CN115513089A - 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质 - Google Patents

处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN115513089A
CN115513089A CN202210610418.9A CN202210610418A CN115513089A CN 115513089 A CN115513089 A CN 115513089A CN 202210610418 A CN202210610418 A CN 202210610418A CN 115513089 A CN115513089 A CN 115513089A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
valve
discharge
supply line
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210610418.9A
Other languages
English (en)
Inventor
矢野英嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN115513089A publication Critical patent/CN115513089A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1026—Valves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质。处理液供给装置具备：供给管路，其连接于喷出部；泵，其设置于供给管路，向喷出部加压输送处理液；第一开闭阀，其设置于供给管路中的泵的下游侧的位置；过滤器，其设置于供给管路中的泵与第一开闭阀之间的位置，对处理液进行过滤；排出管路，其从供给管路中的过滤器与第一开闭阀之间的位置分支出来，用于从供给管路排出处理液；贮存部，其连接于排出管路，用于贮存从供给管路排出的处理液；第二开闭阀，其设置于排出管路；以及控制部，其控制第一开闭阀和第二开闭阀，以使由过滤器过滤后的处理液不会在供给管路中的比第一开闭阀靠上游侧的部分处停留规定时间以上。

Description

处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质。
背景技术
专利文献1中公开了一种处理液供给配管电路，该处理液供给配管电路设置于用于从液供给喷嘴向基板的表面供给处理液来实施处理的液处理装置，其构成为处于液供给喷嘴与处理液的液供给部之间。该处理液供给配管电路具备：中间罐，其用于临时贮存从液供给部通过供给配管供给的处理液；排气配管，其连接于中间罐的上方位置处，用于使内部的处理液减压并脱气；以及送液泵，其从中间罐的出口侧吸引处理液来使喷出动作连续。并且，处理液供给配管电路具备：开闭阀，其设置于成为送液泵的喷出侧的送液泵次级侧配管与液供给喷嘴之间的配管，用于对处理液朝向液供给喷嘴侧的流动进行开闭；循环配管，其从开闭阀的一次侧的配管分支出来并与中间罐连通来使处理液循环；以及循环阀，其用于对循环配管的处理液的流动进行开闭。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：实用新型登记3189821号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术保持向针对基板的处理液的喷出部供给的、由过滤器过滤后的处理液的清洁度。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是一种处理液供给装置，向对基板喷出处理液的喷出部供给所述处理液，所述理液供给装置具备：供给管路，其连接于所述喷出部；泵，其设置于所述供给管路，向所述喷出部加压输送所述处理液；第一开闭阀，其设置于所述供给管路中的所述泵的下游侧的位置；过滤器，其设置于所述供给管路中的所述泵与所述第一开闭阀之间的位置，所述过滤器对所述处理液进行过滤；排出管路，其从所述供给管路中的所述过滤器与所述第一开闭阀之间的位置分支出来，所述排出管路用于从所述供给管路排出所述处理液；贮存部，其连接于所述排出管路，所述贮存部用于贮存从所述供给管路排出的所述处理液；第二开闭阀，其设置于所述排出管路；以及控制部，其中，所述控制部控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，以使由所述过滤器过滤后的所述处理液不会在所述供给管路中的比所述第一开闭阀更靠上游侧的部分处停留规定时间以上。
发明的效果
根据本公开，能够保持向针对基板的处理液的喷出部供给的、由过滤器过滤后的处理液的清洁度。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的处理液供给装置的结构的概要的说明图。
图2是示出通常喷出动作时的处理液供给装置的状态的图。
图3是示出循环动作时的处理液供给装置的状态的图。
图4是示出排出动作时的处理液供给装置的状态的图。
图5是用于说明进行排出动作的理由的图。
图6是示出喷嘴清洗动作时的处理液供给装置的状态的图。
图7是示出第二实施方式所涉及的处理液供给装置的结构的概要的说明图。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，进行一系列处理以在半导体晶圆(下面称为“晶圆”。)等基板上形成规定的抗蚀图案。上述一系列处理中例如包括向基板上供给抗蚀液来形成抗蚀膜的抗蚀涂布处理、将抗蚀膜进行曝光的曝光处理、向曝光后的抗蚀膜供给显影液来进行显影的显影处理等。
在进行上述的涂布处理时、显影处理时向喷出喷嘴供给抗蚀液、显影液等处理液的装置中，在连接于喷出喷嘴的供给管路中设置有用于去除处理液中的微小异物(微粒)的过滤器。
但是，本发明的发明人们进行深入研究后明确的是：即使如上述那样设置有过滤器，若处理液在供给管路内长时间停留，则向基板喷出的处理液中有时含有异物而被检测为缺陷。
这在使用用于通过过滤器来对处理液进行多次过滤的循环路径向基板喷出被进行上述多次过滤后的处理液的情况下也是同样的。
因此，本公开所涉及的技术保持通过过滤器进行过滤且向针对基板的处理液的喷出部供给的处理液的清洁度。
下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的处理液供给装置和处理液供给方法。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，来省略重复说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式所涉及的处理液供给装置的结构的概要的说明图。
图1的处理液供给装置100向作为喷出部的喷出喷嘴1供给处理液。喷出喷嘴1向晶圆W喷出处理液，晶圆W是被作为保持部的旋转卡盘2保持的基板。由处理液供给装置100供给且由喷出喷嘴1喷出的处理液例如是抗蚀液。
处理液供给装置100具备连接于喷出喷嘴1的供给管路150。供给管路150的一端例如与喷出喷嘴1连接，另一端与抗蚀液瓶101连接。
抗蚀液瓶101是在内部贮存抗蚀液的供给源，是可更换的。在抗蚀液瓶101也连接有设置有开闭阀V1的气体供给管路151。气体供给管路151将作为氮气等非活性气体的供给源的气体供给源110与抗蚀液瓶101连接，在开闭阀V1的上游侧设置有用于调整压力的电动气动调节器111。
在供给管路150中从上游侧起依序设置有缓冲罐102、泵103以及过滤器104。
供给管路150具有：第一供给管路150a，其将抗蚀液瓶101与缓冲罐102连接；第二供给管路150b，其将缓冲罐102与泵103连接；以及第三供给管路150c，其将泵103与喷出喷嘴1连接，在该第三供给管路150c中设置有过滤器104。
在第一供给管路150a中设置有开闭阀V2。
在第二供给管路150b中设置有开闭阀V3。
在第三供给管路150c中的泵103与过滤器104之间的位置设置有开闭阀V4。另外，在第三供给管路150c中的过滤器104与喷出喷嘴1之间，从上游侧起依序设置有开闭阀V5和供给控制阀V6。
换而言之，在第三供给管路150c中的泵103的次级侧且下游侧的位置设置有开闭阀V5，在第三供给管路150c中的泵103与开闭阀V5之间的位置设置有过滤器104。
缓冲罐102是用于贮存从抗蚀液瓶101输送出且向泵103送出的抗蚀液的贮存部。在缓冲罐102设置有用于检测贮存余量的液面传感器(未图示)，根据该液面传感器的检测结果来使开闭阀V1、V2打开和关闭，从而开始、停止从抗蚀液瓶101向缓冲罐102供给、即补充抗蚀液。
泵103用于吸入、送出抗蚀液，例如是磁悬浮型离心泵。泵103从缓冲罐102吸入抗蚀液，并将该抗蚀液加压输送到喷出喷嘴1等。
过滤器104对抗蚀液进行过滤来去除微粒。具体地说，过滤器104对从泵103送出的抗蚀液进行过滤来去除该抗蚀液内的微粒。
另外，处理液供给装置100具备排出管路152。排出管路152从第三供给管路150c中的过滤器104与开闭阀V5之间的位置分支出来，用于从供给管路150排出抗蚀液。
在排出管路152中的下游侧端连接有罐105，该罐105为用于贮存从供给管路150排出的抗蚀液的贮存部。另外，在排出管路152中设置有开闭阀V7。对于罐105，例如使用容量比过滤器104的容量大的罐。
并且，处理液供给装置100具备吹扫用管路153。吹扫用管路153的上游侧端连接于罐105，且下游侧端连接于第三供给管路150c中的开闭阀V5与喷出喷嘴1之间的位置(具体地说，开闭阀V5与供给控制阀V6之间的位置)。在吹扫用管路153中设置有泵106，在比泵106更靠下游侧的位置设置有开闭阀V8。
泵106用于吸入、送出抗蚀液，例如是磁悬浮型离心泵。泵106从罐105吸入抗蚀液，并将该抗蚀液加压输送到喷出喷嘴1。
另外，处理液供给装置100具备回流管路154。与排出管路152同样地，回流管路154的一端从第三供给管路150c中的过滤器104与开闭阀V5之间的位置分支出来。在本例中，回流管路154与排出管路152一起从第三供给管路150c分支出来，换言之，回流管路154与排出管路152共用第三供给管路150c侧的一部分。另外，回流管路154的另一端连接至供给管路150中的泵103的上游侧。在本例中，回流管路154的上述另一端连接于缓冲罐102。并且，在回流管路154中设置有开闭阀V9。
该回流管路154与供给管路150的一部分一起构成抗蚀液的循环路径155。
“供给管路150的一部分”是供给管路150中的包括泵103和过滤器104的部分，更具体地说，是供给管路150中的包括缓冲罐102、泵103以及过滤器104的部分。
并且，处理液供给装置100具备控制部M。控制部M例如是具备CPU、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制处理液供给装置100中的处理的程序。此外，上述程序也可以是被记录在计算机可读存储介质H中且从该存储介质H安装于控制部M的程序。存储介质H既可以是临时存储介质，也可以是非临时存储介质。另外，程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路基板)实现。
关于设置于处理液供给装置100的各阀，使用可由控制部M控制的电磁阀、空气作动阀，各阀与控制部M电连接。另外，控制部M与泵103、106电连接。通过该结构，能够在控制部M的控制下自动地进行处理液供给装置100中的一系列处理。
<处理液供给装置100的动作>
接着，基于图2～图6来说明处理液供给装置100的动作。图2～图4、图6是分别示出通常喷出动作时、循环动作时、排出动作时以及喷嘴清洗动作时的处理液供给装置100的状态的图。图5是用于说明进行排出动作的理由的图。在图2～图4和图6中，用白色表示打开状态的阀，用黑色表示关闭状态的阀，用粗线表示正流通有处理液的管，由此省略关于其它阀的开闭状态的说明。此外，设为在进行各动作之前供给管路150、排出管路152、吹扫用管路153以及回流管路154被预先填充有抗蚀液。另外，在控制部M的控制下进行下面的各动作。
<通常喷出>
在从喷出喷嘴1对产品晶圆W进行喷出的通常喷出时，如图2所示，使开闭阀V7、V9等维持关闭状态，使开闭阀V3、V4、V5以及供给控制阀V6为打开状态，并对泵103进行驱动。由此，以规定流量向喷出喷嘴1供给被填充到第三供给管路150c中的抗蚀液(以及从泵103送出的抗蚀液)，并经由该喷出喷嘴1向产品晶圆W上喷出该抗蚀液。
<循环>
在不进行上述的通常喷出的期间，处理液供给装置100进行动作，以使抗蚀液在由回流管路154等构成的循环路径155内循环且不滞留。具体地说，如图3所示，使开闭阀V5、V7等维持关闭状态，使开闭阀V3、V4、V9为打开状态。而且，对泵103进行驱动。由此，包括回流管路154、缓冲罐102等的循环路径155内的抗蚀液一边被过滤器104过滤一边循环。
此外，在启动处理液供给装置100时、紧接向缓冲罐102补充抗蚀液之后也进行该循环。此时，以通过过滤器104对抗蚀液进行多次过滤的方式进行上述循环。
通过像这样进行抗蚀液的循环，能够抑制附着于过滤器、缓冲罐102的微粒由于滞留而溶出到抗蚀液中。
<定期伪喷出>
在超过某一固定时间未从喷出喷嘴1对产品晶圆W进行喷出的情况下，进行从喷出喷嘴1朝向与晶圆W不同的场所定期地进行喷出的定期伪喷出。在进行定期伪喷出时，与上述的通常喷出同样地，使开闭阀V7、V9等维持关闭状态，使开闭阀V4、V5以及供给控制阀V6为打开状态，并对泵103进行驱动。由此，滞留在第三供给管路150c中的比开闭阀V5更靠下游侧的部分的抗蚀液被上述循环路径内的处理液推出，至少其中一部分被从喷出喷嘴1喷出。
例如每隔5分钟进行伪喷出，一次的喷出量例如为3ml。
<排出>
另外，处理液供给装置100以使由过滤器104过滤后的抗蚀液不会在包括过滤器104的、供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分处(具体地说，循环路径155)停留规定时间以上的方式进行排出动作。在排出动作中，例如每隔规定间隔从排出管路152排出供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分(具体地说，包括回流管路154的循环路径155)内的规定量的抗蚀液。在排出动作中，具体地说，如图4所示，使开闭阀V5、V9等维持关闭状态，使开闭阀V3、V4、V7为打开状态，并对泵103进行驱动。由此被排出到排出管路152的抗蚀液最终被贮存于罐105。
在此，使用图5来说明进行这样的排出动作的理由。图5示出在具有与处理液供给装置100同样的循环路径的装置中将在循环路径中循环的抗蚀液喷出到晶圆W上时观测到的、抗蚀液内的缺陷(湿微粒)的数量(纵轴)与循环的时间(横轴)的关系。图5的结果是在使用能够去除抗蚀液内的1nm的异物的过滤器104并将被喷出到晶圆W上的抗蚀液内的15nm以上的异物检测为缺陷时的结果。
使循环的时间(下面称为循环时间)越长，则抗蚀液被过滤器104过滤的次数越多，因此有望使缺陷的数据越少。另外，循环的目的原本在于防止抗蚀液滞留，具体地说，防止附着于过滤器、缓冲罐102的微粒溶出到抗蚀液中，从而成为产生缺陷的原因。但是，实际上，如图5所示，若循环时间超过60分钟，则无论循环时的流量如何缺陷数量都增加了。
因此，处理液供给装置100以使由过滤器104过滤后的抗蚀液不会在包括过滤器104的、供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分处(具体地说，包括回流管路154的循环路径155)停留规定时间以上的方式进行上述的排出动作。根据图5所示的结果，上述规定时间例如是60分钟。
例如，在循环路径155的容积是130ml左右、通过定期伪喷出来每隔5分钟喷出3ml的抗蚀液的情况下，在排出动作中每隔2分钟喷出3ml的抗蚀液，以使由过滤器104过滤后的抗蚀液不会停留60分钟以上。
此外，认为作为若循环时间超过60分钟则缺陷的数量增加的理由如下。即，有时在过滤器104所具有的上附着有利用该过滤器104无法去除的细小微粒，该细小微粒可能会从过滤器104的滤膜脱离并混入抗蚀液内。也就是说，上述细小微粒溶出到抗蚀液内。而且，循环时间越长，则混入抗蚀液内的上述细小微粒的数量越多，在喷出到晶圆W上时被检测为缺陷的部分也越多。认为这是理由。
另外，由于如上述那样在循环中混入抗蚀液内的微粒是附着于过滤器104的滤膜等构成构件的微粒，因此循环时间与溶出到抗蚀液内的缺陷的数量的关系依赖于过滤器104的结构构件的清洁度。因而，如果过滤器104的构成构件的清洁度高，则即使进行了例如60分钟以上的循环，从过滤器104溶出到抗蚀液的微粒的数量也少，如果上述清洁度低，则即使进行了低于60分钟的循环，从过滤器104向抗蚀液的微粒的溶出的影响也大。
<排出的其它例>
在以上的例子的排出动作中，从包括过滤器104的、供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分(具体地说，包括回流管路154的循环路径155)每隔固定间隔地排出规定量的抗蚀液。取而代之地，或者，在此基础上，在维护处理液供给装置100时等，在开闭阀V5超过上述规定时间未变为打开状态的情况(即持续维持关闭状态的情况)下，可以从该过滤器104朝向排出管路152排出过滤器104内的全部抗蚀液，并将这些量的抗蚀液贮存于罐105。在该情况下也如图4所示那样使开闭阀V5、V9等维持关闭状态，使开闭阀V3、V4、V7为打开状态，并对泵103进行驱动。
在进行本例的排出动作的情况下，设为罐105的容量大于过滤器104的容量。由此，罐105至少能够贮存与过滤器104内的全部抗蚀液等量的抗蚀液。
<喷嘴清洗>
罐105中贮存的抗蚀液例如通过下面那样使用。
当满足规定的条件(例如，每经过固定时间这样的条件、每批这样的条件、即将开始对产品晶圆W进行喷出之前或者即将再次开始之前这样的条件)时，经由吹扫用管路153朝向喷出喷嘴1大量(例如30ml)地供给罐105中贮存的抗蚀液，其结果，该喷出喷嘴1内等的抗蚀液被推出，并被喷出到与产品晶圆W不同的场所。由此，能够将从喷出喷嘴1向晶圆W喷出的抗蚀液的清洁度维持为高的清洁度。
为了经由吹扫用管路153向喷出喷嘴1供给罐105中贮存的抗蚀液，只要如图6所示那样使开闭阀V5、V7、V9等维持关闭状态、使开闭阀V8和供给控制阀V6为打开状态并对泵103进行驱动即可。
<主要效果>
如以上那样，在本实施方式中，控制开闭阀V5、V7等，以使由过滤器104过滤后的抗蚀液不会在包括过滤器104的、供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分处(具体地说，循环路径155)停留规定时间以上。因而，能够抑制向喷出喷嘴1供给的抗蚀液内的从过滤器104溶出的细小微粒的数量，能够保持抗蚀液的清洁度。
另外，在本实施方式中，将通过排出动作从供给管路150不经过喷出喷嘴1地排出的过滤完毕的抗蚀液贮存于罐105。通过像这样在罐105中贮存过滤完毕的抗蚀液，能够再次利用该抗蚀液。例如，罐105中贮存的过滤完毕的抗蚀液能够使用于上述的喷嘴清洗等。
在本实施方式中，罐105中贮存的是多次过滤完毕的抗蚀液。通过在进行喷嘴清洗时供给大量的多次过滤完毕的抗蚀液，相较于进行少量的定期伪喷出而言，能够提高供给管路150中的比循环路径155更靠喷出喷嘴1侧的位置处的抗蚀液的清洁度。如果通过这样来提高供给管路150中的比循环路径155更靠喷出喷嘴1侧的位置处的抗蚀液的清洁度，并如上述那样从循环路径155进行排出动作，则能够提高处理液供给装置100的配管系统整体的清洁度。
<罐中贮存的过滤完毕的抗蚀液的利用方法的其它例>
也能够在其它处理液供给装置启动时等使用罐105中贮存的过滤完毕的抗蚀液。并且，也可以将罐105中贮存的过滤完毕的抗蚀液补充至具有下面的系统的处理液供给装置的处理液的供给源、临时贮存部。即，也可以针对不像本实施方式所涉及的处理液供给装置100这样具有循环路径155、且供给由过滤器104过滤一次后的抗蚀液的方式的处理液供给装置使用。另外，也可以向产品晶圆W喷出罐105中贮存的完毕过滤的抗蚀液并进行利用。
(第一实施方式的变形例)
在以上的例子中设置有缓冲罐102，但也可以省略缓冲罐102。在省略缓冲罐102的情况下，在向喷出喷嘴1供给抗蚀液时，在进行上述供给的同时向循环路径155内补充抗蚀液，以防循环路径155内变为未填充抗蚀液的状态而在循环路径155内产生气泡。另外，在省略缓冲罐102的情况下，在从循环路径155排出抗蚀液时也同样地在进行排出的同时向循环路径155内补充抗蚀液。
(第二实施方式)
图7是示出第二实施方式所涉及的处理液供给装置的结构的概要的说明图。
图7的处理液供给装置100a是从图1的处理液供给装置100中省略了回流管路154的处理液供给装置。
在该处理液供给装置100a的情况下也是，控制开闭阀V5、V7等，以使由过滤器104过滤后的抗蚀液不会在包括过滤器104的、供给管路150中的比开闭阀V5更靠上游侧的部分处停留规定时间以上。由此，能够抑制向喷出喷嘴1供给的抗蚀液内的从过滤器104溶出的细小微粒的数量，能够保持抗蚀液的清洁度。
(其它变形例)
在以上的例子中，在处理液供给装置100、100a中分别设置了排出管路152、罐105、吹扫用管路153、泵106等。取而代之地，也可以在多个处理液供给装置100、100a间共用排出管路152、罐105、吹扫用管路153、泵106等。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书的范围及其主旨的情况下能够以各种方式省略、置换、变更。
附图标记说明
1：喷出喷嘴；100：处理液供给装置；100a：处理液供给装置；103：泵；104：过滤器；105：罐；110：气体供给源；111：电动气动调节器；150：供给管路；152：排出管路；M：控制部；V5：开闭阀；V7：开闭阀；W：晶圆。

Claims (10)

1.一种处理液供给装置，向对基板喷出处理液的喷出部供给所述处理液，所述处理液供给装置具备：
供给管路，其连接于所述喷出部；
泵，其设置于所述供给管路，向所述喷出部加压输送所述处理液；
第一开闭阀，其设置于所述供给管路中的所述泵的下游侧的位置；
过滤器，其设置于所述供给管路中的所述泵与所述第一开闭阀之间的位置，所述过滤器对所述处理液进行过滤；
排出管路，其从所述供给管路中的所述过滤器与所述第一开闭阀之间的位置分支出来，所述排出管路用于从所述供给管路排出所述处理液；
贮存部，其连接于所述排出管路，所述贮存部用于贮存从所述供给管路排出的所述处理液；
第二开闭阀，其设置于所述排出管路；以及
控制部，
其中，所述控制部控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，以使由所述过滤器过滤后的所述处理液不会在所述供给管路中的比所述第一开闭阀更靠上游侧的部分处停留规定时间以上。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于，还具备：
吹扫用管路，该吹扫用管路的上游侧端连接于所述贮存部，且下游侧端连接于所述供给管路中的所述第一开闭阀与所述喷出部之间的位置；以及
第三开闭阀，其设置于所述吹扫用管路。
3.根据权利要求2所述的处理液供给装置，其中，
在满足规定的条件时，所述控制部控制所述第一开闭阀至所述第三开闭阀，以向所述喷出部供给所述贮存部中贮存的所述处理液。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的处理液供给装置，其特征在于，
所述贮存部的容量大于所述过滤器的容量。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的处理液供给装置，其特征在于，
在所述第一开闭阀持续所述规定时间地不为打开状态时，所述控制部控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，以向所述排出管路排出所述过滤器内的全部的处理液。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的处理液供给装置，其特征在于，
还具备回流管路，该回流管路的一端从所述供给管路中的所述过滤器与所述第一开闭阀之间的位置分支出来，另一端连接于所述供给管路中的所述泵的上游侧的位置，
所述回流管路与所述供给管路中的包括所述泵和所述过滤器的部分一起构成所述处理液的循环路径。
7.根据权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于，
还具备其它贮存部，该其它贮存部设置于所述供给管路，用于贮存向所述泵送出的处理液，
所述回流管路的所述另一端连接于所述其它贮存部。
8.根据权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于，
还具备第四开闭阀，该第四开闭阀设置于所述回流管路。
9.一种处理液供给方法，是使用处理液供给装置来向对基板喷出处理液的喷出部供给所述处理液的处理液供给方法，其中，
所述处理液供给装置具备：
供给管路，其连接于所述喷出部；
泵，其设置于所述供给管路，所述泵向所述喷出部加压输送所述处理液；
第一开闭阀，其设置于所述供给管路中的所述泵的下游侧的位置；
过滤器，其设置于所述供给管路中的所述泵与所述第一开闭阀之间的位置，所述过滤器对所述处理液进行过滤；
排出管路，其从所述供给管路中的所述过滤器与所述第一开闭阀之间的位置分支出来，所述排出管路用于从所述供给管路排出所述处理液；
贮存部，其连接于所述排出管路，所述贮存部用于贮存从所述供给管路排出的所述处理液；以及
第二开闭阀，其设置于所述排出管路，
所述处理液供给方法包括以下工序：控制所述第一开闭阀和所述第二开闭阀，以使由所述过滤器过滤后的所述处理液不会在所述供给管路中的比所述第一开闭阀更靠上游侧的部分处停留规定时间以上。
10.一种计算机可读存储介质，存储有程序，所述程序在控制部的计算机上运行以使根据权利要求9所述的处理液供给方法被所述处理液供给装置执行，其中，所述控制部是控制所述处理液供给装置的控制部。
CN202210610418.9A 2021-06-07 2022-05-31 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质 Pending CN115513089A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021095147A JP2022187235A (ja) 2021-06-07 2021-06-07 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP2021-095147 2021-06-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115513089A true CN115513089A (zh) 2022-12-23

Family

ID=84438248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210610418.9A Pending CN115513089A (zh) 2021-06-07 2022-05-31 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022187235A (zh)
KR (1) KR20220165196A (zh)
CN (1) CN115513089A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189821U (ja) 2014-01-20 2014-04-03 東京エレクトロン株式会社 処理液供給配管回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220165196A (ko) 2022-12-14
JP2022187235A (ja) 2022-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10037901B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, method of cleaning substrate liquid treatment apparatus and non-transitory storage medium
JP6607820B2 (ja) フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
US9278768B2 (en) Process liquid changing method and substrate processing apparatus
CN111433888B (zh) 液供给装置和液供给方法
US7617836B2 (en) System and method for supplying functional water
TWI636818B (zh) 處理液過濾裝置、藥液供給裝置及處理液過濾方法和記憶媒體
CN112912344B (zh) 高回收率可变体积反渗透膜系统
JP6278808B2 (ja) 液供給装置およびフィルタ洗浄方法
CN115513089A (zh) 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质
CN111868882A (zh) 液处理装置和液处理方法
JP2007035733A (ja) 薬液処理装置
CN111589218B (zh) 过滤器润湿方法和处理液供给装置
CN115945313A (zh) 处理液供给装置和处理液供给方法
CN116300325A (zh) 基片处理装置、处理液供给方法和计算机存储介质
US20230211261A1 (en) Apparatus and method for processing substrate
US20230090558A1 (en) Pre-wet system having pneumatic circulation
CN113814097B (zh) 液体供应系统以及液体供应方法
JP2023083140A (ja) 処理液供給装置及び処理液排出方法
RU2801320C2 (ru) Способ и установка для производства полупроводников
TW202214356A (zh) 液體供應系統以及液體供應方法
JP2024044994A (ja) 基板処理装置及び処理液供給方法
KR100874902B1 (ko) 액체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination