验。在该确认试验中，具体而言，对涂敷液瓶内的涂敷液所含的颗粒的瓶间差、该瓶间差对从液供给装置供给的涂敷液的品质造成的影响，进行了确认。此外，该确认试验中，作为涂敷液使用EUV抗蚀剂液，作为涂敷液供给装置使用与后述的图15的抗蚀剂液供给装置200同样的结构。但是，在本确认试验中使用的抗蚀剂液供给装置不设置三方阀V21、排液管路256。
在确认试验中，在将一个抗蚀剂液瓶安装于抗蚀剂液供给装置时，设置于抗蚀剂液供给装置的涂敷液供给管路中的过滤器的一次侧设置的异物检测部检测出500～600个/ml的颗粒。而且，在从安装有上述一个抗蚀剂液瓶的抗蚀剂液供给装置供给的经由释放嘴释放到晶片上的抗蚀剂液中，由表面异物检查装置检查时，每一片晶片观测到5～7个颗粒。
此外，在确认试验中，将另一抗蚀剂液瓶安装于抗蚀剂液供给装置时，设置于抗蚀剂液供给装置的涂敷液供给管路中的过滤器的一次侧的异物检测部检测出700～800个/ml的颗粒。而且，在从安装有上述另一抗蚀剂液瓶的抗蚀剂液供给装置供给的经由释放嘴释放到晶片上的抗蚀剂液中，由表面异物检查装置检查时，每一片晶片观测到7～9个颗粒。
根据确认试验的结果能够确认以下方面。虽然抗蚀剂液瓶的品质由抗蚀剂液制造业者保证，但是能够确认到在安装于抗蚀剂液供给装置的抗蚀剂液瓶中的抗蚀剂液中含有颗粒，以及所含的颗粒的数量在每个抗蚀剂液瓶中有所不同。而且，在由过滤器过滤后释放时，能够确认到在晶片上观测到与从抗蚀剂液瓶供给的抗蚀剂液中的颗粒的数量相应的数量的颗粒。
此外，根据上述确认试验的结果能够预测，在抗蚀剂液瓶内的抗蚀剂液中含有阈值以上的数量较多的颗粒的情况下，不能够用过滤器抗蚀剂液所含的颗粒的数量减少到允许范围。
另外，作为即使抗蚀剂液制造业者保证品质，在抗蚀剂液瓶内的抗蚀剂液中也含有较多的颗粒的理由，例如，认为有以下理由。即，伴随半导体器件的微小化，颗粒检测装置也不断进化，颗粒的检测灵敏度提高，大部分的抗蚀剂液制造业者无法确保配合检测装置的进化的检查环境。此外，上述微小化不断发展，开始使用与一直以来使用的种类不同的新种类的抗蚀剂液，即使是在现有的抗蚀剂中不会成为问题的环境(运送环境、保管环境)，在该新种类的抗蚀剂液中也会产生微小的颗粒等。
以下说明的第3实施方式是鉴于以上的研究结果而提出的。
图15是表示第3实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200中，在涂敷液供给管路250中位于过滤器203的一次侧的第1供给管路250a，从上游侧起依次设置有开闭阀V2、异物检测部208、三方阀V21。三方阀V21所具有的3个流体的出入口中的一个连通第1供给管路250a的上游侧，另一个连通第1供给管路250a的下游侧，又一个连通排液管路256。即，三方阀V21设置与第1供给管路250a中的去往排液管路256的分支点上，异物检测部208插入在第1供给管路250a中的上述分支点的上游侧。
下面，基于图16～图18，说明图15的抗蚀剂液供给装置200的动作中与上述实施方式不同的部分。
(对缓冲箱202的补充)
如图16所示，基于来自控制部M的控制信号，使插入于气体供给管路251的开闭阀V1和插入于第1供给管路250a的开闭阀V2成为开放状态。于是，利用从气体供给源210供给到抗蚀剂液瓶201内的氮气的压力，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液向第1供给管路250a送出。此时，三方阀V21处于第1供给管路250a的上游侧的部分与第1供给管路250a的下游侧部分和排液管路256均不连通的状态。
然后，控制部M基于异物检测部208的检测结果，进行第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态的判断。
上述判断的结果例如是由异物检测部208检测出的异物的数量低于规定值，判断为第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态即抗蚀剂液瓶201的状态良好时，如图17所示，切换三方阀V21的状态。由此，使得成为第1供给管路250a的上游侧的部分和第1供给管路250a的下游侧部分连通的状态，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液向缓冲箱202供给以进行补充。
另一方面，上述判断的结果例如是由异物检测部208检测出的异物的数量为规定值以上，判断为第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态即抗蚀剂液瓶201的状态不良时，如图18所示，切换三方阀V21的状态。由此，使得成为第1供给管路250a的上游侧的部分和排液管路256连通的状态，将抗蚀剂液瓶201内的被污染的抗蚀剂液经由排液管路256排液。
如上所述，在本实施方式中，在判断为向过滤器203的一次侧的抗蚀剂液瓶201内供给的涂敷液的状态不良时，限制向过滤器203的一次侧供给该涂敷液。
另外，在判断为抗蚀剂液瓶201的状态不良时，在以上的例子中，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液经由排液管路256排液。但是，也可以不进行排液等，而使用显示部等进行应更换抗蚀剂液瓶201的内容的通知。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200中，仅在抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液的状态为良好时，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液供给到缓冲箱202。即本实施方式的抗蚀剂液供给装置200中，仅在抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液的状态良好时，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液供给到过滤器203的一次侧、泵205。由此，不会因抗蚀剂液瓶201内的被污染的抗蚀剂液，而将抗蚀剂液供给装置200的缓冲箱202和比该缓冲箱202靠下游侧的部分污染。由此，依照本实施方式，与无论抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液的状态如何均将该抗蚀剂液向缓冲箱202送出的情况相比，能够供给更清洁的抗蚀剂液。此外，依照本实施方式，能够使供给的抗蚀剂液总是清洁的。
另外，在本实施方式的抗蚀剂液供给装置200中，捕集箱204连接着插入有开闭阀V22的排液主管路257a。此外，过滤器203连接着与排液主管路257a连接的排液副管路258，在该排液副管路258中设置有开闭阀V23。在第1实施方式的抗蚀剂液供给装置中，设置有第2返回管路254b(参照图6)，但本实施方式的抗蚀剂液供给装置200在设置上述第2返回管路254b的部分，设置有排液主管路257b。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200的泵排放中，从控制部M输出控制信号，以使得泵205、捕集箱204内的抗蚀剂液经由排液主管路257a、257b排液。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200的过滤器排放中，从控制部M输出控制信号，以使得过滤器203内的未过滤的抗蚀剂液经由排液副管路258和排液主管路257a排液。
(第4实施方式)
图19是表示第4实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200如图19所示，在第3实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构中的三方阀V21的位置设置有四方阀V31。此外，本实施方式的抗蚀剂液供给装置200具有将第1供给管路250a中的开闭阀V2与异物检测部208之间的部分和四方阀V31连接的返回管路259。换言之，返回管路259将第1供给管路250a中的异物检测部208的一次侧和二次侧连接。在返回管路259中从上游侧起依次具有泵220和开闭阀V32。
四方阀V31所具有的4个流体的出入口中的1个与第1供给管路250a的上游侧连通，另一个与第1供给管路250a的下游侧连通，又一个与排液管路256连通，再一个与返回管路259连通。
下面，基于图20～图22，说明图19的抗蚀剂液供给装置200的动作中与上述实施方式不同的部分。
(对缓冲箱202的补充)
如图20所示，基于来自控制部M的控制信号，使插入于气体供给管路251的开闭阀V1和插入于第1供给管路250a的开闭阀V2成为开放状态。于是，利用从气体供给源210供给到抗蚀剂液瓶201内的氮气的压力，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液向第1供给管路250a送出。
然后，如图21所示，使开闭阀V2成为关闭状态，使插入于返回管路259的开闭阀V32成为开放状态，并且使泵220动作。由此，在包括第1供给管路250a中的设置有异物检测部208的部分和返回管路259的循环通路内，使抗蚀剂液循环。返回管路259在抗蚀剂液循环的期间，在异物检测部208进行多次异物检测。
然后，控制部M基于进行了多次的异物检测的结果，进行第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态即抗蚀剂液瓶201的状态的判断。
上述判断的结果例如是由异物检测部208检测到的异物的数量的平均值低于规定值，判断为第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态即抗蚀剂液瓶201的状态良好。此时，控制部M如图22所示，使开闭阀V1、V2再次成为开放状态，并且使开闭阀V32成为关闭状态，切换四方阀V31的状态，使得成为第1供给管路250a的上游侧的部分和第1供给管路250a下游侧部分连通的状态。而且，停止泵220的动作。由此，将抗蚀剂液瓶201内的抗蚀剂液向缓冲箱202供给以进行补充。
另一方面，上述判断的结果例如是由异物检测部208检测出的异物的数量的平均值为规定值以上，判断为第1供给管路250a内的抗蚀剂液的状态即抗蚀剂液瓶201的状态不良。此时，如图23所示，切换四方阀V31，使得成为第1供给管路250a的上游侧的部分和排液管路256连通的状态。由此，包括返回管路259的上述循环路内的抗蚀剂液经由排液管路256排液。此外，优选与该排液一起，使用显示部等进行应更换抗蚀剂液瓶201的内容的通知。
本实施方式中，如上所述，基于多次进行的异物检测的结果进行抗蚀剂液瓶201的状态的判断，因此能够更高精度地进行上述判断。
(第5实施方式)
图24是表示第5实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
本实施方式的抗蚀剂液供给装置200如图24所示，在第3实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的基础上，在第2供给管路250b的过滤器203的一次侧和二次侧分别设置有异物检测部230、231。异物检测部230、231的结构与异物检测部208相同。
根据本发明的发明人的研究，用过滤器203过滤抗蚀剂液时，过滤后的抗蚀剂液所含的颗粒的数量相对于过滤前的抗蚀剂液所含的颗粒的数量之比，只要过滤器203的性能不变则为一定的，但过滤器203的性能劣化的话则变大。
于是，本实施方式中，如上所述，在第2供给管路250b中的过滤器203的一次侧和二次侧分别设置异物检测部230、231，控制部M基于一次侧的异物检测部230的检测结果和二次侧的异物检测部231的检测结果，来判断过滤器203的性能。
例如，一次侧的异物检测部230检测出的颗粒的数量为一定水准以下时，二次侧的异物检测部231的颗粒的检测数量相对于一次侧的异物检测部230的颗粒的检测数量之比为规定值以上时，控制部M判断为过滤器203的除去性能发生了劣化。在判断为除去性能发生了劣化时，控制部M使用显示部等进行应更换过滤器203的内容的通知、应缩短虚分配间隔的内容的通知，或者将虚分配间隔变更为短间隔。
另外，例如，在由一次侧的异物检测部230检测出的颗粒的数量比一定水准大时，认为抗蚀剂液瓶201的清洁度差。因此，控制部M一边以持续进行释放动作的方式进行控制一边以通知应更换药液瓶的内容的方式进行控制，或者一边以不进行释放动作的方式进行控制一边以进行同样的通知的方式进行控制。
另外，虽然省略了图示、详细说明，但关于第1实施方式、第2实施方式的抗蚀剂液供给装置和后述的实施方式的液供给装置，也可以在过滤器203的一次侧和二次侧设置异物检测部，以与本实施方式同样的方式进行判断。
以上的第1～第5实施方式的说明中，涂敷液为抗蚀剂液，但涂敷液并不限定于此，例如也可以是用于形成SOC(Spin On Carbon，碳上旋涂)膜、SOD(Spin on Dielectric，电介质上旋涂)膜、SOG(Spin on Glass，玻璃上旋涂)膜的涂敷液等。
(第6实施方式)
本实施方式的液供给装置与第1实施方式的液供给装置等不同，作为处理液供给由非聚合物液构成的显影液等。此外，在第1实施方式中，作为处理液的抗蚀剂液从抗蚀剂液瓶被补充到液供给装置，但在本实施方式中，作为处理液的上述显影液等经由设置有液供给装置的工厂等空间中配置的外部配管管路补充。
(确认试验3)
在经由配置于工厂等的外部配管管路对液供给装置补充处理液的情况下，在工厂建立时、上述外部配管管路施工完成后等，释放到晶片上的显影液等非聚合物的处理液中含有较多颗粒。基于这些情况，本发明的发明人对经由外部配管管路补充的显影液等处理液中的颗粒数量和该颗粒数量对从液供给装置供给并释放的处理液的品质造成的影响进行了确认。另外，在该确认试验中，作为液供给装置使用与后述的图26的液供给装置400同样的装置。
图25是表示确认试验3的结果的图。图中，横轴表示经由外部配管管路补充的处理液中的颗粒的数量，其表示在液供给装置中的过滤器的上游侧设置的、进行利用光的异物检测的异物检测部所检测出的数量。此外，纵轴表示经由外部配管管路补充、经由过滤器供给到释放嘴并释放到晶片上的处理液中的颗粒的数量，其表示通过表面异物检查装置的检查观测到的数量。另外，异物检测部中检测200nm以上的大颗粒，表面异物检查装置中检测40nm以上的小颗粒。另外，本确认试验中使用的处理液是正型显影液。
如图25所示，即使经由过滤器进行经由外部配管管路补充的处理液的释放，在所释放的处理液中也含有小颗粒。此外，经由外部配管管路补充的处理液所含的、由异物检测部检测出的大颗粒的数量，与经由过滤器释放到晶片上的处理液所含的、由表面异物检查装置检测出的小颗粒的数量成比例关系。
此外，根据上述确认试验的结果，在经由外部配管管路补充的处理液中含有规定数量以上的较多颗粒时，预测到不能够用过滤器处理液所含的颗粒的数量减少到允许范围。
以下所说明的第6实施方式是鉴于以上的研究结果而提出的。
图26是表示本实施方式的液供给装置400的结构的概要的说明图。另外，液供给装置400例如设置于未图示的化学室内。化学室用于将各种处理液供给到液处理装置。
图26的液供给装置400具有处理液供给管路450作为与释放嘴142连接的供给管路。在本实施方式中，处理液供给管路450中与释放嘴142相反的一侧的端部，连接于处理液的取入口401。此外，连接着处理液供给管路450的上述取入口401与在设置有液供给装置400的工厂等空间中配置的外部配管管路S连接。
由此，处理液供给管路450中与释放嘴142相反的一侧的端部，连接于外部配管管路S。
对处理液供给管路450经由外部配管管路S供给作为处理液的显影液。
此外，在处理液供给管路450中从上游侧起依次插入有缓冲箱202、过滤器203、泵402。
处理液供给管路450具有：连接取入口401和缓冲箱202的第1供给管路450a；连接缓冲箱202和泵402的、插入有过滤器203的第2供给管路450b；以及连接泵402和释放嘴142的第3供给管路450c。
在第1供给管路450a从上游侧起依次设置有主开闭阀V41和开闭阀V42。
在第2供给管路450b中，在缓冲箱202与过滤器203之间设置有开闭阀V43。
第3供给管路250c插入有供给控制阀206。
在暂时贮存经由外部配管管路S补充的显影液的缓冲箱202中，设置有检测贮存剩余量的液面传感器(未图示)，根据该液面传感器的检测结果等来对主开闭阀V41和开闭阀V42进行开闭，开始/停止对缓冲箱202补充显影液。
过滤器203过滤显影液以除去颗粒。
泵402吸入、送出显影液，例如由作为可变容量泵的隔膜泵构成。
此外，液供给装置400具有从位于连接取入口401和缓冲箱202的第1供给管路450a的分支点分支的分支管路451。分支管路451分支的分支点所位于的第1供给管路450a，连接比过滤器203靠上游侧的缓冲箱202和取入口401。即，分支管路451分支的分支点位于比过滤器203靠上游侧的缓冲箱202与取入口401之间。
而且，在分支管路451，为了检测该分支管路451内的显影液所含的异物，设置有异物检测部208。异物检测部208的作为检测对象的异物的大小为100nm水平以上。
另外，分支管路451分支成多个配管管路451a、451b。多个配管管路451a、451b中，在位于铅垂方向上方的配管管路451a中，设置有开闭阀V44。多个配管管路451a、451b中位于铅垂方向下方的配管管路451b，以连接配管管路451a中的开闭阀V44的上游侧的部分和配管管路451a中的开闭阀V44的下游侧的部分的方式设置。在该配管管路451b设置有上述异物检测部208。此外，在配管管路451b中的异物检测部208的下游侧的部分设置有流量计403。
而且，在分支管路451，在比去往多个配管管路451a、451b的分支点靠上游侧的部分，从上游侧起依次插入有流量控制阀404、流量计405。
另外，供给至分支管路451的显影液，从与第1供给管路450a相反的一侧的端部被排出。
下面，基于图27～图33，对液供给装置400的动作进行说明。另外，以下的图中，显影液流通的管道以粗线表示，由此省略对一部分阀的开闭状态的说明。
(外部配管管路S的启用)
如图27所示，基于来自控制部M的控制信号，使插入于第1供给管路450a的主开闭阀V41成为开放状态。并且，使流量控制阀404的开度变大例如成为全开放状态，使设置于配管管路451a的开闭阀V44成为开放状态。由此，将从外部配管管路S供给而补充的显影液经由分支管路451排出，进行冲洗(purge)。
(启用结束判断)
在例如从外部配管管路S的启用处理开始起经过规定的时间后，如图28所示，设置于配管管路451a的开闭阀V44成为关闭状态。并且，基于流量计405的测量结果，调节流量控制阀404的开度，以使得在分支管路451中流通规定的流量(例如10ml/min)的显影液。
然后，控制部M基于异物检测部208的检测结果，对分支管路451内的显影液的状态，具体而言配管管路451b内的显影液的状态进行判断。
判断的结果例如是由异物检测部208检测到的异物的数量为规定值以上，判断为配管管路451b内的显影液的状态即经由外部配管管路S补充的显影液的状态不良时，回到图27的状态，再次进行外部配管管路S的启用处理。
例如，当通过启用处理从外部配管管路S供给的显影液进行了充分的排出时，经由外部配管管路S补充的显影液的洗净度上升，由异物检测部208检测到的异物的数量低于规定值。于是，判断为配管管路451b内的显影液的状态即经由外部配管管路S补充的显影液的状态良好，能够对缓冲箱202补充显影液。
如上所述，本实施方式中，在判断为经由外部配管管路S补充的显影液的状态不良时，限制对缓冲箱202补充该显影液。
另外，决定了在异物检测部208能够得到合适的检测结果的显影液的流量的范围，在进行显影液的状态的判断时，为了确认配管管路451b内的显影液的流量是否处于上述范围内，用流量计403进行流量的测量。
(对缓冲箱202的补充)
对缓冲箱202进行补充时，如图29所示，使流量控制阀404成为关闭状态，使开闭阀V42成为开放状态。由此，将经由外部配管管路S补充的显影液补充到缓冲箱202。
(释放)
当对缓冲箱202内补充规定量的抗蚀剂液时，如图30所示，使开闭阀V41、V42成为关闭状态。使开闭阀V43和供给控制阀206成为开放状态并且驱动泵402。由此，缓冲箱202内的显影液经由释放嘴142释放到晶片W。
在通常动作时，反复进行上述的对缓冲箱202的补充工序和释放工序。
本实施方式中，如上所述，设置有从位于外部配管管路S侧的端部即取入口401与过滤器203之间的分支点分支的分支管路451。于是，控制部M根据分支管路451内的显影液的状态来判断经由外部配管管路S补充的显影液的状态。此外，在判断的结果是经由外部配管管路S补充的显影液的状态不良时，控制部M输出控制信号，以使得上述显影液被补充到缓冲箱202而进行排液。
由此，依照本实施方式，不会因经由外部配管管路S补充的显影液，而将液供给装置400的缓冲箱202和比该缓冲箱202靠下游侧的部分污染。由此，依照本实施方式，与无论经由外部配管管路S补充的显影液的状态如何均将该显影液向缓冲箱202送出的情况相比，能够供给更清洁的显影液。而且，依照本实施方式，能够使供给的显影液总是清洁的。
另外，如上所述，分支管路451分支的分支点，更具体而言，位于比过滤器203靠上游侧的缓冲箱202与取入口401之间。由此，能够更可靠地将清洁的显影液供给到缓冲箱202，而且，能够减少贮存于缓冲箱202内的显影液成为不良液的风险。
此外，本实施方式中，使用设置于分支管路451的异物检测部208，判断外部配管管路S的启用是否完成。作为这之外的判断方法，能够采用不设置分支管路451、异物检测部208，而将经由外部配管管路S补充的显影液经由释放嘴142释放到晶片上，基于由表面异物检查装置检查所释放的显影液的检查结果来判断启用完成的方法。与该方法相比，本实施方式的判断方法不需要将显影液释放到晶片上、使用表面异物检查装置进行检查。因此，能够缩短外部配管管路S的启用所需的时间。
另外，在外部配管管路S的启用是否完成的判断中使用的阈值例如通过下述方式决定。首先，获取由异物检测部208检测的分支管路451内的显影液所含的颗粒数量与由表面异物检查装置检测的释放到晶片上的显影液所含的颗粒数量的相关性。然后，根据对由表面异物检查装置检测的释放到晶片上的显影液所含的颗粒数量设定的管理值以及上述相关性，来决定上述阈值。另外，上述相关性按设置液供给装置400的每个工厂(设施)、每种处理液种类来获取。
而且，在本实施方式中，在经由外部配管管路S补充的显影液的状态的判断中使用的、异物检测部208的作为检测对象的异物的大小，可以为100nm水平以上。由此，与作为检测对象的异物的大小小至10nm水平的情况相比，能够使用更价廉的异物检测部208，能够实现低成本化。
本实施方式中，在多个配管管路451a、451b中位于铅垂方向下方的配管管路451b设置有异物检测部208。由此，在供给至分支管路451的显影液中含有气泡时，上述气泡被引导至位于铅垂方向上方的配管管路451a，因此不会被引导至配管管路451b和异物检测部208。由此，异物检测部208不会将上述气泡误检测为颗粒。
另外，上述气泡蓄积于配管管路451a，因此设置于该配管管路451a的开闭阀V44定期地成为开放状态。
而且，在以上的例子中，仅在判断外部配管管路S的启用是否完成时，使显影液向设置有异物检测部208的分支管路451流动，对从外部配管管路S补充的显影液的清洁度进行了判断。
该显影液的清洁度的判断也可以根据对缓冲箱202补充显影液的补充时机来进行。例如，可以在对缓冲箱202进行补充前，每次进行上述显影液的清洁度的判断，也可以每经过规定的补充次数就进行上述显影液的清洁度的判断。
此外，对缓冲箱202进行补充时，如图31所示，也可以使来自外部配管管路S的显影液向分支管路451流通，在该补充中进行上述显影液的清洁度的判断。
此时，也可以为，上述清洁度的判断的结果是判断为经由外部配管管路S补充的显影液不良时，中断对缓冲箱202补充显影液。然后，直至清洁度再次变高，再次进行外部配管管路S的启用处理即冲洗。
另外，来自外部配管管路S的显影液的清洁度的判断也可以与对缓冲箱202的补充时机无关，而定期(例如10分钟1次)地进行。
此外，在对缓冲箱202补充显影液的期间，在对分支管路451供给显影液，如上述那样判断来自外部配管管路S的显影液的清洁度时，调节流量控制阀404的开度，以使得在分支管路451中流动的显影液的流量小于向缓冲箱202流动的显影液的流量。由此能够防止对缓冲箱202的补充效率的降低。
另外，在判断为来自外部配管管路S的显影液的状态不良时，在以上的例子中，控制部M输出控制信号以将该显影液排液。也可以为控制部M除了该控制信号以外或者代替该控制信号，根据显影液的状态输出控制信号以通知该状态。具体而言，也可以输出控制信号，以使得借助显示部等进行来自外部配管管路S的显影液不良的内容的通知。
此外，本实施方式中，仅在分支管路451设置有异物检测部208，但也可以在分支管路451分支的分支点的下游侧，具体而言比过滤器203靠下游侧的位置，设置其他异物检测部。该其他异物检测部检测异物的显影液是通过过滤器203后的液，因此该其他异物检测部的作为检测对象的异物的大小为10nm水平(10～80nm)以上。异物检测部208不需要该其他异物检测部这样的高检测精度，异物检测部208的作为检测对象的异物的大小例如如上所述为100nm水平以上。下面，说明采用该结构的理由。
在没有设置将异物抑制到不影响处理的程度的装置的工厂供给侧设备中，检测精度越高，检测数量越不稳定。当像这样检测数量不稳定的情况下，难以进行显影液的清洁度判断。因此，异物检测部208的检测对象与设置于过滤器203的下游侧的其他异物检测部相比较大，为100nm水平。
另外，上述其他异物检测部例如设置在过滤器203与供给控制阀206之间。
(第7实施方式)
图32是表示第7实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
本实施方式的液供给装置400如图32所示，在第6实施方式的液供给装置的结构基础上，还具有返回管路452。返回管路452是从位于第3供给管路450c中的供给控制阀206的上游侧的分支点分支，返回缓冲箱202的管路。
在该返回管路452设置有开闭阀V45。
(多重过滤处理)
在本实施方式的液供给装置中，在对缓冲箱202补充显影液的补充工序后、释放工序前，进行多重过滤处理工序。
在多重过滤处理工序中，在保持使供给控制阀206关闭状态下，使开闭阀V43和开闭阀V45成为开放状态。通过驱动泵402，缓冲箱202内的显影液被过滤器203过滤，并经由返回管路452进行循环。通过反复进行该循环，即，通过反复进行过滤器203的过滤，缓冲箱202内的显影液的清洁度变高。
本实施方式中，例如，基于异物检测部208的检测结果的判断结果是，来自外部配管管路S的显影液的清洁度低但没有低到进行排液的程度时，控制部M进行以下的控制。例如，控制部M根据上述清洁度，决定上述多重过滤处理工序中的过滤器203的过滤次数。由此，能够使缓冲箱202内的显影液的清洁度成为适于进行处理的清洁度。
(第8实施方式)
图33是表示第8实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。
本实施方式的液供给装置400如图33所示，在第7实施方式的液供给装置的结构基础上，具有其他异物检测部406。异物检测部406设置于第1供给管路450a中的位于主开闭阀V41与开闭阀V42之间的分支点的下游侧，具体而言设置在通过过滤器203的显影液所通过的返回管路452。异物检测部406和异物检测部208具有同样的结构。
在本实施方式中，例如，基于异物检测部406的检测结果的判断结果是，判断为返回管路452内的显影液的状态不良时，控制部M根据设置于分支管路451的异物检测部208的检测结果，来决定处理液改善处理的条件。
具体而言，例如，判断为返回管路452内的显影液的状态不良，由异物检测部208检测到阈值以上的颗粒数量时，认为返回管路452内的显影液的状态不良的原因在于外部配管管路S的状态。由此，此时，控制部M输出进行上述外部配管管路S的启用工序的控制信号。
另一方面，判断为返回管路452内的显影液的状态不良，由设置于分支管路451的异物检测部检测到阈值以上的颗粒数量时，认为显影液的状态不良的原因在于液供给装置400内。由此，此时，控制部M例如输出进行上述多重过滤处理工序的控制信号。
像这样，依照本实施方式，能够确定异物发生的原因部位，因此能够缩短供给的处理液的再清洁化即恢复所需的时间。
如第6～第8实施方式，设置分支管路451且在分支管路451设置异物检测部208时，控制部M可以基于异物检测部208的异物检测结果的随时间变化来确定异物产生模式，进行与所确定的异物产生模式相应的控制。例如，由异物检测部208检测的颗粒数量缓慢增加时，认为原因是过滤器203的劣化。因此，此时，控制部M确定为通过外部配管管路S的冲洗、上述多重过滤处理不能够改善的异物产生模式。像这样确定为不能够改善的异物产生模式时，控制部M进行控制以借助显示部等进行该内容的通知。
如第8实施方式等，设置检测由过滤器203过滤后的处理液的异物的异物检测部406时，控制部M可以基于异物检测部406的异物检测结果的随时间变化来确定异物产生模式，进行与所确定的异物产生模式相应的控制。例如，由异物检测部406检测的颗粒数量缓慢增加时，认为原因在于设置于外部配管管路S的过滤器的劣化。因此，此时，控制部M确定为通过所述多重过滤处理不能够改善的异物产生模式。像这样确定为不能够改善的异物产生模式时，控制部M进行控制以借助显示部等进行该内容的通知。
以上对第6～第8实施方式的说明中，处理液为显影液，但也可以是DIW等。
以上的第6～第8实施方式是从外部配管供给处理液的方式，在第1供给管路450a中的、外部配管管路S侧的端部即取入口401与过滤器203之间的位置设置分支点，在该分支点连接有分支管路451。在该分支管路451设置有异物检测部208。
与以上的第6～第8实施方式不同，在不从外部配管而从显影液瓶等处理液瓶供给处理液的方式中，也可以与以上的第6～第8实施方式同样设置分支管路，在该分支管路设置异物检测部208。具体而言，也可以在连接处理液瓶和缓冲箱的供给管路(参照图6的附图标记250a)设置分支管路，在该分支管路设置异物检测部208。于是，与以上的第6～第8实施方式同样，可以基于异物检测部208的检测结果，判断可否从药液瓶对进行缓冲箱供给。这是因为，从处理液瓶对缓冲箱供给处理液时，在更换处理液瓶、处理长期间停止时，存在处理液的状态变化的可能性。
即，不限于从外部配管供给处理液的情况，在从药液瓶等能够更换的容器供给处理液时，也能够得到与第6～第8实施方式同样的效果。
以上的说明中，被处理体是半导体晶片，但被处理体并不限定于此，例如也可以是玻璃基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)基片等。
此次公开的实施方式的所有方面均是例示而不应认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离要求保护的范围和其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、置换、变更。
(1)一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，该液供给装置包括：
与上述处理液释放部连接的供给管路；
插入于上述供给管路的过滤上述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够判断向上述过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为上述处理液的状态不良时，输出限制向上述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
依照上述(1)，能够供给适于微小的半导体器件的制造的清洁度的处理液。
(2)在上述(1)记载的液供给装置中，
上述处理液是用于在被处理体上形成涂敷膜的涂敷液，
该液供给装置包括：
返回管路，其将上述供给管路中的上述过滤器的二次侧的部分和上述供给管路中的上述过滤器的一次侧的部分连接；和
排液管路，其从该返回管路上的分支点分支，去往与上述供给管路不同的地方，
上述控制部构成为，能够：
输出将被上述过滤器过滤后的涂敷液送出到上述返回管路的控制信号，
作为上述判断，进行上述返回管路内的涂敷液的状态的判断，
当判断为上述返回管路内的涂敷液的状态良好时，输出使上述返回管路内的涂敷液返回上述供给管路中的上述过滤器的一次侧的部分的控制信号，
当判断为上述返回管路内的涂敷液的状态不良时，输出将上述返回管路内的涂敷液从上述排液管路排液的控制信号。
依照上述(2)，进行送出到上述返回管路的由过滤器过滤后的涂敷液的状态的判断，基于判断结果，使上述涂敷液返回供给管路中的过滤器的一次侧或进行排液。因此，能够抑制涂敷液的消耗量，并且供给更清洁的涂敷液。
(3)在上述(2)记载的液供给装置中，
检测上述涂敷液所含的异物的异物检测部插入于上述返回管路中的比上述分支点靠上游侧的位置，
上述控制部构成为，能够基于上述异物检测部的检测结果，进行上述返回管路内的涂敷液的状态的判断。
(4)在上述(2)记载的液供给装置中，
上述控制部构成为，能够：
输出控制信号，以使得从上述处理液释放部定期地进行虚释放，
基于是否经过了根据上述虚释放的间隔所决定的期间，来进行上述返回管路内的涂敷液的状态的判断。
(5)在上述(2)记载的液供给装置中，
检测上述涂敷液所含的异物的其他异物检测部插入于上述供给管路中的上述过滤器的一次侧和二次侧这两者，
上述控制部构成为，能够基于上述其他异物检测部的检测结果，来进行上述过滤器的状态的判断。
(6)在上述(1)记载的液供给装置中，
上述处理液是用于在被处理体上形成涂敷膜的涂敷液，
上述供给管路的与上述处理液释放部相反的一侧的端部，与贮存有上述涂敷液的供给源连接，
该液供给装置包括：
从位于上述供给管路上的上述过滤器的一次侧的分支点分支的排液管路；和
异物检测部，其插入于上述供给管路中的上述分支点的上游侧，检测该供给管路内的涂敷液所含的异物，
上述控制部构成为，能够：
作为上述判断，基于上述异物检测部的检测结果来进行上述供给源的状态的判断，
仅在判断为上述供给源的状态良好时，输出向上述过滤器的一次侧供给上述供给源内的涂敷液的控制信号。
依照上述(6)，基于设置于供给管路中的比去往排气管路的分支点靠上游侧的位置的异物检测部的检测结果，进行涂敷液供给源内的涂敷液的状态的判断，基于该判断结果，将上述涂敷液向供给管路的下游侧供给或排液。因此，能够供给更清洁的涂敷液。
(7)在上述(6)记载的液供给装置中，
具有将上述供给管路中的上述异物检测部的一次侧和二次侧连接的循环管路，
上述控制部输出使通过上述异物检测部的上述涂敷液经由上述循环管路返回上述供给管路中的上述异物检测部的一次侧的控制信号，
上述控制部基于上述异物检测部的多次检测结果，来进行上述供给源的状态的判断。
(8)在上述(6)记载的液供给装置中，
检测上述涂敷液所含的异物的其他异物检测部插入于上述供给管路中的上述过滤器的一次侧和二次侧这两者，
上述控制部基于上述其他异物检测部的检测结果，来进行上述过滤器的状态的判断。
(9)在上述(1)记载的液供给装置中，
上述供给管路的与上述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置具有从位于上述供给管路上的上述外部配管管路侧的端部与上述过滤器之间的分支点分支的分支管路，
上述控制部构成为，能够：
作为上述判断，进行经由上述外部配管管路向该液供给装置补充的上述处理液的状态的判断，
当判断为经由上述外部配管管路向该液供给装置补充的上述处理液的状态不良时，输出限制向上述供给管路中的上述分支点的下游侧供给经由上述外部配管管路补充的处理液的控制信号。
依照上述(9)，进行从外部配管管路补充到分支管路的处理液的状态的判断，基于判断结果，将上述处理液向供给管路中的与分支管路分支的分支点的下游侧供给或排液。因此，能够供给更清洁的处理液。
(10)在上述(9)记载的液供给装置中，
具有异物检测部，其插入于上述分支管路，检测该分支管路内的处理液所含的异物，
上述控制部构成为，能够基于上述异物检测部的检测结果，进行经由上述外部配管管路补充的上述处理液的状态的判断。
(11)在上述(10)记载的液供给装置中，
具有其他异物检测部，其检测向上述供给管路中的上述分支点的下游侧供给的上述处理液所含的异物，
上述异物检测部与上述其他异物检测部相比，检测对象的异物较大，
上述控制部构成为，能够基于与上述其他异物检测部相比检测对象的异物较大的上述异物检测部的检测结果，来进行经由上述外部配管管路补充的上述处理液的状态的判断。
(12)在上述(10)记载的液供给装置中，
上述分支管路分支为多个配管管路，上述异物检测部插入在上述多个配管管路中的位于铅垂方向下方的配管管路。
(13)在上述(9)记载的液供给装置中，
在上述分支管路中流动的上述处理液的流量小于向上述供给管路的上述分支点的下游侧流动的上述处理液的流量。
(14)在上述(9)记载的液供给装置中，
具有暂时贮存上述处理液的暂时贮存部，
上述控制部构成为，能够根据向上述暂时贮存部供给经由上述外部配管管路补充的上述处理液的时机，进行经由上述外部配管管路补充的上述处理液的状态的判断。
(15)在上述(9)记载的液供给装置中，
上述控制部构成为，能够根据经由上述外部配管管路向该液供给装置补充的上述处理液的状态，来决定向上述处理液释放部供给的上述处理液由上述过滤器过滤的次数。
(16)在上述(9)记载的液供给装置中，
上述控制部构成为，能够根据经由上述外部配管管路向该液供给装置补充的上述处理液的状态，来输出通知该状态的控制信号。
(17)在上述(10)记载的液供给装置中，
具有其他异物检测部，其检测向上述供给管路中的上述分支点的下游侧供给的上述处理液所含的异物，
上述控制部构成为，能够在由上述其他异物检测部判断为上述处理液的状态不良时，根据插入于上述分支管路的上述异物检测部的检测结果，来决定处理液状态改善处理的条件。
(18)在上述(10)记载的液供给装置中，
上述控制部构成为，能够基于插入于上述分支管路的上述异物检测部的检测结果的随时间变化，来确定异物产生模式，进行与所确定的上述异物产生模式相应的控制。
(19)在上述(17)记载的液供给装置中，
上述控制部构成为，能够基于上述其他异物检测部的检测结果的随时间变化，来确定异物产生模式，进行与所确定的上述异物产生模式相应的控制。
(20)一种对处理液释放部供给处理液的液供给方法，该处理液释放部对被处理体释放处理液，该液供给方法中：
在上述处理液释放部连接有供给管路，
在上述供给管路插入有过滤上述处理液以除去异物的过滤器，
该液供给方法包括：
对向上述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断的步骤；
当判断为上述处理液的状态良好时，进行向上述过滤器的一次侧供给该处理液的步骤；和
当判断为上述处理液的状态不良时，排出该处理液的步骤。
附图标记说明
142 释放嘴
200 抗蚀剂液供给装置
203 过滤器
250 涂敷液供给管路
400 液供给装置
450 处理液供给管路
M 控制部。

Claims (9)

1.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够对向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置包括：
从位于所述供给管路上的所述外部配管管路侧的端部与所述过滤器之间的分支点分支的分支管路；
异物检测部，其插入于所述分支管路，检测该分支管路内的处理液所含的异物；和
其他异物检测部，其检测向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给的所述处理液所含的异物，
所述异物检测部与所述其他异物检测部相比，检测对象的异物较大，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，基于与所述其他异物检测部相比检测对象的异物较大的所述异物检测部的检测结果，来进行经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态的判断，
当判断为经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态不良时，输出限制向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给经由所述外部配管管路补充的处理液的控制信号。
2.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够对向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置包括：
从位于所述供给管路上的所述外部配管管路侧的端部与所述过滤器之间的分支点分支的分支管路；和
异物检测部，其插入于所述分支管路，检测该分支管路内的处理液所含的异物，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，基于所述异物检测部的检测结果，进行经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态的判断，
当判断为经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态不良时，输出限制向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给经由所述外部配管管路补充的处理液的控制信号，
所述分支管路分支为多个配管管路，所述异物检测部插入在所述多个配管管路中的位于铅垂方向下方的配管管路。
3.如权利要求1或2所述的液供给装置，其特征在于：
在所述分支管路中流动的所述处理液的流量小于向所述供给管路的所述分支点的下游侧流动的所述处理液的流量。
4.如权利要求1或2所述的液供给装置，其特征在于：
具有暂时贮存所述处理液的暂时贮存部，
所述控制部构成为，能够根据向所述暂时贮存部供给经由所述外部配管管路补充的所述处理液的时机，进行经由所述外部配管管路补充的所述处理液的状态的判断。
5.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够对向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置具有从位于所述供给管路上的所述外部配管管路侧的端部与所述过滤器之间的分支点分支的分支管路，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，进行经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态的判断，
当判断为经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态不良时，输出限制向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给经由所述外部配管管路补充的处理液的控制信号，
根据经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态，来决定向所述处理液释放部供给的所述处理液由所述过滤器过滤的次数。
6.如权利要求1、2和5中的任一项所述的液供给装置，其特征在于：
所述控制部构成为，能够根据经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态，来输出通知该状态的控制信号。
7.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够对向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置包括：
从位于所述供给管路上的所述外部配管管路侧的端部与所述过滤器之间的分支点分支的分支管路；
异物检测部，其插入于所述分支管路，检测该分支管路内的处理液所含的异物；和
其他异物检测部，其检测向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给的所述处理液所含的异物，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，基于所述异物检测部的检测结果，进行经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态的判断，
当判断为经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态不良时，输出限制向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给经由所述外部配管管路补充的处理液的控制信号，
在由所述其他异物检测部判断为所述处理液的状态不良时，根据插入于所述分支管路的所述异物检测部的检测结果，来决定处理液状态改善处理的条件。
8.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够对向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态进行判断，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与配置于设置有该液供给装置的空间的外部配管管路连接，
该液供给装置包括：
从位于所述供给管路上的所述外部配管管路侧的端部与所述过滤器之间的分支点分支的分支管路；和
异物检测部，其插入于所述分支管路，检测该分支管路内的处理液所含的异物，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，基于所述异物检测部的检测结果，进行经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态的判断，
当判断为经由所述外部配管管路向该液供给装置补充的所述处理液的状态不良时，输出限制向所述供给管路中的所述分支点的下游侧供给经由所述外部配管管路补充的处理液的控制信号，
基于插入于所述分支管路的所述异物检测部的检测结果的随时间变化，来确定异物产生模式，进行与所确定的所述异物产生模式相应的控制。
9.如权利要求7所述的液供给装置，其特征在于：
所述控制部构成为，能够基于所述其他异物检测部的检测结果的随时间变化，来确定异物产生模式，进行与所确定的所述异物产生模式相应的控制。
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