JP2024044994A - 基板処理装置及び処理液供給方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の液処理モジュールが多段に積層された基板処理装置において、各々の液処理モジュールについて、欠陥が発生するのを抑制する。【解決手段】基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を備え、前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、前記送液部はそれぞれ、対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、対応する前記液処理モジュールに水平方向に隣接して配置されている、基板処理装置である。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置及び処理液供給方法に関する。

特許文献１には、ウェハへのレジスト塗布処理を行うコートプロセスステーションが多段に重ねられたレジスト塗布現像装置が開示されている。また、特許文献１に開示のレジスト塗布現像装置は、ケミカルユニットと、それから分配されて構成される複数のディスペンスユニットと、を備える。ケミカルユニットは、レジストを貯蓄したボトル、レジストを一時貯留するリキッドエンド、レジストのフィルタリングを行うフィルタ等により構成される。ディスペンスユニットは、レジストを送出する低圧ポンプと、コートプロセスステーションのノズルから吐出されるレジストの供給制御を行うディスペンスバルブ等により構成されている。特許文献１において、各ディスペンスユニットは、対応するコートプロセスステーションに近い位置に配置される。また、コートプロセスステーションのノズルは、対応するディスペンスユニットよりも一段上の高い位置に設置される。

特開２００７－５５７６号公報

本開示にかかる技術は、複数の液処理モジュールが多段に積層された基板処理装置において、各々の液処理モジュールについて、欠陥が発生するのを抑制する。

本開示の一態様は、基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を備え、前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、前記送液部はそれぞれ、対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、対応する前記液処理モジュールに水平方向に隣接して配置されている、基板処理装置である。

本開示によれば、複数の液処理モジュールが多段に積層された基板処理装置において、各々の液処理モジュールについて、欠陥が発生するのを抑制する。

本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を示す平面図である。 塗布現像装置における奥行き方向中央部の構成の概略を示す図である。 第１の積層処理ブロックの構成の概略を示す図である。 液供給ユニットの構成の一例の概略を示す説明図である。 吐出制御弁の断面図である。 送液部の位置を説明するための図である。 循環動作時の液供給ユニットの状態を示す図である。 吐出動作時の液供給ユニットの状態を示す図である。 ディスペンスポンプへの補充動作時の液供給ユニットの状態を示す図である。 ディスペンスポンプへの補充動作時における、当該ディスペンスポンプの状態の一例を示す図である。 アシストポンプへの補充動作時の液供給ユニットの状態を示す図である。 液供給ユニットの構成の他の例の概略を示す説明図である。 図１２の液供給ユニットを用いる場合の送液部の位置を説明するための図である。 液供給ユニットの構成のさらに別の例の概略を示す説明図である。 図１４の液供給ユニットを用いる場合の送液部の位置を説明するための図である。 送液部の位置の他の例を示す図である。 送液部の位置のさらに他の例を示す図である。

半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所定のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、基板上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が含まれる。また、上記一連の処理は、基板を処理する各種処理モジュールや基板を搬送する搬送機構等を搭載し露光装置に接続された基板処理装置である塗布現像処理装置で行われている。塗布現像処理装置に搭載される上記処理モジュールとしては、レジスト液等の処理液を用いた処理すなわち液処理を基板に行う液処理モジュールがある。また、塗布現像装置において、同種の複数の液処理モジュール（例えばレジスト液を基板に塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置）が多段に積層されることがある。

さらに、塗布現像処理装置には、液処理モジュールに処理液を供給する液供給ユニットが設けられている。液供給ユニットには、処理液を濾過する、すなわち、処理液中から異物を除去するフィルタが設けられている。

しかし、フィルタを設けたとしても、上述のように、同種の複数の液処理モジュールが多段に積層されていた場合、液処理モジュールによっては、基板に吐出する処理液に異物が含まれ、液処理後または液処理前の基板上の欠陥として検出される場合がある。

そこで、本開示にかかる技術は、複数の液処理モジュールが多段に積層された基板処理装置において、各々の液処理モジュールについて、欠陥が発生するのを抑制する。すなわち、本開示にかかる技術は、複数の液処理モジュールが多段に積層された基板処理装置において、各々の液処理モジュールの欠陥性能を改善し、層が異なる液処理モジュール間で、欠陥性能を略同一とする。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び処理液供給方法を、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜塗布現像装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像装置１の構成の概略を示す平面図である。図２は、塗布現像装置１における奥行き方向（Ｘ方向）中央部の構成の概略を示す図である。図３は、後述の第１の積層処理ブロックの構成の概略を示す図である。

図１及び図２に示すように、塗布現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、第１の積層処理ブロックＤ２と、第２の積層処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、がこの順で幅方向（図１等のＹ方向）に並ぶように配列されている。キャリアブロックＤ１、第１の積層処理ブロックＤ２、第２の積層処理ブロックＤ３及びインターフェイスブロックＤ４のうち、隣り合うブロックは互いに接続されている。また、キャリアブロックＤ１、第１の積層処理ブロックＤ２、第２の積層処理ブロックＤ３及びインターフェイスブロックＤ４は、それぞれ筐体を備えており、互いに区画され、筐体の内部には、基板としてのウェハＷの搬送領域が形成されている。

インターフェイスブロックＤ４の第２の積層処理ブロックＤ３と反対側（Ｙ方向正側）には、露光装置Ｅが接続されている。

塗布現像装置１には、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに格納された状態でウェハＷが搬送される。第１の積層処理ブロックＤ２及び第２の積層処理ブロックＤ３はそれぞれ、鉛直方向に２分割されるように区画されている。区画された部分それぞれは、処理モジュールと、当該処理モジュールに対しウェハＷを搬送する主搬送機構と、を有する処理ブロックをなす。以下では、鉛直方向に２つに区画された第１の積層処理ブロックＤ２の下側、上側をそれぞれ、処理ブロック２Ａ、処理ブロック２Ｂといい、同様に２つに区画された第２の積層処理ブロックＤ３の下側、上側をそれぞれ処理ブロック２Ｃ、処理ブロック２Ｄという。

処理ブロック２Ａ、２Ｃは水平方向である幅方向（Ｙ方向）に互いに隣接しており、これらの処理ブロック２Ａ、２Ｃをまとめて下側処理ブロックという場合がある。また、処理ブロック２Ｂ、２Ｄは水平方向である幅方向（Ｙ方向）に互いに隣接しており、これらの処理ブロック２Ｂ、２Ｄをまとめて上側処理ブロックと記載する場合がある。図１では上側処理ブロックを示している。この上側処理ブロックである処理ブロック２Ｂ、２Ｄそれぞれには、シャトル（バイパス搬送機構ともいう。）が設けられる。当該シャトルは、処理モジュールを経由しないようにウェハＷを、搬送経路の下流側のブロックに向けて搬送する。

なお、「モジュール」とは搬送機構（シャトルを含む）以外の、ウェハＷが載置される場所である。ウェハＷに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。

キャリアブロックＤ１は、例えば、第１の積層処理ブロックＤ２とは反対側（図１及ぶ図２のＹ方向正側）の端部に、キャリア載置台１１が設けられている。キャリア載置台１１には、塗布現像装置１に対してキャリアＣを搬入出する際にキャリアＣが載置される載置板１２が奥行き方向（図１等のＸ方向）に複数並ぶように設けられている。

また、キャリアブロックＤ１は、第１の積層処理ブロックＤ２側（図１等のＹ方向負側）の端部における奥行き方向（Ｘ方向）中央部に、受け渡しタワーＴ１が設けられている。受け渡しタワーＴ１は、ウェハＷが一時的に載置される受け渡しモジュール等のモジュールが鉛直方向に多段に積層されて構成されている。

さらに、キャリアブロックＤ１は、水平方向である幅方向（Ｙ方向）にかかる中央部に、奥行き方向（Ｘ方向）に延びる搬送路１３上を移動自在な搬送機構１４が設けられている。搬送機構１４は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、載置板１２上のキャリアＣと、受け渡しタワーＴ１内のモジュールとの間でウェハＷを搬送できる。

また、キャリアブロックＤ１は、受け渡しタワーＴ１の奥側（図１等のＸ方向正側）であって当該キャリアブロックＤ１における奥側端に、ウェハＷに疎水化処理を行う疎水化処理モジュール１５が設けられている。疎水化処理モジュール１５は、鉛直方向に多段に積層されていてもよい。

さらに、キャリアブロックＤ１は、受け渡しタワーＴ１と疎水化処理モジュール１５との間に、搬送機構１６が設けられている。搬送機構１６は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在であり、受け渡しタワーＴ１内のモジュールと疎水化処理モジュール１５との間や、受け渡しタワーＴ１内のモジュール間等で、ウェハＷを搬送できる。また、搬送機構１６は、処理ブロック２Ｂに設けられるシャトル４Ｂ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｂに対してもウェハＷを搬送することができる。

また、キャリアブロックＤ１における載置板１２の下方の領域は、処理液を貯留する貯留ボトルが収容される貯留源領域１７となっている。貯留源領域に収容される貯留ボトルには、第１の積層処理ブロックＤ２で用いられる処理液が貯留されている。

なお、キャリアブロックＤ１における受け渡しタワーＴ１の手前側（図１等のＸ方向負側）の領域は、後述の送液部が収容される収容領域１８となっている。収容領域１８の具体的な構成については後述する。

第１の積層処理ブロックＤ２は、図３に示すように、手前側（Ｘ方向負側）の部分に、液処理モジュールとしてのレジスト膜形成モジュール２１が多段（例えば４段以上。図の例では８段）に積層されている。具体的には、第１の積層処理ブロックＤ２は、手前側の部分が、鉛直方向に沿って分割され、複数（例えば４つ以上。図３の例では８つ。）の階層に区画されており、各層にレジスト膜形成モジュール２１が設けられている。以下では、８つの階層を下側から順に階層Ｅ１～Ｅ８という。下側の階層Ｅ１～Ｅ４が処理ブロック２Ａに含まれ、上側の階層Ｅ５～Ｅ８が処理ブロック２Ｂに含まれる。

図１及び図３に示すように、処理ブロック２Ｂの階層Ｅ５～Ｅ８の奥側（Ｘ方向正側）には、ウェハＷの搬送領域２２が設けられている。搬送領域２２は、幅方向（Ｙ方向）については、処理ブロック２Ｂの一端から他端に亘って平面視直線状に形成され、鉛直方向については、階層Ｅ５から階層Ｅ８に亘って形成されている。搬送領域２２の奥側（Ｘ方向正側）には、処理モジュールが多段（図の例では７段）に積層された処理モジュール積層体２３が設けられている。処理モジュール積層体２３は例えば幅方向（Ｙ方向）に間隔を空けて２つ設けられている。各処理モジュール積層体２３には、例えば、ウェハＷ上のレジスト膜中の溶剤除去のために加熱処理を行う加熱モジュール２４と、が含まれる。

搬送領域２２には主搬送機構３Ｂが設けられている。主搬送機構３Ｂは、幅方向（図のＹ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在であり、処理ブロック２Ｂ内の各処理モジュールに対しウェハＷを搬送することができる。主搬送機構３Ｂは、処理ブロック２Ｂに幅方向（図のＹ方向）に隣接する受け渡しタワーＴ１及び後述の受け渡しタワーＴ２内のモジュールのうちで、処理ブロック２Ｂと同じ高さに位置するモジュールに対してウェハＷを搬送することができる。さらに、主搬送機構３Ｂは、処理ブロック２Ｂに設けられるシャトル４Ｂ用の受け渡しモジュールＴＲＳに対してもウェハＷを搬送することができる。

また、処理ブロック２Ｂの処理モジュール積層体２３の下方側には、区画された扁平なスペース５Ｂが設けられている。スペース５Ｂは、処理ブロック２Ｂの幅方向（Ｙ方向）一端から他端に亘って形成されている。スペース５Ｂには、シャトル４Ｂ及びシャトル受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｂ、ＴＲＳ１２Ｄが設けられている。

なお、処理ブロック２Ａ、２Ｃ、２Ｄは、後述する相違点を除けば、処理ブロック２Ｂと同様な構成を有する。処理ブロック２Ａ、２Ｃ、２Ｄはそれぞれ主搬送機構３Ｂに相当する主搬送機構を備えるが、この主搬送機構の符号としては「Ｂ」の代わりに、当該主搬送機構を有する処理ブロックに付されているものと同じ英字が、以下の説明や図面に用いられる。具体的には、処理ブロック「２Ａ」の主搬送機構については「３Ａ」が用いられる。主搬送機構３Ｂに相当する他の主搬送機構についても、当該主搬送機構が設けられる処理ブロック内の処理モジュール及びシャトル用の受け渡しモジュールＴＲＳや、当該処理ブロックに幅方向（Ｙ方向）に隣接する受け渡しタワーに対して、ウェハＷを搬送することができる。

また、上記のスペース５Ｂに相当する、シャトルを設置可能なスペースの符号についても、「Ｂ」の代わりに処理ブロックに付されている英字と同じ英字が用いられる。さらに、処理ブロックにシャトルが設けられる場合には、そのシャトルの符号としても、当該処理ブロックに付されている英字と同じ英字が用いられる。また、シャトル用の受け渡しモジュールＴＲＳについては、シャトルが設けられる処理ブロックと同じ英字が用いられる。さらに、シャトル用の受け渡しモジュールＴＲＳについては、同じシャトルに用いられるもののうち、インターフェイスブロックＤ４側に１１、キャリアブロックＤ１側に１２がそれぞれ処理ブロックに付されている英字の前に付される。以上の符号の規則について、具体例を挙げると、処理ブロック２Ｄに設けられるシャトルには４Ｄが用いられ、このシャトル４Ｄに対するインターフェイスブロックＤ４側、キャリアブロックＤ１側の受け渡しモジュールにはそれぞれＴＲＳ１１Ｄ、ＴＲＳ１２Ｄが用いられる。

処理ブロック２Ａの処理ブロック２Ｂとの相違点としては、処理ブロック２Ａでは、搬送領域２２が、鉛直方向について、階層Ｅ１から階層Ｅ４に亘って形成されていることが挙げられる。

第２の積層処理ブロックＤ３は、第１の積層処理ブロックＤ２と略同様の構成を有する。以下では、第２の積層処理ブロックＤ３について、第１の積層処理ブロックＤ２との相違点を中心に説明する。

処理ブロック２Ｄは、搬送領域２２、処理モジュール積層体２３、主搬送機構及び処理モジュールに積層されたシャトル設置用のスペースの位置関係については、処理ブロック２Ｂと同じである。ただし、処理ブロック２Ｄの階層Ｅ５～Ｅ８には、ウェハＷを現像液により現像する現像モジュールが設けられている。また、処理ブロック２Ｄの処理モジュール積層体２３にも、加熱モジュールが設けられているが、当該加熱モジュールは、ＰＥＢ用である。さらに、処理ブロック２Ｄの処理モジュール積層体２３には、ウェハＷの異常の有無を判定するためにウェハＷを撮像する（すなわち検査をするためにウェハＷの画像を取得する）検査モジュールが設けられている。処理ブロック２Ｄにおけるシャトル用のスペース５Ｄは、スペース５Ｂと同じ高さに位置すると共に、スペース５Ｂと連通している。スペース５Ｄには、シャトル４Ｄ、シャトル用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｂ、１１Ｄが設けられている。

処理ブロック２Ｃの処理ブロック２Ｄとの相違点としては、処理ブロック２Ｃでは、搬送領域２２は、鉛直方向について、階層Ｅ１から階層Ｅ４に亘って、形成されていることが挙げられる。

第２の積層処理ブロックＤ３の搬送領域２２における第１の積層処理ブロックＤ２側（図１等のＹ方向負側）の端部には、受け渡しタワーＴ２が設けられている。受け渡しタワーＴ２は平面視で第１の積層処理ブロックＤ２の搬送領域２２における第２の積層処理ブロックＤ３側（図１等のＹ方向正側）の端部にその一部が掛かるように位置している。受け渡しタワーＴ２は、受け渡しモジュール等のモジュールが鉛直方向に多段に積層されて構成されている。

インターフェイスブロックＤ４は、奥行き方向（図１のＸ方向）にかかる中央部に受け渡しタワーＴ３を備える。この受け渡しタワーＴ３は、受け渡しモジュール等のモジュールが鉛直方向に多段に積層されて構成されている。受け渡しタワーＴ３の手前側（Ｘ方向負側）、奥側（Ｘ方向正側）、露光装置Ｅ側（図１等のＹ方向正側）にはそれぞれ搬送機構３１、３２、３３が設けられている。搬送機構３１、３２、３３は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在である。

搬送機構３１の手前側（Ｘ方向負側）には、ウェハＷの裏面に洗浄液を供給して洗浄する裏面洗浄モジュール３５が設けられている。裏面洗浄モジュール３５は、鉛直方向に多段に積層されていてもよい。搬送機構３２の奥側（Ｘ方向正側）には、露光後のウェハＷの表面に洗浄液を供給する露光後洗浄モジュール３６が設けられている。露光後洗浄モジュール３６は、鉛直方向に多段に積層されていてもよい。搬送機構３１～３３はそれぞれ、受け渡しタワーＴ３内のモジュールに対してウェハＷを搬送することができる。さらに、搬送機構３１は裏面洗浄モジュール３５に対して、搬送機構３２は露光後洗浄モジュール３６に対して、搬送機構３３は露光装置Ｅに対して、それぞれウェハＷを搬送することができる。

ここで、シャトル４Ｂ、４Ｄ及び各シャトル用の受け渡しモジュールＴＲＳについて説明する。
シャトル４Ｂは、処理ブロック２ＤからキャリアブロックＤ１へ向けてウェハＷを搬送する。図１に示すように、シャトル４Ｂ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂのうち、受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｂについては、キャリアブロックＤ１の搬送機構１４との間でウェハＷの受け渡しができるように、スペース５ＢのキャリアブロックＤ１側（Ｙ方向負側）の端部に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｂについては、処理ブロック２Ｄの主搬送機構３Ｄとの間でウェハＷの受け渡しができるように、スペース５Ｄの処理ブロック２Ｂ側（Ｙ方向負側）の端部で受け渡しタワーＴ２よりもインターフェイスブロックＤ４側（Ｙ方向正側）に設けられている。

シャトル４Ｄは、処理ブロック２ＢからインターフェイスブロックＤ４へ向けてウェハＷを搬送する。シャトル４Ｄ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｄ、１２Ｄのうち、受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｄについては、インターフェイスブロックＤ４の搬送機構３２との間でウェハＷの受け渡しができるように、スペース５ＤのインターフェイスブロックＤ４側（Ｙ方向正側）の端部に設けられている。受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｄについては、処理ブロック２Ｂの主搬送機構３Ｂとの間でウェハＷの受け渡しができるように、スペース５Ｂの処理ブロック２Ｄ側（Ｙ方向正側）の端部で受け渡しタワーＴ２よりもキャリアブロックＤ１側（Ｙ方向負側）に設けられている。

なお、シャトル４Ａは、処理ブロック２ＣからキャリアブロックＤ１へ向けてウェハＷを搬送する。シャトル４Ａ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ａ、１２Ａの配設位置は、シャトル４Ｂ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂと同様である。

また、シャトル４Ｃは、処理ブロック２ＡからインターフェイスブロックＤ４へ向けてウェハＷを搬送する。シャトル４Ｃ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｃ、１２Ｃの配設位置は、シャトル４Ｂ用の受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｄ、１２Ｄと同様である。

また、塗布現像装置１には、制御部１０が設けられている。制御部１０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プロセッサにより実行される指令を含むプログラムを格納するプログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理モジュールや各種搬送機構等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を行うための指令を含むプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、後述の液供給ユニットによる処理を行うための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部にインストールされたものであってもよい。記憶媒体は、一時的な記憶媒体であっても、非一時的な記憶媒体であってもよい。

＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像装置１を用いたウェハ処理及び搬送経路の例について説明する。

例えば、まず、塗布現像装置１のキャリアブロックＤ１に搬入され載置板１２に載置されたキャリアＣから、搬送機構１４により、ウェハＷが取り出され、受け渡しタワーＴ１の受け渡しモジュールに搬送される。

続いて、ウェハＷは、搬送機構１６により、疎水化処理モジュール１５に搬送され、疎水化処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送機構１６により受け渡しタワーＴ１に戻される。

次いで、ウェハＷは、主搬送機構３Ａまたは主搬送機構３Ｂにより、第１の積層処理ブロックＤ２内において、レジスト膜形成モジュール２１→加熱モジュール２４の順で搬送され、レジスト膜が形成される。レジスト膜形成後のウェハＷは、主搬送機構３Ａまたは主搬送機構３Ｂにより、受け渡しタワーＴ２の受け渡しモジュールに搬送され、主搬送機構３Ｃまたは主搬送機構３Ｄにより、インターフェイスブロックＤ４の受け渡しタワーＴ３の受け渡しモジュールに搬送される。なお、レジスト膜形成後のウェハＷは、主搬送機構３Ａ、シャトル４Ｃ、受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｃ、１１Ｃ及び搬送機構３２を介して、処理ブロック２Ａから第２の積層処理ブロックＤ３を迂回して受け渡しタワーＴ３に搬送されてもよい。また、レジスト膜形成後のウェハＷは、主搬送機構３Ｂ、シャトル４Ｄ、受け渡しモジュールＴＲＳ１２Ｄ、１１Ｄ及び搬送機構３２を介して、処理ブロック２Ｂから第２の積層処理ブロックＤ３を迂回して受け渡しタワーＴ３に搬送されてもよい。

続いて、ウェハＷは、搬送機構３１により、裏面洗浄モジュール３５に搬送され、裏面が洗浄される。その後、ウェハＷは、搬送機構３１により、受け渡しタワーＴ３に戻された後、搬送機構３３により露光装置Ｅに搬送され、露光処理が施される。露光後のウェハＷは、搬送機構３３により、受け渡しタワーＴ３に戻された後、搬送機構３２により、露光後洗浄モジュール３６に搬送され、洗浄される。

露光後洗浄モジュール３６による洗浄後のウェハＷは、例えば、まず、搬送機構３２により、受け渡しタワーＴ３に戻される。その後、主搬送機構３Ｃまたは主搬送機構３Ｄにより、第２の積層処理ブロックＤ３内において、加熱モジュール→現像モジュール→検査モジュールの順で搬送され、ＰＥＢ処理後にレジストパターンが形成され、その後、異常の有無が判定される。次いで、ウェハＷは、主搬送機構３Ｃまたは主搬送機構３Ｄにより、受け渡しタワーＴ２に戻された後、主搬送機構３Ａまたは主搬送機構３Ｂにより、受け渡しタワーＴ１に戻される。なお、検査モジュールにより処理が行われたウェハＷは、主搬送機構３Ｃ、シャトル４Ａ、受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ａ、１２Ａ及び搬送機構１６を介して、処理ブロック２Ｃから第１の積層処理ブロックＤ２を迂回して受け渡しタワーＴ１に戻されてもよい。また、検査モジュールにより処理が行われたウェハＷは、主搬送機構３Ｄ、シャトル４Ｂ、受け渡しモジュールＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂ及び搬送機構１６を介して、処理ブロック２Ｄから第１の積層処理ブロックＤ２を迂回して受け渡しタワーＴ１に戻されてもよい

そして、ウェハＷは、搬送機構１４により、受け渡しタワーＴ１からキャリアＣに戻される。

＜液供給ユニット＞
次に、塗布現像装置１が備える液供給ユニット１００の構成について説明する。図４は、液供給ユニット１００の構成の一例の概略を示す説明図である。図５は、後述の吐出制御弁Ｖ２１の断面図である。

液供給ユニット１００は、複数のレジスト膜形成モジュール２１それぞれに処理液としてのレジスト液を供給する。本実施形態において、液供給ユニット１００は、階層Ｅ１～Ｅ８に設けられたレジスト膜形成モジュール２１それぞれにレジスト液を供給する。液供給ユニット１００は、具体的には、図４に示すように、複数のレジスト膜形成モジュール２１それぞれの吐出部としての吐出ノズル２１ａに、レジスト液を供給する。吐出ノズル２１ａは、レジスト液を吐出する。吐出ノズル２１ａは、具体的には、保持部であるスピンチャック２１ｂ上に保持されたウェハＷにレジスト液を吐出する。

なお、以下では、液供給ユニット１００に係る部材のうち、後述のレジスト液ボトル１０１ａ、１０１ｂ等、機能が共通するものをまとめて説明する場合に、参照符号の英字を適宜省略する。例えば、レジスト液ボトル１０１ａ、１０１ｂをまとめて説明する場合、「レジスト液ボトル１０１」と適宜省略する。

液供給ユニット１００は、後述の送液部が介設された供給管路１５０を、レジスト液の供給先のレジスト膜形成モジュール２１に対応して有する。本例では、液供給ユニット１００は、レジスト膜形成モジュール２１毎に、後述の送液部が介設された供給管路１５０を有する。供給管路１５０の下流側端は、対応するレジスト膜形成モジュール２１に接続されている。具体的には、供給管路１５０の下流側端は、対応するレジスト膜形成モジュール２１の吐出ノズル２１ａに接続されている。供給管路１５０の上流側端は、複数（図の例では２つ）のレジスト液ボトル１０１ａ、１０１ｂが接続されている。具体的には、複数の供給管路１５０は、上流側が合流し主供給管路を成しており、主供給管路より上流側が当該主供給管路から枝供給管路１５２ａ、１５２ｂに分岐されており、枝供給管路１５２ａ、１５２ｂそれぞれの上流側端がレジスト液ボトル１０１ａ、１０１ｂに接続されている。枝供給管路１５２ａ、枝供給管路１５２ｂには、対応するレジスト液ボトル１０１からレジスト液の補充の実行及び停止を切り換える切換弁として、開閉弁Ｖ１ａ、Ｖ１ｂがそれぞれ介設されている。

レジスト液ボトル１０１は、レジスト液を貯留する貯留源であり、交換可能なものである。本実施形態においては、複数のレジスト液ボトル１０１が上述のように接続されているため、一のレジスト液ボトル１０１を交換している間でも、他のレジスト液ボトル１０１からレジスト液の補充が可能となっている。

本実施形態では、供給管路１５０は、レジスト液ボトル１０１に貯留されていたレジスト液を一時的に貯留する、バッファタンク等の一時貯留部が介設されていない。したがって、供給管路１５０から吐出ノズル２１ａに供給するレジスト液に、一時貯留部の内壁面（具体的にはその気液界面）で生じた異物が混入するのを抑制することができる。また、供給管路１５０に一時貯留部が介設されていないため、レジスト液が、レジスト液ボトル１０１から供給管路１５０に補充されてから吐出ノズル２１ａを介して吐出されるまでの間に液供給ユニット１００内で滞留する時間を短くすることができる。したがって、吐出ノズル２１ａを介して吐出される処理液に異物が混入するのを抑制することができる。

供給管路１５０にはそれぞれ、送液部１１０が介設されている。送液部１１０は、レジスト液を濾過するフィルタ１１１と、対応するレジスト膜形成モジュール２１にレジスト液を圧送する、第１ポンプとしてのディスペンスポンプ１１２と、を有する。フィルタ１１１とディスペンスポンプ１１２は、例えば上流側からこの順で設けられている。すなわち、ディスペンスポンプ１１２は、フィルタ１１１に濾過されたレジスト液を圧送する。

供給管路１５０における送液部１１０の上流側には、送液部１１０にレジスト液を圧送する、第２ポンプとしてのアシストポンプ１０２が介設されている。アシストポンプ１０２は、例えば供給管路１５０毎に設けられる。

ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２は、例えば可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプで構成される。すなわち、ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２は、可撓性部材であるダイヤフラムによりポンプ室（貯留室ともいう。）と作動室に仕切られている。ポンプ室にはレジスト液が充填される。
ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２は、圧送するだけでなく、レジスト液の吸入も行うことが可能に構成されていてもよい。

供給管路１５０におけるアシストポンプ１０２の上流側には、第１開閉弁Ｖ１１が介設されている。第１開閉弁Ｖ１１は、例えば供給管路１５０毎に設けられる。
なお、アシストポンプ１０２及び第１開閉弁Ｖ１１は、複数の供給管路１５０間で共通に設けられてもよい。この場合、アシストポンプ１０２及び第１開閉弁Ｖ１１は、主供給管路に介設される。

また、供給管路１５０におけるアシストポンプ１０２と送液部１１０との間には、第２開閉弁Ｖ１２が設けられている。第２開閉弁Ｖ１２は例えば供給管路１５０毎に設けられている。

さらに、供給管路１５０は、送液部１１０の下流側に吐出制御弁Ｖ２１が介設されている。吐出制御弁Ｖ２１は、吐出ノズル２１ａ毎に、すなわち、本例では供給管路１５０毎に、設けられている。

吐出制御弁Ｖ２１は、図５に示すように、本体部２００を有する。本体部２００の内部には、弁内供給流路２０１と弁内戻り流路２０２が形成されている。吐出制御弁Ｖ２１において、弁内戻り流路２０２が弁内供給流路２０１の上方に位置する。吐出制御弁Ｖ２１は、例えば、本体部２００が吐出ノズル２１ａと一体化されている。本体部２００に吐出ノズル２１ａが着脱自在に取り付けられてもよい。

弁内供給流路２０１の下流側端は、吐出ノズル２１ａと接続され、連通する。弁内供給流路２０１の上流側端には、当該弁内供給流路２０１と共に供給管路１５０を構成する供給管１５３の下流側端が接続される。

また、弁内供給流路２０１には、上流側から順に第１弁体２１１、第２弁体２１２が設けられている。第１弁体２１１及び第２弁体２１２はそれぞれ、弁内供給流路２０１の開閉、または、弁内供給流路２０１の開度の調整の少なくともいずれか一方を行う。

さらに、吐出制御弁Ｖ２１は、第１弁体２１１を駆動する第１アクチュエータ２２１と、第２弁体２１２を駆動する第２アクチュエータ２２２と、を有する。

吐出制御弁Ｖ２１において、第１弁体２１１、第２弁体２１２、第１アクチュエータ２２１及び第２アクチュエータ２２２は、本体部２００の上端より上側に位置しないように設けられている。例えば、第１弁体２１１、第２弁体２１２、第１アクチュエータ２２１及び第２アクチュエータ２２２は、本体部２００の下部に取り付けられている。

弁内戻り流路２０２については後述する。

図４に示すように、液供給ユニット１００は、戻り管路１６０を有する。戻り管路１６０は、供給管路１５０毎に、すなわち、本例ではレジスト膜形成モジュール２１毎に設けられている。

戻り管路１６０の一端は、対応する供給管路１５０におけるディスペンスポンプ１１２及びフィルタ１１１の下流側から分岐されている。具体的には、戻り管路１６０の一端は、対応する供給管路１５０の吐出制御弁Ｖ２１内において供給管路１５０から分岐されている。より具体的には、戻り管路１６０を構成する吐出制御弁Ｖ２１の弁内戻り流路２０２の一端は、図５に示すように、弁内供給流路２０１の第２弁体２１２より上流側から分岐されている。弁内戻り流路２０２の他端は、当該弁内戻り流路２０２と共に戻り管路１６０を構成する戻り管１６１の一端が接続される。

図４に示すように、戻り管路１６０の他端は、対応する供給管路１５０における第１開閉弁Ｖ１１の下流側であってディスペンスポンプ１１２及びフィルタ１１１の上流側に接続されている。具体的には、戻り管路１６０の他端及び戻り管１６１の他端は、対応する供給管路１５０における第１開閉弁Ｖ１１とアシストポンプ１０２との間に接続されている。

したがって、戻り管路１６０は、対応する供給管路１５０におけるディスペンスポンプ１１２とフィルタ１１１が介設された部分と共に、処理液の循環路を構成する。

液供給ユニット１００は、レジスト液内の異物を検出する異物検出部２３０を有する。異物検出部２３０は例えばレジスト膜形成モジュール２１毎に設けられている。また、異物検出部２３０は例えば戻り管路１６０に介設されている。すなわち、異物検出部２３０は、戻り管路１６０を通流するレジスト液内の異物を検出する。

異物検出部２３０は、例えば、当該異物検出部２３０が設けられる管路を流れる流体に光を照射する照射部（図示せず）と、該照射部が照射し上記管路を流れる流体を透過した光を受光する受光部（図示せず）とを有する。そして、異物検出部２３０は、上記受光部での受光結果に基づいて、上記流路内の流体の異物を検出する。

また、戻り管路１６０における上記一端と異物検出部２３０との間には第３開閉弁Ｖ１３が介設されている。

さらに、液供給ユニット１００は、流量計２４０を有する。流量計２４０は、供給管１５３の外側に当該供給管１５３の外周面を覆うように配設される。また、流量計２４０は、着脱自在に供給管１５３に対して固定され、具体的には、例えば供給管１５３を挟み込むことで当該供給管１５３に対して固定される。そして、流量計２４０は、供給管１５３内（具体的には供給管１５３における当該流量計２４０が取り付けられた部分内）を通流するレジスト液の流量を、レジスト液に接触せずに測定する。すなわち、流量計２４０は、レジスト液の流量を測定するものであるが、レジスト液との接液面や供給管１５３に対する継手を有していない。流量計２４０による流量の測定方式には、公知の方式（例えば超音波を用いる方式）を採用することができる。

流量計２４０は、例えば、供給管路１５０におけるフィルタ１１１とディスペンスポンプ１１２との間、または、供給管路１５０におけるディスペンスポンプ１１２の下流側に設けられる。

さらにまた、液供給ユニット１００は、吐出制御弁Ｖ２１の動作を制御するレギュレータ２５０と、ディスペンスポンプ１１２の動作を制御するレギュレータ２５１と、をさらに有する。

レギュレータ２５０は、例えば、空気圧により吐出制御弁Ｖ２１の動作を制御する電空レギュレータである。レギュレータ（以下、「電空レギュレータ」という。）２５０は、具体的には、第１弁体２１１を駆動する第１アクチュエータ２２１に供給する空気圧を調整して、第１弁体２１１による弁内供給流路２０１の開閉または第１弁体２１１による弁内供給流路２０１の開度を制御する。また、電空レギュレータ２５０は、具体的には、第２弁体２１２を駆動する第２アクチュエータ２２２に供給する空気圧を調整して、第２弁体２１２による弁内供給流路２０１の開閉または第２弁体２１２による弁内供給流路２０１の開度を制御する。

レギュレータ２５１は、例えば空気圧によりディスペンスポンプ１１２の動作を制御する電空レギュレータである。レギュレータ（以下、「電空レギュレータ」という。）２５１は、具体的には、ダイヤフラムポンプであるディスペンスポンプ１１２の作動室内の圧力を、当該作動室内に供給する空気圧により制御する。

液供給ユニット１００では、電空レギュレータ２５０は、吐出制御弁Ｖ２１とは一体化されず、別体とされている。特に、電空レギュレータ２５０における、第１弁体２１１または第２弁体２１２の少なくともいずれか一方を駆動するための空気圧の制御に用いられる回路基板を含む部分が、吐出制御弁Ｖ２１とは別体とされ、本体部２００に密接しておらず、吐出制御弁Ｖ２１から離間した位置に配設されている。

また、液供給ユニット１００では、電空レギュレータ２５１は、ディスペンスポンプ１１２とは一体化されず、別体とされている。特に、電空レギュレータ２５１における、作動室内の圧力の制御に用いられる回路基板を含む部分が、ディスペンスポンプ１１２とは別体とされ、ディスペンスポンプ１１２に密接せず、ディスペンスポンプ１１２から離間した位置に配設されている。

なお、液供給ユニット１００に設けられた各弁には、制御部１０により制御可能な電磁弁や空気作動弁が用いられ、各弁と制御部１０は電気的に接続されている。また、制御部１０は、ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２と電気的に接続されている。この構成により、液供給ユニット１００による一連の処理は制御部１０の制御の下、自動で行うことが可能となっている。
また、異物検出部２３０による測定結果及び流量計２４０による測定結果は制御部１０に出力される。

＜送液部１１０の位置＞
続いて、送液部１１０の位置について説明する。図６は、送液部の位置を説明するための図である。

前述のように、液供給ユニット１００は、レジスト膜形成モジュール２１毎に、送液部１１０が介設された供給管路１５０を有する。また、送液部１１０はそれぞれ、対応するレジスト膜形成モジュール２１に対するディスペンスポンプ１１２と、フィルタ１１１と、を有する。さらに、前述のように、キャリアブロックＤ１における受け渡しタワーＴ１の手前側（図１等のＸ方向負側）の領域、すなわち、キャリアブロックＤ１におけるレジスト膜形成モジュール２１に幅方向（Ｙ方向）に隣接する領域は、送液部１１０が収容される収容領域１８となっている。

収容領域１８は、第１の積層処理ブロックＤ２の手前側（Ｘ方向負側）の部分と同様、鉛直方向に沿って分割され、複数（図の例では８つ）の階層に区画されており、各層に送液部１１０が収容される。以下では、８つの階層を下側から順に階層Ｅ１１～Ｅ１８という。

階層Ｅ１１は、階層Ｅ１と同じ高さに位置し、階層Ｅ１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０に介設された送液部１１０が収容される。
同様に、階層Ｅ１２は、階層Ｅ２と同じ高さに位置し、階層Ｅ２に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０に介設された送液部１１０が収容される。
階層Ｅ１３～Ｅ１８についても同様である。

このようにして、送液部１１０はそれぞれ、キャリアブロックＤ１内において、対応するレジスト膜形成モジュール２１に水平方向である幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されている。具体的には、送液部１１０は、対応するレジスト膜形成モジュール２１が設けられた階層に水平方向に隣接するキャリアブロックＤ１内の階層に、配置されている。なお、「隣接」とは、隣り合う物体が互いに接することを含み、また、隣り合う物体が接してはいないが近くに存在することも含む。

異物検出部２３０が、レジスト膜形成モジュール２１毎に設けられている場合、異物検出部２３０も、キャリアブロックＤ１内において、対応するレジスト膜形成モジュール２１に幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されてもよい。具体的には、例えば、階層Ｅ１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する異物検出部２３０が、階層Ｅ１１に収容されてもよい。

＜液供給ユニット１００の動作＞
次に、図７～図１１に基づいて、液供給ユニット１００の動作について説明する。図７～図９、図１１はそれぞれ、循環動作時、吐出動作時、アシストポンプ１０２への補充動作時、ディスペンスポンプ１１２への補充動作時の液供給ユニット１００の状態を示す図である。図１０は、ディスペンスポンプ１１２への補充動作時における、当該ディスペンスポンプ１１２の状態の一例を示す図である。図７～図９、図１１では、開状態の弁を白塗りで、閉状態の弁を黒塗りで、レジスト液が流通している管を太線で示すことで、その他の弁の開閉状態については説明を適宜省略する。なお、循環動作及び吐出動作それぞれの前において、供給管路１５０、戻り管路１６０は予めレジスト液が充填されているものとする。また、以下の各動作は、制御部１０の制御の下、行われる。さらに、各動作時において、吐出制御弁Ｖ２１の駆動は、当該吐出制御弁Ｖ２１とは別体に構成された電空レギュレータ２５０により制御され、ディスペンスポンプ１１２の駆動は、当該ディスペンスポンプ１１２とは別体に構成された電空レギュレータ２５１により制御される。

＜循環＞
液供給ユニット１００では、吐出ノズル２１ａにレジスト液を供給しない時、すなわち、吐出ノズル２１ａからレジスト液の吐出が行われない時、供給管路１５０内にレジスト液が滞留することがないよう、戻り管路１６０を含む循環路内でレジスト液を循環させる。具体的には、図７に示すように、第１開閉弁Ｖ１１及び吐出制御弁Ｖ２１が閉状態とされ、第２開閉弁Ｖ１２及び第３開閉弁Ｖ１３が開状態とされる。そして、ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２が駆動される。

これにより、ディスペンスポンプ１１２及びアシストポンプ１０２からレジスト液の圧送が行われ、供給管路１５０においてフィルタ１１１及びディスペンスポンプ１１２を通流したレジスト液が、供給管路１５０におけるフィルタ１１１及びディスペンスポンプ１１２の上流側に戻され、循環する。具体的には、供給管路１５０においてフィルタ１１１及びディスペンスポンプ１１２を通流したレジスト液が、吐出制御弁Ｖ２１内から、供給管路１５０におけるフィルタ１１１及びディスペンスポンプ１１２の上流側に戻され、フィルタ１１１に濾過されながら循環する。

上述の循環は、液供給ユニット１００の立ち上げ時等にも行われる。この場合、レジスト液がフィルタ１１１により複数回濾過されるように、上記循環が行われる。

このようにレジスト液の循環を行うことで、フィルタ１１１等に付着していたパーティクルが、滞留によりレジスト液に混入されるのを抑制することができる。

また、この循環動作中、戻り管路１６０を通流するレジスト液内の異物が、すなわち、供給管路１５０におけるフィルタ１１１及びディスペンスポンプ１１２の上流側に戻すレジスト液内に異物が、異物検出部２３０により検出される。

さらに、この循環動作中、異物検出部２３０による検出は複数回行われ、具体的には、異物検出部２３０によるレジスト液内の異物数の測定は複数回行われてもよい。異物検出部２３０による検出は例えば定期的に行われる。

循環動作中は、レジスト液の流速を吐出動作中より低くしてもよい。
また、循環動作の際、ディスペンスポンプ１１２から圧送されたレジスト液の流量、または、フィルタ１１１に濾過されディスペンスポンプ１１２に向かうレジスト液の流量の少なくともいずれか一方を、流量計２４０で測定してもよい。

＜吐出＞
吐出ノズル２１ａからの吐出時は、当該吐出ノズル２１ａを有するレジスト膜形成モジュール２１に対応し且つ当該レジスト膜形成モジュール２１に幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置された送液部１１０から、当該レジスト膜形成モジュール２１にレジスト液が供給される。具体的には、図８に示すように、レジスト液の供給先のレジスト膜形成モジュール２１に対応する第２開閉弁Ｖ１２及び第３開閉弁Ｖ１３が閉状態とされ、吐出制御弁Ｖ２１が開状態とされる。この状態で、ディスペンスポンプ１１２が駆動される。

これにより、ディスペンスポンプ１１２からレジスト液の圧送が行われ、供給管路１５０に充填されていた、フィルタ１１１を通過したレジスト液が、目的のレジスト膜形成モジュール２１の吐出ノズル２１ａに供給される。
なお、吐出動作の際、ディスペンスポンプ１１２から圧送されたレジスト液の流量を、流量計２４０で測定してもよい。

＜ディスペンスポンプ１１２への補充＞
液供給ユニット１００では、吐出ノズル２１ａからの吐出後、ディスペンスポンプ１１２へのレジスト液の補充が行われる。具体的には、図９に示すように、例えば、第２開閉弁Ｖ１２が開状態とされ、第１開閉弁Ｖ１１、吐出制御弁Ｖ２１、第３開閉弁Ｖ１３が閉状態とされる。この状態で、ディスペンスポンプ１１２が駆動されずに、アシストポンプ１０２が駆動される。
これにより、アシストポンプ１０２からレジスト液の圧送が行われ、ディスペンスポンプ１１２に、フィルタ１１１で濾過されたレジスト液が補充される。

また、ディスペンスポンプ１１２が、図１０に示すように、貯留室１１２ａを有するフラムポンプである場合、ディスペンスポンプ１１２を以下のように配設してもよい。すなわち、貯留室１１２ａの鉛直方向上側（図６のＺ方向正側）が当該ディスペンスポンプ１１２の一次側となり、貯留室１１２ａの鉛直方向下側（図６のＺ方向負側）が当該ディスペンスポンプ１１２の二次側となるように配設してもよい。

この場合、ディスペンスポンプ１１２の貯留室１１２ａには、当該貯留室１１２ａの鉛直方向上側（Ｚ方向正側）端からレジスト液が補充される。また、この場合、貯留室１１２ａの鉛直方向下側（Ｚ方向負側）端から、レジスト液が圧送され、レジスト膜形成モジュール２１の吐出ノズル２１ａに供給される。

＜アシストポンプ１０２への補充＞
液供給ユニット１００では、ディスペンスポンプ１１２への補充後、レジスト液ボトル１０１から液供給ユニット１００へのレジスト液の補充が行われ、具体的には、アシストポンプ１０２へのレジスト液の補充が行われる。より具体的には、図１１に示すように、例えば、制御部１０によりレジスト液ボトル１０１ａ、１０１ｂのうち一方のみが補充源として選択され、開閉弁Ｖ１ａ、Ｖ１ｂのうち、選択されたレジスト液ボトル１０１に対応する弁（図の例では開閉弁Ｖ１ａ）のみ開状態とされる。また、第１開閉弁Ｖ１１が開状態とされ、第２開閉弁Ｖ１２及び第３開閉弁Ｖ１３が閉状態とされる。この状態で、ディスペンスポンプ１１２が駆動されずに、アシストポンプ１０２が駆動される。
これにより、アシストポンプ１０２によるレジスト液の吸引が行われ、選択されたレジスト液ボトル１０１からアシストポンプ１０２へレジスト液が補充される。

ディスペンスポンプ１１２への補充及びアシストポンプ１０２への補充が終了すると、前述の循環動作が行われる。

＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態にかかる塗布現像装置１は、多段に積層された複数のレジスト膜形成モジュール２１と、複数のレジスト膜形成モジュール２１にレジスト液を供給する液供給ユニット１００と、を備える。液供給ユニット１００は、送液部１１０が介設された供給管路１５０をレジスト膜形成モジュール２１に対応して有している。すなわち、液供給ユニット１００は、送液部１１０をレジスト膜形成モジュール２１に対応して有し、レジスト膜形成モジュール２１毎に有している。また、送液部１１０はそれぞれ、対応するレジスト膜形成モジュール２１にレジスト液を圧送するディスペンスポンプ１１２と、レジスト液を濾過するフィルタ１１１と、を有する。そして、送液部１１０はそれぞれ、対応するレジスト膜形成モジュール２１に幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されている。

本実施形態と異なる形態（以下、比較の形態）として、塗布現像装置１が備える全てのレジスト膜形成モジュール２１間でフィルタ１１１が共通である形態が考えられる。この比較に形態に比べ、本実施形態では、フィルタ１１１を有する送液部１１０が上述のように設けられているため、塗布現像装置１が備える複数のレジスト膜形成モジュール２１それぞれについて、フィルタ１１１から吐出ノズル２１ａまでの距離を短くすることができる。そのため、供給管路１５０におけるフィルタ１１１から吐出ノズル２１ａまでの部分で、レジスト液に異物が混入するのを、各々のレジスト膜形成モジュール２１について抑制することができる。したがって、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、供給されたレジスト液を用いてウェハＷを処理した際に欠陥が発生するのを抑制することができる。

さらに、本実施形態では、上述のようにディスペンスポンプ１１２を有する送液部１１０が設けられているため、ディスペンスポンプ１１２と吐出ノズル２１ａとの高低差すなわち揚程差を、レジスト膜形成モジュール２１間で略等しくすることができる。これと異なり、揚程差がレジスト膜形成モジュール２１間で比較的大きい場合は、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、吐出ノズル２１ａからの吐出性能を所望のものとするには長時間を要する。それに対し、揚程差がレジスト膜形成モジュール２１間で略等しければ、相対的に短い時間で、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、吐出ノズル２１ａからの吐出性能を所望のものとすることができる。すなわち、本実施形態によれば、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、所望の吐出性能を容易に得ることができる。

また、本実施形態では、前述のように、電空レギュレータ２５０は、吐出制御弁Ｖ２１とは一体化されず、別体とされている。特に、電空レギュレータ２５０における、第１弁体２１１を駆動するための空気圧の制御に用いられる回路基板を含む部分が、吐出制御弁Ｖ２１とは別体とされている。これにより、制御実行時に高温となる電空レギュレータ２５０（具体的には上記回路基板）の温度の影響で、吐出制御弁Ｖ２１内のレジスト液が昇温するのを抑制することができる。その結果、レジスト液が昇温することにより悪影響が生じるのを抑制することができる。レジスト液が昇温することにより生じる悪影響としては、例えば、レジスト液の密度が変化し吐出ノズル２１ａからのレジスト液吐出量が変化することや、レジスト膜厚が変化すること等が挙げられる。

吐出制御弁に電空レギュレータが一体化されていると、吐出制御弁にさらに吐出ノズル２１ａが一体化される場合等においては、レジスト膜形成モジュール２１に高さがあるため、レジスト膜形成モジュール２１の積層数に関し改善の余地がある。具体的には、相対的に高さが大きいレジスト膜形成モジュール２１が８段以上積層されると、装置全体の鉛直方向の高さが非常に大きくなり、装置搬送が困難になったり、装置を設置する工場の天井高さに制約が生じたりする。それに対し、本実施形態では、吐出制御弁Ｖ２１は、吐出ノズル２１ａに一体化されていても、電空レギュレータ２５０と別体とされているため、レジスト膜形成モジュール２１を低くすることができる。その結果、レジスト膜形成モジュール２１の積層数に関する点を改善することができる。具体的には、レジスト膜形成モジュール２１が８段以上積層されたときに装置全体の鉛直方向の高さが非常に大きくなること等を抑制することができる。

さらに、本実施形態では、前述のように、電空レギュレータ２５１は、ディスペンスポンプ１１２とは一体化されず、別体とされている。特に、電空レギュレータ２５１における、作動室内の圧力の制御に用いられる回路基板を含む部分が、ディスペンスポンプ１１２とは別体とされている。これにより、制御実行時に高温となる電空レギュレータ２５１（具体的には上記回路基板）の温度の影響で、ディスペンスポンプ１１２内のレジスト液が昇温するのを抑制することができる。その結果、レジスト液が昇温することにより悪影響が生じるのを抑制することができる。

また、本実施形態では、フィルタ１１１が介設された循環路を構成する戻り管路１６０の一端は、吐出制御弁Ｖ２１内において供給管路１５０から分岐されている。そのため、本実施形態によれば、供給管路１５０における吐出ノズル２１ａに近い部分についてもレジスト液を循環させることができる。すなわち、上記循環路で循環せずに供給管路１５０内で滞留するレジスト液を減らすことができる。供給管路１５０内で滞留したレジスト液は、異物が混入されているおそれがあるため、廃棄することが好ましいが、本実施形態ように供給管路１５０内で滞留するレジスト液を減らすことができれば、レジスト液の廃棄量を減らすことができ、省薬液化を図ることができる。

さらに、本実施形態では、供給管１５３内を通流するレジスト液の流量が、供給管１５３の外側に配設されレジスト液との接液面を有さない流量計２４０で測定される。そのため、レジスト液の流量の測定により、レジスト液の清浄度が低下するのを抑制することができる。

また、前述したように、本実施形態では、ディスペンスポンプ１１２の貯留室１１２ａの鉛直方向上側端からレジスト液が補充され、貯留室１１２ａの鉛直方向下側端から、レジスト液が圧送され、レジスト膜形成モジュール２１の吐出ノズル２１ａに供給されてもよい。これにより、レジスト液の補充時等に、貯留室１１２ａ内のレジスト液に気泡が生じたとしても、ディスペンスポンプ１１２の下流側に気泡が流れるのを抑制することができる。

さらに、前述したように、レジスト液の循環動作中、異物検出部２３０による検出は複数回行われてもよい。異物検出部２３０が、検出回数の増加に伴い検出感度が向上するものである場合、上述のように検出回数が行われるようにすると、検出感度を向上させることができる。

また、前述のように、循環動作中は、レジスト液の流速を吐出動作中より低くしてもよい。異物検出部２３０は、その検出精度がレジスト液の流速の影響を受けることがあり、高流速の際に、所望の検出精度が得られない場合がある。この場合、上述のように、循環動作中のレジスト液の流速を低くすることで、検出精度を向上させることができる。

さらに、前述のように、異物検出部２３０が、レジスト膜形成モジュール２１毎に設けられている場合、異物検出部２３０も、キャリアブロックＤ１内において、対応するレジスト膜形成モジュール２１に幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されてもよい。これにより、異物検出部２３０の配設位置におけるレジスト液の流量が、レジスト膜形成モジュール２１間でばらつくのを抑制することができる。その結果、異物検出部２３０による検出精度がレジスト膜形成モジュール２１間でばらつくのを抑制することができる。

さらにまた、本実施形態では、レジスト膜形成モジュール２１が設けられた空間と区画され且つ当該空間に幅方向（Ｙ方向）に隣接する空間に、送液部１１０が収容され、また、異物検出部２３０も収容され得る。したがって、レジスト膜形成モジュール２１による処理を停止させることなく、送液部１１０のディスペンスポンプ１１２や、異物検出部２３０等のメンテナンスを行うことができる。その結果、スループットの低下を抑制しながら、欠陥に関する性能を上記メンテナンスにより維持することができる。

また、本実施形態では、供給管路１５０は、対応するレジスト膜形成モジュール２１に下流側端が接続され、複数のレジスト液ボトル１０１に上流側端が接続されている。さらに、供給管路１５０は、レジスト液ボトル１０１毎に、レジスト液ボトル１０１からのレジスト液の補充の実行及び停止を切り換える開閉弁Ｖ１ａ、Ｖ１ｂが介設されている。そそして、供給管路１５０では、レジスト液ボトル１０１のいずれか１つから液供給ユニット１００へのレジスト液の補充時に、開閉弁Ｖ１ａＶ１ｂのうち、当該レジスト液ボトル１０１に対応するもののみ開状態とされ、その他は閉状態とされる。これにより、レジスト液ボトル１０１に貯留されていたレジスト液を一時的に貯留する、バッファタンク等の一時貯留部を供給管路１５０に介設せずとも、レジスト液ボトル１０１の交換時にレジスト液の供給が途絶えることがないため、処理を継続することができる。

＜液供給ユニットの他の例＞
図１２は、液供給ユニットの構成の他の例の概略を示す説明図である。
図１２の液供給ユニット１００Ａは、以上の例の液供給ユニット１００と同様に、送液部１１０が介設された供給管路１５０Ａを、レジスト膜形成モジュール２１に対応して有する。しかし、液供給ユニット１００Ａは、液供給ユニット１００と異なり、レジスト膜形成モジュール２１毎には、送液部１１０が介設された供給管路１５０Ａを有していない。液供給ユニット１００Ａは、２台のレジスト膜形成モジュール２１に対して、送液部１１０が介設された供給管路１５０Ａを１つ有している。供給管路１５０Ａの下流側端は、対応するレジスト膜形成モジュール２１に接続されている。具体的には、供給管路１５０Ａの下流側端部は、枝供給管路１５４ａ、１５４ｂに分岐され、枝供給管路１５４ａの下流側端が、対応する２台のレジスト膜形成モジュール２１の一方の吐出ノズル２１ａに接続され、枝供給管路１５４ｂの下流側端が、対応する２台のレジスト膜形成モジュール２１の他方の吐出ノズル２１ａに接続されている。

供給管路１５０Ａにはそれぞれ、送液部１１０が１つ介設されている。すなわち、液供給ユニット１００Ａは、２台のレジスト膜形成モジュール２１に対して、１つの送液部１１０を有する。送液部１１０は、供給管路１５０Ａにおける枝供給管路１５４ａ、１５４ｂへの分岐部分より上流側に設けられる。

なお、図示は省略するが、液供給ユニット１００Ａでは、液供給ユニット１００と同様、吐出制御弁Ｖ２１の動作を制御するレギュレータと、ディスペンスポンプ１１２の動作を制御するレギュレータが設けられる。また、液供給ユニット１００Ａにおいても、これらのレギュレータは、吐出制御弁Ｖ２１やディスペンスポンプ１１２と別体とされている。特に、これらのレギュレータにおける、制御に用いられる回路基板を含む部分が、吐出制御弁Ｖ２１やディスペンスポンプ１１２から離間した位置に配設されている。

また、液供給ユニット１００Ａは、液供給ユニット１００と異なり、供給管路１５０Ａの上流側端に接続されているレジスト液ボトル１０１の数は１つである。ただし、供給管路１５０Ａの上流側が、図４の液供給ユニット１００と同様に分岐され、それぞれの上流側端にレジスト液ボトル１０１が接続されてもよい。

さらに、液供給ユニット１００Ａは、液供給ユニット１００と異なり、戻り管路１６０を有していない。
ただし、液供給ユニット１００Ａが、戻り管路１６０を有していてもよい。この場合、戻り管路１６０は、枝供給管路１５４毎すなわち吐出ノズル２１ａ毎に設けられる。各戻り管路１６０の一端は、対応する枝供給管路１５４から分岐される。各戻り管路１６０の他端は、合流して、供給管路１５０Ａにおける第１開閉弁Ｖ１１の下流側であってディスペンスポンプ１１２及びフィルタ１１１の上流側に接続される。したがって、各戻り管路１６０は、対応する枝供給管路１５４と、供給管路１５０Ａにおけるディスペンスポンプ１１２とフィルタ１１１が介設された部分と共に、処理液の循環路を構成する。

図１３は、液供給ユニット１００Ａを用いる場合の送液部１１０の位置を説明するための図である。
液供給ユニット１００Ａを用いる場合、図４の液供給ユニット１００を用いる場合と同様、図１３に示すように、収容領域１８は、鉛直方向に沿って複数の層に分割され、各層に送液部１１０が収容される。ただし、液供給ユニット１００Ａを用いる場合、図４の液供給ユニット１００を用いる場合と異なり、収容領域１８は、第１の積層処理ブロックＤ２において鉛直方向に重ねられたレジスト膜形成モジュール２１の台数の半分の数（図の例では４つ）の階層に区画される。以下では、４つの階層を下側から順に階層Ｅ２１～Ｅ２４という。

階層Ｅ２１は、階層Ｅ１及び階層Ｅ２の両方と高さ位置が重なり、階層Ｅ１及びＥ２に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０Ａに介設された送液部１１０が収容される。
同様に、階層Ｅ２２は、階層Ｅ３及び階層Ｅ４の両方と高さ位置が重なり、階層Ｅ３及びＥ４に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０Ａに介設された送液部１１０が収容される。
階層Ｅ２３、Ｅ２４についても同様である。

このようにして、液供給ユニット１００Ａを用いる場合も、送液部１１０はそれぞれ、キャリアブロックＤ１内において、対応するレジスト膜形成モジュール２１に水平方向である幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されている。

本例の場合も、前述の比較の形態に比べ、塗布現像装置１が備える複数のレジスト膜形成モジュール２１それぞれについて、フィルタ１１１から吐出ノズル２１ａまでの距離を短くすることができる。したがって、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、供給されたレジスト液を用いてウェハＷを処理した際に欠陥が発生するのを抑制することができる。

また、本例の場合、塗布現像装置１が備える全てのレジスト膜形成モジュール２１間でディスペンスポンプ１１２が共通である場合等に比べて、ディスペンスポンプ１１２と吐出ノズル２１ａとの高低差すなわち揚程差を、レジスト膜形成モジュール２１間で小さくすることができる。したがって、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、所望の吐出性能を容易に得ることができる。

さらに、本例の場合、２台のレジスト膜形成モジュール２１に対して、１つの送液部１１０が設けられており、すなわち、２台のレジスト膜形成モジュール２１で１つのディスペンスポンプ１１２を共有している。そのため、レジスト膜形成モジュール２１毎にディスペンスポンプ１１２が設けられている場合に比べて、低コスト化を図ることができる。

図１４は、液供給ユニットの構成のさらに別の例の概略を示す説明図である。
図１４の液供給ユニット１００Ｂは、図４の例の液供給ユニット１００等と同様に、送液部１１０Ｂが介設された供給管路１５０Ｂを、レジスト膜形成モジュール２１に対応して有する。しかし、液供給ユニット１００Ｂは、液供給ユニット１００と異なり、レジスト膜形成モジュール２１毎には、送液部１１０Ｂが介設された供給管路１５０Ｂを有していない。液供給ユニット１００Ｂは、３台のレジスト膜形成モジュール２１に対して、１つの送液部１１０Ｂが介設された供給管路１５０Ｂを１つ有し、送液部１１０Ｂがディスペンスポンプ１１２を２基有している。

供給管路１５０Ｂは、第１供給管路１５５、アシストポンプ用分岐管路１５６、第２供給管路１５７、ディスペンスポンプ用分岐管路１５８、第３供給管路１５９を有する。

第１供給管路１５５は、上流側が枝供給管路１５２ａ、１５２ｂに分岐されており、第１開閉弁Ｖ１１が介設されている。第１供給管路１５５ｂの下流側端は、アシストポンプ用分岐管路１５６ａ、１５６ｂが並列に接続されている。

アシストポンプ用分岐管路１５６ａには、アシストポンプ１０２ａが介設されており、そのアシストポンプ１０２ａの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁Ｖ３１ａ、開閉弁Ｖ３２ａとが介設されている。
アシストポンプ用分岐管路１５６ｂには、アシストポンプ１０２ｂが介設されており、そのアシストポンプ１０２ｂの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁Ｖ３１ｂ、開閉弁Ｖ３２ｂとが介設されている。
アシストポンプ用分岐管路１５６ａ、１５６ｂの下流側端は、第２供給管路１５７の上流側端に接続されている。

第２供給管路１５７は、送液部１１０Ｂを構成するフィルタ１１１が介設されいる。第２供給管路１５７の下流側端は、ディスペンスポンプ用分岐管路１５８ａ、１５８ｂが並列に接続されている。

ディスペンスポンプ用分岐管路１５８ａには、送液部１１０Ｂを構成するディスペンスポンプ１１２ａが介設されており、そのディスペンスポンプ１１２ａの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁Ｖ３３ａ、開閉弁Ｖ３４ａとが介設されている。
ディスペンスポンプ用分岐管路１５８ｂには、送液部１１０Ｂを構成するディスペンスポンプ１１２ｂが介設されており、そのディスペンスポンプ１１２ｂの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁Ｖ３３ｂ、開閉弁Ｖ３４ｂとが介設されている。
ディスペンスポンプ用分岐管路１８６ａ、１８６ｂの下流側端は、第３供給管路１５９の上流側端に接続されている。

第３供給管路１５９の下流側端部は、枝供給管路１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃに分岐されている。
枝供給管路１５４ａの下流側端は、供給管路１５０Ｂに対応する３台のレジスト膜形成モジュール２１のうち、第１のレジスト膜形成モジュール２１が有する吐出ノズル２１ａに接続されている。
枝供給管路１５４ｂの下流側端は、供給管路１５０Ｂに対応する３台のレジスト膜形成モジュール２１のうち、第２のレジスト膜形成モジュール２１が有する吐出ノズル２１ａに接続されている。
枝供給管路１５４ｃの下流側端は、供給管路１５０Ｂに対応する３台のレジスト膜形成モジュール２１のうち、第３のレジスト膜形成モジュール２１が有する吐出ノズル２１ａに接続されている。

また、液供給ユニット１００Ｂは、戻り管路１６０を、枝供給管路１５４毎すなわち吐出ノズル２１ａ毎に有する。戻り管路１６０ａは枝供給管路１５４ａに対し設けられ、戻り管路１６０ｂは枝供給管路１５４ｂに対し設けられ、戻り管路１６０ｃは枝供給管路１５４ｃに対し設けられている。
戻り管路１６０の一端は、対応する枝供給管路１５４から分岐されている。戻り管路１６０ａ～１６０ｃの他端は、合流して、供給管路１５０Ｂにおける第１開閉弁Ｖ１１の下流側であってディスペンスポンプ１１２及びフィルタ１１１の上流側に接続されている。具体的には、戻り管路１６０ａ～１６０ｃの他端は、第１供給管路１５５における第１開閉弁Ｖ１１の下流側に接続されている。
したがって、戻り管路１６０はそれぞれ、対応する枝供給管路１５４と、供給管路１５０Ｂにおけるディスペンスポンプ１１２とフィルタ１１１が介設された部分と共に、処理液の循環路を構成する。

図１５は、液供給ユニット１００Ｂを用いる場合の送液部１１０Ｂの位置を説明するための図である。
液供給ユニット１００Ｂを用いる場合、図４の液供給ユニット１００を用いる場合と同様、図１５に示すように、収容領域１８は、鉛直方向に沿って複数の層に分割され、各層に送液部１１０Ｂが収容される。ただし、液供給ユニット１００Ｂを用いる場合、図４の液供給ユニット１００を用いる場合と異なり、収容領域１８は、第１の積層処理ブロックＤ２においてレジスト膜形成モジュール２１が設けられる階層より高さが２倍以上の階層を有するように構成される。収容領域１８は、階層Ｅ３１、Ｅ３２を上からこの順で含む。

階層Ｅ３１は、階層Ｅ２～Ｅ４のいずれとも高さ位置が重なり、階層Ｅ２～Ｅ４に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０Ｂに介設された送液部１１０Ｂが収容される。
同様に、階層Ｅ３２は、階層Ｅ５～Ｅ７のいずれとも高さ位置が重なり、階層Ｅ５～Ｅ７に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対応する供給管路１５０Ｂに介設された送液部１１０が収容される。

このようにして、液供給ユニット１００Ｂを用いる場合も、送液部１１０Ｂはそれぞれ、キャリアブロックＤ１内において、対応するレジスト膜形成モジュール２１に水平方向である幅方向（Ｙ方向）に隣接して配置されている。

本例の場合も、前述の比較の形態に比べ、塗布現像装置１が備える複数のレジスト膜形成モジュール２１それぞれについて、フィルタ１１１から吐出ノズル２１ａまでの距離を短くすることができる。したがって、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、供給されたレジスト液を用いてウェハＷを処理した際に欠陥が発生するのを抑制することができる。

また、本例の場合も、塗布現像装置１が備える全てのレジスト膜形成モジュール２１間でディスペンスポンプ１１２が共通である場合等に比べて、ディスペンスポンプ１１２と吐出ノズル２１ａとの高低差すなわち揚程差を、レジスト膜形成モジュール２１間で小さくすることができる。したがって、本実施形態によれば、各々のレジスト膜形成モジュール２１について、所望の吐出性能を容易に得ることができる。

さらに、本例の場合、３台のレジスト膜形成モジュール２１で２つのディスペンスポンプ１１２を共有している。そのため、レジスト膜形成モジュール２１毎にディスペンスポンプ１１２が設けられている場合に比べて、低コスト化を図ることができる。

なお、本例の液供給ユニット１００Ｂの場合、一方のディスペンスポンプ１１２を吐出ノズル２１ａからの処理液に吐出に用いながら、他方のディスペンスポンプ１１２への処理液の補充を行うことができる。また、一方のアシストポンプ１０２をディスペンスポンプ１１２への処理液の補充に用いながら、他方のアシストポンプ１０２への処理液の補充を行うことができる。

＜その他の変形例＞
以上では、液供給装置が供給する処理液は、レジスト液であったが、レジスト液以外の塗布膜（例えば反射防止膜）を形成するための処理液である塗布液であってもよい。また、塗布液以外の処理液であってもよい。

また、以上の例では、送液部１１０が、キャリアブロックＤ１に設けられていたが、処理液の送出先の液処理モジュールの配設位置によっては、インターフェイスブロックＤ４に設けられてもよい。具体的には、処理液の送出先の液処理モジュールが第２の積層処理ブロックＤ３に設けられている場合には、送液部１１０が、インターフェイスブロックＤ４に設けられてもよい。

なお、塗布現像装置１における液供給ユニット１００からの処理液の送出対象の液処理モジュールの一部については、対応する送液部１１０が、水平方向に隣接して配置されていなくてもよい。例えば、図１６に示すように、第２の積層処理ブロックＤ３に設けられたレジスト膜形成モジュール２１に対する送液部１１０については、以下の場合等において、インターフェイスブロックＤ４における当該レジスト膜形成モジュール２１と高さ方向で重ならない位置（具体的には下方の位置）に設けられる。すなわち、インターフェイスブロックＤ４におけるレジスト膜形成モジュール２１に水平方向に隣接する部分に裏面洗浄モジュール３５等の他のモジュールが設けられており、当該隣接する部分に、送液部１１０が設けられない場合である。

また、塗布現像装置１は、図１７に示すように、第１の積層処理ブロックＤ２と第２の積層処理ブロックＤ３との間に、さらに積層処理ブロックＤ１１（以下、「中間積層処理ブロックＤ１１」という。）を有していてもよい。この場合、中間積層処理ブロックＤ１１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１については、対応する送液部１１０が、水平方向に隣接して配置されていなくてもよい。例えば、この場合、中間積層処理ブロックＤ１１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１については、対応する送液部１１０が、キャリアブロックＤ１におけるレジスト膜形成モジュール２１と高さ方向で重ならない位置（具体的には下方の位置）に設けられていてもよい。これに代えて、中間積層処理ブロックＤ１１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１については、対応する送液部１１０が、インターフェイスブロックＤ４におけるレジスト膜形成モジュール２１と高さ方向で重ならない位置に設けられていてもよい。

塗布現像装置１における液供給ユニット１００からの処理液の送出対象の液処理モジュールの一部について、該当する液処理モジュールが積層されており、且つ、対応する送液部１１０が、上述のように水平方向に隣接して配置されていない場合、以下のようにされてもよい。すなわち、積層された液処理モジュール間で、液処理モジュールと対応する送液部の揚程差が等しくなるようにされてもよい。具体的には、例えば、図１７において点線で示すように、中間積層処理ブロックＤ１１に設けられたレジスト膜形成モジュール２１のうち、ｎ（ｎは自然数）＋４層目のモジュールについては、対応する送液部１１０が、キャリアブロックＤ１におけるｎ層目に設けられていてもよい。

戻り管路１６０は、異物検出部２３０による検出対象部分の管壁の内径が、他の部分より小さくてもよい。これにより、上記検出対象部分に異物を集めることができるため、異物の検出精度を向上させることができる。なお、戻り管路１６０は、吐出ノズル２１ａからの処理液の吐出性能に影響が小さいため、その管壁の内径の変更は容易である。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、
前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニット
と、を備え、
前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、
前記送液部はそれぞれ、
対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、
対応する前記液処理モジュールに水平方向に隣接して配置されている、基板処理装置。
（２）前記液供給ユニットは、前記液処理モジュール毎に前記供給管路を有する、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記液処理モジュールは、当該液処理モジュールに供給された前記処理液を吐出する吐出ノズルを有し、
前記供給管路は、
対応する液処理モジュールの前記吐出ノズルに一端が接続され、
当該吐出ノズルからの前記処理液の吐出を制御する吐出制御弁が、前記送液部の下流側に、介設されている、前記（１）または（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記液供給ユニットは、前記吐出制御弁の動作を制御するレギュレータをさらに有し、
前記レギュレータは、前記吐出制御弁と別体に構成されている、前記（３）に記載の基板処理装置。
（５）前記液供給ユニットは、前記ポンプの動作を制御するレギュレータをさらに有し、
前記レギュレータは、前記ポンプとは別体に構成されている、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（６）前記供給管路は、
対応する前記液処理モジュールに一端が接続され、
それぞれ前記処理液を貯留する複数の貯留源に他端が接続され、
前記貯留源毎に、当該貯留源からの前記処理液の補充の実行及び停止を切り換える切換弁が介設され、
前記貯留源から前記液供給ユニットへの前記補充時に、当該貯留源に対応する前記切換弁のみ開状態とされ、その他の前記切換弁は閉状態とされる、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（７）前記液供給ユニットは、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの下流側から一端が分岐され、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に他端が接続された戻り管路をさらに有し、
前記戻り管路は、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタが介設された部分と共に前記処理液の循環路を構成する、前記（１）、（２）、（４）～（６）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（８）前記液供給ユニットは、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの下流側から一端が分岐され、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に他端が接続された戻り管路をさらに有し、
前記戻り管路は、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタが介設された部分と共に前記処理液の循環路を構成し、前記戻り管路の前記一端は、前記吐出制御弁内において前記供給管路から分岐されている、前記（３）に記載の基板処理装置。
（９）前記ポンプは、貯留室を有するフラムポンプであり、前記貯留室の鉛直方向上側端が当該ポンプの一次側とされ、前記貯留室の鉛直方向下側端が当該ポンプの二次側とされる、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記供給管路は、前記処理液が通流する供給管を有し、
前記液供給ユニットは、前記供給管の外側に配設され、当該供給管内を通流する前記処理液の流量を測定する流量計をさらに有する、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）前記戻り管路は、当該戻り管を通流する前記処理液内の異物を検出する異物検出部が介設されている、前記（６）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１２）基板処理装置を用いた処理液供給方法であって、
前記基板処理装置は、
基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、
前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を備え、
前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、
前記送液部はそれぞれ、対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、
当該処理液供給方法は、前記液処理モジュールに前記処理液を供給する工程を含み、
前記処理液を供給する工程は、供給先の前記液処理モジュールに対応し且つ当該液処理モジュールに水平方向に隣接して配置された前記送液部から、前記処理液を供給する、処理液供給方法。
（１３）前記液供給ユニットは、前記液処理モジュール毎に前記供給管路を有する、前記（１２）に記載の処理液供給方法。
（１４）前記液処理モジュールは、当該液処理モジュールに供給された前記処理液を吐出する吐出ノズルを有し、
前記供給管路は、
対応する液処理モジュールの前記吐出ノズルに一端が接続され、
当該吐出ノズルからの前記処理液の吐出を制御する吐出制御弁が、前記送液部の下流側に、介設されている、前記（１２）または（１３）に記載の処理液供給方法。
（１５）前記吐出制御弁とは別体に構成されたレギュレータによって、当該吐出制御弁の動作を制御する工程をさらに含む、前記（１５）に記載の処理液供給方法。
（１６）前記ポンプとは別体に構成されたレギュレータによって、当該ポンプの動作を制御する工程をさらに含む、前記（１２）～（１５）のいずれか１に記載の処理液供給方法。
（１７）前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し、循環させる工程をさらに含む、前記（１２）、（１３）、（１５）または（１６）に記載の処理液供給方法。
（１８）前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し、循環させる工程をさらに含み、前記循環させる工程は、前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記吐出制御弁内から、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し循環させる、前記（１４）に記載の処理液供給方法。
（１９）前記ポンプとしてのフラムポンプの貯留室の鉛直方向上側端から当該貯留室内に前記処理液を補充する工程と、
前記貯留室の鉛直方向下側端から当該貯留室内の前記処理液を圧送する工程と、を含む、前記（１２）～（１８）のいずれか１に記載の処理液供給方法。
（２０）前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻す前記処理液内の異物を検出する工程をさらに含む、前記（１７）または（１８）に記載の処理液供給方法。

１ 塗布現像装置
２１ レジスト膜形成モジュール
１００ 液供給ユニット
１１０ 送液部
１１１ フィルタ
１１２ ディスペンスポンプ
１５０ 供給管路
Ｗ ウェハ

Claims (20)

1. 基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、
   前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を備え、
   前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、
   前記送液部はそれぞれ、
   対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、
   対応する前記液処理モジュールに水平方向に隣接して配置されている、基板処理装置。
2. 前記液供給ユニットは、前記液処理モジュール毎に前記供給管路を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記液処理モジュールは、当該液処理モジュールに供給された前記処理液を吐出する吐出ノズルを有し、
   前記供給管路は、
   対応する液処理モジュールの前記吐出ノズルに一端が接続され、
   当該吐出ノズルからの前記処理液の吐出を制御する吐出制御弁が、前記送液部の下流側に、介設されている、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記液供給ユニットは、前記吐出制御弁の動作を制御するレギュレータをさらに有し、
   前記レギュレータは、前記吐出制御弁と別体に構成されている、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記液供給ユニットは、前記ポンプの動作を制御するレギュレータをさらに有し、
   前記レギュレータは、前記ポンプとは別体に構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記供給管路は、
   対応する前記液処理モジュールに一端が接続され、
   それぞれ前記処理液を貯留する複数の貯留源に他端が接続され、
   前記貯留源毎に、当該貯留源からの前記処理液の補充の実行及び停止を切り換える切換弁が介設され、
   前記貯留源から前記液供給ユニットへの前記補充時に、当該貯留源に対応する前記切換弁のみ開状態とされ、その他の前記切換弁は閉状態とされる、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記液供給ユニットは、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの下流側から一端が分岐され、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に他端が接続された戻り管路をさらに有し、
   前記戻り管路は、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタが介設された部分と共に前記処理液の循環路を構成する、請求項１に記載の基板処理装置。
8. 前記液供給ユニットは、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの下流側から一端が分岐され、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に他端が接続された戻り管路をさらに有し、
   前記戻り管路は、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタが介設された部分と共に前記処理液の循環路を構成し、
   前記戻り管路の前記一端は、前記吐出制御弁内において前記供給管路から分岐されている、請求項２に記載の基板処理装置。
9. 前記ポンプは、貯留室を有するフラムポンプであり、前記貯留室の鉛直方向上側端が当該ポンプの一次側とされ、前記貯留室の鉛直方向下側端が当該ポンプの二次側とされる、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記供給管路は、前記処理液が通流する供給管を有し、
    前記液供給ユニットは、前記供給管の外側に配設され、当該供給管内を通流する前記処理液の流量を測定する流量計をさらに有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
11. 前記戻り管路は、当該戻り管路を通流する前記処理液内の異物を検出する異物検出部が介設されている、請求項７または８に記載の基板処理装置。
12. 基板処理装置を用いた処理液供給方法であって、
    前記基板処理装置は、
    基板に処理液を用いた処理を各々が行う、多段に積層された複数の液処理モジュールと、
    前記複数の液処理モジュールに前記処理液を供給する液供給ユニットと、を備え、
    前記液供給ユニットは、送液部が介設された供給管路を前記液処理モジュールに対応して有し、
    前記送液部はそれぞれ、対応する前記液処理モジュールに前記処理液を圧送するポンプと、前記処理液を濾過するフィルタと、を有し、
    当該処理液供給方法は、前記液処理モジュールに前記処理液を供給する工程を含み、
    前記処理液を供給する工程は、供給先の前記液処理モジュールに対応し且つ当該液処理モジュールに水平方向に隣接して配置された前記送液部から、前記処理液を供給する、処理液供給方法。
13. 前記液供給ユニットは、前記液処理モジュール毎に前記供給管路を有する、請求項１２に記載の処理液供給方法。
14. 前記液処理モジュールは、当該液処理モジュールに供給された前記処理液を吐出する吐出ノズルを有し、
    前記供給管路は、
    対応する液処理モジュールの前記吐出ノズルに一端が接続され、
    当該吐出ノズルからの前記処理液の吐出を制御する吐出制御弁が、前記送液部の下流側に、介設されている、請求項１２に記載の処理液供給方法。
15. 前記吐出制御弁とは別体に構成されたレギュレータによって、当該吐出制御弁の動作を制御する工程をさらに含む、請求項１４に記載の処理液供給方法。
16. 前記ポンプとは別体に構成されたレギュレータによって、当該ポンプの動作を制御する工程をさらに含む、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の処理液供給方法。
17. 前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し、循環させる工程をさらに含む、請求項１２に記載の処理液供給方法。
18. 前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し、循環させる工程をさらに含み、
    前記循環させる工程は、前記供給管路において前記ポンプ及び前記フィルタを通流した前記処理液を、前記吐出制御弁内から、前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻し循環させる、請求項１４に記載の処理液供給方法。
19. 前記ポンプとしてのフラムポンプの貯留室の鉛直方向上側端から当該貯留室内に前記処理液を補充する工程と、
    前記貯留室の鉛直方向下側端から当該貯留室内の前記処理液を圧送する工程と、を含む、請求項１２～１５のいずれか１項に記載の処理液供給方法。
20. 前記供給管路における前記ポンプ及び前記フィルタの上流側に戻す前記処理液内の異物を検出する工程をさらに含む、請求項１７または１８に記載の処理液供給方法。

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