CN115945313A - 处理液供给装置和处理液供给方法 - Google Patents

处理液供给装置和处理液供给方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115945313A
CN115945313A CN202211181509.1A CN202211181509A CN115945313A CN 115945313 A CN115945313 A CN 115945313A CN 202211181509 A CN202211181509 A CN 202211181509A CN 115945313 A CN115945313 A CN 115945313A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pump
treatment liquid
valve
supply line
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211181509.1A
Other languages
English (en)
Inventor
绪方诚
桥本克也
三坂晋一朗
今村真人
田尻卓也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN115945313A publication Critical patent/CN115945313A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/085—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to flow or pressure of liquid or other fluent material to be discharged
    • B05B12/087—Flow or presssure regulators, i.e. non-electric unitary devices comprising a sensing element, e.g. a piston or a membrane, and a controlling element, e.g. a valve
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/40—Filters located upstream of the spraying outlets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
    • B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
    • B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
    • B05B9/0406—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material with several pumps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供处理液供给装置和处理液供给方法，抑制对向基片释放处理液的释放部供给的处理液的消耗量，并且提高该处理液的清洁度。处理液供给装置包括：与释放部连接的供给管路；供给管路中的向释放部压送处理液的第一泵，其同时进行处理液的吸入和送出；供给管路中的第一泵上游侧的第一开闭阀；供给管路中的过滤器；供给管路中的第一泵下游侧的第二开闭阀；返回管路，其一端从供给管路中的第一泵及过滤器与第二开闭阀之间分支，另一端连接于供给管路中的第一开闭阀的下游侧且第一泵和过滤器的上游侧；返回管路中的向返回管路的一端压送处理液的第二泵；返回管路中的一端与第二泵之间的第三开闭阀；和返回管路中的另一端与第二泵之间的第四开闭阀。

Description

处理液供给装置和处理液供给方法
技术领域
本发明涉及处理液供给装置和处理液供给方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种抗蚀剂液供给装置，其包括：贮存抗蚀剂液的处理液容器；向晶片释放抗蚀剂液的喷嘴；和抗蚀剂液供给管路，其由将处理液容器与喷嘴连接的配管构成。在抗蚀剂液供给管路，从上游侧起依次设置有暂时贮存来自处理液容器的抗蚀剂液的缓冲罐、用于对抗蚀剂液进行过滤而除去异物的过滤器、泵、流量调节部、操作阀和回吸阀。抗蚀剂液的释放是这样的进行的：通过打开气动阀并且使泵工作，从处理液容器输送来的缓冲罐内的抗蚀剂液通过抗蚀剂液供给管路移动到下游侧。因此，例如以由流量调节部设定的流量从喷嘴释放抗蚀剂液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-139665号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明所涉及的技术能够抑制对向基片释放处理液的释放部供给的处理液的消耗量，并且提高该处理液的清洁度。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是对向基片释放处理液的释放部供给上述处理液的处理液供给装置，其包括：与上述释放部连接的供给管路；第一泵，其插设于上述供给管路，能够同时进行上述处理液的吸入和送出，向上述释放部压送上述处理液；第一开闭阀，其插设于上述供给管路中的上述第一泵的上游侧；过滤器，其插设于上述供给管路，对上述处理液进行过滤；第二开闭阀，其插设于上述供给管路中的上述第一泵的下游侧；返回管路，其一端从上述供给管路中的上述第一泵及上述过滤器与上述第二开闭阀之间分支，另一端连接于上述供给管路中的上述第一开闭阀的下游侧且上述第一泵和上述过滤器的上游侧；第二泵，其插设于上述返回管路，能够向上述返回管路的上述一端压送上述处理液；第三开闭阀，其插设于上述返回管路中的上述一端与上述第二泵之间；和第四开闭阀，其插设于上述返回管路中的上述另一端与上述第二泵之间。
发明效果
依照本发明，能够抑制对向基片释放处理液的释放部供给的处理液的消耗量，并且提高该处理液的清洁度。
附图说明
图1是表示本实施方式的处理液供给装置的概略结构的说明图。
图2是表示循环释放工作时的处理液供给装置的状态的图。
图3是表示释放工作时的处理液供给装置的状态的图。
图4是表示补充工作时的处理液供给装置的状态的图。
附图标记说明
1(1a～1d)          喷嘴
100                处理液供给装置
102                第一泵
103                过滤器
105                第二泵
150(150a～150d)    供给管路
160(160a～160d)    返回管路
V11                第一开闭阀
V12(V12a～V12a)    第二开闭阀
V13(V13a～V13d)    第三开闭阀
V14(V14a～V14d)    第四开闭阀
W                  晶片。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在半导体晶片(以下，称为“晶片”)等基片上形成规定的抗蚀剂图案而进行一连串处理。在上述一连串处理中，例如包括向基片上供给抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、向曝光后的抗蚀剂膜供给显影液来进行显影的显影处理等。
抗蚀剂液、显影液等处理液向基片的释放，利用释放嘴来进行。另外，在与释放嘴连接的供给管路，插设有除去处理液中的微小异物(颗粒)的过滤器。
但是，即使如上述那样设置有过滤器，当处理液在供给管路内滞留时，存在释放到基片的处理液中含有异物而被检测为缺陷的情况。
为了避免这种情况，有将供给管路内的处理液从释放嘴等定期地排出的方法，但该方法根据排出的量而处理液的消耗量多，在成本方面存在改善的余地。
因此，本发明所涉及的技术能够抑制对向基片释放处理液的释放部供给的处理液的消耗量，并且提高该处理液的清洁度。
以下，参照附图，对本实施方式所涉及的处理液供给装置和处理液供给方法进行说明。注意，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
图1是表示本实施方式的处理液供给装置的概略结构的说明图。
图1的处理液供给装置100向作为释放部的释放嘴供给处理液。在本实施方式中，处理液供给装置100向多个(在图的例子中为4个)释放嘴1a～1d供给处理液。换言之，多个释放嘴1a～1d共用处理液供给装置100。但是，作为处理液供给装置100的供给目标的释放嘴的数量也可以是一个。
另外，以下，关于处理液供给装置100的部件中的、释放嘴1a～1d等功能相同的部件，适当省略参照符号的字母来进行说明。例如，对于“释放嘴1a～1d”，适当省略为“释放嘴1”来进行说明。
释放嘴1a～1d分别向作为对应的保持部的旋转卡盘2上的晶片W(基片的一例)释放处理液。处理液供给装置100供给的释放嘴1a～1d释放的处理液例如为抗蚀剂液。
处理液供给装置100包括与释放嘴1a～1d连接的供给管路150a～150d。供给管路150按每个释放嘴1设置，例如，下游侧端与释放嘴1连接，上游侧端与抗蚀液瓶101连接。
供给管路150a～150d的上游侧合流而形成主供给管路151。另外，供给管路150a～150d的主供给管路151的上游侧从该主供给管路151分支为分支供给管路152a、152b，分支供给管路152a、152b各自的上游端部与抗蚀液瓶101a、101b连接。
抗蚀剂液瓶101是在内部贮存抗蚀剂液的液供给源，能够进行更换。在本实施方式中，抗蚀剂液瓶101设置有多个(具体而言为2个)，在更换一个抗蚀剂液瓶101的期间，也能够从其他抗蚀剂液瓶101供给抗蚀剂液。在与抗蚀剂液瓶101a、101b连接的分支供给管路152a、152b设置有开闭阀V1a、V1b。
另外，抗蚀液瓶101a、101b还与插设有开闭阀V2a、V2b的气体供给管路200a、200b连接。气体供给管路200a、200b将氮气等非活性气体的供给源即气体供给源110a、110b与抗蚀液瓶101a、101b连接，在开闭阀V2a、V2b的上游侧设置有压力调节用的电动气动调节器111a、111b。
另外，在本实施方式中，第一泵102与抗蚀液瓶101被直接连接，不在它们之间设置缓冲罐等中继容器。因此，不会有从中继容器的贮存室的内壁产生的异物混入到被吸入第一泵102的抗蚀剂液中的情况。
在供给管路150a～150d插设有第一泵102、过滤器103和流量计104。在本实施方式中，第一泵102、过滤器103和流量计104在供给管路150之间是共用的，插设于主供给管路151。另外，第一泵102、过滤器103和流量计104例如从上游侧起依次设置。
在供给管路150a～150d中的第一泵102的上游侧设置有第一开闭阀V11。在本实施方式中，第一开闭阀V11在供给管路150间也是共用的，另外，第一开闭阀V11插设于主供给管路151中的第一泵102的上游侧。
而且，在供给管路150a～150d中的第一泵102的下游侧，插设有第二开闭阀V12a～V12d。在本实施方式中，按每个供给管路150即每个释放嘴1设置有第二开闭阀V12。
另外，第二开闭阀V12与释放嘴1形成为一体。由此，能够抑制抗蚀剂液在将第二开闭阀V12与释放嘴1连接的配管内滞留而清洁度降低的情况。
第一泵102构成为能够同时进行抗蚀剂液的吸入和送出，例如是磁悬浮型离心泵。第一泵102吸入来自抗蚀剂液瓶101等的抗蚀剂液，将该抗蚀剂液压送至释放嘴1等。该第一泵102能够以一定流量且一定压力始终送出抗蚀剂液。另外，所谓“同时进行抗蚀剂液的吸入和送出”，具体而言，是指以不进行机械切换的方式进行抗蚀剂液的吸入工作和抗蚀剂液的送出工作。
过滤器103过滤抗蚀剂液来除去颗粒。具体而言，过滤器103对从第一泵102送出的抗蚀剂液进行过滤来除去该抗蚀剂液内的颗粒。
另外，处理液供给装置100包括返回管路160a～160d。返回管路160按每个供给管路150即每个释放嘴1设置。
返回管路160的一端从供给管路150中的第一泵102及过滤器103与第二开闭阀V12之间分支。具体而言，返回管路160的一端从对应的供给管路150中的、主供给管路151的下游侧且第二开闭阀V12的上游侧分支。
另一方面，返回管路160的另一端连接于供给管路150中的第一开闭阀V11的下游侧且第一泵102和过滤器103的上游侧。具体而言，返回管路160的另一端连接于主供给管路151中的第一开闭阀V11与第一泵102及过滤器103之间。
因此，返回管路160与供给管路150的一部分一起构成抗蚀剂液的循环路径。具体而言，返回管路160分别与对应的供给管路150的一部分一起构成抗蚀剂液的循环路径。“供给管路150的一部分”是供给管路150中的包含第一泵102和过滤器103的部分。
而且，返回管路160a～160d的上述另一端侧合流而形成主返回管路161。
另外，在返回管路160a～160d插设有第二泵105。在本实施方式中，第二泵105在返回管路160之间是共用的，设置在主返回管路161上。
在返回管路160a～160d的上述一端与第二泵105之间插设有流量计106a～106d和第三开闭阀V13a～V13d。在本实施方式中，流量计106和第三开闭阀V13按每个返回管路160即每个释放嘴1设置。另外，流量计106和第三开闭阀V13从主返回管路161侧起依次设置。
而且，在返回管路160a～160d的上述另一端与第二泵105之间设置有第四开闭阀V14。在本实施方式中，第四开闭阀V14在返回管路160之间是共用的，插设于主返回管路161。
第二泵105构成为能够至少向返回管路160的上述一端、即至少向释放嘴1侧压送抗蚀剂液。另外，在本实施方式中，在通过来自第一泵102的压送而抗蚀剂液从返回管路160的上述一端向上述另一端流动时，即抗蚀剂液在包含返回管路160的循环路径中循环时，第二泵105不进行抗蚀剂液的压送，仅成为管路。因此，第二泵105例如由隔膜泵(DiaphragmPump)构成。
另外，在本实施方式中，在主供给管路151中的第一泵102与过滤器103之间设置有开闭阀V15。
而且，处理液供给装置100包括控制部M。控制部M例如是具有CPU和存储器等的计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有控制处理液供给装置100中的处理的程序。此外，上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质H中，从该存储介质H被安装到控制部M。存储介质H可以是暂时性的存储介质，也可以是非暂时性的存储介质。另外，程序的一部分或全部也可以通过专用硬件(电路板)来实现。
设置于处理液供给装置100的各阀使用能够由控制部M控制的电磁阀、气动阀，各阀与控制部M电连接。另外，控制部M与第一泵102和第二泵105电连接。依照该结构，处理液供给装置100中的一连串处理能够在控制部M的控制下自动地进行。
控制部M还与各流量计连接。因此，控制部M能够基于流量计的测量结果进行控制。
<处理液供给装置100的工作>
接着，基于图2～图4，对处理液供给装置100的工作进行说明。图2～图4分别是表示循环工作时、释放工作时、补充工作时的处理液供给装置100的状态的图。在图2～图4中，用涂白表示打开状态的阀，用涂黑表示关闭状态的阀，用粗线表示流通有抗蚀剂液或非活性气体的管，对于其他阀的开闭状态适当省略说明。此外，在循环工作和释放工作各自之前，供给管路150、返回管路160被预先填充有抗蚀剂液。另外，以下的各工作在控制部M的控制下进行。
<循环>
在处理液供给装置100中，在对任意的释放嘴1均不供给抗蚀剂液的情况下，即，在从任意的释放嘴1均不释放抗蚀剂液的情况下，使抗蚀剂液在包含返回管路160的循环路径内循环，以免抗蚀剂液滞留在供给管路150内。具体而言，如图2所示，使第一开闭阀V11和全部的第二开闭阀V12为关闭状态，使开闭阀V15、全部的第三开闭阀V13和第四开闭阀V14为打开状态。而且，不驱动第二泵，而驱动第一泵102。
由此，同时进行利用第一泵102的抗蚀剂液的吸入和送出，抗蚀剂液在包含返回管路160和供给管路150的一部分的循环路径内一边被过滤器103过滤一边循环。具体而言，抗蚀剂液在包含返回管路160a和供给管路150a的一部分的循环路径内、包含返回管路160b和供给管路150b的一部分的循环路径内、包含返回管路160c和供给管路150c的一部分的循环路径内、包含返回管路160d和供给管路150d的一部分的循环路径内，一边被过滤器103过滤一边循环。
在循环时，第一泵102进行抗蚀剂液的送出，以使得流量计104中的测量结果成为所希望的值。另外，也可以在循环时，调整对应的第三开闭阀V13的开度，调整各返回管路160的抗蚀剂液的流量，以使得各流量计106中的测量结果成为所希望的值。
另外，在循环时，抗蚀剂液也通过第二泵105内，但第二泵不工作，起到供抗蚀剂液流通的管路的作用。
上述循环也在处理液供给装置100启动时等进行。在该情况下，进行上述循环，以使得抗蚀剂液被过滤器103多次过滤。
通过像这样进行抗蚀剂液的循环，能够抑制附着于过滤器103等的颗粒由于滞留而混入抗蚀剂液。
<释放>
在处理液供给装置100中，例如仅向多个释放嘴1a～1d中的一个释放嘴供给抗蚀剂液，从该一个释放嘴释放抗蚀剂液。当从释放嘴1a释放时，如图3所示，例如使开闭阀V1a、V2a为打开状态。另外，使与第一开闭阀V11、开闭阀V15、释放嘴1a对应的第二开闭阀V12a为打开状态，使与不为抗蚀剂液的供给对象的其他的释放嘴1b～1d对应的第二开闭阀V12b～V12d为关闭状态。在该状态下，从气体供给源110a利用非活性气体对抗蚀液瓶101a内进行加压，并且驱动第一泵102。
由此，从第一泵102输送并填充于与释放嘴1a对应的供给管路150a的、通过了过滤器103的抗蚀剂液，被供给到释放嘴1a。
而且，使与释放嘴1a对应的第三开闭阀V13a为打开状态，使与不为抗蚀剂液的供给对象的其他的释放嘴1b～1d对应的第三开闭阀V13b～V13d和第四开闭阀V14为关闭状态。然后，驱动第二泵105。
由此，从第二泵105输送并填充于与释放嘴1a对应的返回管路160a的抗蚀剂液，被供给到释放嘴1a。换言之，抗蚀剂液以与上述的循环时逆流的方式流动，经由返回管路160a被供给到释放嘴1a。
因此，当从释放嘴1a释放时，从第一泵102送出的抗蚀剂液与从第二泵105向返回管路160a的上述一端送出的抗蚀剂液被混合，并被供给到释放嘴1a。
另外，返回管路160内的抗蚀剂液也是通过了过滤器103的抗蚀剂液。
也可以使与作为抗蚀剂液的供给目标的释放嘴1对应的第三开闭阀V13为打开状态，之后使与之对应的第二开闭阀V12为打开状态。由此，能够使来自释放嘴1的抗蚀剂液的释放压力稳定。
然而，在过滤器103中，通过该过滤器103的抗蚀剂液的流量有适当的范围。例如，当通过过滤器103的抗蚀剂液的流量过低时，抗蚀剂液内的颗粒有可能在过滤器103内部分滞留。另外，当通过过滤器103的抗蚀剂液的流量较高时，附着于过滤器103的膜等的颗粒有可能混入抗蚀剂液内。
关于这一点，在本实施方式中，当从释放嘴1a释放时，由磁悬浮型离心泵等构成的第一泵102进行抗蚀剂液的送出，以使得流量计104中的测量结果成为所希望的值。因此，能够抑制抗蚀剂液的清洁度降低。
另外，优选通过过滤器103的抗蚀剂液的流量是一定的。这是因为，当通过过滤器103的抗蚀剂液的流量不稳定时，过滤器103的膜(membrane)在流通液中移动，从膜产生异物。
关于这一点，在本实施方式中，第一泵102例如由磁悬浮型离心泵构成，当从释放嘴1a释放时，同时进行抗蚀剂液的吸入和送出。
在此，考虑第一泵102与本实施方式不同，由一个隔膜泵构成，不能同时进行抗蚀剂液的吸入和送出的情况。在该情况下，上述一个隔膜泵不进行抗蚀剂液的吸入而进行抗蚀剂液的送出。具体而言，当从释放嘴1a释放时，不进行抗蚀剂液向由隔膜形成的贮存室内的吸入，该贮存室变形以使该贮存室内的容积变小，由此进行贮存室内的抗蚀剂液的送出。但是，在该方式中，为了使抗蚀剂液的流量成为所希望的值，必须使抗蚀剂液的压力(具体而言施加到隔膜的压力)根据贮存室内的抗蚀剂液的量而变化。因此，在第一泵102与本实施方式不同，由一个隔膜泵构成，无法同时进行抗蚀剂液的吸入和送出的情况下，不能以所希望的流量且一定的压力送出抗蚀剂液。
与此相对，在本实施方式中，如上所述，第一泵102能够在从释放嘴1a释放时同时进行抗蚀剂液的吸入和送出，因此无需为了以所希望的流量送出抗蚀剂液而使抗蚀剂液的压力变化。
因此，在本实施方式中，当从释放嘴1a释放时，第一泵102能够以所希望的流量且一定的压力送出抗蚀剂液。即，能够使通过过滤器103的抗蚀剂液的流量为所希望的值，并且使上述抗蚀剂液的压力一定。因此，能够进一步提高抗蚀剂液的清洁度。
但是，当以适合过滤器103的流量从第一泵102送出抗蚀剂液时，存在每规定时间来自释放嘴1a的释放量不足的情况。
关于这一点，在本实施方式中，当从释放嘴1a释放时，不仅从第一泵102进行抗蚀剂液的送出，还从第二泵105进行抗蚀剂液的送出，以在包含与释放嘴1a对应的返回管路160a的循环路径中逆流的方式流动的抗蚀剂液被辅助性地供给到释放嘴1a。因此，即使以适合过滤器103的流量从第一泵102送出抗蚀剂液，每规定时间来自释放嘴1a的释放量也不会不足。
另外，当从释放嘴1a释放时，第二泵105进行抗蚀剂液的送出，以使得与释放嘴1a对应的流量计106a中的测量结果成为所希望的值即设定值。
从第二泵105送出的抗蚀剂液的设定流量(即流量计106a中的测量结果的目标值)也可以按每个释放嘴1来决定。由此，无论处理液供给装置100的设置状态(例如，从作为供给目标的释放嘴1至第二泵105的距离、作为供给目标的释放嘴的高度位置等)如何，都能够使每规定时间来自释放嘴1的释放量成为所希望的值，例如，能够在释放嘴1之间相等。
<补充>
在处理液供给装置100中，当从释放嘴1释放后，进行抗蚀剂液向第二泵105的补充。具体而言，如图4所示，例如使开闭阀V1a、V2a为打开状态。另外，使第一开闭阀V11、开闭阀V15和任一第三开闭阀V13为打开状态，使其他的第三开闭阀V13、全部的第二开闭阀V12和第四开闭阀V14为关闭状态。在该状态下，从气体供给源110a利用非活性气体对抗蚀剂液瓶101a内进行加压，并且不驱动第二泵105而驱动第一泵102。
由此，对第二泵补充抗蚀剂液。当补充结束时，进行前述的循环工作。
在向第二泵105补充时，第一泵102也进行抗蚀剂液的送出，以使得流量计104中的测量结果成为所希望的值。因此，在向第二泵105补充时，抗蚀剂液也不会滞留在过滤器103内。
即，在本实施方式中，在循环时，在从释放嘴释放时和向第二泵105补充过程中，抗蚀剂液也以相同的流量不断通过过滤器103。因此，能够抑制过滤器103内的膜移动。例如，在从释放工作切换为向第二泵105的补充工作时、或从向第二泵的补充工作切换为循环工作时等，能够抑制过滤器103内的膜移动。其结果是，能够抑制从膜产生异物的情况。
<主要效果>
如上所述，在本实施方式中，设置有返回管路160，其管路的一端从供给管路150中的第一泵102及过滤器103与第二开闭阀V12之间分支，管路的另一端连接到供给管路150中的第一开闭阀V11的下游侧且第一泵102和过滤器103的上游侧。因此，能够由该返回管路160和供给管路150中的包含第一泵102和过滤器103的部分构成循环路径。因此，在不从释放嘴1进行释放时，能够使抗蚀剂液在上述循环路径内循环，因此能够抑制抗蚀剂液的清洁度因抗蚀剂液的滞留而恶化。另外，在本实施方式中，为了抑制抗蚀剂液的清洁度的恶化，不需要从释放嘴1等排出抗蚀剂液，因此能够抑制抗蚀剂液的消耗量。即，依照本实施方式，能够在抑制抗蚀剂液的消耗量，并且提高抗蚀剂液的清洁度。
另外，在本实施方式中，构成为能够同时进行抗蚀剂液的吸入和送出的第一泵102，插设于供给管路150。因此，如前所述，当从释放嘴1a释放时，能够从该第一泵102以所希望的流量且一定的压力送出抗蚀剂液。因此，能够使通过过滤器103的抗蚀剂液的流量为所希望的值，并且使上述抗蚀剂液的压力一定。因此，能够进一步提高抗蚀剂液的清洁度。
另外，在本实施方式中，设置有向返回管路的上述一端压送抗蚀剂液的第二泵105。因此，如前所述，即使以适合过滤器103的流量从第一泵102送出抗蚀剂液，每规定时间来自释放嘴1的释放量也不会不足。
另外，在本实施方式中，一个处理液供给装置100向多个释放嘴1供给抗蚀剂液。因此，能够使从释放嘴1释放的抗蚀剂液的状态在释放嘴1之间均匀。
(变形例)
在以上的例子中，过滤器103设置于供给管路150中的第一泵102的下游侧，但也可以设置在上游侧。
另外，与以上的例子不同，第一泵102也可以由多个隔膜泵构成。例如，在第一泵102中，也可以一边从第一隔膜泵送出抗蚀剂液，一边从第二隔膜泵向第一隔膜泵送出抗蚀剂液，在此期间，对第三隔膜泵进行抗蚀剂液的补充即抗蚀剂液的吸入。由此，在释放工作的过程中等，也能够以一定的流量且一定的压力向过滤器103流通液体。
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离发明范围(权利要求书)及其主旨的情况下能够以各种方式省略、替换、变更。

Claims (11)

1.一种处理液供给装置，其对向基片释放处理液的释放部供给所述处理液，所述处理液供给装置的特征在于，包括：
与所述释放部连接的供给管路；
第一泵，其插设于所述供给管路，能够同时进行所述处理液的吸入和送出，向所述释放部压送所述处理液；
第一开闭阀，其插设于所述供给管路中的所述第一泵的上游侧；
过滤器，其插设于所述供给管路，能够对所述处理液进行过滤；
第二开闭阀，其插设于所述供给管路中的所述第一泵的下游侧；
返回管路，其一端从所述供给管路中的所述第一泵及所述过滤器与所述第二开闭阀之间分支，另一端连接于所述供给管路中的所述第一开闭阀的下游侧且所述第一泵和所述过滤器的上游侧；
第二泵，其插设于所述返回管路，能够向所述返回管路的所述一端压送所述处理液；
第三开闭阀，其插设于所述返回管路中的所述一端与所述第二泵之间；和
第四开闭阀，其插设于所述返回管路中的所述另一端与所述第二泵之间。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于：
还包括控制部，所述控制部控制所述第一开闭阀、所述第二开闭阀、所述第三开闭阀、所述第四开闭阀、所述第一泵和所述第二泵。
3.如权利要求2所述的处理液供给装置，其特征在于：
所述控制部控制所述第一开闭阀、所述第二开闭阀、所述第三开闭阀、所述第四开闭阀、所述第一泵和所述第二泵，以使得在从所述释放部释放时，从所述第一泵送出的所述处理液与从所述第二泵向所述返回管路的所述一端送出的所述处理液被混合而供给到所述释放部。
4.如权利要求3所述的处理液供给装置，其特征在于：
所述控制部，在从所述释放部释放时使所述第三开闭阀成为打开状态，之后使所述第二开闭阀成为打开状态。
5.如权利要求2所述的处理液供给装置，其特征在于：
所述返回管路与所述供给管路中的包含所述第一泵和所述过滤器的部分一起构成所述处理液的循环路径，
所述控制部控制所述第一开闭阀、所述第二开闭阀、所述第三开闭阀、所述第四开闭阀、所述第一泵和所述第二泵，以使得在从所述释放部释放时以外的时候，所述处理液在所述循环路径中循环。
6.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于：
向多个所述释放部供给所述处理液，
所述供给管路、所述第二开闭阀、所述第三开闭阀和所述返回管路按每个所述释放部设置，
所述供给管路的上游侧合流而形成主供给管路，
所述返回管路的所述另一端侧合流而形成主返回管路，
所述第一开闭阀、所述第一泵和所述过滤器插设于所述主供给管路，
所述第二泵和所述第四开闭阀插设于所述主返回管路。
7.如权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于：
所述返回管路各自与对应的所述供给管路一起构成所述处理液的循环路径。
8.如权利要求6或7所述的处理液供给装置，其特征在于：
在从一个所述释放部释放时，使对应于其他所述释放部的所述第二开闭阀和所述第三开闭阀为关闭状态。
9.如权利要求6所述的处理液供给装置，其特征在于：
从所述第二泵送出的所述处理液的设定流量按每个所述释放部决定。
10.如权利要求1所述的处理液供给装置，其特征在于：
所述释放部与所述第二开闭阀形成为一体。
11.一种处理液供给方法，其使用处理液供给装置对向基片释放处理液的释放部供给所述处理液，所述处理液供给方法的特征在于：
所述处理液供给装置包括：
与所述释放部连接的供给管路；
第一泵，其插设于所述供给管路，能够同时进行所述处理液的吸入和送出，向所述释放部压送所述处理液；
第一开闭阀，其插设于所述供给管路中的所述第一泵的上游侧；
过滤器，其插设于所述供给管路，能够对所述处理液进行过滤；
第二开闭阀，其插设于所述供给管路中的所述第一泵的下游侧；
返回管路，其一端从所述供给管路中的所述第一泵及所述过滤器与所述第二开闭阀之间分支，另一端连接于所述供给管路中的所述第一开闭阀的下游侧且所述第一泵和所述过滤器的上游侧；
第二泵，其插设于所述返回管路，能够向所述返回管路的所述一端压送所述处理液；
第三开闭阀，其插设于所述返回管路中的所述一端与所述第二泵之间；和
第四开闭阀，其插设于所述返回管路中的所述另一端与所述第二泵之间，
所述返回管路与所述供给管路中的包含所述第一泵和所述过滤器的部分一起构成所述处理液的循环路径，
在从所述释放部释放时，将从所述第一泵压送的所述处理液和从所述第二泵向所述返回管路的所述一端压送的所述处理液混合而供给到所述释放部，
在从所述释放部释放时以外的时候，使从所述第一泵压送的所述处理液通过所述第二泵内，在所述循环路径中循环。
CN202211181509.1A 2021-10-07 2022-09-27 处理液供给装置和处理液供给方法 Pending CN115945313A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-165385 2021-10-07
JP2021165385A JP2023056197A (ja) 2021-10-07 2021-10-07 処理液供給装置及び処理液供給方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115945313A true CN115945313A (zh) 2023-04-11

Family

ID=85886666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211181509.1A Pending CN115945313A (zh) 2021-10-07 2022-09-27 处理液供给装置和处理液供给方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023056197A (zh)
KR (1) KR20230050241A (zh)
CN (1) CN115945313A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6319117B2 (ja) 2015-01-26 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230050241A (ko) 2023-04-14
JP2023056197A (ja) 2023-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200348596A1 (en) Method and apparatus for multiple recirculation and filtration cycles per dispense in a photoresist dispense system
KR101487364B1 (ko) 처리액 공급 장치
US20080169230A1 (en) Pumping and Dispensing System for Coating Semiconductor Wafers
US7685963B2 (en) Method of and apparatus for dispensing photoresist in manufacturing semiconductor devices or the like
US20140174475A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process
US10518199B2 (en) Treatment solution supply apparatus
KR102408661B1 (ko) 처리액 공급 장치
KR20220134508A (ko) 처리 유체 공급 방법
KR20160117259A (ko) 처리액 공급 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 처리액 공급 장치
CN115945313A (zh) 处理液供给装置和处理液供给方法
JP4248989B2 (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
JP7161955B2 (ja) フィルタウェッティング方法及び処理液供給装置
CN115039205A (zh) 过滤器清洗系统和过滤器清洗方法
TWI757914B (zh) 液體供應系統以及液體供應方法
JP2022102372A (ja) 基板乾燥方法および基板乾燥装置
CN115513089A (zh) 处理液供给装置、处理液供给方法以及存储介质
JPS63110636A (ja) 薬液処理装置
KR100926159B1 (ko) 약액 공급 장치
US20240094644A1 (en) Substrate treatment apparatus and treatment solution supply method
CN116224730A (zh) 处理液供给装置和处理液排出方法
JP2024044994A (ja) 基板処理装置及び処理液供給方法
KR20210149799A (ko) 감소된 용존 담체 가스 및 산소 함량을 갖는 용존 암모니아 용액을 생성하기 위한 시스템들 및 방법들
CN114496837A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2023130803A (ja) 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2022132400A (ja) 処理流体供給方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication